【CD40160BMS ， CD40161BMS ， CD40162BMS ，CD40163BMS19】,IC型号CD40160BMS,CD40160BMS PDF资料,CD40160BMS经销商,ic,电子元器件-51电子网

CD40160BMS ， CD40161BMS ， CD40162BMS ，

CD40163BMS

1992年12月

文件编号3358

CMOS同步可编程4位

计数器

CD40160BMS,

CD40161BMS,

CD40162BMS

和

CD40163BMS 4位可编程同步

计数器。该CD40162BMS的CLEAR功能

CD40163BMS是同步的，在清除低水平

输入设置所有四个输出低就下正时钟

边缘。该CD40160BMS的CLEAR功能

CD40161BMS台异步的，并在CLEAR低水平

输入设置的状态的所有四个输出低电平，无论

时钟， LOAD ，或使能输入。在负载较低水平

输入禁用计数器和使输出认同

与下一个时钟脉冲之后设置数据而不管

使能输入的条件。

在先行进位电路提供了级联柜

对于n位，无需额外选通同步应用。

有助于实现这一功能的是两个计数使能

输入端和一个进位输出（ COUT ）。计数时启用

PE和TE的输入为高。 TE输入前馈到

使COUT 。这使输出端产生一个正输出

的持续时间的脉冲约等于正部

Q1输出的。这个正溢出进位脉冲可以用于

使连续级联级。在逻辑转换

当时钟是高或低，可能会发生PE或TE的输入。

通过CD40163BMS类型CD40160BMS在功能

与TTL计数器串联等效和引脚兼容

74LS160分别通过74LS163 。

该CD40160BMS ， CD40161BMS ， CD40162BMS和

CD40163BMS提供这些16引脚外形封装：

CD40160 CD40161 CD40162 CD40163

钎焊密封DIP

熔接密封DIP

陶瓷扁平

H4W

H1F

H6P

H4X

H1F

H6W

H4X

H1L

H6P

H4W

H1F

H6W

特点

高电压类型（ 20V额定值）

CD40160BMS十年与异步清零

CD40161BMS二进制异步清零

CD40162BMS十年与同步清除

CD40163BMS二进制同步清除

内部预读的快速计数

进位输出，用于级联

可编程的同步方式

清除异步输入（ CD40160BMS ， CD40161BMS ）

清除同步输入（ CD40162BMS ， CD40163BMS ）

同步负载控制输入

低功耗TTL兼容

标准化对称的输出特性

100 ％测试静态电流为20V

1μA的18V在整个包装最大输入电流

温度范围;为100nA ，在18V和+25

o

C

噪声余量（在整个封装温度范围）：

- 1V在VDD = 5V

- 2V在VDD = 10V

- 在2.5V VDD = 15V

5V ， 10V和15V参数额定值

符合JEDEC暂定标准号13B的所有要求，

“标准规格为”B“系列CMOS描述

设备“

应用

可编程二进制和十年盘点

计数器控制/定时器

分频

引脚

CD40160BMS ， CD40161BMS ， CD40162BMS ， CD40163BMS

顶视图

工作原理图

PE

清除1

钟2

P1 3

P2 4

P3 5

P4 6

PE 7

VSS 8

16 VDD

15 CARRY OUT

14 Q1

13 Q2

12 Q3

11 Q4

10 TE

9负荷

VDD = 16

VSS = 8

TE

明确

负载

时钟

P1

P2

P3

P4

7

10

1

9

2

3

4

5

6

15

携带

OUT

11

Q4

12

Q3

13

Q2

14

Q1

4-1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

CD40160BMS ， CD40161BMS ， CD40162BMS ， CD40163BMS

绝对最大额定值

直流电源电压范围（ VDD ）。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至+ 20V

（电压参考VSS端子）

输入电压范围，所有输入。。。。。。。。。。。。。 -0.5V到VDD + 0.5V

直流输入电流，在任何一个输入。

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 10毫安

工作温度范围。。。。。。。。。。。。。。。 -55

o

C至+ 125

o

C

封装类型D，F ， K，H

存储温度范围（ TSTG ）。。。。。。。。。。。 -65

o

C至+150

o

C

焊接温度（焊接时）。。。。。。。。。。。。。。。。。 265

o

C

在距离1/16

±

1/32英寸（ 1.59毫米

±

0.79毫米）从案例

10S最大

可靠性信息

热阻。。。。。。。。。。。。。。。。

θ

ja

θ

jc

o

C / W

o

C / W

陶瓷DIP和熔块封装。。。。

80

20

扁平封装。。。。。。。。。。。。。。。。

70

o

C / W

20

o

C / W

最大封装功耗（ PD ），在125

o

C

对于T

A

= -55

o

C至+100

o

C（封装类型D，F ， K）。。。。。。 .500mW

对于T

A

= +100

o

C至+ 125

o

C（封装类型D，F ， K）。。。。。减额

线性在12MW /

o

C至200mW的

每个输出晶体管器件耗散。。。。。。。。。。。。。。。 .100mW

对于T

A

=全包温度范围（所有封装类型）

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 175

o

C

表1. DC电性能等特点

A组

亚

1

2

VDD = 18V ， VIN = VDD和GND

输入漏电流

IIL

VIN = VDD和GND

VDD = 20

3

1

2

VDD = 18V

输入漏电流

IIH

VIN = VDD和GND

VDD = 20

3

1

2

VDD = 18V

输出电压

输出电流（漏）

输出电流（源）

N门限电压

P阈值电压

实用

VOL15

VOH15

IOL5

IOL10

IOL15

IOH5A

IOH5B

IOH10

IOH15

VNTH

VPTH

F

VDD = 15V ，无负载

VDD = 15V ，无负载（注3 ）

VDD = 5V ，输出电压= 0.4V

VDD = 10V ，输出电压= 0.5V

VDD = 15V ，输出电压= 1.5V

VDD = 5V ，输出电压= 4.6V

VDD = 5V ， VOUT = 2.5V

VDD = 10V ，输出电压= 9.5V

VDD = 15V ，输出电压= 13.5V

VDD = 10V ， ISS = -10μA

VSS = 0V ， IDD = 10μA

VDD = 2.8V ， VIN = VDD和GND

VDD = 20V ， VIN = VDD和GND

VDD = 18V ， VIN = VDD和GND

VDD = 3V ， VIN = VDD和GND

输入电压低

（注2 ）

输入电压高

（注2 ）

输入电压低

（注2 ）

输入电压高

（注2 ）

VIL

VIH

VIL

VIH

VDD = 5V ， VOH > 4.5V ， VOL < 0.5V

VDD = 15V ， VOH > 13.5V ，

VOL < 1.5V

VDD = 15V ， VOH > 13.5V ，

VOL < 1.5V

3

1, 2, 3

1

7

8A

8B

1, 2, 3

范围

温度

+25

o

C

+125

o

C

-55

o

C

+25

o

C

+125

o

C

-55

o

C

+25

o

C

+125

o

C

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+125

o

C

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

-

3.5

-

11

1.5

-

4

-

V

民

-

-100

-1000

-100

-

14.95

0.53

1.4

3.5

-

-2.8

0.7

最大

10

1000

10

-

100

1000

100

50

-

-0.53

-1.8

-1.4

-3.5

-0.7

2.8

单位

A

nA

mV

V

mA

V

参数

电源电流

符号

国际直拨电话

条件

（注1 ）

VDD = 20V ， VIN = VDD和GND

VOH VOL > <

VDD / 2 VDD / 2

注： 1.所有电压参考器件GND ， 100 ％的测试是im-

执行完成。

2.进入/不合格测试与限制适用于输入。

3.对于精确度，电压被差分测量到VDD。限制是

0.050V最大。

4-2

CD40160BMS ， CD40161BMS ， CD40162BMS ， CD40163BMS

表2. AC电性能等特点

A组

亚

9

10, 11

VDD = 5V ， VIN = VDD和GND

9

10, 11

VDD = 5V ， VIN = VDD和GND

9

10, 11

VDD = 5V ， VIN = VDD和GND

9

10, 11

TTHL

tTLH

整箱

VDD = 5V ， VIN = VDD和GND

9

10, 11

VDD = 5V ， VIN = VDD和GND

9

10, 11

范围

温度

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

民

-

2

1.48

最大

400

540

450

608

250

338

500

675

200

270

-

单位

ns

兆赫

参数

传播延迟

时钟到Q

传播延迟

钟来清点

传播延迟

TE到COUT

传播延迟

CD40160BMS,

CD40161BMS清除Q

转换时间

符号

TPHL1

TPLH1

TPHL2

TPLH2

TPHL3

TPLH3

TPHL4

条件

（注1,2）

VDD = 5V ， VIN = VDD和GND

最大时钟输入频率

昆西

注意事项：

1. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。

2. -55

o

C和+ 125

o

限额保障，正在实施100 ％检验。

表3.电气性能特性

范围

参数

电源电流

符号

国际直拨电话

条件

VDD = 5V ， VIN = VDD和GND

笔记

1, 2

温度

-55

o

C, +25

o

C

+125

o

C

VDD = 10V ， VIN = VDD和GND

1, 2

-55

o

C, +25

o

C

+125

o

C

VDD = 15V ， VIN = VDD和GND

1, 2

-55

o

C, +25

o

C

+125

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -

55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -

55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -

55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -

55

o

C

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（漏）

IOL10

VDD = 10V ，输出电压= 0.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（漏）

IOL15

VDD = 15V ，输出电压= 1.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（源）

IOH5A

VDD = 5V ，输出电压= 4.6V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（源）

IOH5B

VDD = 5V ， VOUT = 2.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（源）

IOH10

VDD = 10V ，输出电压= 9.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

民

-

4.95

9.95

0.36

0.64

0.9

1.6

2.4

4.2

-

最大

5

150

10

300

10

600

50

-

-0.36

-0.64

-1.15

-2.0

-0.9

-1.6

单位

A

mV

V

mA

输出电压

输出电流（漏）

VOL

VOH

IOL5

VDD = 5V ，空载

VDD = 10V ，无负载

VDD = 5V ，空载

VDD = 10V ，无负载

VDD = 5V ，输出电压= 0.4V

1, 2

4-3

CD40160BMS ， CD40161BMS ， CD40162BMS ， CD40163BMS

表3.电气性能特性（续）

范围

参数

输出电流（源）

符号

IOH15

条件

VDD = 15V ， VOUT = 13.5V

笔记

1, 2

温度

+125

o

C

-55

o

C

输入电压低

输入电压高

传播延迟

时钟到Q

传播延迟

时钟C OUT

传播延迟

TE为C OUT

传播延迟

CD40160BMS,

CD40161BMS清除Q

转换时间

VIL

VIH

TPHL1

TPLH1

TPHL2

TPLH2

TPHL3

TPLH3

TPHL4

VDD = 10V ， VOH > 9V ， VOL < 1V

VDD = 10V

VDD = 15V

VDD = 10V

VDD = 15V

VDD = 10V

VDD = 15V

VDD = 10V

VDD = 15V

TTHL

tTLH

整箱

VDD = 10V

VDD = 15V

VDD = 10V

VDD = 15V

TRCL

tfCL

VDD = 5V

VDD = 10V

VDD = 15V

最小数据保持时间

时钟操作

TH

VDD = 5V

VDD = 10V

VDD = 15V

最小时钟脉冲

宽度

时钟操作

最小建立时间

数据时钟

TW

VDD = 5V

VDD = 10V

VDD = 15V

TS

VDD = 5V

VDD = 10V

VDD = 15V

最小建立时间

负载时钟

TS

VDD = 5V

VDD = 10V

VDD = 15V

最小建立时间PE

以TE时钟

TS

VDD = 5V

VDD = 10V

VDD = 15V

最小净脉

宽度（ CD40160BMS ，

CD40161BMS)

最小建立时间

清除时钟

(CD40162BMS,

CD40163BMS)

最小保持时间

清除时钟

(CD40162BMS,

CD40163BMS)

TW

VDD = 5V

VDD = 10V

VDD = 15V

TS

VDD = 5V

VDD = 10V

VDD = 15V

TH

VDD = 5V

VDD = 10V

VDD = 15V

1, 2

1, 2, 3

1, 2, 3, 4

1, 2, 3

+25

o

C, +125

o

C, -

55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -

55

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

民

-

7

-

5.5

8

-

最大

-2.4

-4.2

3

-

160

120

190

140

110

80

220

160

100

80

-

200

70

15

0

170

70

50

240

90

60

240

90

60

340

140

100

170

70

50

340

140

100

0

单位

mA

V

ns

兆赫

s

ns

最大时钟输入频率

昆西

最大时钟上升沿或

下降时间

4-4

CD40160BMS ， CD40161BMS ， CD40162BMS ， CD40163BMS

表3.电气性能特性（续）

范围

参数

最小净去除

时间

(CD40160BMS,

CD40161BMS)

注意事项：

1.所有电压参考器件GND 。

2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的，并且不直接测试。这些参数为特征的初始

设计发布和对设计的改变，会影响到这些特性。

3. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。

4.如果多个单元被级联， TRCL应小于或等于sumof的过渡时间和固定传输延迟

该驱动级对所估计的容性负载的输出。

表4.辐照后的电气性能特性

范围

参数

电源电流

N门限电压

N门限电压三角洲

P阈值电压

P阈值电压三角洲

实用

符号

国际直拨电话

VNTH

ΔVTN

VTP

ΔVTP

F

条件

VDD = 20V ， VIN = VDD和GND

VDD = 10V ， ISS = -10μA

VSS = 0V ， IDD = 10μA

VDD = 18V ， VIN = VDD和GND

VDD = 3V ， VIN = VDD和GND

传播延迟时间

的TPH1

TPLH

VDD = 5V

1, 2, 3, 4

+25

o

C

笔记

1, 4

1

温度

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

民

-

-2.8

-

0.2

-

VOH >

VDD/2

-

最大

25

-0.2

±1

2.8

±1

VOL <

VDD/2

1.35 x

+25

o

C

极限

单位

A

V

符号

TREM

条件

VDD = 5V

VDD = 10V

VDD = 15V

笔记

1, 2, 3

温度

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

民

-

最大

200

100

70

单位

ns

注意事项： 1.参考设备GND所有电压。

2，CL = 50pF的， RL = 200K ，输入TR ， TF <为20ns 。

3.请参阅表2 25

o

限制。

4.阅读并记录

表5.老化和寿命测试DELTA参数+25

o

C

参数

电源电流 - MSI- 2

输出电流（漏）

输出电流（源）

符号

国际直拨电话

IOL5

IOH5A

±

1.0A

±

20 ％×预试阅

±

20 ％×预试阅

DELTA LIMIT

表6.适用子群

符合的集团

初步测试（预残影）

中期测试1 （后残影）

临时测试2 （后残影）

的PDA （注1）

临时测试3 （后残影）

的PDA （注1）

最终测试

A组

B组

D组

B亚组-5-

B亚组-6-

MIL-STD-883

法

100% 5004

样本5005

A组子群

1, 7, 9

1 ， 7,9 ，德尔塔

1, 7, 9

1 ， 7,9 ，德尔塔

2,3 ，8A，8B ，10，11

1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11

1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11 ，变化量

1, 7, 9

1 ，2，3 ， 8A，8B， 9

亚组1 ， 2 3

子群1，2， 3，9 ，10，11

国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A

读取并记录

国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A

注： 1。 5 ％ Parameteric ， 3 ％的功能;累积的静态1和2 。

4-5