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CD40108BMS
1992年12月
CMOS的4×4多端口寄存器
描述
该CD40108BMS是含有4×4多端口寄存器
四个4位寄存器,写地址译码器,两个分开的
读出地址解码器和两个三态输出总线。
当ENABLE输入为低时,相应的输出
总线切换独立于时钟的,到一个高阻抗
ANCE状态。高阻抗三态提供了输出
把与被连接到总线线路的能力
无需接口或总线组织系统
上拉组件。
当写使能输入为高电平时,所有的数据输入线
被锁在时钟和的积极转变
数据被输入到由写地址选择的字
线。当写使能为低电平时,时钟会被禁止
并没有新的数据被输入。在任一情况下,将内容
任何词可以经由读出地址线不知疲倦访问
下垂的时钟输入的状态。
该CD40108BMS在这些24引脚外形封装提供
年龄:
钎焊密封DIP
陶瓷扁平
H4V
H4P
特点
高压型( 20V额定值)
四个4位寄存器
一个输入和两个输出总线
无限扩展的位和字路线
数据线具有锁存输入
??三态输出
分隔每个总线的控制,允许同时
任何四个寄存器对总线独立阅读
A和总线B和独立写作任何的
四个寄存器
CD40108BMS是引脚兼容与行业类型
MC14580
标准化对称的输出特性
100 %测试静态电流为20V
1μA的18V在整个封装的最大输入电流
年龄的温度范围;为100nA ,在18V和+25
o
C
噪声余量(在整个封装/温度范围)
- 1V在VDD = 5V
- 2V在VDD = 10V
- 在2.5V VDD = 15V
5V , 10V和15V参数额定值
符合JEDEC的暂行标准的所有要求
13B号, “标准特定网络阳离子的说明
'B'系列CMOS器件“
应用
便签记忆
运算单元
数据存储
引脚
CD40108BMS
顶视图
Q3 B 1
Q2 B 2
3 -STATE A 3
Q0 A 4
Q1有5
Q2 A 6
Q3 A 7
写0 8
写1 9
阅读1B 10
阅读0B 11
VSS 12
24 VDD
23 Q1 B
22 Q0 B
21 3 - B国
20 D0
19 D1
18 D2
17 D3
16个时钟
15写使能
14读1A
13读0A
工作原理图
启用
D0
数据
输入
D1
D2
D3
写0
写1
读1A
阅读0A
读1B
阅读0B
VDD = 24
VSS = 12
20
19
18
17
8
9
14
13
10
11
16
时钟
21
3 , B国
22
23
2
1
Q0
Q1
Q2
Q3
字B
产量
三态的一种
15
3
4
5
6
7
Q0
Q1
Q2
Q3
Word中
产量
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3356
7-25
特定网络阳离子CD40108BMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围( VDD ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
(电压参考VSS端子)
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VDD + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D,F , K,H
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度(焊接时) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸( 1.59毫米
±
0.79毫米)从案例
10S最大
可靠性信息
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
ja
θ
jc
o
C / W
o
C / W
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。 。 80
20
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
o
C / W
20
o
C / W
最大封装功耗( PD ) ,在125
o
C
对于T
A
= -55
o
C至+100
o
C(封装类型D,F , K) 。 。 。 。 。 。 500mW的
对于T
A
= +100
o
C至+ 125
o
C(封装类型D,F , K) 。 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
对于T
A
=全包温度范围(所有封装类型)
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
表1. DC电性能等特点
A组
1
2
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VIN = VDD和GND
VDD = 20
VDD = 18V
输入漏电流
IIH
VIN = VDD和GND
VDD = 20
VDD = 18V
输出电压
输出电压
输出电流(漏)
输出电流(漏)
输出电流(漏)
输出电流(源)
输出电流(源)
输出电流(源)
输出电流(源)
N门限电压
P阈值电压
实用
VOL15
VOH15
IOL5
IOL10
IOL15
IOH5A
IOH5B
IOH10
IOH15
VNTH
VPTH
F
VDD = 15V ,无负载
VDD = 15V ,无负载(注3 )
VDD = 5V ,输出电压= 0.4V
VDD = 10V ,输出电压= 0.5V
VDD = 15V ,输出电压= 1.5V
VDD = 5V ,输出电压= 4.6V
VDD = 5V , VOUT = 2.5V
VDD = 10V ,输出电压= 9.5V
VDD = 15V ,输出电压= 13.5V
VDD = 10V , ISS = -10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VDD = 2.8V , VIN = VDD和GND
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
VDD = 3V , VIN = VDD和GND
输入电压低
(注2 )
输入电压高
(注2 )
输入电压低
(注2 )
输入电压高
(注2 )
三态输出
泄漏
VIL
VIH
VIL
VIH
IOZL
VDD = 5V , VOH > 4.5V , VOL < 0.5V
VDD = 5V , VOH > 4.5V , VOL < 0.5V
VDD = 15V , VOH > 13.5V ,
VOL < 1.5V
VDD = 15V , VOH > 13.5V ,
VOL < 1.5V
VIN = VDD和GND
VOUT = 0V
VDD = 20V
VDD = 18V
三态输出
泄漏
IOZH
VIN = VDD和GND
VOUT = VDD
VDD = 20V
VDD = 18V
注: 1.所有电压参考器件GND , 100 %的性能测试
实现的。
2.进入/不合格测试与限制适用于输入。
3
1
2
3
1
2
3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
2
3
1
2
3
+25
o
C,
范围
温度
+25
o
C
+125 C
-55
o
C
+25
o
C
+125 C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+125
o
C,
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
-
3.5
-
11
-0.4
-12
-0.4
-
-
-
1.5
-
4
-
-
-
-
0.4
12
0.4
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
-55
o
C
o
o
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
(注1 )
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-
14.95
0.53
1.4
3.5
-
-
-
-
-2.8
0.7
最大
10
1000
10
-
-
-
100
1000
100
50
-
-
-
-
-0.53
-1.8
-1.4
-3.5
-0.7
2.8
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
mV
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
3.对于精确度,电压被差分测量到VDD。极限
为0.050V最大。
7-26
特定网络阳离子CD40108BMS
表2. AC电性能等特点
A组
子群温
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
范围
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
1.11
最大
720
972
600
810
200
270
260
351
200
270
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
参数
传播延迟时钟
或写使能以Q
传播延迟读
或写地址,以Q
传播延迟3-
国家禁用延迟时间
传播延迟3-
国家禁用延迟时间
转换时间
符号
TPHL1
TPLH1
TPHL2
TPLH2
tpZH
tPHZ
tPZL
tPLZ
TTHL
tTLH
整箱
条件
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
(注1,2)
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
(注1,2)
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
(注2,3)
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
(注2,3)
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
(注1,2)
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
(注1,2)
最大时钟输入
频率
注意事项:
1. CL = 50pF的,RL = 200K,输入TR ,TF <为20ns 。
2. -55
o
C和+ 125
o
限额保障,正在实施100 %检验。
表3.电气性能特性
范围
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
笔记
1, 2
温度
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 10V , VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 15V , VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
输出电压
输出电压
输出电压
输出电压
输出电流(漏)
VOL
VOL
VOH
VOH
IOL5
VDD = 5V ,空载
VDD = 10V ,无负载
VDD = 5V ,空载
VDD = 10V ,无负载
VDD = 5V ,输出电压= 0.4V
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(漏)
IOL10
VDD = 10V ,输出电压= 0.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(漏)
IOL15
VDD = 15V ,输出电压= 1.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH5A
VDD = 5V ,输出电压= 4.6V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH5B
VDD = 5V , VOUT = 2.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
-
4.95
9.95
0.36
0.64
0.9
1.6
2.4
4.2
-
-
-
-
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.36
-0.64
-1.15
-2.0
mV
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
-
-
-
-
-
-
-
最大
5
150
10
300
10
600
50
单位
A
A
A
A
A
A
mV
7-27
特定网络阳离子CD40108BMS
表3.电气性能特性(续)
范围
参数
输出电流(源)
符号
IOH10
条件
VDD = 10V ,输出电压= 9.5V
笔记
1, 2
温度
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH15
VDD = 15V , VOUT = 13.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输入电压低
输入电压高
传播延迟
时钟或写使能以Q
传播延迟
读取或写入地址为Q
传播延迟
三态禁用延迟
时间
传播延迟
三态禁用延迟
时间
转换时间
VIL
VIH
TPLH1
TPHL1
TPHL2
TPLH2
tpZH
tPHZ
tPZL
tPLZ
tTLH
TTHL
整箱
VDD = 10V , VOH > 9V , VOL < 1V
VDD = 10V , VOH > 9V , VOL < 1V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
TS
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最小的数据设置
时间
写使能时钟
最小的数据设置
时间
写地址时钟
时钟的上升和下降时间
TS
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
TS
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
TRCL
tfCL
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最小保持时间数据
时钟
TH
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
保持时间写使能
时钟
TH
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
写地址时钟
TH
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
1, 2
1, 2
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3, 5
1, 2, 3, 5
1, 2, 3, 5
2, 3
2, 3
2, 3
2, 3
2, 3
2, 3
2, 3
2, 3
2, 3
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-
-
-
-
7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.5
4.5
0
0
0
250
100
70
250
100
70
-
-
-
220
100
80
-
-
-
-
-
-
270
130
80
330
140
90
15
5
5
最大
-0.9
-1.6
-2.4
-4.2
3
-
280
200
240
170
100
80
120
100
100
80
-
-
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
最大时钟输入
频率
最小的数据设置
时间
数据时钟
7-28
特定网络阳离子CD40108BMS
表3.电气性能特性(续)
范围
参数
最小时钟脉冲
宽度时钟或写
启用
最小时钟脉冲
宽写地址
符号
TW
条件
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
TW
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
输入电容
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的,并且不直接测试。这些参数为特征
在最初的设计发布,一经设计变更会影响这些特性。
3. CL = 50pF的,RL = 200K,输入TR ,TF <为20ns 。
4, CL = 50pF的, RL = 1K ,输入TR , TF <为20ns 。
5.如果多个单元被级联, TRCL应小于或等于sumof的过渡时间和固定的传播
延迟的驱动级的估计容性负载的输出。
CIN
任何输入
笔记
3
3
3
3
3
3
1, 2
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
最大
350
130
90
300
150
90
7.5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
电源电流
N门限电压
N门限电压
DELTA
P阈值电压
P阈值电压
DELTA
实用
符号
国际直拨电话
VNTH
ΔVTN
VTP
ΔVTP
F
条件
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VDD = 10V , ISS = -10μA
VDD = 10V , ISS = -10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
VDD = 3V , VIN = VDD和GND
传播延迟时间
的TPH1
TPLH
VDD = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
笔记
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-2.8
-
0.2
-
VOH >
VDD/2
-
最大
25
-0.2
±1
2.8
±1
VOL <
VDD/2
1.35 x
+25
o
C
极限
单位
A
V
V
V
V
V
ns
注意事项: 1.参考设备GND所有电压。
2,CL = 50pF的, RL = 200K ,输入TR , TF <为20ns 。
3.请参阅表2 25
o
限制。
4.阅读并记录
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
o
C
参数
电源电流 - MSI- 2
输出电流(漏)
输出电流(源)
符号
国际直拨电话
IOL5
IOH5A
±
1.0A
±
20 %×预试阅
±
20 %×预试阅
DELTA LIMIT
表6.适用子群
符合的集团
初步测试(预残影)
MIL-STD-883
100% 5004
A组子群
1, 7, 9
读取并记录
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
7-29
CD40108BMS
1992年12月
CMOS的4×4多端口寄存器
描述
该CD40108BMS是含有4×4多端口寄存器
四个4位寄存器,写地址译码器,两个分开的
读出地址解码器和两个三态输出总线。
当ENABLE输入为低时,相应的输出
总线切换独立于时钟的,到一个高阻抗
ANCE状态。高阻抗三态提供了输出
把与被连接到总线线路的能力
无需接口或总线组织系统
上拉组件。
当写使能输入为高电平时,所有的数据输入线
被锁在时钟和的积极转变
数据被输入到由写地址选择的字
线。当写使能为低电平时,时钟会被禁止
并没有新的数据被输入。在任一情况下,将内容
任何词可以经由读出地址线不知疲倦访问
下垂的时钟输入的状态。
该CD40108BMS在这些24引脚外形封装提供
年龄:
钎焊密封DIP
陶瓷扁平
H4V
H4P
特点
高压型( 20V额定值)
四个4位寄存器
一个输入和两个输出总线
无限扩展的位和字路线
数据线具有锁存输入
??三态输出
分隔每个总线的控制,允许同时
任何四个寄存器对总线独立阅读
A和总线B和独立写作任何的
四个寄存器
CD40108BMS是引脚兼容与行业类型
MC14580
标准化对称的输出特性
100 %测试静态电流为20V
1μA的18V在整个封装的最大输入电流
年龄的温度范围;为100nA ,在18V和+25
o
C
噪声余量(在整个封装/温度范围)
- 1V在VDD = 5V
- 2V在VDD = 10V
- 在2.5V VDD = 15V
5V , 10V和15V参数额定值
符合JEDEC的暂行标准的所有要求
13B号, “标准特定网络阳离子的说明
'B'系列CMOS器件“
应用
便签记忆
运算单元
数据存储
引脚
CD40108BMS
顶视图
Q3 B 1
Q2 B 2
3 -STATE A 3
Q0 A 4
Q1有5
Q2 A 6
Q3 A 7
写0 8
写1 9
阅读1B 10
阅读0B 11
VSS 12
24 VDD
23 Q1 B
22 Q0 B
21 3 - B国
20 D0
19 D1
18 D2
17 D3
16个时钟
15写使能
14读1A
13读0A
工作原理图
启用
D0
数据
输入
D1
D2
D3
写0
写1
读1A
阅读0A
读1B
阅读0B
VDD = 24
VSS = 12
20
19
18
17
8
9
14
13
10
11
16
时钟
21
3 , B国
22
23
2
1
Q0
Q1
Q2
Q3
字B
产量
三态的一种
15
3
4
5
6
7
Q0
Q1
Q2
Q3
Word中
产量
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3356
7-25
特定网络阳离子CD40108BMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围( VDD ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
(电压参考VSS端子)
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VDD + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D,F , K,H
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度(焊接时) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸( 1.59毫米
±
0.79毫米)从案例
10S最大
可靠性信息
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
ja
θ
jc
o
C / W
o
C / W
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。 。 80
20
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
o
C / W
20
o
C / W
最大封装功耗( PD ) ,在125
o
C
对于T
A
= -55
o
C至+100
o
C(封装类型D,F , K) 。 。 。 。 。 。 500mW的
对于T
A
= +100
o
C至+ 125
o
C(封装类型D,F , K) 。 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
对于T
A
=全包温度范围(所有封装类型)
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
表1. DC电性能等特点
A组
1
2
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VIN = VDD和GND
VDD = 20
VDD = 18V
输入漏电流
IIH
VIN = VDD和GND
VDD = 20
VDD = 18V
输出电压
输出电压
输出电流(漏)
输出电流(漏)
输出电流(漏)
输出电流(源)
输出电流(源)
输出电流(源)
输出电流(源)
N门限电压
P阈值电压
实用
VOL15
VOH15
IOL5
IOL10
IOL15
IOH5A
IOH5B
IOH10
IOH15
VNTH
VPTH
F
VDD = 15V ,无负载
VDD = 15V ,无负载(注3 )
VDD = 5V ,输出电压= 0.4V
VDD = 10V ,输出电压= 0.5V
VDD = 15V ,输出电压= 1.5V
VDD = 5V ,输出电压= 4.6V
VDD = 5V , VOUT = 2.5V
VDD = 10V ,输出电压= 9.5V
VDD = 15V ,输出电压= 13.5V
VDD = 10V , ISS = -10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VDD = 2.8V , VIN = VDD和GND
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
VDD = 3V , VIN = VDD和GND
输入电压低
(注2 )
输入电压高
(注2 )
输入电压低
(注2 )
输入电压高
(注2 )
三态输出
泄漏
VIL
VIH
VIL
VIH
IOZL
VDD = 5V , VOH > 4.5V , VOL < 0.5V
VDD = 5V , VOH > 4.5V , VOL < 0.5V
VDD = 15V , VOH > 13.5V ,
VOL < 1.5V
VDD = 15V , VOH > 13.5V ,
VOL < 1.5V
VIN = VDD和GND
VOUT = 0V
VDD = 20V
VDD = 18V
三态输出
泄漏
IOZH
VIN = VDD和GND
VOUT = VDD
VDD = 20V
VDD = 18V
注: 1.所有电压参考器件GND , 100 %的性能测试
实现的。
2.进入/不合格测试与限制适用于输入。
3
1
2
3
1
2
3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
2
3
1
2
3
+25
o
C,
范围
温度
+25
o
C
+125 C
-55
o
C
+25
o
C
+125 C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+125
o
C,
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
-
3.5
-
11
-0.4
-12
-0.4
-
-
-
1.5
-
4
-
-
-
-
0.4
12
0.4
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
-55
o
C
o
o
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
(注1 )
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-
14.95
0.53
1.4
3.5
-
-
-
-
-2.8
0.7
最大
10
1000
10
-
-
-
100
1000
100
50
-
-
-
-
-0.53
-1.8
-1.4
-3.5
-0.7
2.8
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
mV
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
3.对于精确度,电压被差分测量到VDD。极限
为0.050V最大。
7-26
特定网络阳离子CD40108BMS
表2. AC电性能等特点
A组
子群温
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
范围
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
1.11
最大
720
972
600
810
200
270
260
351
200
270
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
参数
传播延迟时钟
或写使能以Q
传播延迟读
或写地址,以Q
传播延迟3-
国家禁用延迟时间
传播延迟3-
国家禁用延迟时间
转换时间
符号
TPHL1
TPLH1
TPHL2
TPLH2
tpZH
tPHZ
tPZL
tPLZ
TTHL
tTLH
整箱
条件
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
(注1,2)
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
(注1,2)
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
(注2,3)
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
(注2,3)
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
(注1,2)
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
(注1,2)
最大时钟输入
频率
注意事项:
1. CL = 50pF的,RL = 200K,输入TR ,TF <为20ns 。
2. -55
o
C和+ 125
o
限额保障,正在实施100 %检验。
表3.电气性能特性
范围
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
笔记
1, 2
温度
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 10V , VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 15V , VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
输出电压
输出电压
输出电压
输出电压
输出电流(漏)
VOL
VOL
VOH
VOH
IOL5
VDD = 5V ,空载
VDD = 10V ,无负载
VDD = 5V ,空载
VDD = 10V ,无负载
VDD = 5V ,输出电压= 0.4V
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(漏)
IOL10
VDD = 10V ,输出电压= 0.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(漏)
IOL15
VDD = 15V ,输出电压= 1.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH5A
VDD = 5V ,输出电压= 4.6V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH5B
VDD = 5V , VOUT = 2.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
-
4.95
9.95
0.36
0.64
0.9
1.6
2.4
4.2
-
-
-
-
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.36
-0.64
-1.15
-2.0
mV
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
-
-
-
-
-
-
-
最大
5
150
10
300
10
600
50
单位
A
A
A
A
A
A
mV
7-27
特定网络阳离子CD40108BMS
表3.电气性能特性(续)
范围
参数
输出电流(源)
符号
IOH10
条件
VDD = 10V ,输出电压= 9.5V
笔记
1, 2
温度
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH15
VDD = 15V , VOUT = 13.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输入电压低
输入电压高
传播延迟
时钟或写使能以Q
传播延迟
读取或写入地址为Q
传播延迟
三态禁用延迟
时间
传播延迟
三态禁用延迟
时间
转换时间
VIL
VIH
TPLH1
TPHL1
TPHL2
TPLH2
tpZH
tPHZ
tPZL
tPLZ
tTLH
TTHL
整箱
VDD = 10V , VOH > 9V , VOL < 1V
VDD = 10V , VOH > 9V , VOL < 1V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
TS
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最小的数据设置
时间
写使能时钟
最小的数据设置
时间
写地址时钟
时钟的上升和下降时间
TS
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
TS
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
TRCL
tfCL
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最小保持时间数据
时钟
TH
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
保持时间写使能
时钟
TH
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
写地址时钟
TH
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
1, 2
1, 2
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3, 5
1, 2, 3, 5
1, 2, 3, 5
2, 3
2, 3
2, 3
2, 3
2, 3
2, 3
2, 3
2, 3
2, 3
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-
-
-
-
7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.5
4.5
0
0
0
250
100
70
250
100
70
-
-
-
220
100
80
-
-
-
-
-
-
270
130
80
330
140
90
15
5
5
最大
-0.9
-1.6
-2.4
-4.2
3
-
280
200
240
170
100
80
120
100
100
80
-
-
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
最大时钟输入
频率
最小的数据设置
时间
数据时钟
7-28
特定网络阳离子CD40108BMS
表3.电气性能特性(续)
范围
参数
最小时钟脉冲
宽度时钟或写
启用
最小时钟脉冲
宽写地址
符号
TW
条件
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
TW
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
输入电容
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的,并且不直接测试。这些参数为特征
在最初的设计发布,一经设计变更会影响这些特性。
3. CL = 50pF的,RL = 200K,输入TR ,TF <为20ns 。
4, CL = 50pF的, RL = 1K ,输入TR , TF <为20ns 。
5.如果多个单元被级联, TRCL应小于或等于sumof的过渡时间和固定的传播
延迟的驱动级的估计容性负载的输出。
CIN
任何输入
笔记
3
3
3
3
3
3
1, 2
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
最大
350
130
90
300
150
90
7.5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
电源电流
N门限电压
N门限电压
DELTA
P阈值电压
P阈值电压
DELTA
实用
符号
国际直拨电话
VNTH
ΔVTN
VTP
ΔVTP
F
条件
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VDD = 10V , ISS = -10μA
VDD = 10V , ISS = -10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
VDD = 3V , VIN = VDD和GND
传播延迟时间
的TPH1
TPLH
VDD = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
笔记
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-2.8
-
0.2
-
VOH >
VDD/2
-
最大
25
-0.2
±1
2.8
±1
VOL <
VDD/2
1.35 x
+25
o
C
极限
单位
A
V
V
V
V
V
ns
注意事项: 1.参考设备GND所有电压。
2,CL = 50pF的, RL = 200K ,输入TR , TF <为20ns 。
3.请参阅表2 25
o
限制。
4.阅读并记录
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
o
C
参数
电源电流 - MSI- 2
输出电流(漏)
输出电流(源)
符号
国际直拨电话
IOL5
IOH5A
±
1.0A
±
20 %×预试阅
±
20 %×预试阅
DELTA LIMIT
表6.适用子群
符合的集团
初步测试(预残影)
MIL-STD-883
100% 5004
A组子群
1, 7, 9
读取并记录
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
7-29
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