CC1190
www.ti.com
SWRS089 A - 2009年11月 - 修订2010年2月
850 - 950 MHz的RF前端
检查样品：
CC1190
1
特点
无缝接口，以低于1 GHz的低功耗
德州仪器（TI）的射频器件
高达27 dBm的（ 0.5 W）输出功率
6分贝典型灵敏度与改进
CC11xx与CC430
很少的外部元件
- 集成PA
- 集成的LNA
- 内置开关
- 集成匹配网络
- 集成电感器
LNA的数字控制和PA增益HGM
针
50 -NA在掉电（ LNA_EN = PA_EN = 0 ）
高发射功率效率
- PAE = 50 ％，至26 dBm的输出功率
接受低电流消耗
- 3高增益模式毫安
- 26 μA的低增益模式
2.9分贝LNA噪声系数，包括交换机和
外部天线匹配
符合RoHS 4毫米× 4毫米QFN- 16
包
2 V至3.7 V操作
应用
850 - 950 MHz的ISM频段无线系统
无线传感器网络
无线工业系统
IEEE 802.15.4系统
无线消费系统
无线测光（ AMR / AMI ）系统
智能电网无线网络
描述
CC1190是一种高性价比和高性能的RF
针对低功耗和低电压无线前端
应用在850 - 950兆赫。
CC1190是一个范围扩展为低于1 GHz
低功率射频收发器，发射器及
系统级芯片器件德州仪器（TI） 。
CC1190集成功率放大器（PA），一
低噪声放大器（LNA） ，开关和RF匹配
对于高性能无线设计
系统。
CC1190通过提供一种增加了链路预算
功率放大器，用于增加输出功率，和一个
LNA低噪声系数，以提高接收器
敏感性。
CC1190提供了一种有效且易于使用的范围
扩展的紧凑型4毫米× 4毫米QFN- 16
封装。
CC1190框图
VDD_LNA
VDD_PA1 VDD_PA2
PA_OUT
PA
EN
前置放大器
EN
PA_IN
TR_SW
LNA
EN
LNA_OUT
LNA_IN
逻辑
PA_EN
LNA_EN
BIAS
BIAS
HGM
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2009-2010，德州仪器
CC1190
SWRS089 A - 2009年11月 - 修订2010年2月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
设备
CC1190RGVR
CC1190RGVT
(1)
温度
-40 ° C至85°C
包
(1)
QFN （ RVG ） 16
转运媒体
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 250
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
绝对最大额定值
在任何情况下必须绝对最大额定值受到侵犯。应力超过一限制值的一个或多个
可能对器件造成永久性损坏。
价值
电源电压，V
DD
任何数字引脚上的电压
输入RF电平
存储温度范围
人体模型，非RF引脚
ESD
人体模型， RF引脚： PA_IN ， PA_OUT ， TR_SW ，
LNA_IN ， LNA_OUT
带电器件模型
所有电源引脚都必须具有相同的电压
-0.3 3.8
-0.3 VDD + 0.3 ，最大3.8
10
-50-150
2000
1500
1000
单位
V
V
DBM
°C
V
V
V
推荐工作条件
民
环境温度范围
工作电源电压
工作频率范围
–40
2
850
最大
85
3.7
950
单位
°C
V
兆赫
电气特性
T
C
= 25°C ， VDD = 3 V，F
RF
= 915兆赫（除非另有说明） 。测量CC1190EM参考设计包括外部
匹配元件
为915 MHz的操作进行了优化。
参数
接收电流
测试条件
P
IN
= -40 dBm时， HGM = 1
P
IN
= -40 dBm时， HGM = 0
P
IN
= 5 dBm时， POUT = 26.5 dBm时， HGM = 1
传输电流
掉电电流
高输入电平（控制引脚）
低输入电平（控制引脚）
掉电
→
接收模式下，开关
时间
掉电
→
传输模式，切换
时间
没有输入信号， HGM = 1
没有输入信号， HGM = 0
LNA_EN = PA_EN = 0
HGM ， LNA_EN ， PA_EN
HGM ， LNA_EN ， PA_EN
300
600
1.3
民
典型值
3
26
302
56
29
50
200
VDD
0.3
nA
V
V
ns
ns
mA
最大
单位
mA
A
2
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ： CC1190
版权所有2009-2010，德州仪器
CC1190
www.ti.com
SWRS089 A - 2009年11月 - 修订2010年2月
电气特性（续）
T
C
= 25°C ， VDD = 3 V，F
RF
= 915兆赫（除非另有说明） 。测量CC1190EM参考设计包括外部
匹配元件
为915 MHz的操作进行了优化。
参数
RF接收
收益
增益变化过频
增益变化超过电源
P
IN
= -40 dBm时， HGM = 1
P
IN
= -40 dBm时， HGM = 0
850-950兆赫，P
IN
= -40 dBm时， HGM = 1
2 - 3.7 V，P
IN
= -40 dBm时， HGM = 1
HGM = 1 ，包括内部交换和外部
天线匹配
HGM = 0 ，包括内部交换和外部
天线匹配
HGM = 1
HGM = 0
HGM = 1
HGM = 1 ，在天线端口测量，取决于
外部天线和LNA匹配
P
IN
= -20 dBm时， HGM = 1
P
IN
= -20 dBm时， HGM = 0
P
IN
= 5 dBm时， HGM = 1 ， VDD = 3.7 V
P
IN
= 5 dBm时， HGM = 1
输出功率，噘
功率附加效率， PAE
输出1 dB压缩
输出功率变化过频
输出功率随温度变化
二次谐波功率
3次谐波功率
输入反射系数， S11的
P
IN
= 0 dBm时， HGM = 1
P
IN
= -6 dBm时， HGM = 1
P
IN
= 5 dBm时， HGM = 1
HGM = 1
HGM = 0
850 - 950兆赫， PIN = 5 dBm时， HGM = 1
-40°C - 85°C ， PIN = 5 dBm时， HGM = 1
HGM = 1， PIN = 5 dBm的
请参见应用笔记AN001 （ SWRA090 ）的
监管要求。
HGM = 1 ，在对SMA连接器，测量
PA_IN / LNA_OUT （ TX激活）
11.6
-6
1.2
1
2.9
6.2
-12.3
11.2
-5
-11.5
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
测试条件
民
典型值
最大
单位
噪声系数
输入1 dB压缩
输入IP3 ，高增益模式
输入反射系数， S11中，高
增益模式
RF发射
收益
最大输出功率
27.9
24.6
27.7
26.5
25.5
22
48%
24
23.7
1.7
4.5
1
2.5
-37
-10
dB
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
dB
在电源的输出功率变化2 V - 3.7 V， PIN = 5 dBm时， HGM = 1
版权所有2009-2010，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ： CC1190
3
CC1190
SWRS089 A - 2009年11月 - 修订2010年2月
www.ti.com
设备信息
QFN -16封装
顶视图
VDD_LNA
13
12
VDD_PA1
VDD_PA2
15
16
GND
PA_OUT
GND
TR_SW
BIAS
14
1
GND
PA_IN
LNA_OUT
GND
2
11
4×4 QFN- 16
3
4
5
6
7
8
10
9
LNA_EN
LNA_IN
HGM
记
裸露芯片附着垫
必须
被连接到接地面，因为这是
主接地连接的芯片。电感过孔垫应
最小化。
继CC1190EM参考设计建议。
变化将改变
的性能。另请参阅本数据表中的PCB焊盘图形信息。
引脚功能
针
号
-
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
名字
GND
GND
PA_OUT
GND
TR_SW
LAN_IN
HGM
LNA_EN
PA_EN
GND
LNA_OUT
PA_IN
GND
VDD_LNA
BIAS
VDD_PA2
VDD_PA1
I / O
地
地
RF
地
RF
RF
数字输入
数字输入
数字输入
地
RF
RF
地
动力
类似物
动力
动力
描述
暴露的管芯附着焊盘必须被连接到一个接地面。见CC1190EM
（ SWRR064 ）参考设计推荐布局。
次级的接地连接。应短到模片固定垫的顶部的PCB层上。
PA输出的。
次级的接地连接。应短到模片固定垫的顶部的PCB层上。
RXTX开关引脚。
输入LNA的。
数字控制引脚。
HGM = 1
→
设备在高增益模式。
HGM = 0
→
设备在低增益模式。
数字控制引脚。看
表2
和
表3
了解详细信息。
数字控制引脚。看
表2
和
表3
了解详细信息。
次级的接地连接。应短到模片固定垫的顶部的PCB层上。
输出LNA的。
输入功放。
次级的接地连接。应短到模片固定垫的顶部的PCB层上。
2 - 3.7 V电源电压。
偏置输入。该节点与地之间的电阻设置偏置电流。
2 - 3.7 V电源电压。
2 - 3.7 V电源电压。
4
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ： CC1190
PA_EN
版权所有2009-2010，德州仪器
CC1190
www.ti.com
SWRS089 A - 2009年11月 - 修订2010年2月
CC1190EM评估模块
VDD
VDD_PA1
L21
VDD
VDD_LNA
VDD_PA2
SMA
C111
SMA
L24
L23
C21
PA_IN
LNA_OUT
C101
PA_OUT
C28
C25
C24
L22
C22
CC1190
TR_SW
PA_EN
C51
PA_EN
LNA_EN
HGM
LNA_IN
BIAS
LNA_EN
HGM
R141
图1. CC1190EM评估模块
表1.材料清单优化915 MHz工作
（参见CC1190EM参考设计，
SWRR064)
设备
L21
L22
L23
L24
C21
C22
C24
C25
C28
C51
C101
C111
R141
功能
PA负载电感
RXTX开关和LNA匹配
天线匹配部分
天线匹配部分
DC座
RXTX开关和LNA匹配
天线匹配部分
天线匹配部分
天线匹配部分
的LNA匹配一部分
DC座
DC座
偏置电阻
价值
10 nH的，由村田LQW18AN10NG10
7.5 nH的，由村田LQW15AN7N5G00
2.2 nH的，由村田LQW15AN2N2C10D
3.9 nH的，由村田LQW15AN3N9C00
47 pF的，由村田GRM1555C1H470JZ01D
12 pF的，由村田GRM1555C1H120JZ01D
3.3 pF的： GRM1555C1H3R3CZ01D村田
8.2 pF的： GRM1555C1H8R2CZ01D村田
0.5 pF的，由村田GRM1555C1HR50CZ01D
12 pF的，由村田GRM1555C1H120JZ01D
47 PF： GRM1555C1H470JZ01D村田
47 PF： GRM1555C1H470JZ01D村田
3.3 kΩ的，由兴亚RK73H1ETTP3301F
版权所有2009-2010，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ： CC1190
5
CC1190
www.ti.com
SWRS089 A - 2009年11月 - 修订2010年2月
850 - 950 MHz的RF前端
检查样品：
CC1190
1
特点
无缝接口，以低于1 GHz的低功耗
德州仪器（TI）的射频器件
高达27 dBm的（ 0.5 W）输出功率
6分贝典型灵敏度与改进
CC11xx与CC430
很少的外部元件
- 集成PA
- 集成的LNA
- 内置开关
- 集成匹配网络
- 集成电感器
LNA的数字控制和PA增益HGM
针
50 -NA在掉电（ LNA_EN = PA_EN = 0 ）
高发射功率效率
- PAE = 50 ％，至26 dBm的输出功率
接受低电流消耗
- 3高增益模式毫安
- 26 μA的低增益模式
2.9分贝LNA噪声系数，包括交换机和
外部天线匹配
符合RoHS 4毫米× 4毫米QFN- 16
包
2 V至3.7 V操作
应用
850 - 950 MHz的ISM频段无线系统
无线传感器网络
无线工业系统
IEEE 802.15.4系统
无线消费系统
无线测光（ AMR / AMI ）系统
智能电网无线网络
描述
CC1190是一种高性价比和高性能的RF
针对低功耗和低电压无线前端
应用在850 - 950兆赫。
CC1190是一个范围扩展为低于1 GHz
低功率射频收发器，发射器及
系统级芯片器件德州仪器（TI） 。
CC1190集成功率放大器（PA），一
低噪声放大器（LNA） ，开关和RF匹配
对于高性能无线设计
系统。
CC1190通过提供一种增加了链路预算
功率放大器，用于增加输出功率，和一个
LNA低噪声系数，以提高接收器
敏感性。
CC1190提供了一种有效且易于使用的范围
扩展的紧凑型4毫米× 4毫米QFN- 16
封装。
CC1190框图
VDD_LNA
VDD_PA1 VDD_PA2
PA_OUT
PA
EN
前置放大器
EN
PA_IN
TR_SW
LNA
EN
LNA_OUT
LNA_IN
逻辑
PA_EN
LNA_EN
BIAS
BIAS
HGM
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2009-2010，德州仪器
CC1190
SWRS089 A - 2009年11月 - 修订2010年2月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
设备
CC1190RGVR
CC1190RGVT
(1)
温度
-40 ° C至85°C
包
(1)
QFN （ RVG ） 16
转运媒体
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 250
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
绝对最大额定值
在任何情况下必须绝对最大额定值受到侵犯。应力超过一限制值的一个或多个
可能对器件造成永久性损坏。
价值
电源电压，V
DD
任何数字引脚上的电压
输入RF电平
存储温度范围
人体模型，非RF引脚
ESD
人体模型， RF引脚： PA_IN ， PA_OUT ， TR_SW ，
LNA_IN ， LNA_OUT
带电器件模型
所有电源引脚都必须具有相同的电压
-0.3 3.8
-0.3 VDD + 0.3 ，最大3.8
10
-50-150
2000
1500
1000
单位
V
V
DBM
°C
V
V
V
推荐工作条件
民
环境温度范围
工作电源电压
工作频率范围
–40
2
850
最大
85
3.7
950
单位
°C
V
兆赫
电气特性
T
C
= 25°C ， VDD = 3 V，F
RF
= 915兆赫（除非另有说明） 。测量CC1190EM参考设计包括外部
匹配元件
为915 MHz的操作进行了优化。
参数
接收电流
测试条件
P
IN
= -40 dBm时， HGM = 1
P
IN
= -40 dBm时， HGM = 0
P
IN
= 5 dBm时， POUT = 26.5 dBm时， HGM = 1
传输电流
掉电电流
高输入电平（控制引脚）
低输入电平（控制引脚）
掉电
→
接收模式下，开关
时间
掉电
→
传输模式，切换
时间
没有输入信号， HGM = 1
没有输入信号， HGM = 0
LNA_EN = PA_EN = 0
HGM ， LNA_EN ， PA_EN
HGM ， LNA_EN ， PA_EN
300
600
1.3
民
典型值
3
26
302
56
29
50
200
VDD
0.3
nA
V
V
ns
ns
mA
最大
单位
mA
A
2
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ： CC1190
版权所有2009-2010，德州仪器
CC1190
www.ti.com
SWRS089 A - 2009年11月 - 修订2010年2月
电气特性（续）
T
C
= 25°C ， VDD = 3 V，F
RF
= 915兆赫（除非另有说明） 。测量CC1190EM参考设计包括外部
匹配元件
为915 MHz的操作进行了优化。
参数
RF接收
收益
增益变化过频
增益变化超过电源
P
IN
= -40 dBm时， HGM = 1
P
IN
= -40 dBm时， HGM = 0
850-950兆赫，P
IN
= -40 dBm时， HGM = 1
2 - 3.7 V，P
IN
= -40 dBm时， HGM = 1
HGM = 1 ，包括内部交换和外部
天线匹配
HGM = 0 ，包括内部交换和外部
天线匹配
HGM = 1
HGM = 0
HGM = 1
HGM = 1 ，在天线端口测量，取决于
外部天线和LNA匹配
P
IN
= -20 dBm时， HGM = 1
P
IN
= -20 dBm时， HGM = 0
P
IN
= 5 dBm时， HGM = 1 ， VDD = 3.7 V
P
IN
= 5 dBm时， HGM = 1
输出功率，噘
功率附加效率， PAE
输出1 dB压缩
输出功率变化过频
输出功率随温度变化
二次谐波功率
3次谐波功率
输入反射系数， S11的
P
IN
= 0 dBm时， HGM = 1
P
IN
= -6 dBm时， HGM = 1
P
IN
= 5 dBm时， HGM = 1
HGM = 1
HGM = 0
850 - 950兆赫， PIN = 5 dBm时， HGM = 1
-40°C - 85°C ， PIN = 5 dBm时， HGM = 1
HGM = 1， PIN = 5 dBm的
请参见应用笔记AN001 （ SWRA090 ）的
监管要求。
HGM = 1 ，在对SMA连接器，测量
PA_IN / LNA_OUT （ TX激活）
11.6
-6
1.2
1
2.9
6.2
-12.3
11.2
-5
-11.5
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
测试条件
民
典型值
最大
单位
噪声系数
输入1 dB压缩
输入IP3 ，高增益模式
输入反射系数， S11中，高
增益模式
RF发射
收益
最大输出功率
27.9
24.6
27.7
26.5
25.5
22
48%
24
23.7
1.7
4.5
1
2.5
-37
-10
dB
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
dB
在电源的输出功率变化2 V - 3.7 V， PIN = 5 dBm时， HGM = 1
版权所有2009-2010，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ： CC1190
3
CC1190
SWRS089 A - 2009年11月 - 修订2010年2月
www.ti.com
设备信息
QFN -16封装
顶视图
VDD_LNA
13
12
VDD_PA1
VDD_PA2
15
16
GND
PA_OUT
GND
TR_SW
BIAS
14
1
GND
PA_IN
LNA_OUT
GND
2
11
4×4 QFN- 16
3
4
5
6
7
8
10
9
LNA_EN
LNA_IN
HGM
记
裸露芯片附着垫
必须
被连接到接地面，因为这是
主接地连接的芯片。电感过孔垫应
最小化。
继CC1190EM参考设计建议。
变化将改变
的性能。另请参阅本数据表中的PCB焊盘图形信息。
引脚功能
针
号
-
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
名字
GND
GND
PA_OUT
GND
TR_SW
LAN_IN
HGM
LNA_EN
PA_EN
GND
LNA_OUT
PA_IN
GND
VDD_LNA
BIAS
VDD_PA2
VDD_PA1
I / O
地
地
RF
地
RF
RF
数字输入
数字输入
数字输入
地
RF
RF
地
动力
类似物
动力
动力
描述
暴露的管芯附着焊盘必须被连接到一个接地面。见CC1190EM
（ SWRR064 ）参考设计推荐布局。
次级的接地连接。应短到模片固定垫的顶部的PCB层上。
PA输出的。
次级的接地连接。应短到模片固定垫的顶部的PCB层上。
RXTX开关引脚。
输入LNA的。
数字控制引脚。
HGM = 1
→
设备在高增益模式。
HGM = 0
→
设备在低增益模式。
数字控制引脚。看
表2
和
表3
了解详细信息。
数字控制引脚。看
表2
和
表3
了解详细信息。
次级的接地连接。应短到模片固定垫的顶部的PCB层上。
输出LNA的。
输入功放。
次级的接地连接。应短到模片固定垫的顶部的PCB层上。
2 - 3.7 V电源电压。
偏置输入。该节点与地之间的电阻设置偏置电流。
2 - 3.7 V电源电压。
2 - 3.7 V电源电压。
4
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ： CC1190
PA_EN
版权所有2009-2010，德州仪器
CC1190
www.ti.com
SWRS089 A - 2009年11月 - 修订2010年2月
CC1190EM评估模块
VDD
VDD_PA1
L21
VDD
VDD_LNA
VDD_PA2
SMA
C111
SMA
L24
L23
C21
PA_IN
LNA_OUT
C101
PA_OUT
C28
C25
C24
L22
C22
CC1190
TR_SW
PA_EN
C51
PA_EN
LNA_EN
HGM
LNA_IN
BIAS
LNA_EN
HGM
R141
图1. CC1190EM评估模块
表1.材料清单优化915 MHz工作
（参见CC1190EM参考设计，
SWRR064)
设备
L21
L22
L23
L24
C21
C22
C24
C25
C28
C51
C101
C111
R141
功能
PA负载电感
RXTX开关和LNA匹配
天线匹配部分
天线匹配部分
DC座
RXTX开关和LNA匹配
天线匹配部分
天线匹配部分
天线匹配部分
的LNA匹配一部分
DC座
DC座
偏置电阻
价值
10 nH的，由村田LQW18AN10NG10
7.5 nH的，由村田LQW15AN7N5G00
2.2 nH的，由村田LQW15AN2N2C10D
3.9 nH的，由村田LQW15AN3N9C00
47 pF的，由村田GRM1555C1H470JZ01D
12 pF的，由村田GRM1555C1H120JZ01D
3.3 pF的： GRM1555C1H3R3CZ01D村田
8.2 pF的： GRM1555C1H8R2CZ01D村田
0.5 pF的，由村田GRM1555C1HR50CZ01D
12 pF的，由村田GRM1555C1H120JZ01D
47 PF： GRM1555C1H470JZ01D村田
47 PF： GRM1555C1H470JZ01D村田
3.3 kΩ的，由兴亚RK73H1ETTP3301F
版权所有2009-2010，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ： CC1190
5
CC1190
www.ti.com
SWRS089 A - 2009年11月 - 修订2010年2月
850 - 950 MHz的RF前端
检查样品：
CC1190
1
特点
无缝接口，以低于1 GHz的低功耗
德州仪器（TI）的射频器件
高达27 dBm的（ 0.5 W）输出功率
6分贝典型灵敏度与改进
CC11xx与CC430
很少的外部元件
- 集成PA
- 集成的LNA
- 内置开关
- 集成匹配网络
- 集成电感器
LNA的数字控制和PA增益HGM
针
50 -NA在掉电（ LNA_EN = PA_EN = 0 ）
高发射功率效率
- PAE = 50 ％，至26 dBm的输出功率
接受低电流消耗
- 3高增益模式毫安
- 26 μA的低增益模式
2.9分贝LNA噪声系数，包括交换机和
外部天线匹配
符合RoHS 4毫米× 4毫米QFN- 16
包
2 V至3.7 V操作
应用
850 - 950 MHz的ISM频段无线系统
无线传感器网络
无线工业系统
IEEE 802.15.4系统
无线消费系统
无线测光（ AMR / AMI ）系统
智能电网无线网络
描述
CC1190是一种高性价比和高性能的RF
针对低功耗和低电压无线前端
应用在850 - 950兆赫。
CC1190是一个范围扩展为低于1 GHz
低功率射频收发器，发射器及
系统级芯片器件德州仪器（TI） 。
CC1190集成功率放大器（PA），一
低噪声放大器（LNA） ，开关和RF匹配
对于高性能无线设计
系统。
CC1190通过提供一种增加了链路预算
功率放大器，用于增加输出功率，和一个
LNA低噪声系数，以提高接收器
敏感性。
CC1190提供了一种有效且易于使用的范围
扩展的紧凑型4毫米× 4毫米QFN- 16
封装。
CC1190框图
VDD_LNA
VDD_PA1 VDD_PA2
PA_OUT
PA
EN
前置放大器
EN
PA_IN
TR_SW
LNA
EN
LNA_OUT
LNA_IN
逻辑
PA_EN
LNA_EN
BIAS
BIAS
HGM
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2009-2010，德州仪器
CC1190
SWRS089 A - 2009年11月 - 修订2010年2月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
设备
CC1190RGVR
CC1190RGVT
(1)
温度
-40 ° C至85°C
包
(1)
QFN （ RVG ） 16
转运媒体
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 250
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
绝对最大额定值
在任何情况下必须绝对最大额定值受到侵犯。应力超过一限制值的一个或多个
可能对器件造成永久性损坏。
价值
电源电压，V
DD
任何数字引脚上的电压
输入RF电平
存储温度范围
人体模型，非RF引脚
ESD
人体模型， RF引脚： PA_IN ， PA_OUT ， TR_SW ，
LNA_IN ， LNA_OUT
带电器件模型
所有电源引脚都必须具有相同的电压
-0.3 3.8
-0.3 VDD + 0.3 ，最大3.8
10
-50-150
2000
1500
1000
单位
V
V
DBM
°C
V
V
V
推荐工作条件
民
环境温度范围
工作电源电压
工作频率范围
–40
2
850
最大
85
3.7
950
单位
°C
V
兆赫
电气特性
T
C
= 25°C ， VDD = 3 V，F
RF
= 915兆赫（除非另有说明） 。测量CC1190EM参考设计包括外部
匹配元件
为915 MHz的操作进行了优化。
参数
接收电流
测试条件
P
IN
= -40 dBm时， HGM = 1
P
IN
= -40 dBm时， HGM = 0
P
IN
= 5 dBm时， POUT = 26.5 dBm时， HGM = 1
传输电流
掉电电流
高输入电平（控制引脚）
低输入电平（控制引脚）
掉电
→
接收模式下，开关
时间
掉电
→
传输模式，切换
时间
没有输入信号， HGM = 1
没有输入信号， HGM = 0
LNA_EN = PA_EN = 0
HGM ， LNA_EN ， PA_EN
HGM ， LNA_EN ， PA_EN
300
600
1.3
民
典型值
3
26
302
56
29
50
200
VDD
0.3
nA
V
V
ns
ns
mA
最大
单位
mA
A
2
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ： CC1190
版权所有2009-2010，德州仪器
CC1190
www.ti.com
SWRS089 A - 2009年11月 - 修订2010年2月
电气特性（续）
T
C
= 25°C ， VDD = 3 V，F
RF
= 915兆赫（除非另有说明） 。测量CC1190EM参考设计包括外部
匹配元件
为915 MHz的操作进行了优化。
参数
RF接收
收益
增益变化过频
增益变化超过电源
P
IN
= -40 dBm时， HGM = 1
P
IN
= -40 dBm时， HGM = 0
850-950兆赫，P
IN
= -40 dBm时， HGM = 1
2 - 3.7 V，P
IN
= -40 dBm时， HGM = 1
HGM = 1 ，包括内部交换和外部
天线匹配
HGM = 0 ，包括内部交换和外部
天线匹配
HGM = 1
HGM = 0
HGM = 1
HGM = 1 ，在天线端口测量，取决于
外部天线和LNA匹配
P
IN
= -20 dBm时， HGM = 1
P
IN
= -20 dBm时， HGM = 0
P
IN
= 5 dBm时， HGM = 1 ， VDD = 3.7 V
P
IN
= 5 dBm时， HGM = 1
输出功率，噘
功率附加效率， PAE
输出1 dB压缩
输出功率变化过频
输出功率随温度变化
二次谐波功率
3次谐波功率
输入反射系数， S11的
P
IN
= 0 dBm时， HGM = 1
P
IN
= -6 dBm时， HGM = 1
P
IN
= 5 dBm时， HGM = 1
HGM = 1
HGM = 0
850 - 950兆赫， PIN = 5 dBm时， HGM = 1
-40°C - 85°C ， PIN = 5 dBm时， HGM = 1
HGM = 1， PIN = 5 dBm的
请参见应用笔记AN001 （ SWRA090 ）的
监管要求。
HGM = 1 ，在对SMA连接器，测量
PA_IN / LNA_OUT （ TX激活）
11.6
-6
1.2
1
2.9
6.2
-12.3
11.2
-5
-11.5
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
测试条件
民
典型值
最大
单位
噪声系数
输入1 dB压缩
输入IP3 ，高增益模式
输入反射系数， S11中，高
增益模式
RF发射
收益
最大输出功率
27.9
24.6
27.7
26.5
25.5
22
48%
24
23.7
1.7
4.5
1
2.5
-37
-10
dB
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
dB
在电源的输出功率变化2 V - 3.7 V， PIN = 5 dBm时， HGM = 1
版权所有2009-2010，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ： CC1190
3
CC1190
SWRS089 A - 2009年11月 - 修订2010年2月
www.ti.com
设备信息
QFN -16封装
顶视图
VDD_LNA
13
12
VDD_PA1
VDD_PA2
15
16
GND
PA_OUT
GND
TR_SW
BIAS
14
1
GND
PA_IN
LNA_OUT
GND
2
11
4×4 QFN- 16
3
4
5
6
7
8
10
9
LNA_EN
LNA_IN
HGM
记
裸露芯片附着垫
必须
被连接到接地面，因为这是
主接地连接的芯片。电感过孔垫应
最小化。
继CC1190EM参考设计建议。
变化将改变
的性能。另请参阅本数据表中的PCB焊盘图形信息。
引脚功能
针
号
-
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
名字
GND
GND
PA_OUT
GND
TR_SW
LAN_IN
HGM
LNA_EN
PA_EN
GND
LNA_OUT
PA_IN
GND
VDD_LNA
BIAS
VDD_PA2
VDD_PA1
I / O
地
地
RF
地
RF
RF
数字输入
数字输入
数字输入
地
RF
RF
地
动力
类似物
动力
动力
描述
暴露的管芯附着焊盘必须被连接到一个接地面。见CC1190EM
（ SWRR064 ）参考设计推荐布局。
次级的接地连接。应短到模片固定垫的顶部的PCB层上。
PA输出的。
次级的接地连接。应短到模片固定垫的顶部的PCB层上。
RXTX开关引脚。
输入LNA的。
数字控制引脚。
HGM = 1
→
设备在高增益模式。
HGM = 0
→
设备在低增益模式。
数字控制引脚。看
表2
和
表3
了解详细信息。
数字控制引脚。看
表2
和
表3
了解详细信息。
次级的接地连接。应短到模片固定垫的顶部的PCB层上。
输出LNA的。
输入功放。
次级的接地连接。应短到模片固定垫的顶部的PCB层上。
2 - 3.7 V电源电压。
偏置输入。该节点与地之间的电阻设置偏置电流。
2 - 3.7 V电源电压。
2 - 3.7 V电源电压。
4
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ： CC1190
PA_EN
版权所有2009-2010，德州仪器
CC1190
www.ti.com
SWRS089 A - 2009年11月 - 修订2010年2月
CC1190EM评估模块
VDD
VDD_PA1
L21
VDD
VDD_LNA
VDD_PA2
SMA
C111
SMA
L24
L23
C21
PA_IN
LNA_OUT
C101
PA_OUT
C28
C25
C24
L22
C22
CC1190
TR_SW
PA_EN
C51
PA_EN
LNA_EN
HGM
LNA_IN
BIAS
LNA_EN
HGM
R141
图1. CC1190EM评估模块
表1.材料清单优化915 MHz工作
（参见CC1190EM参考设计，
SWRR064)
设备
L21
L22
L23
L24
C21
C22
C24
C25
C28
C51
C101
C111
R141
功能
PA负载电感
RXTX开关和LNA匹配
天线匹配部分
天线匹配部分
DC座
RXTX开关和LNA匹配
天线匹配部分
天线匹配部分
天线匹配部分
的LNA匹配一部分
DC座
DC座
偏置电阻
价值
10 nH的，由村田LQW18AN10NG10
7.5 nH的，由村田LQW15AN7N5G00
2.2 nH的，由村田LQW15AN2N2C10D
3.9 nH的，由村田LQW15AN3N9C00
47 pF的，由村田GRM1555C1H470JZ01D
12 pF的，由村田GRM1555C1H120JZ01D
3.3 pF的： GRM1555C1H3R3CZ01D村田
8.2 pF的： GRM1555C1H8R2CZ01D村田
0.5 pF的，由村田GRM1555C1HR50CZ01D
12 pF的，由村田GRM1555C1H120JZ01D
47 PF： GRM1555C1H470JZ01D村田
47 PF： GRM1555C1H470JZ01D村田
3.3 kΩ的，由兴亚RK73H1ETTP3301F
版权所有2009-2010，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ： CC1190
5
QQ：2880707522 复制
