CCD47-20
高性能CCD传感器
特点
*
*
*
*
*
*
*
*
1024 1024 1 ：1的图像格式
图像区域13.3× 13.3毫米
帧传输操作
13
mm
方形像素
对称的防静电门保护
非常低噪声输出放大器
在输出寄存器转储门控漏
100 ％有效面积
应用
*
*
*
*
光谱
科学成像
星跟踪
医学影像
典型性能
最大读出频率
输出响应。 。 。
峰值信号。 。 。 。 。 。
的动态范围（在20千赫） 。
光谱范围。 。 。 。 。
读出噪声（20 kHz）的。
量子效率在700nm处。 。 。 。 。
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
. . .
5
兆赫
. . .
4.5
毫伏/ E
7
7
。 。 。 120克/像素
*60
000:1
400 – 1100
nm
7
. . .
2.0
ê有效值
. . . 45
%
介绍
此版本的CCD47-20的是前脸照亮，帧
具有高性能，低噪声输出转移CCD传感器
放大器，适合于在慢扫描成像系统一起使用。该
图像区域包含一个完整的1024 ×1024像素的13
mm
正方形。输出寄存器被分割，使得两者的任一个或
两个输出放大器一起使用，并且设置有
一个漏极和控制栅极电荷转储的目的。
与所有E2V技术的CCD传感器，在CCD47-
图20是可与光纤窗口或锥度，紫外线涂层
或磷光体涂层的X射线检测。的其他变种
CCD47-20包括国际海事组织，薄型背照式和全画幅的设备。
设计师建议咨询e2v的技术，他们应该
在不正常的环境中，或采用CCD传感器，可以考虑
如果需要定制包装。
一般资料
格式
图像区域。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.3× 13.3
mm
有源像素（ H）。 。 。 。 。 。 。 。
1024
(V)
. . . . . . . .
1024
像素大小。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
13 x 13
mm
存储区域。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.3× 13.3
mm
像素（高） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
1024
(V) . . . . . . . . . . .
1024
追加像素的同时在图像和存储提供
区域暗参考和过扫描的目的。
输出放大器的数量
. . . . . . . . . . 2
重量（约，无窗） 。 。 。 。 。
7.5
g
包
封装尺寸。 。
销的数目。
国米针间距
窗口材料
类型。 。 。 。
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
。 。 。 22.7 X 42.0毫米
. . . . . . .
32
. . . . .
2.54 mm
石英或可移动的玻璃
. .
陶瓷DIL阵列
E2V科技有限公司，普华巷，切姆斯福德，艾塞克斯CM1 2QU英国电话： +44 （ 0 ） 1245 493493传真： +44 （ 0 ） 1245 492492
电子邮件： enquiries@e2vtechnologies.com互联网： www.e2vtechnologies.com
控股公司： E2V控股有限公司
E2V科技公司4威彻斯特广场，邮政信箱1482 ，艾姆斯佛德， NY10523-1482 USA电话： （ 914 ） 592-6050传真： （ 914 ） 592-5148
电子邮件： enquiries@e2vtechnologies.us
#
E2V科技有限公司2003
A1A - CCD47-20第7期， 2003年4月
527/5896
性能
民
山顶电荷存储（见注1 ）
峰值输出电压（不分级）
在293度暗信号（见注2和3）
动态范围（见注4 ）
电荷转移效率（见注5 ） ：
并行
串行
输出放大器的响应（见注3 ）
在243 读出噪声（见注3和6） ：
0级和1
2级
最大读出频率（见注7 ）
响应非均匀性（标准。偏差）
暗信号非均匀性（标准偏差）
（见注3,8 ）
80k
–
–
–
–
–
3.0
–
–
–
–
–
典型
120k
540
10k
60 000
99.9999
99.9993
4.5
2.0
3.0
5.0
3
1000
最大
–
–
20k
–
–
–
6.0
4.0
6.0
–
10
2000
e
7
/像素
mV
7
E /像素/秒
%
%
毫伏/ E
7
RMS ê
7
/像素
RMS ê
7
/像素
兆赫
％的平均
e
7
/像素/秒
电气接口特性
电极电容（在中等级别的时钟测量）
民
S1 / S1间期
I1 / I1相间
I1 / SS和S1 / SS
R1 / R1相间
R1/(SS+DG+OD)
1R/SS
输出阻抗（在典型值操作条件）
–
–
–
–
–
–
–
典型
3.5
3.5
4.5
40
60
10
300
白点
最大
–
–
–
–
–
–
–
nF
nF
nF
pF
pF
pF
O
笔记
1.信号在哪一级的分辨率开始下降。
2.测量233和253 K和V之间
SS
9.0 V.黑暗
在任意温度T（开尔文）信号可以从估计：
Q
d
/Q
d0
= 122T
3
e
76400/T
其中Q
d0
是暗信号在T = 293 K（ 20
8C).
3.测试进行的所有传感器E2V技术。
4.动态范围读出噪声对全井的比例
测得243 K和20 kHz的读出速度的能力。
5. CCD特性测量使用费做
通过已知能量的X射线光子产生。
6.采用双斜率积分器技术测量（即
相关双采样）与20
ms
整合期。
7.读出速度超过5兆赫到15 pF负载能
来实现，但性能的参数定
不能得到保证。
8.测量233和253 之间，但不包括白色的缺陷。
白柱
黑塔
GRADE
列缺陷：
黑色或下滑
白
黑点
陷阱
4200
e
7
白点
5级
计数时，他们有一个一代
化率规定的最高25倍
暗信号生成率（衡量
间233和253 K）。振幅
白点会有所不同，在相同的
地暗电流，即：
Q
d
/Q
d0
= 122T
3
e
76400/T
其中包含至少21白列
缺陷。
其中包含至少21黑色A柱
缺陷。
0
0
0
15
1
20
1
2
0
25
2
30
2
6
0
100
5
50
BLEMISH规格
陷阱
像素充电的地方暂时持有。
陷阱计数，如果他们有能力
大于200 é
7
在243 K.
进行计数，如果他们有一个幅度
大于200 é
7
.
进行计数时，他们有一个信号
小于90 ％的局部平均的水平
在大约一半的信号电平满
很好。
该设备完全正常，与
低于2级的图像质量，并且
这可能无法满足所有其他性能
参数。
滑柱
黑点
之间的最小间隔
相邻的黑列。 。 。 。 。 。 。 。 。 50个像素
记
温度上的缺陷的影响是，陷阱会
观察到少在较高的温度，但更可能出现
低于233 K的白点，并会列振幅
快随温度降低。
CCD47-20 ，第2页
#
E2V技术
连接，典型电压和绝对最大额定值
脉冲幅度或
DC电平（V ） （见注9 ）
民
典型
最大
0
8
8
8
0
1
15
9
V
OD
12
12
12
9
3
17
–
见注11
27
0
8
8
8
8
8
8
8
8
0
27
29
9
12
10
10
10
10
10
10
12
9
29
见注11
–
15
–
0
8
8
8
0
0
17
0
9
12
12
12
0
9
19
–
10
15
15
15
5
10
31
10
15
15
15
15
15
15
15
15
10
31
15
15
15
10
5
19
10
最大额定值
相到V
SS
–
70.3
至+25 V
+20
V
+20
V
+20
V
–
+20
V
70.3
至+25 V
–
70.3
至+25 V
70.3
至+35 V
–
+20
V
+20
V
+20
V
+20
V
+20
V
+20
V
+20
V
+20
V
–
70.3
至+35 V
70.3
至+25 V
–
70.3
至+25 V
+20
V
–
+20
V
+20
V
+20
V
+20
V
–
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
REF
SS
ABD
I13
I12
I11
SS
OG
RDL
–
OSL
ODL
SS
1RL
R13L
R12L
R11L
R11R
R12R
R13R
1RR
SS
ODR
OSR
–
RDR
DG
SS
S11
S12
S13
ABG
SS
描述
基板
防晕染漏（见注10 ）
图像区域的时钟
图像区域的时钟
图像区域的时钟
基板
输出门
复位晶体管漏极（左放大器）
无连接
输出晶体管源极（左放大器）
输出晶体管的漏极（左放大器）
基板
输出复位脉冲（左放大器）
输出寄存器时钟（左一节）
输出寄存器时钟（左一节）
输出寄存器时钟（左一节）
输出寄存器时钟（右部分）
输出寄存器时钟（右部分）
输出寄存器时钟（右部分）
输出复位脉冲（右放大器）
基板
输出晶体管的漏极（右放大器）
输出晶体管源极（右放大器）
无连接
复位晶体管漏极（右放大器）
转储门（见注12 ）
基板
存储区域时钟
存储区域时钟
存储区域时钟
防晕染门
基板
对之间的最大电压
引脚10 （ OSL）的引脚11 （ ODL ） 。
引脚22 （ ODR）至引脚23 （ OSR ） 。
最大输出晶体管的电流
引脚：
. . . . .
+15
V
. . . . .
+15
V
. . . . .
10毫安
笔记
9.
10.
11.
12.
13.
读出寄存器时钟脉冲低水平+ 1V ;其它的时钟低水平0 + 0.5 V.
排水不成立，但偏见仍是必要的。
3 5 V OD以下。连接使用的是2 5毫安的电流源或适当的负载电阻（通常为5至10正）接地。
所示的非充电倾倒水平。对于负责倾倒操作模式， DG应脉冲至12
+
2 V.
所有设备都工作在给出的典型值。然而，在最小至最大范围内的一些调整可能是
以优化关键应用的性能要求。但是应当注意的是，为获得最佳性能的条件可
不同于设备到设备。
14.在R1的连接如图所示，该装置将通过仅在左侧的输出操作。为了从两个操作
输出R 11 （R） - 和R 12 （R）应该是相反的。
#
E2V技术
CCD47-20 ，第5页
CCD47-20
高性能CCD传感器
特点
*
*
*
*
*
*
*
*
1024 1024 1 ：1的图像格式
图像区域13.3× 13.3毫米
帧传输操作
13
mm
方形像素
对称的防静电门保护
非常低噪声输出放大器
在输出寄存器转储门控漏
100 ％有效面积
应用
*
*
*
*
光谱
科学成像
星跟踪
医学影像
典型性能
最大读出频率
输出响应。 。 。
峰值信号。 。 。 。 。 。
的动态范围（在20千赫） 。
光谱范围。 。 。 。 。
读出噪声（20 kHz）的。
量子效率在700nm处。 。 。 。 。
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
. . .
5
兆赫
. . .
4.5
毫伏/ E
7
7
。 。 。 120克/像素
*60
000:1
400 – 1100
nm
7
. . .
2.0
ê有效值
. . . 45
%
介绍
此版本的CCD47-20的是前脸照亮，帧
具有高性能，低噪声输出转移CCD传感器
放大器，适合于在慢扫描成像系统一起使用。该
图像区域包含一个完整的1024 ×1024像素的13
mm
正方形。输出寄存器被分割，使得两者的任一个或
两个输出放大器一起使用，并且设置有
一个漏极和控制栅极电荷转储的目的。
与所有E2V技术的CCD传感器，在CCD47-
图20是可与光纤窗口或锥度，紫外线涂层
或磷光体涂层的X射线检测。的其他变种
CCD47-20包括国际海事组织，薄型背照式和全画幅的设备。
设计师建议咨询e2v的技术，他们应该
在不正常的环境中，或采用CCD传感器，可以考虑
如果需要定制包装。
一般资料
格式
图像区域。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.3× 13.3
mm
有源像素（ H）。 。 。 。 。 。 。 。
1024
(V)
. . . . . . . .
1024
像素大小。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
13 x 13
mm
存储区域。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.3× 13.3
mm
像素（高） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
1024
(V) . . . . . . . . . . .
1024
追加像素的同时在图像和存储提供
区域暗参考和过扫描的目的。
输出放大器的数量
. . . . . . . . . . 2
重量（约，无窗） 。 。 。 。 。
7.5
g
包
封装尺寸。 。
销的数目。
国米针间距
窗口材料
类型。 。 。 。
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
。 。 。 22.7 X 42.0毫米
. . . . . . .
32
. . . . .
2.54 mm
石英或可移动的玻璃
. .
陶瓷DIL阵列
E2V科技有限公司，普华巷，切姆斯福德，艾塞克斯CM1 2QU英国电话： +44 （ 0 ） 1245 493493传真： +44 （ 0 ） 1245 492492
电子邮件： enquiries@e2vtechnologies.com互联网： www.e2vtechnologies.com
控股公司： E2V控股有限公司
E2V科技公司4威彻斯特广场，邮政信箱1482 ，艾姆斯佛德， NY10523-1482 USA电话： （ 914 ） 592-6050传真： （ 914 ） 592-5148
电子邮件： enquiries@e2vtechnologies.us
#
E2V科技有限公司2003
A1A - CCD47-20第7期， 2003年4月
527/5896
性能
民
山顶电荷存储（见注1 ）
峰值输出电压（不分级）
在293度暗信号（见注2和3）
动态范围（见注4 ）
电荷转移效率（见注5 ） ：
并行
串行
输出放大器的响应（见注3 ）
在243 读出噪声（见注3和6） ：
0级和1
2级
最大读出频率（见注7 ）
响应非均匀性（标准。偏差）
暗信号非均匀性（标准偏差）
（见注3,8 ）
80k
–
–
–
–
–
3.0
–
–
–
–
–
典型
120k
540
10k
60 000
99.9999
99.9993
4.5
2.0
3.0
5.0
3
1000
最大
–
–
20k
–
–
–
6.0
4.0
6.0
–
10
2000
e
7
/像素
mV
7
E /像素/秒
%
%
毫伏/ E
7
RMS ê
7
/像素
RMS ê
7
/像素
兆赫
％的平均
e
7
/像素/秒
电气接口特性
电极电容（在中等级别的时钟测量）
民
S1 / S1间期
I1 / I1相间
I1 / SS和S1 / SS
R1 / R1相间
R1/(SS+DG+OD)
1R/SS
输出阻抗（在典型值操作条件）
–
–
–
–
–
–
–
典型
3.5
3.5
4.5
40
60
10
300
白点
最大
–
–
–
–
–
–
–
nF
nF
nF
pF
pF
pF
O
笔记
1.信号在哪一级的分辨率开始下降。
2.测量233和253 K和V之间
SS
9.0 V.黑暗
在任意温度T（开尔文）信号可以从估计：
Q
d
/Q
d0
= 122T
3
e
76400/T
其中Q
d0
是暗信号在T = 293 K（ 20
8C).
3.测试进行的所有传感器E2V技术。
4.动态范围读出噪声对全井的比例
测得243 K和20 kHz的读出速度的能力。
5. CCD特性测量使用费做
通过已知能量的X射线光子产生。
6.采用双斜率积分器技术测量（即
相关双采样）与20
ms
整合期。
7.读出速度超过5兆赫到15 pF负载能
来实现，但性能的参数定
不能得到保证。
8.测量233和253 之间，但不包括白色的缺陷。
白柱
黑塔
GRADE
列缺陷：
黑色或下滑
白
黑点
陷阱
4200
e
7
白点
5级
计数时，他们有一个一代
化率规定的最高25倍
暗信号生成率（衡量
间233和253 K）。振幅
白点会有所不同，在相同的
地暗电流，即：
Q
d
/Q
d0
= 122T
3
e
76400/T
其中包含至少21白列
缺陷。
其中包含至少21黑色A柱
缺陷。
0
0
0
15
1
20
1
2
0
25
2
30
2
6
0
100
5
50
BLEMISH规格
陷阱
像素充电的地方暂时持有。
陷阱计数，如果他们有能力
大于200 é
7
在243 K.
进行计数，如果他们有一个幅度
大于200 é
7
.
进行计数时，他们有一个信号
小于90 ％的局部平均的水平
在大约一半的信号电平满
很好。
该设备完全正常，与
低于2级的图像质量，并且
这可能无法满足所有其他性能
参数。
滑柱
黑点
之间的最小间隔
相邻的黑列。 。 。 。 。 。 。 。 。 50个像素
记
温度上的缺陷的影响是，陷阱会
观察到少在较高的温度，但更可能出现
低于233 K的白点，并会列振幅
快随温度降低。
CCD47-20 ，第2页
#
E2V技术
连接，典型电压和绝对最大额定值
脉冲幅度或
DC电平（V ） （见注9 ）
民
典型
最大
0
8
8
8
0
1
15
9
V
OD
12
12
12
9
3
17
–
见注11
27
0
8
8
8
8
8
8
8
8
0
27
29
9
12
10
10
10
10
10
10
12
9
29
见注11
–
15
–
0
8
8
8
0
0
17
0
9
12
12
12
0
9
19
–
10
15
15
15
5
10
31
10
15
15
15
15
15
15
15
15
10
31
15
15
15
10
5
19
10
最大额定值
相到V
SS
–
70.3
至+25 V
+20
V
+20
V
+20
V
–
+20
V
70.3
至+25 V
–
70.3
至+25 V
70.3
至+35 V
–
+20
V
+20
V
+20
V
+20
V
+20
V
+20
V
+20
V
+20
V
–
70.3
至+35 V
70.3
至+25 V
–
70.3
至+25 V
+20
V
–
+20
V
+20
V
+20
V
+20
V
–
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
REF
SS
ABD
I13
I12
I11
SS
OG
RDL
–
OSL
ODL
SS
1RL
R13L
R12L
R11L
R11R
R12R
R13R
1RR
SS
ODR
OSR
–
RDR
DG
SS
S11
S12
S13
ABG
SS
描述
基板
防晕染漏（见注10 ）
图像区域的时钟
图像区域的时钟
图像区域的时钟
基板
输出门
复位晶体管漏极（左放大器）
无连接
输出晶体管源极（左放大器）
输出晶体管的漏极（左放大器）
基板
输出复位脉冲（左放大器）
输出寄存器时钟（左一节）
输出寄存器时钟（左一节）
输出寄存器时钟（左一节）
输出寄存器时钟（右部分）
输出寄存器时钟（右部分）
输出寄存器时钟（右部分）
输出复位脉冲（右放大器）
基板
输出晶体管的漏极（右放大器）
输出晶体管源极（右放大器）
无连接
复位晶体管漏极（右放大器）
转储门（见注12 ）
基板
存储区域时钟
存储区域时钟
存储区域时钟
防晕染门
基板
对之间的最大电压
引脚10 （ OSL）的引脚11 （ ODL ） 。
引脚22 （ ODR）至引脚23 （ OSR ） 。
最大输出晶体管的电流
引脚：
. . . . .
+15
V
. . . . .
+15
V
. . . . .
10毫安
笔记
9.
10.
11.
12.
13.
读出寄存器时钟脉冲低水平+ 1V ;其它的时钟低水平0 + 0.5 V.
排水不成立，但偏见仍是必要的。
3 5 V OD以下。连接使用的是2 5毫安的电流源或适当的负载电阻（通常为5至10正）接地。
所示的非充电倾倒水平。对于负责倾倒操作模式， DG应脉冲至12
+
2 V.
所有设备都工作在给出的典型值。然而，在最小至最大范围内的一些调整可能是
以优化关键应用的性能要求。但是应当注意的是，为获得最佳性能的条件可
不同于设备到设备。
14.在R1的连接如图所示，该装置将通过仅在左侧的输出操作。为了从两个操作
输出R 11 （R） - 和R 12 （R）应该是相反的。
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E2V技术
CCD47-20 ，第5页
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