SN74CB3T1G125-Q1
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SCDS319
–
2011年6月
单FET总线开关2.5 -V / 3.3 V低压开关
5 -V容限电平转换器
检查样品：
SN74CB3T1G125-Q1
1
特点
通过汽车应用认证
输出电压转换曲目V
CC
支持混合模式信号操作上的所有
数据I / O端口
–
5 - V输入低至3.3 V的输出电平转换
3.3 - V V
CC
–
5 -V / 3.3 - V输入低至2.5 V的输出电平
移2.5 V V
CC
5 V容限I / O的，随着设备加电或
断电
双向数据流接近零
传播延迟
低通态电阻（R
on
）特性
(r
on
= 5
典型值）
低输入/输出电容最小化
加载（C
io的（OFF）的
= 5 pF的典型值）
数据和控制输入提供冲
钳位二极管
低功耗
(I
CC
= 20
μA
MAX ）
V
CC
经营范围为2.3 V至3.6 V
数据I / O的支持，以0 5 V信号电平
(0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
支持数字应用：等级
翻译， USB接口，总线隔离
非常适合低功耗便携式设备
描述
该SN74CB3T1G125 -Q1与低导通电阻（R高速TTL兼容FET总线开关
on
),
允许最小的传播延迟。该设备完全支持混合模式信号的操作上的所有数据的I / O
通过提供电压转换跟踪V端口
CC
。该SN74CB3T1G125 -Q1支持使用5 - V系统
TTL， 3.3 V LVTTL和2.5 - V CMOS开关的标准，以及用户定义的切换电平（见
图1）。
该SN74CB3T1G125 - Q1为具有单个输出中，使能（OE ）输入的1位总线开关。当OE为低电平时，总线
开关为ON，并在A端口被连接到B端口，并允许端口之间的双向数据流。当OE
为高电平时，总线开关是OFF，并且A和B端口之间存在高阻抗状态。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
功能可确保有害
当它断电电流不会通过器件倒流。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权
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V
CC
5.5 V
V
CC
≈V
CC
1 V
IN
OUT
≈V
CC
≈V
CC
1 V
CB3T
0V
0V
输入电压
输出电压
注一：如果输入高电压（V
IH
）电平大于或等于V
CC
- 1伏，并且小于或等于5.5伏，则输出高电压
(V
OH
）级别将等于大约在V
CC
电压电平。
图1.典型的DC电压转换特性
订购信息
T
A
–40°C
至125℃
(1)
(2)
包
SOT （ SC- 70 ）
–
DCK
(1)
订购型号
CCB3T1G125QDCKRQ1
顶部端标记
(2)
72_
3000卷
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
功能表
输入
OE
L
H
输入/输出
A
B
Z
功能
一个端口= B口
断开
逻辑图（正逻辑）
2
A
OE
1
SW
4
B
2
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简化原理图，各FET开关（ SW）的
A
V
G(1)
控制
电路
B
EN
(2)
（ 1 ）栅极电压（V
G
）等于近似V
CC
+ V
T
当开关处于ON
和V
I
＆ GT ;
V
CC
+ V
T
.
（2 ）CN是施加到开关内部的使能信号。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
IN
V
I / O
I
IK
I
I / OK
I
IO
θ
JA
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
电源电压范围
控制输入电压范围
(2)
开关I / O电压范围
I / O端口钳位电流
ON状态的开关电流
(5)
连续电流通过V
CC
或GND
封装的热阻抗
存储温度范围
(6)
(3)
(2) (3) (4)
最大
7
7
7
–50
–50
±128
±100
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
° C / W
°C
–0.5
–0.5
–0.5
V
IN
＆ LT ;
0
V
I / O
＆ LT ;
0
控制输入钳位电流
DCK包装
–65
252
150
强调超越那些在列
"absolute
最大ratings"可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
"recommended
操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于地，除非另有规定。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
V
I
和V
O
被用于表示为V的具体条件
I / O
.
I
I
我
O
被用于表示对我的具体条件
I / O
.
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
V
IL
V
I / O
T
A
(1)
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0
0
0
–40
最大
3.6
5.5
5.5
0.7
0.8
5.5
125
单位
V
V
V
V
°C
该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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3
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电气特性
(1)
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
V
IK
V
OH
I
IN
I
I
I
OZ
I
关闭
I
CC
ΔI
CC
C
in
C
io的（OFF）的
C
io的（上）
(4)
(3)
测试条件
V
CC
= 3 V，I
I
=
–18
mA
SEE
科幻gure 3
和
图4
民
典型值
(2)
最大
–1.2
±10
单位
V
μA
μA
μA
μA
μA
μA
pF
pF
pF
控制输入V
CC
= 3.6 V, V
IN
= 3.6 V至5.5 V或GND
V
CC
= 3.6 V,
开机，
V
IN
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
–
0.7 V至5.5 V
V
I
= 0.7 V到V
CC
–
0.7 V
V
I
= 0到0.7伏
±20
–40
±5
±10
10
20
20
300
3
5
4
12
5
5
5
5
10
10
9
9
V
CC
= 3.6 V, V
O
= 0 5.5 V ，V
I
= 0 ，关闭，V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 0, V
O
= 0 5.5 V ，V
I
= 0
V
CC
= 3.6 V，I
I / O
= 0,
打开或关闭，V
IN
= V
CC
或GND
控制输入V
CC
= 3.3 V, V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 3.3 V, V
I / O
= 5.5 V ， 3.3 V或GND ，关闭，V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 3.3 V ，开关，
V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 2.3 V ，典型值在V
CC
= 2.5 V,
V
I
= 0
V
CC
= 3 V, V
I
= 0
V
I / O
= 5.5 V或3.3 V
V
I / O
= GND
I
O
= 24毫安
I
O
= 16毫安
I
O
= 24毫安
I
O
= 16毫安
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= 5.5 V
控制输入V
CC
= 3 V至3.6 V ，一个输入在V
CC
–
0.6 V，在V其他投入
CC
或GND
r
on
(5)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
V
IN
我
IN
见控制输入。 V
I
, V
O
, I
I
和我
O
参阅数据引脚。
所有典型值是在V
CC
= 3.3V （除非另有说明）中，T
A
= 25°C.
对于I / O端口，参数我
OZ
包括输入漏电流。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平，而不是V
CC
或GND 。
测量由A和B端子之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。导通电阻确定
由两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见
图2）
参数
t
en
t
DIS
从
（输入）
OE
OE
TO
（输出）
A或B
A或B
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
民
1
1
最大
10.5
8.5
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
民
1
1
最大
9.5
9
ns
ns
单位
4
版权
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参数测量信息
V
CC
输入法生成器
V
IN
50
W
V
G1
50
W
测试电路
DUT
输入法生成器
2× V
CC
V
I
50
W
V
G2
50
W
V
O
C
L
（见注一）
R
L
S1
开放
GND
R
L
TEST
t
概率pd （多个）
t
PLZ
/t
PZL
t
PHZ
/t
PZH
V
CC
2.5 V
±
0.2 V
3.3 V
±
0.3 V
2.5 V
±
0.2 V
3.3 V
±
0.3 V
2.5 V
±
0.2 V
3.3 V
±
0.3 V
S1
开放
开放
2× V
CC
2× V
CC
开放
开放
R
L
500
W
500
W
500
W
500
W
500
W
500
W
V
I
3.6 V或GND
5.5 V或GND
GND
GND
3.6 V
5.5 V
C
L
30 pF的
50 pF的
30 pF的
50 pF的
30 pF的
50 pF的
V
D
0.15 V
0.15 V
0.15 V
0.15 V
产量
控制
(V
IN
)
t
PZL
产量
控制
(V
IN
)
V
CC
V
CC
/2
V
CC
/2
0V
t
PLZ
V
CC
V
CC
/2
t
PZH
V
OL
+ V
D
t
PHZ
V
CC
/2
V
OH
– V
D
V
OH
0V
电压波形
启用和禁用时报
V
OL
V
CC
V
CC
/2
t
PLH
V
CC
/2
0V
t
PHL
V
OH
V
CC
/2
V
CC
/2
V
OL
电压波形
传播延迟时间（T
概率pd （多个）
)
产量
波形1
S1在2× V
CC
（见注B）
产量
产量
波形2
S1在打开
（见注B）
注意事项： A.
L
包括探头和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平时，除由输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高电平，除非输出控制禁止时。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
10兆赫，Z
O
= 50
W
, t
r
2.5
NS ，
t
t
2.5纳秒
.
D的输出被测量一次，每测量1过渡。
E.吨
PLZ
和T
PHZ
相同吨
DIS
.
F.吨
PZL
和T
PZH
相同吨
en
.
G·T
PLH
和T
PHL
相同吨
概率pd （多个）
。该TPD传播延迟是典型通态的计算RC时间常数
开关的电阻ND指定负载电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。
图2.测试电路和电压波形
版权
2011年，德州仪器
5
QQ：2880707522 复制
