1N3016B THRU 1N3045B AVAILABLE IN
JANHC
每MIL -PRF-一百十五分之一万九千五
1瓦适当的散热能力
所有路口全面保护与二氧化硅
兼容所有的引线键合和芯片粘接技术,
回流焊的例外
CD3016B
THRU
CD3045B
最大额定值
工作温度: -65 ° C到+ 175℃
存储温度: -65 °C至+ 175℃
正向电压@ 200毫安: 1.2伏最大
电气特性@ 25°C
CDI
TYPE
数
(注1 )
公称
齐纳
电压
VZ @ 1ZT
(注2 )
伏
CD3016B
CD3017B
CD3018B
CD3019B
CD3020B
CD3021B
CD3022B
CD3023B
CD3024B
CD3025B
CD3026B
CD3027B
CD3028B
CD3029B
CD3030B
CD3031B
CD3032B
CD3033B
CD3034B
CD3035B
CD3036B
CD3037B
CD3038B
CD3039B
CD3040B
CD3041B
CD3042B
CD3043B
CD3044B
CD3045B
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
mA
37
34
31
28
25
23
21
19
17
15.5
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
2.3
齐纳
TEST
当前
1ZT
最大齐纳阻抗
(注3)
ZZT @ 1ZT
欧
3.5
4.0
4.5
5
7
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
50
60
70
80
95
110
125
150
175
200
250
350
450
ZZT @ 1ZT
欧
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
mA
1.0
.5
.5
.5
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
mA
140
125
115
105
95
85
80
74
63
60
52
47
43
40
34
31
28
26
23
21
19
18
17
15
14
12
11
10
9.0
8.3
MAX 。 DC
齐纳
当前
1ZM
马克斯。反向
漏电流
LR @ VR
A
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
伏
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
背侧阴极
图1
设计数据
金属化:
上图: (阳极) ..........................铝
回: (阴极) ......... ..........金
AL厚度.......
....25,000
民
的金层厚度........ 4000
民
切屑厚度.............
..... 10密耳
电路布局数据:
对于齐纳操作,阴极
必须操作正
相对于阳极。
公差:
所有
外形尺寸+ 2密耳
注1
注2
注3
齐纳电压范围等于为“B”后缀标称电压+ 5 % 。 “A”后缀表示+ 10 % ,
无后缀表示+ 20 % , "C"后缀表示+ 2 % , "D"后缀表示+ 1 % 。
齐纳电压是用一个脉冲测量,最大10毫秒读取。
齐纳阻抗叠加上1ZT 60Hz的交流电有效值衍生电流等于
到1ZT 10%
COREY街22号, MELROSE ,马萨诸塞州02176
电话:(781 ) 665-1071
传真:(781 ) 665-7379
网站: http://www.cdi-diodes.com
电子信箱: mail@cdi-diodes.com