CD4011BT
数据表
1999年7月
网络文件编号
4620.1
CMOS四路2输入与非门
Intersil的卫星应用流程
TM
（ SAF ）设备完全
经过测试，保证100kRAD总剂量。这些QML
T级的设备进行处理，以一个标准的溢流意
以满足大的成本和更短的交货时间要求
体积卫星制造商，同时保持高
的可靠性水平。
该CD4011BT ，四2输入与非门提供
与直接执行NAND的系统设计
功能及补充CMOS现有家庭
城门。所有的输入和输出缓冲。
特点
QML T级，每MIL -PRF- 38535
辐射性能
- 剂量伽玛（γ） 1 ×10
5
Rad公司（SI ）
- SEP有效LET > 75 MEV /克/厘米
2
传播延迟时间为60ns = （典型值） ，在CL = 50pF的，
V
DD
= 10V
缓冲输入和输出
标准化对称的输出特性
100 ％测试的最大静态电流为20V
特定网络阳离子
特定网络阳离子抗辐射QML设备被控制
国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。在SMD
订货时下面列出的数字必须使用。
详细的电气连接特定阳离子的CD4011BT是
载于SMD 5962-96621 。
“热链接”是由提供
我们的网站下载。
www.intersil.com/quality/manuals.asp
Intersil公司的质量管理计划（ QM计划） ，其中列出了所有
T级筛选作业，也可在我们的
网站。
www.intersil.com/quality/manuals.asp
5V ， 10V和15V参数额定值
引脚配置
CD4011BT （ SBDIP ） ， CDIP2 - T14
顶视图
A 1
B 2
J = AB 3
K = CD 4
C 5
D 6
V
SS
7
14 V
DD
13 H
12 G
11 M = GH
10 L = EF
9 E
8 F
订购信息
订购
数
5962R9662101TCC
5962R9662101TXC
部分
数
CD4011BDTR
CD4011BKTR
温度。
范围
(
o
C)
-55至125
-55至125
A
B
J = AB
K = CD
C
D
V
SS
CD4011BT （ FLATPACK ） ， CDFP3 - F14
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
DD
H
G
M = GH
L = EF
E
F
注意：
对于-T最小订货量是150个单位通过
分发或450单位直接。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
CD4011BT
模具特点
DIE尺寸：
（ 1143μm X 1626μm X 533μm
±25.4m)
45× 64× 21mils
±1mil
金属化：
类型：铝
厚度： 12.5K
±1.5k
衬底电位：
悬空或绑到V
DD
焊盘＃ 14 （V
DD
）第一
背面表面处理：
硅
钝化：
类型：磷掺杂二氧化硅层（S
i
O
2
)
厚度： 13K
±2.6k
最坏情况下的电流密度：
< 2.0e5 /平方厘米
2
晶体管数量：
10
过程：
批量CMOS
金属掩模布局
CD4011BT
45mils
64mils
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
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3
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