从哈里斯半导体数据表收购
SCHS021D - 修订2003年9月
该CD4011B ， CD4012B和CD4023B类型
在14引脚密封双列直插式供给
陶瓷封装（ F3A后缀） ， 14引线
双列直插式塑料封装（后缀E ） ， 14引脚
小外形封装（M ， MT ， M96 ，和NSR
后缀） ，以及14引脚超薄紧缩小外形
包（ PWR后缀） 。该CD4011B和
CD4023B类型也都在14引脚薄型提供
紧缩小外形封装（ PW后缀） 。
版权
2003年，德州仪器
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
CD4011B
四2输入与非
BUFFERED B系列门
描述
该
UTC CD4011B
包含四个独立的二输入NAND
其中门
执行该功能的
-A
B
在正逻辑。
CMOS IC
SOP-14
特点
* 5V - 10V- 15V参数额定值
*四2输入与非门
*对称输出特性
*为1uA ，在15V以上完整包装Temper-最大输入电流
ATURE愤怒
*低功耗TTL ：
扇出的2驾驶74L或1驾驶74LS兼容性
订购信息
订购数量
无铅
无卤
CD4011BL-S14-R
CD4011BG-S14-R
包
SOP-14
填料
带盘
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2011 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R502-517.b
CD4011B
引脚配置
CMOS IC
功能表
（每个门）
INPUT （ A）
H
H
L
L
INPUT （ B）
H
L
H
L
输出（ Y）
L
H
H
H
逻辑图
（正逻辑）
nA
nB
nA
nB
＆放大器;
nY
nY
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QW-R502-517.b
CD4011B
绝对最大额定值
（除非另有规定编）
参数
CMOS IC
符号
评级
单位
电源电压
VDD
-0.5 ~ 18
V
输入电压
V （NA ， NB ）
-0.5 VDD +0.5
V
产量
电压
V（纽约州）
-0.5 VDD +0.5
V
储存温度
T
英镑
-65 ~ + 150
℃
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
推荐工作条件
参数
电源电压
工作温度图
符号
VDD
T
OP
评级
3
~
15
-55
~
125
单位
V
℃
电气特性
(T
a
=25°С)
参数
高电平输入电压
符号
V
IH
测试条件
VDD = 5V ， VO = 0.5V
VDD = 10V ， VO = 1.0V
VDD = 15V ， VO = 1.5V
VDD = 5V ， VO = 4.5V
VDD = 10V ， VO = 9.0V
VDD = 15V ， VO = 13.5V
VDD = 5V ，
│I
0
│
＜
1μA
VDD = 10V ，
│I
0
│
＜
1μA
VDD = 15V ，
│I
0
│
＜
1μA
VDD = 5V ，
│I
0
│
＜
1μA
VDD = 10V ，
│I
0
│
＜
1μA
VDD = 15V ，
│I
0
│
＜
1μA
VDD = 5V ， VO = 4.6V
VDD = 10V ， VO = 9.5V
VDD = 15V ， VO = 13.5V
VDD = 5V ， VO = 0.4V
VDD = 10V ， VO = 0.5V
VDD = 15V ， VO = 1.5V
VDD = 15V ，V
IN
= VDD和GND
VDD = 5V ，V
IN
= VDD和VSS ，我
OUT
= 0
VDD = 10V ，V
IN
= VDD和VSS ，我
OUT
= 0
VDD = 15V ，V
IN
= VDD和VSS ，我
OUT
= 0
民
3.5
7.0
11.0
典型值
3
6
9
2
4
6
5
10
15
0
0
0
-0.88
-2.25
-8.8
0.88
2.25
8.8
0.004
0.005
0.006
最大
单位
V
1.5
3.0
4.0
低电平输入电压
V
IL
V
高电平输出电压
V
OH
4.95
9.95
14.95
V
0.05
0.05
0.05
低电平输出电压
高电平输出电流
（注）
低电平输出电流
（注）
输入漏电流
静态电源电流
V
OL
V
I
OH
I
OL
I
我（泄漏）
I
Q
-0.51
-1.3
-3.4
0.51
1.3
3.4
mA
0.1
0.25
0.5
1.0
A
A
注：我
OL
我
OH
在测试一个输出一次
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3 5
QW-R502-517.b
CD4011B
参数
符号
t
PLH
传输延迟
输入（ A或B）到输出（Y ）
t
PHL
t
TLH
t
THL
测试条件
VDD = 5V ，C
L
= 50pF的，R
L
=200k
VDD = 10V ，C
L
= 50pF的，R
L
=200k
VDD = 15V ，C
L
= 50pF的，R
L
=200k
VDD = 5V ，C
L
= 50pF的，R
L
=200k
VDD = 10V ，C
L
= 50pF的，R
L
=200k
VDD = 15V ，C
L
= 50pF的，R
L
=200k
VDD = 5V ，C
L
= 50pF的，R
L
=200k
VDD = 10V ，C
L
= 50pF的，R
L
=200k
VDD = 15V ，C
L
= 50pF的，R
L
=200k
民
典型值
85
40
30
120
50
35
90
50
40
CMOS IC
开关特性
(T
A
= 25 ° С ，输入：吨
R
=t
F
=20ns,unless
另有规定编
)
最大
250
100
70
250
100
70
200
100
80
单位
ns
转换时间
ns
工作特性
(T
a
=25°С)
参数
平均输入电容
功率耗散电容
符号
CIN
CPD
测试条件
任何输入
任意门
民
典型值
5
14
最大
7.5
单位
pF
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4 5
QW-R502-517.b
CD4011B
测试电路和波形
产量
C
L
50pF
R
L
200k
CMOS IC
定义测试电路
V
I
V
CC
50%
50%
t
PLH
Vo
50%
t
PHL
50%
0V
V
OH
V
OL
传播延迟时间
注： CL包括探针和夹具电容。
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
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可靠，可恕不另行通知。
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QW-R502-517.b
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