【CD40147BMS1992年12月10号线至4线BCD优先编码器引脚CD40147BMS顶视图特点】,IC型号CD4014,CD4014 PDF资料,CD4014经销商,ic,电子元器件-51电子网

CD40147BMS

1992年12月

10号线至4线BCD优先编码器

引脚

CD40147BMS

顶视图

特点

高压型（ 20V额定值）

编码10号线至4线BCD

低电平输入和输出

100 ％测试静态电流为20V

5V ， 10V和15V参数额定值

1μA的18V在整个封装的最大输入电流

年龄的温度范围;为100nA ，在18V和+25

o

C

噪声余量（在整个封装/温度范围）

- 1V在VDD = 5V

- 2V在VDD = 10V

- 在2.5V VDD = 15V

标准化对称的输出特性

符合JEDEC的暂行标准的所有要求

13B号， “标准特定网络阳离子的说明

'B'系列CMOS器件“

4 1

5 2

6 3

7 4

8 5

C 6

B 7

VSS 8

16 VDD

15 0

14 D

13 3

12 2

11 1

10 9

9 A

工作原理图

应用

- 键盘编码

10号线到BCD编码

- 范围选择

9

0

优先

SELECT

BCD

编码器

D

C

B

A

2

3

2

1

2

0

描述

CD40147BMS CMOS编码器功能的优先级编码

的输入，以确保只有最高阶的数据线是

编码。十个数据输入线（0-9）进行编码，以4线（如图8所示，

4 ，2，1 ）BCD 。最高优先级的线是线9.所有四个输出

线是逻辑1 （ VSS ）时，所有的行都是'0'所有

输入和输出缓冲，每个输出可以驱动

1 TTL低功率肖特基负荷。该CD40147BMS是功能

倚重类似TTL 74147分之54如果引脚15接低电平。

该CD40147BMS在这些16引脚外形提供

包：

钎焊密封DIP

熔接密封DIP

陶瓷扁平

H4T

H1E

H6W

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

网络文件编号

3357

7-71

特定网络阳离子CD40147BMS

绝对最大额定值

直流电源电压范围（ VDD ）。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至+ 20V

（电压参考VSS端子）

输入电压范围，所有输入。。。。。。。。。。。。。 - 0.5V至VDD + 0.5V

直流输入电流，在任何一个输入

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 10毫安

工作温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。 -55

o

C至+ 125

o

C

封装类型D，F ， K，H

存储温度范围（ TSTG ）。。。。。。。。。。。 -65

o

C至+150

o

C

焊接温度（焊接时）。。。。。。。。。。。。。。。。。 265

o

C

在距离1/16

±

1/32英寸（ 1.59毫米

±

0.79毫米）从案例

10S最大

可靠性信息

热阻。。。。。。。。。。。。。。。。

θ

ja

θ

jc

o

C / W

o

C / W

陶瓷DIP和熔块封装。。。。。 80

20

扁平封装。。。。。。。。。。。。。。。。 70

o

C / W

20

o

C / W

最大封装功耗（ PD ），在125

o

C

对于T

A

= -55

o

C至+100

o

C（封装类型D，F ， K）。。。。。。 500mW的

对于T

A

= +100

o

C至+ 125

o

C（封装类型D，F ， K）。。。。。。减额

线性在12MW /

o

C至200mW的

设备损耗每个输出晶体管。。。。。。。。。。。。。。。为100mW

对于T

A

=全包温度范围（所有封装类型）

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 175

o

C

表1. DC电性能等特点

A组

亚

1

2

VDD = 18V ， VIN = VDD和GND

输入漏电流

IIL

VIN = VDD和GND

VDD = 20

3

1

2

VDD = 18V

输入漏电流

IIH

VIN = VDD和GND

VDD = 20

3

1

2

VDD = 18V

输出电压

输出电流（漏）

输出电流（源）

N门限电压

P阈值电压

实用

VOL15

VOH15

IOL5

IOL10

IOL15

IOH5A

IOH5B

IOH10

IOH15

VNTH

VPTH

F

VDD = 15V ，无负载

VDD = 15V ，无负载（注3 ）

VDD = 5V ，输出电压= 0.4V

VDD = 10V ，输出电压= 0.5V

VDD = 15V ，输出电压= 1.5V

VDD = 5V ，输出电压= 4.6V

VDD = 5V ， VOUT = 2.5V

VDD = 10V ，输出电压= 9.5V

VDD = 15V ，输出电压= 13.5V

VDD = 10V ， ISS = -10μA

VSS = 0V ， IDD = 10μA

VDD = 2.8V ， VIN = VDD和GND

VDD = 20V ， VIN = VDD和GND

VDD = 18V ， VIN = VDD和GND

VDD = 3V ， VIN = VDD和GND

输入电压低

（注2 ）

输入电压高

（注2 ）

输入电压低

（注2 ）

输入电压高

（注2 ）

VIL

VIH

VIL

VIH

VDD = 5V ， VOH > 4.5V ， VOL < 0.5V

VDD = 15V ， VOH > 13.5V ，

VOL < 1.5V

VDD = 15V ， VOH > 13.5V ，

VOL < 1.5V

3

1, 2, 3

1

7

8A

8B

1, 2, 3

范围

温度

+25

o

C

+125

o

C

-55

o

C

+25

o

C

+125

o

C

-55

o

C

+25

o

C

+125

o

C

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

民

-

-100

-1000

-100

-

最大

2

200

2

-

100

1000

100

50

-

-0.53

-1.8

-1.4

-3.5

-0.7

2.8

单位

A

nA

mV

V

mA

V

参数

电源电流

符号

国际直拨电话

条件

（注1 ）

VDD = 20V ， VIN = VDD和GND

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C 14.95

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+125

o

C

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

-

3.5

-

11

0.53

1.4

3.5

-

-2.8

0.7

VOH VOL > <

VDD / 2 VDD / 2

1.5

-

4

-

V

注： 1.所有电压参考器件GND ， 100 ％的性能测试

实现的。

2.进入/不合格测试与限制适用于输入。

3.对于精确度，电压被差分测量到VDD。极限

为0.050V最大。

7-72

特定网络阳离子CD40147BMS

表2. AC电性能等特点

A组

子群温

9

10, 11

VDD = 5V ， VIN = VDD和GND

9

10, 11

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

范围

民

-

最大

900

1215

200

270

单位

ns

参数

传播延迟

在输出阶段

转换时间

符号

TPHL1

TPLH1

TTHL

tTLH

条件

（注1,2）

VDD = 5V ， VIN = VDD和GND

注意事项：

1. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。

2. -55

o

C和+ 125

o

限额保障，正在实施100 ％检验。

表3.电气性能特性

范围

参数

电源电流

符号

国际直拨电话

条件

VDD = 5V ， VIN = VDD和GND

笔记

1, 2

温度

-55

o

C, +25

o

C

+125

o

C

VDD = 10V ， VIN = VDD和GND

1, 2

-55

o

C, +25

o

C

+125

o

C

VDD = 15V ， VIN = VDD和GND

1, 2

-55

o

C, +25

o

C

+125

o

C

输出电压

输出电流（漏）

VOL

VOH

IOL5

VDD = 5V ，空载

VDD = 10V ，无负载

VDD = 5V ，空载

VDD = 10V ，无负载

VDD = 5V ，输出电压= 0.4V

1, 2

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（漏）

IOL10

VDD = 10V ，输出电压= 0.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（漏）

IOL15

VDD = 15V ，输出电压= 1.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（源）

IOH5A

VDD = 5V ，输出电压= 4.6V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（源）

IOH5B

VDD = 5V ， VOUT = 2.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（源）

IOH10

VDD = 10V ，输出电压= 9.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（源）

IOH15

VDD = 15V ， VOUT = 13.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输入电压低

输入电压高

VIL

VIH

VDD = 10V ， VOH > 9V ， VOL < 1V

1, 2

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

民

-

4.95

9.95

0.36

0.64

0.9

1.6

2.4

4.2

-

+7

最大

1

30

2

60

2

120

50

-

-0.36

-0.64

-1.15

-2.0

-0.9

-1.6

-2.4

-4.2

3

-

单位

A

mV

V

mA

V

7-73

特定网络阳离子CD40147BMS

表3.电气性能特性

（续）

范围

参数

传播延迟

在输出阶段

传播延迟

异相输出

符号

的TPH1

TPLH

的TPH1

TPLH

条件

VDD = 10V

VDD = 15V

VDD = 5V

VDD = 10V

VDD = 15V

转换时间

tTLH

VDD = 10V

VDD = 15V

输入电容

注意事项：

1.所有电压参考器件GND 。

2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的，并且不直接测试。这些参数为特征

在最初的设计发布，一经设计变更会影响这些特性。

3. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。

CIN

任何输入

笔记

1, 2, 3

1, 2

温度

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

民

-

最大

400

300

850

350

250

100

80

7.5

单位

ns

pF

表4.辐照后的电气性能特性

范围

参数

电源电流

N门限电压

DELTA

P阈值电压

DELTA

实用

符号

国际直拨电话

VNTH

ΔVTN

VTP

ΔVTP

F

条件

VDD = 20V ， VIN = VDD和GND

VDD = 10V ， ISS = -10μA

VSS = 0V ， IDD = 10μA

VDD = 18V ， VIN = VDD和GND

VDD = 3V ， VIN = VDD和GND

传播延迟时间

的TPH1

TPLH

VDD = 5V

1, 2, 3, 4

+25

o

C

笔记

1, 4

1

温度

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

民

-

-2.8

-

0.2

-

VOH >

VDD/2

-

最大

7.5

-0.2

±1

2.8

±1

VOL <

VDD/2

1.35 x

+25

o

C

极限

单位

A

V

ns

注意事项： 1.参考设备GND所有电压。

2，CL = 50pF的， RL = 200K ，输入TR ， TF <为20ns 。

3.请参阅表2 25

o

限制。

4.阅读并记录

表5.老化和寿命测试DELTA参数+25

o

C

参数

电源电流 - MSI- 1

输出电流（漏）

输出电流（源）

符号

国际直拨电话

IOL5

IOH5A

±

0.2A

±

20 ％×预试阅

±

20 ％×预试阅

DELTA LIMIT

表6.适用子群

符合的集团

初步测试（预残影）

中期测试1 （后残影）

临时测试2 （后残影）

MIL-STD-883

法

100% 5004

A组子群

1, 7, 9

读取并记录

国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A

7-74

特定网络阳离子CD40147BMS

表6.适用子群

（续）

符合的集团

的PDA （注1）

临时测试3 （后残影）

的PDA （注1）

最终测试

A组

B组

B亚组-5-

B亚组-6-

D组

MIL-STD-883

法

100% 5004

样本5005

A组子群

1 ， 7,9 ，德尔塔

1, 7, 9

1 ， 7,9 ，德尔塔

2,3 ，8A，8B ，10，11

1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11

1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11 ，变化量

1, 7, 9

1 ，2，3 ， 8A，8B， 9

亚组1 ， 2 3

子群1，2， 3，9 ，10，11

国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A

读取并记录

注： 1。 5 ％ Parameteric ， 3 ％的功能;累积的静态1和2 。

表7.总剂量辐射

MIL-STD-883

法

5005

TEST

PRE - IRRAD

1, 7, 9

后IRRAD

表4

读取并记录

PRE - IRRAD

1, 9

后IRRAD

表4

合规组

E组小组2

表8. BURN -IN和辐射测试连接

振荡器

功能

静态老化测试1

注1

静态老化测试2

注1

动态烙印

注1

放射

注2

注意：

1.除VDD和GND每个引脚将有10K串联电阻

±

5 ％， VDD = 18V

±

0.5V

2.除VDD和GND每个引脚将有47K串联电阻

±

5％ ; E组，小组2 ，样本大小为4骰子/晶圆， 0失败，

VDD = 10V

±

0.5V

开放

6, 7, 9, 14

-

6, 7, 9, 14

地

1-5, 8, 10-13, 15

8

VDD

16

1-5, 10-13, 15, 16

16

1-5, 10-13, 15, 16

6, 7, 9, 14

1, 3, 11, 13

2, 4, 5, 10, 12, 15

9V

±

-0.5V

50kHz

25kHz

Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下

ISO9000

质量体系CERTI网络阳离子。

Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留更改电路设计和/或特定网络连接的阳离子在任何时候没有合适的

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75

CD4014BC 8级静态移位寄存器

1987年10月

修订后的1999年1月

CD4014BC

8级静态移位寄存器

概述

该CD4014BC是一个8级并行输入/串行输出

移位寄存器。并行/串行控制输入使能individ-

UAL JAM输入到每一个8级。 Q输出可用

从第六，第七和第八阶段。所有输出都

相同的源和吸收电流的能力，符合

标准的“ B”系列的输出驱动器。

当并行/串行控制输入是在逻辑“0”的

状态，数据串行移入移位寄存器同步

与时钟的上升沿。当并行/

串行控制输入是在逻辑“1”状态，数据被卡住

入寄存器的每一级同步地与位置

时钟略去过渡。

所有的输入保护，防止静电放电二极管用

到V

DD

和V

SS

.

特点

s

宽电源电压范围：

s

高抗干扰性：

3.0V至15V

0.45 V

DD

（典型值）。

s

低功耗TTL兼容：扇出的2驾驶74L

或1驾驶74LS

s

5V - 10V - 15V额定参数

s

对称的输出特性

s

最大输入漏电流：

1

A

在15V在整个温度范围内

订购代码：

订单号

CD4014BCM

CD4014BCN

包装数

M16A

N16E

包装说明

16引脚小外形集成电路（ SOIC ）， JEDEC MS- 012 ， 0.150 “窄

16引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ）， JEDEC MS- 100 ， 0.300 “宽

在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。

接线图

引脚分配为DIP

真值表

CL

串行

（注1 ）输入

并行/

串行

PI 1

控制

1

0

X

0

1

0

1

X

Q1

（内部）

0

1

0

1

0

1

Q1

PI

0

1

X

Q

n

0

1

Q

n1

Q

n1

Q

n

X

0

1

X

=

不在乎案例

没有变化

注1 ：

级别更改

顶视图

1999仙童半导体公司

DS005947.prf

www.fairchildsemi.com

CD4014BC

逻辑图

www.fairchildsemi.com

2

CD4014BC

绝对最大额定值

（注2 ）

（注3）

电源电压（V

DD

)

输入电压（V

IN

)

存储温度范围（T

S

)

功耗（P

D

)

双列直插式

小尺寸

引线温度（T

L

)

（焊接， 10秒）

260°C

（注3）

700毫瓦

500毫瓦

0.5V

to

+18V

0.5

到V

DD

+

0.5V

65°C

to

+150°C

推荐工作

条件

（注3）

电源电压（V

DD

)

输入电压（V

IN

)

工作温度范围（T

A

)

3.0V至15V

0到V

DD

40°C

to

+85°C

注2 ：

“绝对最大额定值”是那些价值超过该

该装置的安全性不能得到保证。除了“工作温度

TURE范围“他们并不意味着该设备应能操作

ated这些限制。的“电气特性”表中提供

条件器件的实际工作。

注3 ：

V

SS

=

0V ，除非另有规定。

DC电气特性

符号

I

DD

参数

静态器件

当前

V

OL

低层

输出电压

V

OH

高层

输出电压

V

IL

低层

输入电压

V

IH

高层

输入电压

I

OL

低电平输出

电流（注4 ）

I

OH

高电平输出

电流（注4 ）

I

IN

输入电流

条件

40°C

民

最大

20

40

80

0.05

4.95

9.95

14.95

1.5

3.0

4.0

3.5

7.0

11.0

0.52

1.3

3.6

0.52

1.3

3.6

0.3

3.5

7.0

11.0

0.44

1.1

3.0

0.44

1.1

3.0

民

+25°C

典型值

0.1

0.2

0.3

0

5

10

15

2

4

6

3

6

9

0.88

2.2

8

0.88

2.2

8

10

5

10

5

0.3

1.5

3.0

4.0

3.5

7.0

最大

20

40

80

0.05

+85°C

民

最大

150

300

600

0.05

4.95

9.95

14.95

1.5

3.0

4.0

单位

A

V

mA

V

DD

=

5V, V

IN

=

V

DD

或V

SS

V

DD

=

10V, V

IN

=

V

DD

或V

SS

V

DD

=

15V, V

IN

=

V

DD

或V

SS

V

DD

=

5V

V

DD

=

10V

V

DD

=

15V

V

DD

=

5V

V

DD

=

10V

V

DD

=

15V

V

DD

=

5V, V

O

=

0.5V或4.5V

V

DD

=

10V, V

O

=

1.0V或9.0V

V

DD

=

15V, V

O

=

1.5V或13.5V

V

DD

=

5V, V

O

=

0.5V或4.5V

V

DD

=

10V, V

O

=

1.0V或9.0V

V

DD

=

15V, V

O

=

1.5V或13.5V

V

DD

=

5V, V

O

=

0.4V

V

DD

=

10V, V

O

=

0.5V

V

DD

=

15V, V

O

=

1.5V

V

DD

=

5V, V

O

=

4.6V

V

DD

=

10V, V

O

=

9.5V

V

DD

=

15V, V

O

=

13.5V

V

DD

=

15V, V

IN

=

0V

V

DD

=

15V, V

IN

=

15V

|I

O

|

＆ LT ;

1

A

9.95

14.95

|I

O

|

＆ LT ;

1

A

11.0

0.36

0.9

2.4

0.36

0.90

2.4

1.0

A

注4 ：

I

OL

我

OH

是在一个经过时间考验的一个输出。

3

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CD4014BC

AC电气特性

T

A

=

25

°

C，输入吨

r

, t

f

=

20纳秒，C

L

=

为50 pF ，R

L

=

200 k

符号

t

PHL

, t

PLH

参数

传播延迟时间

（注5 ）

条件

民

典型值

200

80

60

100

50

40

2.8

6

8

4

12

16

90

40

25

180

80

50

15

60

40

30

80

40

30

100

50

40

120

80

60

160

80

60

200

100

80

0

10

15

5

110

7.5

最大

320

160

120

200

100

80

单位

ns

兆赫

ns

s

ns

pF

V

DD

=

5V

V

DD

=

10V

V

DD

=

15V

t

THL

, t

TLH

转换时间

V

DD

=

5V

V

DD

=

10V

V

DD

=

15V

f

CL

最大时钟

输入频率

V

DD

=

5V

V

DD

=

10V

V

DD

=

15V

V

DD

=

5V

V

DD

=

10V

V

DD

=

15V

V

DD

=

5V

V

DD

=

10V

V

DD

=

15V

V

DD

=

5V

V

DD

=

10V

V

DD

=

15V

V

DD

=

5V

V

DD

=

10V

V

DD

=

15V

V

DD

=

5V

V

DD

=

10V

V

DD

=

15V

V

DD

=

5V

V

DD

=

15V

任何输入

t

W

最小时钟

脉冲宽度

t

RCL

, t

整箱

时钟的上升和

下降时间（注6 ）

t

S

最小建立时间

（注7 ）串行输入

t

H

≥

200纳秒

并行输入

t

H

≥

200纳秒

并行/串行控制

t

H

≥

200纳秒

t

H

最小保持时间

并行/串行控制

在串行，并行，T

S

≥

400纳秒V

DD

=

10V

C

I

C

PD

平均输入电容

（注8）

功率耗散电容

（注8）

注5 ：

AC参数都保证了DC相关测试。

注6 ：

如果一个以上的单元被级联吨

RCL

应小于或等于所述驱动级的用于估算的输出的固定传输延迟

配接容性负载。

注7 ：

设置时间测量参考时钟和固定保持时间（t

H

）指定。

注8 ：

C

PD

决定任何CMOS器件的空载交流电耗。有关完整的说明，请参见74C家族特征应用笔记

AN-90.

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4

CD4014BC

典型性能特性

5

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CD4014BM CD4014BC 8级静态移位寄存器

1988年2月

CD4014BM CD4014BC 8级静态移位寄存器

概述

该CD4014BM CD4014BC是一个8级并行输入SE-

里亚尔输出移位寄存器的并行串行控制输入恩

ABLES个人JAM输入到每个8级Q输出

可从第六第七和第八阶段的所有

输出具有相同的源和吸收电流的能力和

符合标准的“ ”B“ ”系列的输出驱动

当并行串行控制输入为逻辑'' 0 ''

状态数据串行移入寄存器同步

与时钟的上升沿当并行

串行控制输入是逻辑' 1 '状态数据被卡住

入寄存器的每一级同步地与位置

时钟略去过渡

所有的输入保护，防止静电放电二极管用

到V

DD

和V

SS

特点

Y

宽电源电压范围

3 0V至15V

高噪声抗扰度

0 45 V

DD

（典型值）

低功耗TTL

扇出2驾驶74L

兼容性

或1驾驶74LS

5V 15V 10V-额定参数

对称的输出特性

最大输入漏

1

mA

在15V在整个温度范围内

接线图

双列直插式封装

真值表

并行

串行

Q1

CL

串行PI 1 PI

Q

n

输入

（内部）

控制

L

K

X

0

1

X

1

0

X

0

1

0

1

X

0

1

X

0

1

0

1

0

1

Q1

0

1

Q

n

b

1

Q

n

b

1

Q

n

没有变化

级别更改

X

e

不小心的情况下

订单号CD4014B

TL F 5947 - 1

顶视图

逻辑图

TL F 5947 - 2

C

1995年全国半导体公司

TL F 5947

RRD - B30M105印制在U S A

绝对最大额定值

（注1

2)

如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的

请向美国国家半导体销售

办公经销商咨询具体可用性和规格

电源电压（V

DD

)

输入电压（V

IN

)

存储温度范围（T

S

)

功耗（P

D

)

双列直插式

小尺寸

引线温度（T

L

)

（焊接10秒）

b

0至5V

a

18V

b

0 5 V

DD

a

0 5V

b

65℃，以

a

150 C

推荐工作

条件

（注2 ）

电源电压（V

DD

)

输入电压（V

IN

)

工作温度范围（T

A

)

CD4014BM

CD4014BC

3 0V至15V

0到V

DD

b

55 ℃

a

125 C

b

40℃

a

85 C

700毫瓦

500毫瓦

260 C

DC电气特性

CD4014BM （注2）

符号

I

DD

参数

静态器件

当前

低层

输出电压

高层

输出电压

低层

输入电压

高层

输入电压

低电平输出

电流（注3）

条件

V

DD

e

5V V

IN

e

V

DD

或V

SS

V

DD

e

10V V

IN

e

V

DD

或V

SS

V

DD

e

15V V

IN

e

V

DD

或V

SS

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

b

55 C

a

25 C

a

125 C

单位

mA

V

民

最大

5

10

20

0 05

民

典型值

01

02

03

0

最大

5

10

20

0 05

民

最大

150

300

600

0 05

V

OL

V

OH

V

IL

V

DD

e

5V V

O

e

0 5V或5V 4

V

DD

e

10V V

O

e

1 0V或9 0V

V

DD

e

15V V

O

e

1 5V或5V 13

V

DD

e

5V V

O

e

0 5V或5V 4

V

DD

e

10V V

O

e

1 0V或9 0V

V

DD

e

15V V

O

e

1 5V或5V 13

V

DD

e

5V V

O

e

0 4V

V

DD

e

10V V

O

e

0 5V

V

DD

e

15V V

O

e

1 5V

35

70

11 0

0 64

16

42

b

0 64

b

1 6

b

4 2

(

l

I

O

l

k

1

mA

I

O

l

k

1

mA

4 95

9 95

14 95

4 95

9 95

14 95

15

30

40

35

70

11 0

0 51

13

34

b

0 51

b

1 3

b

3 4

b

0 10

5

10

15

2

4

6

3

6

9

0 88

22

8

b

0 88

b

2 2

b

8

b

10

b

5

b

0 10

4 95

9 95

14 95

15

30

40

35

70

11 0

0 36

09

24

b

0 36

b

0 9

b

2 4

b

1 0

15

30

40

V

mA

V

IH

I

OL

I

OH

高电平输出V

DD

e

5V V

O

e

4 6V

电流（注3）

V

DD

e

10V V

O

e

9 5V

V

DD

e

15V V

O

e

13 5V

输入电流

V

DD

e

15V V

IN

e

0V

V

DD

e

15V V

IN

e

15V

I

IN

0 10

10

b

5

0 10

10

mA

DC电气特性

CD4014BC （注2）

符号

I

DD

参数

静态器件

当前

低层

输出电压

高层

输出电压

低层

输入电压

高层

输入电压

低电平输出

电流（注3）

条件

V

DD

e

5V V

IN

e

V

DD

或V

SS

V

DD

e

10V V

IN

e

V

DD

或V

SS

V

DD

e

15V V

IN

e

V

DD

或V

SS

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

b

40 C

a

25 C

a

85 C

单位

mA

V

民

最大

20

40

80

0 05

民

典型值

01

02

03

0

最大

20

40

80

0 05

民

最大

150

300

600

0 05

V

OL

V

OH

V

IL

V

DD

e

5V V

O

e

0 5V或5V 4

V

DD

e

10V V

O

e

1 0V或9 0V

V

DD

e

15V V

O

e

1 5V或5V 13

V

DD

e

5V V

O

e

0 5V或5V 4

V

DD

e

10V V

O

e

1 0V或9 0V

V

DD

e

15V V

O

e

1 5V或5V 13

V

DD

e

5V V

O

e

0 4V

V

DD

e

10V V

O

e

0 5V

V

DD

e

15V V

O

e

1 5V

2

35

70

11 0

0 52

13

36

(

l

I

O

l

k

1

mA

I

O

l

k

1

mA

4 95

9 95

14 95

4 95

9 95

14 95

15

30

40

35

70

11 0

0 44

11

30

5

10

15

2

4

6

3

6

9

0 88

22

8

15

30

40

4 95

9 95

14 95

15

30

40

35

70

11 0

0 36

09

24

V

mA

V

IH

I

OL

DC电气特性

CD4014BC （注2 ）（续）

符号

I

OH

参数

高电平输出

电流（注3）

输入电流

条件

V

DD

e

5V V

O

e

4 6V

V

DD

e

10V V

O

e

9 5V

V

DD

e

15V V

O

e

13 5V

V

DD

e

15V V

IN

e

0V

V

DD

e

15V V

IN

e

15V

b

40 C

a

25 C

a

85 C

单位

mA

民

b

0 52

b

1 3

b

3 6

最大

民

b

0 44

b

1 1

b

3 0

典型值

b

0 88

b

2 2

b

8

b

10

b

5

最大

民

b

0 36

b

0 90

b

2 4

最大

I

IN

b

0 3

b

0 3

b

1 0

03

10

b

5

03

10

mA

AC电气特性

符号

t

PHL

t

PLH

参数

传播延迟时间

T

A

e

25 C输入吨

r

t

f

e

20 ns的

L

e

50 pF的

L

e

200的kX

条件

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

任何输入

5

110

60

40

30

80

40

30

100

50

40

28

6

8

民

典型值

200

80

60

100

50

40

4

12

16

90

40

25

180

80

50

15

120

80

60

160

80

60

200

100

80

0

10

15

75

最大

320

160

120

200

100

80

单位

ns

兆赫

ns

ms

ns

pF

t

THL

t

TLH

转换时间

f

CL

最大时钟

输入频率

最小时钟

脉冲宽度

时钟的上升和

下降时间（注4 ）

最小建立时间

（注6 ）串行输入

t

H

t

200纳秒

并行输入

t

H

t

200纳秒

并行串行控制

t

H

t

200纳秒

t

W

t

RCL

t

整箱

t

S

t

H

最小保持时间

串并联吨

S

t

400纳秒

并行串行控制

平均输入电容

（注5 ）

功率耗散电容

（注5 ）

C

I

C

PD

AC参数都保证了DC相关测试

注1

''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''

它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供了条件，实际的设备

手术

注2

V

SS

e

0V ，除非另有说明

注3

I

OL

我

OH

在测试一个输出一次

注4

如果一个以上的单元被级联吨

RCL

应小于或等于所述驱动级的输出端的固定传输延迟的估计

容性负载

注5

C

PD

决定任何CMOS器件有关完整说明，请参见54C 74C系列的特点应用笔记的空载交流电耗

AN-90

注6

设置时间测量参考时钟和固定保持时间（t

H

）规定

3

典型性能特性

TL F 5947-3

TL F 5947 - 4

TL F 5947 - 5

4

物理尺寸

英寸（毫米）

陶瓷双列直插式封装（J ）

订单号CD4014BMJ或CD4014BCJ

NS包装数J16A

5

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS102C - 修订2003年10月

该CD40147B CMOS编码器功能的优先级

的输入编码，以确保仅在

最上位的数据线进行编码。十大数据

输入线（0-9）进行编码，以四行

（ 8,4 ， 2,1）的BCD 。优先级最高线是9号线。

所有四个输出线是逻辑1 （ VSS ）时，所有

输入线是逻辑0。所有输入和输出

缓冲，并且每个输出可以驱动一个TTL

低功率肖特基负载。该CD40147B是

功能上类似于TTL54 / 74147 ，如果销15

接低电平。

该CD40147B类型在16引脚提供

双列直插式塑料封装（后缀E ）， 16引脚

小外形封装（M ， M96 ， MT和NSR

后缀），以及16引脚超薄紧缩小外形

包（ PW和PWR后缀）。

版权

2003年，德州仪器

封装选项附录

www.ti.com

9-Aug-2005

包装信息

订购设备

CD40147BE

CD40147BEE4

CD40147BM

CD40147BM96

CD40147BM96E4

CD40147BME4

CD40147BMT

CD40147BMTE4

CD40147BNSR

CD40147BNSRE4

CD40147BPW

CD40147BPWE4

CD40147BPWR

CD40147BPWRE4

(1)

状态

(1)

活跃

包

TYPE

PDIP

SOIC

SO

TSSOP

包

制图

N

D

NS

PW

引脚封装环保计划

(2)

数量

16

25

40

无铅

（符合RoHS ）

无铅

（符合RoHS ）

绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

铅/焊球涂层

CU镍钯金

MSL峰值温度

(3)

等级-NC -NC -NC

Level-1-260C-UNLIM

2500绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

2500绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

40

250

绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

2000绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

2000绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

90

绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

2000绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

2000绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

营销状态值的定义如下：

ACTIVE ：

建议用于新设计产品的设备。

LIFEBUY ：

德州仪器日前宣布，该设备将停止，并且终身购买期间生效。

NRND ：

不建议用于新设计。设备是生产以支持现有客户，但TI不推荐使用这部分

新的设计。

预览：

设备已宣告但尚未投入生产。样品可以是或可以不是可用的。

已过时：

TI已经停止生产该设备的。

(2)

环保计划 - 该计划的环保分级：无铅（ RoHS指令）或绿色环保（RoHS &无Sb / Br） - 请检查

http://www.ti.com/productcontent

获得最新供货信息和附加产品目录明细。

TBD ：

无铅/绿色转换计划尚未确定。

无铅（ RoHS指令）：

TI的条款"Lead - Free"或"Pb - Free"意味着与当前RoHS要求的半导体产品

对于所有6种物质，其中包括铅的重量不超过均质材料0.1 ％的要求。其中，设计成被焊接

在高温下， TI无铅产品适用于特定的无铅工艺。

绿色环保（RoHS &无锑/溴）：

TI定义"Green"意味着无铅（符合RoHS标准），无溴（ Br）和锑（Sb ）的火焰

阻燃剂（溴或锑不均质材料重量超过0.1 ％）

(3)

MSL ，峰值温度。 - 根据JEDEC行业标准分类的湿度敏感等级评级，并将峰值焊接

温度。

重要信息及免责声明：

本页提供的信息代表了TI的知识和信念，这是日期

提供的。 TI基于其上由第三方提供的信息，知识和信念，不作任何陈述或保证的

这些信息的准确性。正在努力更好地整合来自第三方的信息。 TI已经采取并将继续采取

合理步骤，以提供有代表性的，准确的信息，但可能还没有进行破坏性测试或化学分析

附录1页

封装选项附录

www.ti.com

9-Aug-2005

传入的材料和化学品。 TI及其供应商认为某些信息是专有的，因此CAS号码和其他有限

信息可能不提供用于释放。

在任何情况下，所产生的这种信息TI的责任超过了TI的部分（ S）的总购买价格问题由TI出售本文档中

为客户在年度基础上。

附录第2页

CD4014BM CD4014BC 8级静态移位寄存器

1988年2月

CD4014BM CD4014BC 8级静态移位寄存器

概述

该CD4014BM CD4014BC是一个8级并行输入SE-

里亚尔输出移位寄存器的并行串行控制输入恩

ABLES个人JAM输入到每个8级Q输出

可从第六第七和第八阶段的所有

输出具有相同的源和吸收电流的能力和

符合标准的“ ”B“ ”系列的输出驱动

当并行串行控制输入为逻辑'' 0 ''

状态数据串行移入寄存器同步

与时钟的上升沿当并行

串行控制输入是逻辑' 1 '状态数据被卡住

入寄存器的每一级同步地与位置

时钟略去过渡

所有的输入保护，防止静电放电二极管用

到V

DD

和V

SS

特点

Y

宽电源电压范围

3 0V至15V

高噪声抗扰度

0 45 V

DD

（典型值）

低功耗TTL

扇出2驾驶74L

兼容性

或1驾驶74LS

5V 15V 10V-额定参数

对称的输出特性

最大输入漏

1

mA

在15V在整个温度范围内

接线图

双列直插式封装

真值表

并行

串行

Q1

CL

串行PI 1 PI

Q

n

输入

（内部）

控制

L

K

X

0

1

X

1

0

X

0

1

0

1

X

0

1

X

0

1

0

1

0

1

Q1

0

1

Q

n

b

1

Q

n

b

1

Q

n

没有变化

级别更改

X

e

不小心的情况下

订单号CD4014B

TL F 5947 - 1

顶视图

逻辑图

TL F 5947 - 2

C

1995年全国半导体公司

TL F 5947

RRD - B30M105印制在U S A

绝对最大额定值

（注1

2)

如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的

请向美国国家半导体销售

办公经销商咨询具体可用性和规格

电源电压（V

DD

)

输入电压（V

IN

)

存储温度范围（T

S

)

功耗（P

D

)

双列直插式

小尺寸

引线温度（T

L

)

（焊接10秒）

b

0至5V

a

18V

b

0 5 V

DD

a

0 5V

b

65℃，以

a

150 C

推荐工作

条件

（注2 ）

电源电压（V

DD

)

输入电压（V

IN

)

工作温度范围（T

A

)

CD4014BM

CD4014BC

3 0V至15V

0到V

DD

b

55 ℃

a

125 C

b

40℃

a

85 C

700毫瓦

500毫瓦

260 C

DC电气特性

CD4014BM （注2）

符号

I

DD

参数

静态器件

当前

低层

输出电压

高层

输出电压

低层

输入电压

高层

输入电压

低电平输出

电流（注3）

条件

V

DD

e

5V V

IN

e

V

DD

或V

SS

V

DD

e

10V V

IN

e

V

DD

或V

SS

V

DD

e

15V V

IN

e

V

DD

或V

SS

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

b

55 C

a

25 C

a

125 C

单位

mA

V

民

最大

5

10

20

0 05

民

典型值

01

02

03

0

最大

5

10

20

0 05

民

最大

150

300

600

0 05

V

OL

V

OH

V

IL

V

DD

e

5V V

O

e

0 5V或5V 4

V

DD

e

10V V

O

e

1 0V或9 0V

V

DD

e

15V V

O

e

1 5V或5V 13

V

DD

e

5V V

O

e

0 5V或5V 4

V

DD

e

10V V

O

e

1 0V或9 0V

V

DD

e

15V V

O

e

1 5V或5V 13

V

DD

e

5V V

O

e

0 4V

V

DD

e

10V V

O

e

0 5V

V

DD

e

15V V

O

e

1 5V

35

70

11 0

0 64

16

42

b

0 64

b

1 6

b

4 2

(

l

I

O

l

k

1

mA

I

O

l

k

1

mA

4 95

9 95

14 95

4 95

9 95

14 95

15

30

40

35

70

11 0

0 51

13

34

b

0 51

b

1 3

b

3 4

b

0 10

5

10

15

2

4

6

3

6

9

0 88

22

8

b

0 88

b

2 2

b

8

b

10

b

5

b

0 10

4 95

9 95

14 95

15

30

40

35

70

11 0

0 36

09

24

b

0 36

b

0 9

b

2 4

b

1 0

15

30

40

V

mA

V

IH

I

OL

I

OH

高电平输出V

DD

e

5V V

O

e

4 6V

电流（注3）

V

DD

e

10V V

O

e

9 5V

V

DD

e

15V V

O

e

13 5V

输入电流

V

DD

e

15V V

IN

e

0V

V

DD

e

15V V

IN

e

15V

I

IN

0 10

10

b

5

0 10

10

mA

DC电气特性

CD4014BC （注2）

符号

I

DD

参数

静态器件

当前

低层

输出电压

高层

输出电压

低层

输入电压

高层

输入电压

低电平输出

电流（注3）

条件

V

DD

e

5V V

IN

e

V

DD

或V

SS

V

DD

e

10V V

IN

e

V

DD

或V

SS

V

DD

e

15V V

IN

e

V

DD

或V

SS

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

b

40 C

a

25 C

a

85 C

单位

mA

V

民

最大

20

40

80

0 05

民

典型值

01

02

03

0

最大

20

40

80

0 05

民

最大

150

300

600

0 05

V

OL

V

OH

V

IL

V

DD

e

5V V

O

e

0 5V或5V 4

V

DD

e

10V V

O

e

1 0V或9 0V

V

DD

e

15V V

O

e

1 5V或5V 13

V

DD

e

5V V

O

e

0 5V或5V 4

V

DD

e

10V V

O

e

1 0V或9 0V

V

DD

e

15V V

O

e

1 5V或5V 13

V

DD

e

5V V

O

e

0 4V

V

DD

e

10V V

O

e

0 5V

V

DD

e

15V V

O

e

1 5V

2

35

70

11 0

0 52

13

36

(

l

I

O

l

k

1

mA

I

O

l

k

1

mA

4 95

9 95

14 95

4 95

9 95

14 95

15

30

40

35

70

11 0

0 44

11

30

5

10

15

2

4

6

3

6

9

0 88

22

8

15

30

40

4 95

9 95

14 95

15

30

40

35

70

11 0

0 36

09

24

V

mA

V

IH

I

OL

DC电气特性

CD4014BC （注2 ）（续）

符号

I

OH

参数

高电平输出

电流（注3）

输入电流

条件

V

DD

e

5V V

O

e

4 6V

V

DD

e

10V V

O

e

9 5V

V

DD

e

15V V

O

e

13 5V

V

DD

e

15V V

IN

e

0V

V

DD

e

15V V

IN

e

15V

b

40 C

a

25 C

a

85 C

单位

mA

民

b

0 52

b

1 3

b

3 6

最大

民

b

0 44

b

1 1

b

3 0

典型值

b

0 88

b

2 2

b

8

b

10

b

5

最大

民

b

0 36

b

0 90

b

2 4

最大

I

IN

b

0 3

b

0 3

b

1 0

03

10

b

5

03

10

mA

AC电气特性

符号

t

PHL

t

PLH

参数

传播延迟时间

T

A

e

25 C输入吨

r

t

f

e

20 ns的

L

e

50 pF的

L

e

200的kX

条件

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

V

DD

e

5V

V

DD

e

10V

V

DD

e

15V

任何输入

5

110

60

40

30

80

40

30

100

50

40

28

6

8

民

典型值

200

80

60

100

50

40

4

12

16

90

40

25

180

80

50

15

120

80

60

160

80

60

200

100

80

0

10

15

75

最大

320

160

120

200

100

80

单位

ns

兆赫

ns

ms

ns

pF

t

THL

t

TLH

转换时间

f

CL

最大时钟

输入频率

最小时钟

脉冲宽度

时钟的上升和

下降时间（注4 ）

最小建立时间

（注6 ）串行输入

t

H

t

200纳秒

并行输入

t

H

t

200纳秒

并行串行控制

t

H

t

200纳秒

t

W

t

RCL

t

整箱

t

S

t

H

最小保持时间

串并联吨

S

t

400纳秒

并行串行控制

平均输入电容

（注5 ）

功率耗散电容

（注5 ）

C

I

C

PD

AC参数都保证了DC相关测试

注1

''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''

它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供了条件，实际的设备

手术

注2

V

SS

e

0V ，除非另有说明

注3

I

OL

我

OH

在测试一个输出一次

注4

如果一个以上的单元被级联吨

RCL

应小于或等于所述驱动级的输出端的固定传输延迟的估计

容性负载

注5

C

PD

决定任何CMOS器件有关完整说明，请参见54C 74C系列的特点应用笔记的空载交流电耗

AN-90

注6

设置时间测量参考时钟和固定保持时间（t

H

）规定

3

典型性能特性

TL F 5947-3

TL F 5947 - 4

TL F 5947 - 5

4

物理尺寸

英寸（毫米）

陶瓷双列直插式封装（J ）

订单号CD4014BMJ或CD4014BCJ

NS包装数J16A

5

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS102C - 修订2003年10月

该CD40147B CMOS编码器功能的优先级

的输入编码，以确保仅在

最上位的数据线进行编码。十大数据

输入线（0-9）进行编码，以四行

（ 8,4 ， 2,1）的BCD 。优先级最高线是9号线。

所有四个输出线是逻辑1 （ VSS ）时，所有

输入线是逻辑0。所有输入和输出

缓冲，并且每个输出可以驱动一个TTL

低功率肖特基负载。该CD40147B是

功能上类似于TTL54 / 74147 ，如果销15

接低电平。

该CD40147B类型在16引脚提供

双列直插式塑料封装（后缀E ）， 16引脚

小外形封装（M ， M96 ， MT和NSR

后缀），以及16引脚超薄紧缩小外形

包（ PW和PWR后缀）。

版权

2003年，德州仪器

封装选项附录

www.ti.com

9-Aug-2005

包装信息

订购设备

CD40147BE

CD40147BEE4

CD40147BM

CD40147BM96

CD40147BM96E4

CD40147BME4

CD40147BMT

CD40147BMTE4

CD40147BNSR

CD40147BNSRE4

CD40147BPW

CD40147BPWE4

CD40147BPWR

CD40147BPWRE4

(1)

状态

(1)

活跃

包

TYPE

PDIP

SOIC

SO

TSSOP

包

制图

N

D

NS

PW

引脚封装环保计划

(2)

数量

16

25

40

无铅

（符合RoHS ）

无铅

（符合RoHS ）

绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

铅/焊球涂层

CU镍钯金

MSL峰值温度

(3)

等级-NC -NC -NC

Level-1-260C-UNLIM

2500绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

2500绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

40

250

绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

2000绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

2000绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

90

绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

2000绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

2000绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

营销状态值的定义如下：

ACTIVE ：

建议用于新设计产品的设备。

LIFEBUY ：

德州仪器日前宣布，该设备将停止，并且终身购买期间生效。

NRND ：

不建议用于新设计。设备是生产以支持现有客户，但TI不推荐使用这部分

新的设计。

预览：

设备已宣告但尚未投入生产。样品可以是或可以不是可用的。

已过时：

TI已经停止生产该设备的。

(2)

环保计划 - 该计划的环保分级：无铅（ RoHS指令）或绿色环保（RoHS &无Sb / Br） - 请检查

http://www.ti.com/productcontent

获得最新供货信息和附加产品目录明细。

TBD ：

无铅/绿色转换计划尚未确定。

无铅（ RoHS指令）：

TI的条款"Lead - Free"或"Pb - Free"意味着与当前RoHS要求的半导体产品

对于所有6种物质，其中包括铅的重量不超过均质材料0.1 ％的要求。其中，设计成被焊接

在高温下， TI无铅产品适用于特定的无铅工艺。

绿色环保（RoHS &无锑/溴）：

TI定义"Green"意味着无铅（符合RoHS标准），无溴（ Br）和锑（Sb ）的火焰

阻燃剂（溴或锑不均质材料重量超过0.1 ％）

(3)

MSL ，峰值温度。 - 根据JEDEC行业标准分类的湿度敏感等级评级，并将峰值焊接

温度。

重要信息及免责声明：

本页提供的信息代表了TI的知识和信念，这是日期

提供的。 TI基于其上由第三方提供的信息，知识和信念，不作任何陈述或保证的

这些信息的准确性。正在努力更好地整合来自第三方的信息。 TI已经采取并将继续采取

合理步骤，以提供有代表性的，准确的信息，但可能还没有进行破坏性测试或化学分析

附录1页

封装选项附录

www.ti.com

9-Aug-2005

传入的材料和化学品。 TI及其供应商认为某些信息是专有的，因此CAS号码和其他有限

信息可能不提供用于释放。

在任何情况下，所产生的这种信息TI的责任超过了TI的部分（ S）的总购买价格问题由TI出售本文档中

为客户在年度基础上。

附录第2页

CD40147BMS

1992年12月

10号线至4线BCD优先编码器

引脚

CD40147BMS

顶视图

特点

高压型（ 20V额定值）

编码10号线至4线BCD

低电平输入和输出

100 ％测试静态电流为20V

5V ， 10V和15V参数额定值

1μA的18V在整个封装的最大输入电流

年龄的温度范围;为100nA ，在18V和+25

o

C

噪声余量（在整个封装/温度范围）

- 1V在VDD = 5V

- 2V在VDD = 10V

- 在2.5V VDD = 15V

标准化对称的输出特性

符合JEDEC的暂行标准的所有要求

13B号， “标准特定网络阳离子的说明

'B'系列CMOS器件“

4 1

5 2

6 3

7 4

8 5

C 6

B 7

VSS 8

16 VDD

15 0

14 D

13 3

12 2

11 1

10 9

9 A

工作原理图

应用

- 键盘编码

10号线到BCD编码

- 范围选择

9

0

优先

SELECT

BCD

编码器

D

C

B

A

2

3

2

1

2

0

描述

CD40147BMS CMOS编码器功能的优先级编码

的输入，以确保只有最高阶的数据线是

编码。十个数据输入线（0-9）进行编码，以4线（如图8所示，

4 ，2，1 ）BCD 。最高优先级的线是线9.所有四个输出

线是逻辑1 （ VSS ）时，所有的行都是'0'所有

输入和输出缓冲，每个输出可以驱动

1 TTL低功率肖特基负荷。该CD40147BMS是功能

倚重类似TTL 74147分之54如果引脚15接低电平。

该CD40147BMS在这些16引脚外形提供

包：

钎焊密封DIP

熔接密封DIP

陶瓷扁平

H4T

H1E

H6W

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

网络文件编号

3357

7-71

特定网络阳离子CD40147BMS

绝对最大额定值

直流电源电压范围（ VDD ）。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至+ 20V

（电压参考VSS端子）

输入电压范围，所有输入。。。。。。。。。。。。。 - 0.5V至VDD + 0.5V

直流输入电流，在任何一个输入

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 10毫安

工作温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。 -55

o

C至+ 125

o

C

封装类型D，F ， K，H

存储温度范围（ TSTG ）。。。。。。。。。。。 -65

o

C至+150

o

C

焊接温度（焊接时）。。。。。。。。。。。。。。。。。 265

o

C

在距离1/16

±

1/32英寸（ 1.59毫米

±

0.79毫米）从案例

10S最大

可靠性信息

热阻。。。。。。。。。。。。。。。。

θ

ja

θ

jc

o

C / W

o

C / W

陶瓷DIP和熔块封装。。。。。 80

20

扁平封装。。。。。。。。。。。。。。。。 70

o

C / W

20

o

C / W

最大封装功耗（ PD ），在125

o

C

对于T

A

= -55

o

C至+100

o

C（封装类型D，F ， K）。。。。。。 500mW的

对于T

A

= +100

o

C至+ 125

o

C（封装类型D，F ， K）。。。。。。减额

线性在12MW /

o

C至200mW的

设备损耗每个输出晶体管。。。。。。。。。。。。。。。为100mW

对于T

A

=全包温度范围（所有封装类型）

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 175

o

C

表1. DC电性能等特点

A组

亚

1

2

VDD = 18V ， VIN = VDD和GND

输入漏电流

IIL

VIN = VDD和GND

VDD = 20

3

1

2

VDD = 18V

输入漏电流

IIH

VIN = VDD和GND

VDD = 20

3

1

2

VDD = 18V

输出电压

输出电流（漏）

输出电流（源）

N门限电压

P阈值电压

实用

VOL15

VOH15

IOL5

IOL10

IOL15

IOH5A

IOH5B

IOH10

IOH15

VNTH

VPTH

F

VDD = 15V ，无负载

VDD = 15V ，无负载（注3 ）

VDD = 5V ，输出电压= 0.4V

VDD = 10V ，输出电压= 0.5V

VDD = 15V ，输出电压= 1.5V

VDD = 5V ，输出电压= 4.6V

VDD = 5V ， VOUT = 2.5V

VDD = 10V ，输出电压= 9.5V

VDD = 15V ，输出电压= 13.5V

VDD = 10V ， ISS = -10μA

VSS = 0V ， IDD = 10μA

VDD = 2.8V ， VIN = VDD和GND

VDD = 20V ， VIN = VDD和GND

VDD = 18V ， VIN = VDD和GND

VDD = 3V ， VIN = VDD和GND

输入电压低

（注2 ）

输入电压高

（注2 ）

输入电压低

（注2 ）

输入电压高

（注2 ）

VIL

VIH

VIL

VIH

VDD = 5V ， VOH > 4.5V ， VOL < 0.5V

VDD = 15V ， VOH > 13.5V ，

VOL < 1.5V

VDD = 15V ， VOH > 13.5V ，

VOL < 1.5V

3

1, 2, 3

1

7

8A

8B

1, 2, 3

范围

温度

+25

o

C

+125

o

C

-55

o

C

+25

o

C

+125

o

C

-55

o

C

+25

o

C

+125

o

C

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

民

-

-100

-1000

-100

-

最大

2

200

2

-

100

1000

100

50

-

-0.53

-1.8

-1.4

-3.5

-0.7

2.8

单位

A

nA

mV

V

mA

V

参数

电源电流

符号

国际直拨电话

条件

（注1 ）

VDD = 20V ， VIN = VDD和GND

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C 14.95

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+125

o

C

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

-

3.5

-

11

0.53

1.4

3.5

-

-2.8

0.7

VOH VOL > <

VDD / 2 VDD / 2

1.5

-

4

-

V

注： 1.所有电压参考器件GND ， 100 ％的性能测试

实现的。

2.进入/不合格测试与限制适用于输入。

3.对于精确度，电压被差分测量到VDD。极限

为0.050V最大。

7-72

特定网络阳离子CD40147BMS

表2. AC电性能等特点

A组

子群温

9

10, 11

VDD = 5V ， VIN = VDD和GND

9

10, 11

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

范围

民

-

最大

900

1215

200

270

单位

ns

参数

传播延迟

在输出阶段

转换时间

符号

TPHL1

TPLH1

TTHL

tTLH

条件

（注1,2）

VDD = 5V ， VIN = VDD和GND

注意事项：

1. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。

2. -55

o

C和+ 125

o

限额保障，正在实施100 ％检验。

表3.电气性能特性

范围

参数

电源电流

符号

国际直拨电话

条件

VDD = 5V ， VIN = VDD和GND

笔记

1, 2

温度

-55

o

C, +25

o

C

+125

o

C

VDD = 10V ， VIN = VDD和GND

1, 2

-55

o

C, +25

o

C

+125

o

C

VDD = 15V ， VIN = VDD和GND

1, 2

-55

o

C, +25

o

C

+125

o

C

输出电压

输出电流（漏）

VOL

VOH

IOL5

VDD = 5V ，空载

VDD = 10V ，无负载

VDD = 5V ，空载

VDD = 10V ，无负载

VDD = 5V ，输出电压= 0.4V

1, 2

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（漏）

IOL10

VDD = 10V ，输出电压= 0.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（漏）

IOL15

VDD = 15V ，输出电压= 1.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（源）

IOH5A

VDD = 5V ，输出电压= 4.6V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（源）

IOH5B

VDD = 5V ， VOUT = 2.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（源）

IOH10

VDD = 10V ，输出电压= 9.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（源）

IOH15

VDD = 15V ， VOUT = 13.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输入电压低

输入电压高

VIL

VIH

VDD = 10V ， VOH > 9V ， VOL < 1V

1, 2

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

民

-

4.95

9.95

0.36

0.64

0.9

1.6

2.4

4.2

-

+7

最大

1

30

2

60

2

120

50

-

-0.36

-0.64

-1.15

-2.0

-0.9

-1.6

-2.4

-4.2

3

-

单位

A

mV

V

mA

V

7-73

特定网络阳离子CD40147BMS

表3.电气性能特性

（续）

范围

参数

传播延迟

在输出阶段

传播延迟

异相输出

符号

的TPH1

TPLH

的TPH1

TPLH

条件

VDD = 10V

VDD = 15V

VDD = 5V

VDD = 10V

VDD = 15V

转换时间

tTLH

VDD = 10V

VDD = 15V

输入电容

注意事项：

1.所有电压参考器件GND 。

2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的，并且不直接测试。这些参数为特征

在最初的设计发布，一经设计变更会影响这些特性。

3. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。

CIN

任何输入

笔记

1, 2, 3

1, 2

温度

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

民

-

最大

400

300

850

350

250

100

80

7.5

单位

ns

pF

表4.辐照后的电气性能特性

范围

参数

电源电流

N门限电压

DELTA

P阈值电压

DELTA

实用

符号

国际直拨电话

VNTH

ΔVTN

VTP

ΔVTP

F

条件

VDD = 20V ， VIN = VDD和GND

VDD = 10V ， ISS = -10μA

VSS = 0V ， IDD = 10μA

VDD = 18V ， VIN = VDD和GND

VDD = 3V ， VIN = VDD和GND

传播延迟时间

的TPH1

TPLH

VDD = 5V

1, 2, 3, 4

+25

o

C

笔记

1, 4

1

温度

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

民

-

-2.8

-

0.2

-

VOH >

VDD/2

-

最大

7.5

-0.2

±1

2.8

±1

VOL <

VDD/2

1.35 x

+25

o

C

极限

单位

A

V

ns

注意事项： 1.参考设备GND所有电压。

2，CL = 50pF的， RL = 200K ，输入TR ， TF <为20ns 。

3.请参阅表2 25

o

限制。

4.阅读并记录

表5.老化和寿命测试DELTA参数+25

o

C

参数

电源电流 - MSI- 1

输出电流（漏）

输出电流（源）

符号

国际直拨电话

IOL5

IOH5A

±

0.2A

±

20 ％×预试阅

±

20 ％×预试阅

DELTA LIMIT

表6.适用子群

符合的集团

初步测试（预残影）

中期测试1 （后残影）

临时测试2 （后残影）

MIL-STD-883

法

100% 5004

A组子群

1, 7, 9

读取并记录

国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A

7-74

特定网络阳离子CD40147BMS

表6.适用子群

（续）

符合的集团

的PDA （注1）

临时测试3 （后残影）

的PDA （注1）

最终测试

A组

B组

B亚组-5-

B亚组-6-

D组

MIL-STD-883

法

100% 5004

样本5005

A组子群

1 ， 7,9 ，德尔塔

1, 7, 9

1 ， 7,9 ，德尔塔

2,3 ，8A，8B ，10，11

1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11

1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11 ，变化量

1, 7, 9

1 ，2，3 ， 8A，8B， 9

亚组1 ， 2 3

子群1，2， 3，9 ，10，11

国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A

读取并记录

注： 1。 5 ％ Parameteric ， 3 ％的功能;累积的静态1和2 。

表7.总剂量辐射

MIL-STD-883

法

5005

TEST

PRE - IRRAD

1, 7, 9

后IRRAD

表4

读取并记录

PRE - IRRAD

1, 9

后IRRAD

表4

合规组

E组小组2

表8. BURN -IN和辐射测试连接

振荡器

功能

静态老化测试1

注1

静态老化测试2

注1

动态烙印

注1

放射

注2

注意：

1.除VDD和GND每个引脚将有10K串联电阻

±

5 ％， VDD = 18V

±

0.5V

2.除VDD和GND每个引脚将有47K串联电阻

±

5％ ; E组，小组2 ，样本大小为4骰子/晶圆， 0失败，

VDD = 10V

±

0.5V

开放

6, 7, 9, 14

-

6, 7, 9, 14

地

1-5, 8, 10-13, 15

8

VDD

16

1-5, 10-13, 15, 16

16

1-5, 10-13, 15, 16

6, 7, 9, 14

1, 3, 11, 13

2, 4, 5, 10, 12, 15

9V

±

-0.5V

50kHz

25kHz

Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下

ISO9000

质量体系CERTI网络阳离子。

Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留更改电路设计和/或特定网络连接的阳离子在任何时候没有合适的

通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确的

可靠。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。

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台湾有限公司

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台北，台湾

中华民国

电话：（ 886 ） 2 2716 9310

传真：（ 886 ） 2 2715 3029

75

CD4014BC 8级静态移位寄存器

1987年10月

修订后的1999年1月

CD4014BC

8级静态移位寄存器

概述

该CD4014BC是一个8级并行输入/串行输出

移位寄存器。并行/串行控制输入使能individ-

UAL JAM输入到每一个8级。 Q输出可用

从第六，第七和第八阶段。所有输出都

相同的源和吸收电流的能力，符合

标准的“ B”系列的输出驱动器。

当并行/串行控制输入是在逻辑“0”的

状态，数据串行移入移位寄存器同步

与时钟的上升沿。当并行/

串行控制输入是在逻辑“1”状态，数据被卡住

入寄存器的每一级同步地与位置

时钟略去过渡。

所有的输入保护，防止静电放电二极管用

到V

DD

和V

SS

.

特点

s

宽电源电压范围：

s

高抗干扰性：

3.0V至15V

0.45 V

DD

（典型值）。

s

低功耗TTL兼容：扇出的2驾驶74L

或1驾驶74LS

s

5V - 10V - 15V额定参数

s

对称的输出特性

s

最大输入漏电流：

1

A

在15V在整个温度范围内

订购代码：

订单号

CD4014BCM

CD4014BCN

包装数

M16A

N16E

包装说明

16引脚小外形集成电路（ SOIC ）， JEDEC MS- 012 ， 0.150 “窄

16引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ）， JEDEC MS- 100 ， 0.300 “宽

在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。

接线图

引脚分配为DIP

真值表

CL

串行

（注1 ）输入

并行/

串行

PI 1

控制

1

0

X

0

1

0

1

X

Q1

（内部）

0

1

0

1

0

1

Q1

PI

0

1

X

Q

n

0

1

Q

n1

Q

n1

Q

n

X

0

1

X

=

不在乎案例

没有变化

注1 ：

级别更改

顶视图

1999仙童半导体公司

DS005947.prf

www.fairchildsemi.com

CD4014BC

逻辑图

www.fairchildsemi.com

2

CD4014BC

绝对最大额定值

（注2 ）

（注3）

电源电压（V

DD

)

输入电压（V

IN

)

存储温度范围（T

S

)

功耗（P

D

)

双列直插式

小尺寸

引线温度（T

L

)

（焊接， 10秒）

260°C

（注3）

700毫瓦

500毫瓦

0.5V

to

+18V

0.5

到V

DD

+

0.5V

65°C

to

+150°C

推荐工作

条件

（注3）

电源电压（V

DD

)

输入电压（V

IN

)

工作温度范围（T

A

)

3.0V至15V

0到V

DD

40°C

to

+85°C

注2 ：

“绝对最大额定值”是那些价值超过该

该装置的安全性不能得到保证。除了“工作温度

TURE范围“他们并不意味着该设备应能操作

ated这些限制。的“电气特性”表中提供

条件器件的实际工作。

注3 ：

V

SS

=

0V ，除非另有规定。

DC电气特性

符号

I

DD

参数

静态器件

当前

V

OL

低层

输出电压

V

OH

高层

输出电压

V

IL

低层

输入电压

V

IH

高层

输入电压

I

OL

低电平输出

电流（注4 ）

I

OH

高电平输出

电流（注4 ）

I

IN

输入电流

条件

40°C

民

最大

20

40

80

0.05

4.95

9.95

14.95

1.5

3.0

4.0

3.5

7.0

11.0

0.52

1.3

3.6

0.52

1.3

3.6

0.3

3.5

7.0

11.0

0.44

1.1

3.0

0.44

1.1

3.0

民

+25°C

典型值

0.1

0.2

0.3

0

5

10

15

2

4

6

3

6

9

0.88

2.2

8

0.88

2.2

8

10

5

10

5

0.3

1.5

3.0

4.0

3.5

7.0

最大

20

40

80

0.05

+85°C

民

最大

150

300

600

0.05

4.95

9.95

14.95

1.5

3.0

4.0

单位

A

V

mA

V

DD

=

5V, V

IN

=

V

DD

或V

SS

V

DD

=

10V, V

IN

=

V

DD

或V

SS

V

DD

=

15V, V

IN

=

V

DD

或V

SS

V

DD

=

5V

V

DD

=

10V

V

DD

=

15V

V

DD

=

5V

V

DD

=

10V

V

DD

=

15V

V

DD

=

5V, V

O

=

0.5V或4.5V

V

DD

=

10V, V

O

=

1.0V或9.0V

V

DD

=

15V, V

O

=

1.5V或13.5V

V

DD

=

5V, V

O

=

0.5V或4.5V

V

DD

=

10V, V

O

=

1.0V或9.0V

V

DD

=

15V, V

O

=

1.5V或13.5V

V

DD

=

5V, V

O

=

0.4V

V

DD

=

10V, V

O

=

0.5V

V

DD

=

15V, V

O

=

1.5V

V

DD

=

5V, V

O

=

4.6V

V

DD

=

10V, V

O

=

9.5V

V

DD

=

15V, V

O

=

13.5V

V

DD

=

15V, V

IN

=

0V

V

DD

=

15V, V

IN

=

15V

|I

O

|

＆ LT ;

1

A

9.95

14.95

|I

O

|

＆ LT ;

1

A

11.0

0.36

0.9

2.4

0.36

0.90

2.4

1.0

A

注4 ：

I

OL

我

OH

是在一个经过时间考验的一个输出。

3

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CD4014BC

AC电气特性

T

A

=

25

°

C，输入吨

r

, t

f

=

20纳秒，C

L

=

为50 pF ，R

L

=

200 k

符号

t

PHL

, t

PLH

参数

传播延迟时间

（注5 ）

条件

民

典型值

200

80

60

100

50

40

2.8

6

8

4

12

16

90

40

25

180

80

50

15

60

40

30

80

40

30

100

50

40

120

80

60

160

80

60

200

100

80

0

10

15

5

110

7.5

最大

320

160

120

200

100

80

单位

ns

兆赫

ns

s

ns

pF

V

DD

=

5V

V

DD

=

10V

V

DD

=

15V

t

THL

, t

TLH

转换时间

V

DD

=

5V

V

DD

=

10V

V

DD

=

15V

f

CL

最大时钟

输入频率

V

DD

=

5V

V

DD

=

10V

V

DD

=

15V

V

DD

=

5V

V

DD

=

10V

V

DD

=

15V

V

DD

=

5V

V

DD

=

10V

V

DD

=

15V

V

DD

=

5V

V

DD

=

10V

V

DD

=

15V

V

DD

=

5V

V

DD

=

10V

V

DD

=

15V

V

DD

=

5V

V

DD

=

10V

V

DD

=

15V

V

DD

=

5V

V

DD

=

15V

任何输入

t

W

最小时钟

脉冲宽度

t

RCL

, t

整箱

时钟的上升和

下降时间（注6 ）

t

S

最小建立时间

（注7 ）串行输入

t

H

≥

200纳秒

并行输入

t

H

≥

200纳秒

并行/串行控制

t

H

≥

200纳秒

t

H

最小保持时间

并行/串行控制

在串行，并行，T

S

≥

400纳秒V

DD

=

10V

C

I

C

PD

平均输入电容

（注8）

功率耗散电容

（注8）

注5 ：

AC参数都保证了DC相关测试。

注6 ：

如果一个以上的单元被级联吨

RCL

应小于或等于所述驱动级的用于估算的输出的固定传输延迟

配接容性负载。

注7 ：

设置时间测量参考时钟和固定保持时间（t

H

）指定。

注8 ：

C

PD

决定任何CMOS器件的空载交流电耗。有关完整的说明，请参见74C家族特征应用笔记

AN-90.

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4

CD4014BC

典型性能特性

5

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