添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第577页 > CD4007UBMS
CD4007UBMS
1994年11月
CMOS双互补对加变频器
引脚
CD4007UBMS
顶视图
Q2 (P ),漏极
1
Q2 (P )的源
2
Q2 GATES
3
Q2 (N )的源
4
Q2 ( N)的漏极
5
Q1 GATES
6
特点
高电压型( 20V额定值)
标准化对称的输出特性
中速运行
- 的TPH1 , tPLH的= 30 ns(典型值) ,在10V
100 %测试的最大静态电流为20V
符合JEDEC的暂行斯坦的所有要求
dards 13B号, “标准特定网络阳离子有关说明
“B”系列CMOS设备“和灰
1μA的18V在整个封装的最大输入电流
年龄温度范围;为100nA ,在18V和+25
o
C
14
VDD , Q1 , Q2 , Q3 ( P)
基板, Q1 ( P)漏极
13
Q1 (P )的源
12
Q3 (N )漏极, Q3 (P )的源
11
Q3 (P ),漏极
10
Q3 GATES
9
Q3 (N )的源
8
Q1 ( N)的漏极
VSS , Q1 , Q2 , Q3 ( N)
SUBSTRATES Q1 (N )
来源
7
应用
极高的输入阻抗放大器器
塑造者
逆变器
阈值检测器
线性放大器器
晶体振荡器
6
13
8
n
n
3
1
5
n
10
12
工作原理图
14
2
11
p
p
p
描述
CD4007BMS类型都包括三个n沟道和
3 p沟道增强型MOS晶体管。该
晶体管元件是通过包访问之三
minals提供用于构造一个方便的手段
如示于图2的各种典型电路。
更复杂的功能都可以使用多个封装
老少皆宜。显示于括号中的数字表示该终端
被连接在一起,以形成各种CON组fi gurations
列出。
该CD4007BMS在这14领先轮廓封装提供
年龄:
钎焊密封DIP
熔接密封DIP
陶瓷扁平
H4Q
H1B
H3W
7
4
9
TERMINAL NO 。 14 - VDD
TERMINAL NO 。 7 - VSS
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3291
7-666
特定网络阳离子CD4007UBMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围( VDD ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
(电压参考VSS端子)
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VDD + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D,F , K,H
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度(焊接时) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸( 1.59毫米
±
0.79毫米)从案例
10S最大
可靠性信息
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
ja
θ
jc
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。 。 80
o
C / W
20
o
C / W
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
o
C / W
20
o
C / W
最大封装功耗( PD ) ,在125
o
C
对于T
A
= -55
o
C至+100
o
C(封装类型D,F , K) 。 。 。 。 。 。 500mW的
对于T
A
= +100
o
C至+ 125
o
C(封装类型D,F , K) 。 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
对于T
A
=全包温度范围(所有封装类型)
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
表1. DC电性能等特点
A组
1
2
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VIN = VDD和GND
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
输入漏电流
IIH
VIN = VDD和GND
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
输出电压
输出电压
输出电流(漏)
输出电流(漏)
输出电流(漏)
输出电流(源)
输出电流(源)
输出电流(源)
输出电流(源)
N门限电压
P阈值电压
实用
VOL15
VOH15
IOL5
IOL10
IOL15
IOH5A
IOH5B
IOH10
IOH15
VNTH
VPTH
F
VDD = 15V ,无负载
VDD = 15V ,无负载(注3 )
VDD = 5V ,输出电压= 0.4V
VDD = 10V ,输出电压= 0.5V
VDD = 15V ,输出电压= 1.5V
VDD = 5V ,输出电压= 4.6V
VDD = 5V , VOUT = 2.5V
VDD = 10V ,输出电压= 9.5V
VDD = 15V ,输出电压= 13.5V
VDD = 10V , ISS = -10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VDD = 2.8V , VIN = VDD和GND
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
VDD = 3V , VIN = VDD和GND
输入电压低
(注2 )
输入电压高
(注2 )
输入电压低
(注2 )
输入电压高
(注2 )
VIL
VIH
VIL
VIH
VDD = 5V , VOH > 4.5V , VOL < 0.5V
VDD = 5V , VOH > 4.5V , VOL < 0.5V
VDD = 15V , VOH > 13.5V ,
VOL < 1.5V
VDD = 15V , VOH > 13.5V ,
VOL < 1.5V
3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-
最大
0.5
50
0.5
-
-
-
100
1000
100
50
-
-
-
-
-0.53
-1.8
-1.4
-3.5
-0.7
2.8
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
mV
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
(注1 )
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C 14.95
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
4.0
-
12.5
0.53
1.4
3.5
-
-
-
-
-2.8
0.7
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
1.0
-
2.5
-
V
V
V
V
注: 1.所有电压参考器件GND , 100 %的性能测试
实现的。
2.进入/不合格测试与限制适用于输入
3.对于精确度,电压被差分测量到VDD。极限
为0.050V最大。
7-667
特定网络阳离子CD4007UBMS
表2. AC电性能等特点
A组
子群温
9
10, 11
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
9
10, 11
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
范围
-
-
-
-
最大
110
149
200
270
单位
ns
ns
ns
ns
参数
传播延迟
符号
的TPH1
TPLH
TTHL
tTLH
条件
(注1,2)
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
转换时间
注意事项:
1. CL = 50pF的,RL = 200K,输入TR ,TF <为20ns 。
2. 55
o
C和+ 125
o
限额保障,正在实施100 %检验。
表3.电气性能特性
范围
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
笔记
1, 2
温度
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 10V , VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 15V , VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
输出电压
输出电压
输出电压
输出电压
输出电流(漏)
VOL
VOL
VOH
VOH
IOL5
VDD = 5V ,空载
VDD = 10V ,无负载
VDD = 5V ,空载
VDD = 10V ,无负载
VDD = 5V ,输出电压= 0.4V
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(漏)
IOL10
VDD = 10V ,输出电压= 0.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(漏)
IOL15
VDD = 15V ,输出电压= 1.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH5A
VDD = 5V ,输出电压= 4.6V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH5B
VDD = 5V , VOUT = 2.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH10
VDD = 10V ,输出电压= 9.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH15
VDD = 15V , VOUT = 13.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输入电压低
输入电压高
传播延迟
VIL
VIH
的TPH1
TPLH
VDD = 10V , VOH > 9V , VOL < 1V
VDD = 10V , VOH > 9V , VOL < 1V
VDD = 10V
VDD = 15V
1, 2
1, 2
1, 2, 3
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
4.95
9.95
0.36
0.64
0.9
1.6
2.4
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
最大
0.25
7.5
0.5
15
0.5
30
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.36
-0.64
-1.15
-2.0
-0.9
-1.6
-2.4
-4.2
2
-
60
50
单位
A
A
A
A
A
A
mV
mV
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
ns
ns
7-668
特定网络阳离子CD4007UBMS
表3.电气性能特性
(续)
范围
参数
转换时间
符号
TTHL
tTLH
CIN
条件
VDD = 10V
VDD = 15V
任何输入
笔记
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-
-
最大
100
80
15.0
单位
ns
ns
pF
输入电容
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的,并且不直接测试。这些参数为特征
在最初的设计发布,一经设计变更会影响这些特性。
3. CL = 50pF的,RL = 200K,输入TR ,TF <为20ns 。
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
电源电流
N门限电压
N门限电压
DELTA
P阈值电压
P阈值电压
DELTA
实用
符号
国际直拨电话
VNTH
ΔVNTH
VPTH
ΔVPTH
F
条件
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VDD = 10V , ISS = -10μA
VDD = 10V , ISS = -10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
VDD = 3V , VIN = VDD和GND
传播延迟时间
的TPH1
TPLH
VDD = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
笔记
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-2.8
-
0.2
-
VOH >
VDD/2
-
最大
2.5
-0.2
±1
2.8
±1
VOL <
VDD/2
1.35 x
+25
o
C
极限
单位
A
V
V
V
V
V
ns
注意事项: 1.参考设备GND所有电压。
2,CL = 50pF的, RL = 200K ,输入TR , TF <为20ns 。
3.请参阅表2 25
o
限制。
4.阅读并记录
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
O
C
参数
电源电流 - SSI
输出电流(漏)
输出电流(源)
符号
国际直拨电话
IOL5
IOH5A
±0.1A
±
20 %×预试阅
±
20 %×预试阅
DELTA LIMIT
表6.适用子群
符合的集团
初步测试(预残影)
中期测试1 (后残影)
临时测试2 (后残影)
的PDA (注1)
临时测试3 (后残影)
的PDA (注1)
最终测试
A组
B组
B亚组-5-
B亚组-6-
MIL-STD-883
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
样本5005
样本5005
样本5005
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
2,3 ,8A,8B ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11 ,变化量
1, 7, 9
子群1,2, 3,9 ,10,11
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
读取并记录
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
7-669
特定网络阳离子CD4007UBMS
表6.适用子群
(续)
符合的集团
D组
MIL-STD-883
样本5005
A组子群
1 ,2,3 , 8A,8B, 9
读取并记录
亚组1 , 2 3
注: 1。 5 % Parameteric , 3 %的功能;累积的静态1和2 。
表7.总剂量辐射
MIL-STD-883
5005
TEST
PRE - IRRAD
1, 7, 9
后IRRAD
表4
读取并记录
PRE - IRRAD
1, 9
后IRRAD
表4
合规组
E组小组2
表8. BURN -IN和辐射测试连接
振荡器
功能
静态老化
1注1
静态老化
2注1
动态烙印
注1
放射
注2
注意:
1.除VDD和GND每个引脚将有10K串联电阻
±5%,
VDD = 18V
±0.5V
2.除VDD和GND每个引脚将有47K串联电阻
±
5% ; E组,小组2 ,样本大小为4骰子/晶圆, 0失败, VDD
= 10V
±0.5V
开放
1, 5, 8, 12, 13
1, 5, 8, 12, 13
-
1, 5, 8, 12, 13
3, 4, 6, 7, 9, 10
4, 7, 9
4, 7, 9
4, 7, 9
VDD
2, 11, 14
2, 3, 6, 10, 11, 14
2, 11, 14
2, 3, 6, 10, 11, 14
1, 5, 8, 12, 13
3, 6, 10
-
9V
±
-0.5V
50kHz
25kHz
原理图
14
2
**
11
**
D2
D2
D2
*
D2
6
D1
D1
R1
D2
D2
*
D2
R1
D1
D1
D2
D2
*
D2
R1
D1
D1
D2
D2
12 Q3
D1
**
13
8
Q1 3
D1
**
1
Q2 10
5
D1
D1
**
*
CMOS输入
保护
D1
7
V
DD
D2
产量
终奌站
D1
4
D1
D1
寄生虫病和
网络组件
D1 = N + TO P阱
D 2 = P +到衬底
R1 = 1 - 5 KΩ
R2 = 15 - 30
9
**
**
**
CMOS输出保护
网络终端之间
NOS 。 1 ,2,4 ,5,8 ,9,11 ,12,13
和相应的
下水道和/或来源
R2
D1
V
SS
图1.详细CD4007UBMS示意图显示输入,输出和寄生二极管
7-670
查看更多CD4007UBMSPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CD4007UBMS
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
CD4007UBMS
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9303
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多CD4007UBMS供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!