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CD4016BMS
1994年11月
CMOS四路双向开关
应用
模拟信号开关/多路复用
门控信号
静噪控制
砍刀
调制器
- 解调器
整流开关
数字信号切换/复用
CMOS逻辑实现
模拟到数字&数字到模拟的转换
数字控制频率，阻抗，相位和
模拟信号增益
特点
的模拟或数字信号传送或复
高压型（ 20V额定值）
20V或数字
±10V
峰 - 峰值开关
280Ω的典型导通电阻的15V操作
开关导通状态电阻匹配到10Ω以内
典型值。在15V信号输入范围
高开/关输出电压比： 65分贝典型。在FIS =
为10kHz ， RL = 10kΩ的
高线性度： <0.5 ％失真典型。在FIS
= 1kHz时， VIS = 5Vp -P ， VDD ， VSS
≥
10V ，RL = 10kΩ的
极低的关国漏电开关致使
极低的失调电流和高效灭国
阻力：为100pA典型。在VDD - VSS = 18V ，T
A
= 25
o
C
极高的控制输入阻抗（控制税务局局长
CUIT从信号电路隔离： 10
12
典型值。
交换机之间的低串扰： -50dB典型值。在FIS =
0.9MHz ，RL = 1kΩ的
匹配
控制
输入
to
信号
产量
电容式：减少输出信号的瞬态
频率响应，接通= 40MHz的（典型值）。
100 ％测试静态电流为20V
1μA在18V以上完全控制的最大输入电流
封装温度范围;为100nA ，在18V + 25
o
C
5V ， 10V和15V参数额定值
描述
CD4016BMS系列类型四双边开关意
为模拟或数字信号的传输或多路复用。
四个独立的双边开关有单次转换
控制信号输入端，同时偏压两个所述p型和n
设备在给定的开启或关闭。
该CD4016BMS在这14领先外形封装提供：
钎焊密封DIP
熔接密封DIP
陶瓷扁平
H4Q
H1B
H3W
引脚
CD4016BMS
顶视图
工作原理图
IN / OUT
SIG一个
SIG A IN 1
SIG A OUT 2
SIG B IN 3
SIG B OUT 4
控制B 5
控制C 6
VSS 7
14 VDD
13控制定
输出/输入
12个控制
11 SIG D IN
10 SIG D OUT
控制B
9 SIG C OUT
8 SIG C IN
对照C
SIG B
IN / OUT
输出/输入
1
SW
A
2
14
VDD
13
对照A
3
SW
D
12
对照物D
4
SW
B
11
IN / OUT
SIG
5
10
输出/输入
6
SW
C
9
输出/输入
SIG
VSS
7
8
IN / OUT
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3296
7-733
特定网络阳离子CD4016BMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围（ VDD ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
（电压参考VSS端子）
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VDD + 0.5V
直流输入电流，在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D，F ， K，H
存储温度范围（ TSTG ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度（焊接时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸（ 1.59毫米
±
0.79毫米）从案例
10S最大
可靠性信息
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
ja
θ
jc
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。 。 80
o
C / W
20
o
C / W
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
o
C / W
20
o
C / W
最大封装功耗（ PD ） ，在125
o
C
对于TA = -55
o
C至+100
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。 。 500mW的
对于TA = 100
o
C至+ 125
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
对于TA =全包温度范围（所有封装类型）
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
表1. DC电性能等特点
A组
亚
1
2
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VC = VDD和GND
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
输入漏电流
IIH
VC = VDD和GND
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
输入/输出泄漏
当前（关闭）
IOZL
VDD = 18V ，VC = 0V ， VIS = 18V ，
VOS = 0V
3
1
2
3
输入/输出泄漏
当前（关闭）
IOZH
VDD = 18V ， VIS = 18V ， VOS = 0V
1
2
3
N门限电压
P阈值电压
导通状态电阻
RL = 10K归国
VDD-VSS/2
VNTH
VPTH
RON10
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VIS = VDD或VSS ， VDD = 10V
1
1
1
2
3
RON10
VIS = 4.75V或5.75V ， VDD = 10V
1
2
3
RON15
VIS = VDD或VSS ， VDD = 15V
1
2
3
RON15
VIS = 7.25或7.75 ， VDD = 15V
1
2
3
实用
（注3）
F
VDD = 2.8V ， VIN = VDD和GND
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
开关阈值
RL = 100K到VDD
SWTHRH5 VDD = 5V ，VC = 1.5V ， VIS = GND
SWTHRH15 VDD = 15V ，VC = 2V ， VIS = GND
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
（注1 ）
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
民
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-2.8
0.7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.5
50
0.5
-
-
-
100
1000
100
-
-
-
100
1000
100
-0.7
2.8
660
960
600
2000
2600
1870
400
600
360
850
1230
775
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
V
V
V
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
4.1
14.1
-
-
V
V
7-734
特定网络阳离子CD4016BMS
表1. DC电性能等特点
（续）
A组
亚
1
2
3
控制输入高
电压
（注2 ，图12）
VIS = VSS和
可见= VDD
VIHC
VDD = 5V ， | IIS | = 0.16毫安， 4.6V <
VOS < 0.4V
VDD = 5V ， | IIS | = 0.14毫安， 4.6V <
VOS < 0.4V
VDD = 5V ， | IIS | = 0.25毫安， 4.6V <
VOS < 0.4V
VIHC
VDD = 15V ， | IIS | = 1.2毫安， 13.5V <
VOS < 1.5V
VDD = 15V ， | IIS | = 1.1毫安， 13.5V <
VOS < 1.5V
VDD = 15V ， | IIS | = 1.8毫安， 13.5V <
VOS < 1.5V
1
2
3
1
2
3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
民
-
-
-
3.5
3.5
3.5
11
11
11
最大
0.7
0.4
0.9
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
参数
输入电压控制，
低（注2）
符号
Vilc
条件
（注1 ）
VDD = 5V ， VOS = VDD ， VIS = VSS ，
和VDD = 5V ， VOS = VSS ， VIS =
VDD ， | IIS | < 10μA
注意事项： 1.参考设备GND所有电压，正在实施100 ％检验。
2.进入/不合格测试与限制适用于输入
3. VDD = 2.8V / 3V ， RL = 100K到VDD
VDD = 20V / 18V ， RL = 10K到VDD
表2. AC电性能等特点
A组
子群温
9
10, 11
9
10, 11
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
范围
民
-
-
-
-
最大
100
135
70
95
单位
ns
ns
ns
ns
参数
传播延迟
信号输入信号
产量
传播延迟
打开
注意事项：
符号
的TPH1
TPLH
tpZH
tPZL
条件
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
（注1,2 ）
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
（注2,3）
1. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。
2. -55
o
C和+ 125
o
限额保障，正在实施100 ％检验。
3， CL = 50pF的， RL = 1K ， TR ， TF <为20ns 。
表3.电气性能特性
范围
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
笔记
1, 2
温度
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 10V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 15V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
输入电压控制，
低
Vilc
VDD = 10V ， VOS = VDD ， VIS =
VSSand VOS = VSS ， VIS = VDD
| IIS | < 10μA
1, 2
+25
o
C-55
o
C
+125
o
C
-55
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.25
7.5
0.5
15
0.5
30
0.7
0.4
0.9
单位
A
A
A
A
A
A
V
V
V
7-735
特定网络阳离子CD4016BMS
表3.电气性能特性
（续）
范围
参数
输入电压控制，
高（见网络gure 12 ）
符号
VIHC
条件
VDD = 10V ， VIS = VDD和GND
笔记
1, 2
1, 2
1, 2
传播延迟信号
输入信号输出
传播延迟
打开
输入电容
注意事项：
1.所有电压参考器件GND 。
2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的，并且不直接测试。这些参数为特征
在最初的设计发布，一经设计变更会影响这些特性。
3. CL = 50pF的，RL = 200K 。输入TR ， TF <为20ns 。
4. CL = 50pF的，RL = 1K
的TPH1
TPLH
tpZH
tPZL
CIN
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
任何输入
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2
温度
+25
o
C-55
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
7
7
7
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
40
30
40
30
7.5
单位
V
V
V
ns
ns
ns
ns
pF
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
电源电流
N门限电压
N门限电压
DELTA
P阈值电压
P阈值电压
DELTA
实用
符号
国际直拨电话
VNTH
ΔVNTH
VPTH
ΔVPTH
F
条件
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
传播延迟时间
的TPH1
TPLH
VDD = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
笔记
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
-2.8
-
0.2
-
VOH >
VDD/2
-
最大
2.5
-0.2
±1
2.8
±1
VOL <
VDD/2
1.35 x
+25
o
C
极限
单位
A
V
V
V
V
V
ns
注意事项： 1.参考设备GND所有电压。
2，CL = 50pF的， RL = 200K ，输入TR ， TF <为20ns 。
3.请参阅表2 25
o
限制。
4.阅读并记录
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
O
C
参数
电源电流 - SSI
抗性
符号
国际直拨电话
RONDEL10
±0.1A
±
20 ％×预试阅
DELTA LIMIT
表6.适用子群
符合的集团
初步测试（预残影）
中期测试1 （后残影）
临时测试2 （后残影）
的PDA （注1）
法
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
读取并记录
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
7-736
特定网络阳离子CD4016BMS
表6.适用子群
（续）
符合的集团
临时测试3 （后残影）
的PDA （注1）
最终测试
A组
B组
B亚组-5-
B亚组-6-
D组
法
100% 5004
100% 5004
100% 5004
样本5005
样本5005
样本5005
样本5005
A组子群
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
2,3 ，8A，8B ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11 ，变化量
1, 7, 9
1 ，2，3 ， 8A，8B， 9
亚组1 ， 2 3
子群1，2， 3，9 ，10，11
读取并记录
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
注： 1。 5 ％ Parameteric ， 3 ％的功能;累积的静态1和2 。
表7.总剂量辐射
TEST
合规组
E组小组2
法
5005
PRE - IRRAD
1, 7, 9
后IRRAD
表4
读取并记录
PRE - IRRAD
1, 9
后IRRAD
表4
表8. BURN -IN和辐射测试连接
振荡器
功能
静态老化测试1
注1
静态老化测试2
注1
动态烙印
注1
放射
注2
注意：
1.除VDD和GND每个引脚将有10K串联电阻
±
5 ％ ， VDD = 18V
±
0.5V
2.除VDD和GND每个引脚将有47K串联电阻
±
5％ ; E组，小组2 ，样本大小为4骰子/晶圆， 0失败，
VDD = 10V
±
0.5V
开放
2, 3, 9, 10
2, 3, 9, 10
-
2, 3, 9, 10
地
1, 4-8, 11-13
7
7
7
VDD
14
1, 4-6, 8, 11-14
14
1, 4-6, 8, 11-14
2, 3, 9, 10
5, 6, 12, 13
1, 4, 8, 11
9V
±
-0.5V
50kHz
25kHz
原理图
VDD
控制
VC
n
IN / OUT
VSS
p
输出/输入
图4相同的部分1 1
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留更改电路设计和/或特定网络连接的阳离子在任何时候没有合适的
通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确的
可靠。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅网站
http://www.intersil.com
737
CD4016BMS
1994年11月
CMOS四路双向开关
应用
模拟信号开关/多路复用
门控信号
静噪控制
砍刀
调制器
- 解调器
整流开关
数字信号切换/复用
CMOS逻辑实现
模拟到数字&数字到模拟的转换
数字控制频率，阻抗，相位和
模拟信号增益
特点
的模拟或数字信号传送或复
高压型（ 20V额定值）
20V或数字
±10V
峰 - 峰值开关
280Ω的典型导通电阻的15V操作
开关导通状态电阻匹配到10Ω以内
典型值。在15V信号输入范围
高开/关输出电压比： 65分贝典型。在FIS =
为10kHz ， RL = 10kΩ的
高线性度： <0.5 ％失真典型。在FIS
= 1kHz时， VIS = 5Vp -P ， VDD ， VSS
≥
10V ，RL = 10kΩ的
极低的关国漏电开关致使
极低的失调电流和高效灭国
阻力：为100pA典型。在VDD - VSS = 18V ，T
A
= 25
o
C
极高的控制输入阻抗（控制税务局局长
CUIT从信号电路隔离： 10
12
典型值。
交换机之间的低串扰： -50dB典型值。在FIS =
0.9MHz ，RL = 1kΩ的
匹配
控制
输入
to
信号
产量
电容式：减少输出信号的瞬态
频率响应，接通= 40MHz的（典型值）。
100 ％测试静态电流为20V
1μA在18V以上完全控制的最大输入电流
封装温度范围;为100nA ，在18V + 25
o
C
5V ， 10V和15V参数额定值
描述
CD4016BMS系列类型四双边开关意
为模拟或数字信号的传输或多路复用。
四个独立的双边开关有单次转换
控制信号输入端，同时偏压两个所述p型和n
设备在给定的开启或关闭。
该CD4016BMS在这14领先外形封装提供：
钎焊密封DIP
熔接密封DIP
陶瓷扁平
H4Q
H1B
H3W
引脚
CD4016BMS
顶视图
工作原理图
IN / OUT
SIG一个
SIG A IN 1
SIG A OUT 2
SIG B IN 3
SIG B OUT 4
控制B 5
控制C 6
VSS 7
14 VDD
13控制定
输出/输入
12个控制
11 SIG D IN
10 SIG D OUT
控制B
9 SIG C OUT
8 SIG C IN
对照C
SIG B
IN / OUT
输出/输入
1
SW
A
2
14
VDD
13
对照A
3
SW
D
12
对照物D
4
SW
B
11
IN / OUT
SIG
5
10
输出/输入
6
SW
C
9
输出/输入
SIG
VSS
7
8
IN / OUT
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3296
7-733
特定网络阳离子CD4016BMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围（ VDD ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
（电压参考VSS端子）
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VDD + 0.5V
直流输入电流，在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D，F ， K，H
存储温度范围（ TSTG ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度（焊接时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸（ 1.59毫米
±
0.79毫米）从案例
10S最大
可靠性信息
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
ja
θ
jc
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。 。 80
o
C / W
20
o
C / W
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
o
C / W
20
o
C / W
最大封装功耗（ PD ） ，在125
o
C
对于TA = -55
o
C至+100
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。 。 500mW的
对于TA = 100
o
C至+ 125
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
对于TA =全包温度范围（所有封装类型）
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
表1. DC电性能等特点
A组
亚
1
2
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VC = VDD和GND
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
输入漏电流
IIH
VC = VDD和GND
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
输入/输出泄漏
当前（关闭）
IOZL
VDD = 18V ，VC = 0V ， VIS = 18V ，
VOS = 0V
3
1
2
3
输入/输出泄漏
当前（关闭）
IOZH
VDD = 18V ， VIS = 18V ， VOS = 0V
1
2
3
N门限电压
P阈值电压
导通状态电阻
RL = 10K归国
VDD-VSS/2
VNTH
VPTH
RON10
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VIS = VDD或VSS ， VDD = 10V
1
1
1
2
3
RON10
VIS = 4.75V或5.75V ， VDD = 10V
1
2
3
RON15
VIS = VDD或VSS ， VDD = 15V
1
2
3
RON15
VIS = 7.25或7.75 ， VDD = 15V
1
2
3
实用
（注3）
F
VDD = 2.8V ， VIN = VDD和GND
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
开关阈值
RL = 100K到VDD
SWTHRH5 VDD = 5V ，VC = 1.5V ， VIS = GND
SWTHRH15 VDD = 15V ，VC = 2V ， VIS = GND
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
（注1 ）
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
民
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-2.8
0.7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.5
50
0.5
-
-
-
100
1000
100
-
-
-
100
1000
100
-0.7
2.8
660
960
600
2000
2600
1870
400
600
360
850
1230
775
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
V
V
V
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
4.1
14.1
-
-
V
V
7-734
特定网络阳离子CD4016BMS
表1. DC电性能等特点
（续）
A组
亚
1
2
3
控制输入高
电压
（注2 ，图12）
VIS = VSS和
可见= VDD
VIHC
VDD = 5V ， | IIS | = 0.16毫安， 4.6V <
VOS < 0.4V
VDD = 5V ， | IIS | = 0.14毫安， 4.6V <
VOS < 0.4V
VDD = 5V ， | IIS | = 0.25毫安， 4.6V <
VOS < 0.4V
VIHC
VDD = 15V ， | IIS | = 1.2毫安， 13.5V <
VOS < 1.5V
VDD = 15V ， | IIS | = 1.1毫安， 13.5V <
VOS < 1.5V
VDD = 15V ， | IIS | = 1.8毫安， 13.5V <
VOS < 1.5V
1
2
3
1
2
3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
民
-
-
-
3.5
3.5
3.5
11
11
11
最大
0.7
0.4
0.9
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
参数
输入电压控制，
低（注2）
符号
Vilc
条件
（注1 ）
VDD = 5V ， VOS = VDD ， VIS = VSS ，
和VDD = 5V ， VOS = VSS ， VIS =
VDD ， | IIS | < 10μA
注意事项： 1.参考设备GND所有电压，正在实施100 ％检验。
2.进入/不合格测试与限制适用于输入
3. VDD = 2.8V / 3V ， RL = 100K到VDD
VDD = 20V / 18V ， RL = 10K到VDD
表2. AC电性能等特点
A组
子群温
9
10, 11
9
10, 11
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
范围
民
-
-
-
-
最大
100
135
70
95
单位
ns
ns
ns
ns
参数
传播延迟
信号输入信号
产量
传播延迟
打开
注意事项：
符号
的TPH1
TPLH
tpZH
tPZL
条件
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
（注1,2 ）
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
（注2,3）
1. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。
2. -55
o
C和+ 125
o
限额保障，正在实施100 ％检验。
3， CL = 50pF的， RL = 1K ， TR ， TF <为20ns 。
表3.电气性能特性
范围
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
笔记
1, 2
温度
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 10V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 15V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
输入电压控制，
低
Vilc
VDD = 10V ， VOS = VDD ， VIS =
VSSand VOS = VSS ， VIS = VDD
| IIS | < 10μA
1, 2
+25
o
C-55
o
C
+125
o
C
-55
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.25
7.5
0.5
15
0.5
30
0.7
0.4
0.9
单位
A
A
A
A
A
A
V
V
V
7-735
特定网络阳离子CD4016BMS
表3.电气性能特性
（续）
范围
参数
输入电压控制，
高（见网络gure 12 ）
符号
VIHC
条件
VDD = 10V ， VIS = VDD和GND
笔记
1, 2
1, 2
1, 2
传播延迟信号
输入信号输出
传播延迟
打开
输入电容
注意事项：
1.所有电压参考器件GND 。
2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的，并且不直接测试。这些参数为特征
在最初的设计发布，一经设计变更会影响这些特性。
3. CL = 50pF的，RL = 200K 。输入TR ， TF <为20ns 。
4. CL = 50pF的，RL = 1K
的TPH1
TPLH
tpZH
tPZL
CIN
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
任何输入
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2
温度
+25
o
C-55
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
7
7
7
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
40
30
40
30
7.5
单位
V
V
V
ns
ns
ns
ns
pF
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
电源电流
N门限电压
N门限电压
DELTA
P阈值电压
P阈值电压
DELTA
实用
符号
国际直拨电话
VNTH
ΔVNTH
VPTH
ΔVPTH
F
条件
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
传播延迟时间
的TPH1
TPLH
VDD = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
笔记
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
-2.8
-
0.2
-
VOH >
VDD/2
-
最大
2.5
-0.2
±1
2.8
±1
VOL <
VDD/2
1.35 x
+25
o
C
极限
单位
A
V
V
V
V
V
ns
注意事项： 1.参考设备GND所有电压。
2，CL = 50pF的， RL = 200K ，输入TR ， TF <为20ns 。
3.请参阅表2 25
o
限制。
4.阅读并记录
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
O
C
参数
电源电流 - SSI
抗性
符号
国际直拨电话
RONDEL10
±0.1A
±
20 ％×预试阅
DELTA LIMIT
表6.适用子群
符合的集团
初步测试（预残影）
中期测试1 （后残影）
临时测试2 （后残影）
的PDA （注1）
法
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
读取并记录
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
7-736
特定网络阳离子CD4016BMS
表6.适用子群
（续）
符合的集团
临时测试3 （后残影）
的PDA （注1）
最终测试
A组
B组
B亚组-5-
B亚组-6-
D组
法
100% 5004
100% 5004
100% 5004
样本5005
样本5005
样本5005
样本5005
A组子群
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
2,3 ，8A，8B ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11 ，变化量
1, 7, 9
1 ，2，3 ， 8A，8B， 9
亚组1 ， 2 3
子群1，2， 3，9 ，10，11
读取并记录
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
注： 1。 5 ％ Parameteric ， 3 ％的功能;累积的静态1和2 。
表7.总剂量辐射
TEST
合规组
E组小组2
法
5005
PRE - IRRAD
1, 7, 9
后IRRAD
表4
读取并记录
PRE - IRRAD
1, 9
后IRRAD
表4
表8. BURN -IN和辐射测试连接
振荡器
功能
静态老化测试1
注1
静态老化测试2
注1
动态烙印
注1
放射
注2
注意：
1.除VDD和GND每个引脚将有10K串联电阻
±
5 ％ ， VDD = 18V
±
0.5V
2.除VDD和GND每个引脚将有47K串联电阻
±
5％ ; E组，小组2 ，样本大小为4骰子/晶圆， 0失败，
VDD = 10V
±
0.5V
开放
2, 3, 9, 10
2, 3, 9, 10
-
2, 3, 9, 10
地
1, 4-8, 11-13
7
7
7
VDD
14
1, 4-6, 8, 11-14
14
1, 4-6, 8, 11-14
2, 3, 9, 10
5, 6, 12, 13
1, 4, 8, 11
9V
±
-0.5V
50kHz
25kHz
原理图
VDD
控制
VC
n
IN / OUT
VSS
p
输出/输入
图4相同的部分1 1
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CB1CFU1115533290653
CM3P-67205L-45
CY7C006AV-25AC
CRO1055SA
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