CC1175

高性能射频发射窄带系统

应用

单向窄带超低功耗无线

与信道间隔降低到6.25 kHz的系统

四百三十三分之一百七十零/九百十五分之八百六十八/ 950MHz的ISM / SRD频段

系统

无线计量和无线智能电网

（ AMR和AMI ）

IEEE 802.15.4g系统

家庭和楼宇自动化

无线报警和安全系统

工业监控和控制

无线医疗应用

无线传感器网络和有源RFID

主要特点

高性能单芯片发射器

o

极低的相位噪声： -111 dBc的/赫兹10

kHz偏置

高频谱效率（ 9.6 kbps的12.5千赫

符合FCC narrowbanding通道

任务）

可编程输出功率高达+16 dBm的带

0.4分贝步长

电源

o

宽电源电压范围（ 2.0 V - 3.6 V ）

o

低电流消耗：

- TX 45毫安+14 dBm的

o

掉电： 0.3

A

自动输出功率斜坡

可配置的数据传输速率： 0 200 kbps的

支持的调制格式： 2-FSK ，2- GFSK ，

4 -FSK ，4- GFSK ，MSK， OOK

符合RoHS标准的5x5mm QFN 32封装

法规

欧洲

US

日本

ETSI EN 300 220

ETSI EN 54-25

FCC CFR47第15部分

FCC CFR47第90 ， 24和101

ARIB RCR STD- T30

ARIB STD- T67

ARIB STD- T96

外设和支持功能

128字节TX FIFO

TCXO的支持和控制，同时在电源模式

增加可选的编码增益功能

范围和鲁棒性

支持的无缝集成

CC1190

为

上升至+ 27dBm的输出放弃

动力

描述

该

CC1175

是一个完全集成的单芯片

发射机在非常适用于高性能

低功率和低成本的电压操作

有效的无线系统。所有过滤器都集成了，

不再需要昂贵的外部SAW与IF

过滤器。该设备主要设计为ISM

（工业，科学和医学）和SRD （短

距离设备）频带在164-192兆赫，

410-480 MHz和820-960 MHz的。

该

CC1175

提供广泛的硬件支持

数据包处理，数据缓冲和突发

传输。

该

CC1175

主

操作

参数可以通过SPI接口进行控制。

在一个典型的系统中，所述

CC1175

将被一起使用

与微控制器，只有少数几个外部无源

组件。

PRODUCTION数据信息为出版日期。产品符合

每德州仪器标准保修条款的规范。生产加工不

不一定包括所有参数进行测试。

SWRS116 - 修订2011年11月

分页： 15 1

CC1175

目录

1

电气特性....................................................................................................3

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.6

1.7

1.8

1.9

1.10

1.11

1.12

1.13

1.14

2

3

4

A

BSOLUTE

M

AX

R

ATINGS

................................................................................................................3

G

ENERAL

C

极特

............................................................................................................3

RF

极特

......................................................................................................................3

R

EGULATORY

S

标准协商

...............................................................................................................4

C

光凭目前

C

ONSUMPTION

, S

TATIC

M

副执行秘书办公室

........................................................................................5

C

光凭目前

C

ONSUMPTION

, T

RANSMIT

M

副执行秘书办公室

...................................................................................5

T

RANSMIT

P

ARAMETERS

...................................................................................................................6

PLL P

ARAMETERS

............................................................................................................................7

W

AKE

-

和

T

即时通信

.....................................................................................................................8

32 MH

Z

C

RYSTAL

O

SCILLATOR

........................................................................................................8

32 MH

Z

C

LOCK

I

NPUT

(TCXO)........................................................................................................8

32

K

H

Z

C

LOCK

I

NPUT

.......................................................................................................................8

32

K

H

Z

RC

SCILLATOR

..................................................................................................................9

I / O

和

R

ESET

..................................................................................................................................9

典型性能曲线............................................... ............................................. 10

引脚配置.....................................................................................................................12

框图............................................................................................................................13

4.1

4.2

4.3

4.4

F

Characteristic低频

S

YNTHESIZER

.............................................................................................................13

T

变送器

.................................................................................................................................13

R

ADIO

C

ONTROL和

U

SER

I

覆盖整个院落

.........................................................................................13

L

OW

P

OWER

/ H

室内运动场

P

ERFORMANCE

M

ODE

.....................................................................................14

5

典型应用CIRCUIT...............................................................................................15

PRODUCTION数据信息为出版日期。产品符合

每德州仪器标准保修条款的规范。生产加工不

不一定包括所有参数进行测试。

SWRS116 - 修订2011年11月

分页： 15 2

CC1175

1

电气规格

所有的测量上CC1120EM_868_915 rev.1.0.1 ， CC1120EM_955 rev.1.2.1 ， CC1120EM_420_970进行

rev.1.0.1或CC1120EM_169 rev.1.2

1.1

绝对最大额定值

民

-0.3

-40

典型值

最大

3.9

125

260

2000

500

-0.3

-0.3

3.9

2.0

单位

V

°

C

°

C

V

V

V

V

根据IPC / JEDEC J- STD- 020

HBM

清洁发展机制

条件

参数

电源电压

存储温度范围

焊锡溢流温度

ESD

ESD

任何数字引脚上的电压

在模拟引脚（包括“ DCPL ”电压

销）

1.2

一般特性

民

2.0

-40

典型值

最大

3.6

85

单位

V

°

C

条件

参数

工作电压范围

温度范围

1.3

射频特性

民

820

典型值

最大

960

480

192

30

单位

兆赫

兆赫

兆赫

Hz

Hz

Hz

200

100

1e-4

Kbps的

Kbps的

BPS

在820-960 MHz频段

在410-480 MHz频段

在164-192 MHz频段

包模式

透明模式

条件

参数

频段

410

164

频率分辨率

15

6

0

数据速率

0

数据速率步长

PRODUCTION数据信息为出版日期。产品符合

每德州仪器标准保修条款的规范。生产加工不

不一定包括所有参数进行测试。

SWRS116 - 修订2011年11月

第15 3

CC1175

1.4

监管标准

频带

适用于符合

ARIB T- 96

FCC PART 101

FCC第24部分SUBMASK

FCC PART 15.247

820 - 960兆赫

FCC PART 15.249

ETSI EN 300 220

ETSI EN 54-25

FCC PART 90 MASK摹

高性能

模式

FCC PART 90 MASK

ETSI EN 300 220

ARIB T- 67

410 - 480兆赫

ARIB RCR STD- 30

FCC PART 90 MASK

FCC PART 90 MASK摹

ETSI EN 300 220

164 - 192兆赫

FCC PART 90 MASK

FCC PART 15.247

820 - 960兆赫

低功耗模式

410 - 480兆赫

164 - 192兆赫

FCC PART 15.249

ETSI EN 300 220

ETSI EN 300 220

ETSI EN 300 220

性能也适合系统

针对允许的最大输出

功率在各波长带，使用

范围扩展

性能也适合系统

针对允许的最大输出

功率在各波长带，使用

范围扩展

性能也适合系统

针对允许的最大输出

功率在各波长带，使用

范围扩展器，如

CC1190

评论

性能模式

PRODUCTION数据信息为出版日期。产品符合

每德州仪器标准保修条款的规范。生产加工不

不一定包括所有参数进行测试。

SWRS116 - 修订2011年11月

第15 4

CC1175

1.5

电流消耗，静态模式

民

典型值

0.3

掉电后保持

0.5

XOFF模式

空闲模式

170

1.3

A

A

mA

低功耗RC振荡器运行

晶体振荡器/ TCXO禁用

时钟的运行，系统等待

没有电台活动

最大

1

单位

A

条件

T

A

= 25 ° VDD = 3.0V，如果没有其他说明

C,

参数

1.6

电流消耗，发送模式

950 MHz频段（高性能模式）

T

A

= 25 ° VDD = 3.0V，如果没有其他说明

C,

参数

TX电流消耗+10 dBm的

TX电流消耗为0 dBm

民

典型值

37

26

最大

单位

mA

mA

条件

868/915 MHz频段（高性能模式）

T

A

= 25 ° VDD = 3.0V，如果没有其他说明

C,

参数

TX电流消耗+14 dBm的

TX电流消耗+10 dBm的

民

典型值

45

34

最大

单位

mA

mA

条件

434 MHz频段（高性能模式）

T

A

= 25 ° VDD = 3.0V，如果没有其他说明

C,

参数

TX电流消耗+15 dBm的

TX电流消耗+14 dBm的

TX电流消耗+10 dBm的

民

典型值

50

45

34

最大

单位

mA

mA

mA

条件

170 MHz频段（高性能模式）

T

A

= 25 ° VDD = 3.0V，如果没有其他说明

C,

参数

TX电流消耗+15 dBm的

TX电流消耗+14 dBm的

TX电流消耗+10 dBm的

民

典型值

54

49

41

最大

单位

mA

mA

mA

条件

低功耗模式

T

A

= 25 ° VDD = 3.0 V，F

c

= 869.5兆赫，如果没有别的声明

C,

参数

TX电流消耗+10 dBm的

民

典型值

32

最大

单位

mA

条件

PRODUCTION数据信息为出版日期。产品符合

每德州仪器标准保修条款的规范。生产加工不

不一定包括所有参数进行测试。

SWRS116 - 修订2011年11月

第15个5

CC1175

高性能射频发射窄带系统

应用

单向窄带超低功耗无线

与信道间隔降低到6.25 kHz的系统

三百十五分之一百七十零/ 868分之433 /九百二分之九百十五/ 950MHz的

ISM / SRD频带系统

无线计量和无线智能电网

（ AMR和AMI ）

IEEE 802.15.4g系统

家庭和楼宇自动化

无线报警和安全系统

工业监控和控制

无线医疗应用

无线传感器网络和有源RFID

主要特点

高性能单芯片发射器

o

极低的相位噪声： -111 dBc的/赫兹10

kHz偏置

高频谱效率（ 9.6 kbps的12.5千赫

符合FCC narrowbanding通道

任务）

可编程输出功率高达+16 dBm的带

0.4分贝步长

电源

o

宽电源电压范围（ 2.0 V - 3.6 V ）

o

低电流消耗：

-

TX ： 45毫安在+14 dBm的

o

断电： 0.3 μA

自动输出功率斜坡

可配置的数据传输速率： 0 200 kbps的

支持的调制格式： 2-FSK ，2- GFSK ，

4 -FSK ，4- GFSK ，MSK， OOK

符合RoHS标准的5x5mm QFN 32封装

法规

适合于符合系统：

欧洲

US

日本

ETSI EN 300 220

ETSI EN 54-25

FCC CFR47第15部分

FCC CFR47第90 ， 24和101

ARIB RCR STD- T30

ARIB STD- T67

ARIB STD- T108

外设和支持功能

128字节TX FIFO

TCXO的支持和控制，同时在电源模式

增加可选的编码增益功能

范围和鲁棒性

支持用于与无缝集成

CC1190

增加至+ 27dBm的输出放弃

动力

温度传感器

描述

该

CC1175

是一个完全集成的单芯片

发射机在非常适用于高性能

低功率和低成本的电压操作

有效的无线系统。所有过滤器都集成了，

不再需要昂贵的外部SAW与IF

过滤器。该设备主要设计为ISM

（工业，科学和医学）和SRD （短

距离设备）频带在164-192兆赫，

274-320兆赫， 410-480 MHz和820-960 MHz的。

该

CC1175

提供广泛的硬件支持

数据包处理，数据缓冲和突发

传输。

该

CC1175

主

操作

参数可以通过SPI接口进行控制。

在一个典型的系统中，所述

CC1175

将被一起使用

与微控制器，只有少数几个外部无源

组件。

25

AVDD_PFD_CHP

24

23

22

32

EXT_XOSC

30

XOSC_Q1

VDD_GUARD

RESET_N

GPIO3

GPIO2

DVDD

DCPL

SI

SCLK

1

2

3

4

5

6

7

8

GND

地垫

31

29

28

AVDD_XOSC

26

DCPL_PFD_CHP

27

AVDD_SYNTH2

DCPL_XOSC

XOSC_Q2

LPF1

LPF0

AVDD_SYNTH1

DCPL_VCO

GND

CC1175

21

20

19

GND

18

17

北卡罗来纳州

PA

15

16

14

10

GPIO0

13

11

12

PRODUCTION数据信息为出版日期。产品符合

每德州仪器标准保修条款的规范。生产加工不

不一定包括所有参数进行测试。

9

SO （ GPIO1 ）

DVDD

AVDD_IF

RBIAS

北卡罗来纳州

CSN

AVDD_RF

SWRS116C - 修订2013年3月

第16页1

CC1175

目录

1

电气规范................................................ .................................................. 3 ..

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.6

1.7

1.8

1.9

1.10

1.11

1.12

1.13

1.14

1.15

2

3

4

A

BSOLUTE

M

AX

R

ATINGS

................................................................................................................ 3

G

ENERAL

C

极特

............................................................................................................ 3

RF

极特

...................................................................................................................... 3

R

EGULATORY

S

标准协商

............................................................................................................... 4

C

光凭目前

C

ONSUMPTION

, S

TATIC

M

副执行秘书办公室

........................................................................................ 5

C

光凭目前

C

ONSUMPTION

, T

RANSMIT

M

副执行秘书办公室

................................................................................... 5

T

RANSMIT

P

ARAMETERS

................................................................................................................... 6

PLL P

ARAMETERS

............................................................................................................................ 7

W

AKE

-

和

T

即时通信

..................................................................................................................... 8

H

室内运动场

S

撒尿

C

RYSTAL

O

SCILLATOR

................................................................................................. 8

H

室内运动场

S

撒尿

C

LOCK

I

NPUT

（ TCXO ） .............................. .................................................. 8

32

K

H

Z

C

LOCK

I

NPUT

....................................................................................................................... 8

L

OW

S

撒尿

RC

SCILLATOR

............................................................................................................ 9

I / O

和

R

ESET

.................................................................................................................................. 9

T

emperature

S

ENSOR

..................................................................................................................... 9

典型性能曲线............................................... ............................................. 10

引脚配置..................................................................................................................... 12

框图............................................................................................................................ 13

4.1

4.2

4.3

4.4

F

Characteristic低频

S

YNTHESIZER

............................................................................................................. 13

T

变送器

................................................................................................................................. 13

R

ADIO

C

ONTROL和

U

SER

I

覆盖整个院落

......................................................................................... 13

L

OW

P

OWER

/ H

室内运动场

P

ERFORMANCE

M

ODE

..................................................................................... 14

5

6

典型应用电路图............................................... ................................................ 15

历史............................................................................................................................................. 16

PRODUCTION数据信息为出版日期。产品符合

每德州仪器标准保修条款的规范。生产加工不

不一定包括所有参数进行测试。

SWRS116C - 修订2013年3月

第16页2

CC1175

1

电气规格

所有的测量上CC1120EM_868_915 rev.1.0.1 ， CC1120EM_955 rev.1.2.1 ， CC1120EM_420_470进行

rev.1.0.1或CC1120EM_169 rev.1.2

1.1

绝对最大额定值

民

-0.3

-40

典型值

最大

3.9

125

2000

500

VDD+0.3

-0.3

最大3.9

单位

V

°C

V

V

V

HBM

清洁发展机制

条件

参数

电源电压（ "VDD" ）

存储温度范围

ESD

ESD

任何数字引脚上的电压

在模拟引脚的电压（包括

“ DCPL ”销）

-0.3

2.0

V

1.2

一般特性

民

2.0

-40

典型值

最大

3.6

85

单位

V

°C

条件

参数

工作电压范围

温度范围

1.3

射频特性

民

820

410

典型值

最大

960

480

320

192

30

单位

兆赫

兆赫

兆赫

兆赫

Hz

Hz

Hz

200

100

1e-4

Kbps的

Kbps的

BPS

在820-960 MHz频段

在410-480 MHz频段

在164-192 MHz频段

包模式

透明模式

请参见应用笔记AN115

“使用

该CC112x / CC1175 274

320兆赫“

欲了解更多信息

条件

参数

频段

274

164

频率分辨率

15

6

0

数据速率

0

数据速率步长

PRODUCTION数据信息为出版日期。产品符合

每德州仪器标准保修条款的规范。生产加工不

不一定包括所有参数进行测试。

SWRS116C - 修订2013年3月

第16页3

CC1175

1.4

监管标准

频带

适用于符合

ARIB T- 108

ARIB T- 96

ETSI EN 300 220

ETSI EN 54-25

820 - 960兆赫

FCC PART 101

FCC第24部分SUBMASK

FCC PART 15.247

FCC PART 15.249

高性能

模式

FCC PART 90 MASK摹

FCC PART 90 MASK

ARIB T- 67

ARIB RCR STD- 30

410 - 480兆赫

ETSI EN 300 220

FCC PART 90 MASK

FCC PART 90 MASK摹

ETSI EN 300 220

FCC PART 90 MASK

ETSI EN 300 220

820 - 960兆赫

低功耗模式

410 - 480兆赫

164 - 192兆赫

FCC PART 15.247

FCC PART 15.249

ETSI EN 300 220

ETSI EN 300 220

性能也适合系统

针对允许的最大输出

功率在各波长带，使用

范围扩展

性能也适合系统

针对允许的最大输出

功率在各波长带，使用

范围扩展

性能也适合系统

针对允许的最大输出

功率在各波长带，使用

范围扩展器，如

CC1190

评论

性能模式

164 - 192兆赫

PRODUCTION数据信息为出版日期。产品符合

每德州仪器标准保修条款的规范。生产加工不

不一定包括所有参数进行测试。

SWRS116C - 修订2013年3月

第16页4

CC1175

1.5

电流消耗，静态模式

民

典型值

0.3

掉电后保持

0.5

XOFF模式

空闲模式

170

1.3

A

A

mA

低功耗RC振荡器运行

晶体振荡器/ TCXO禁用

时钟的运行，系统等待

没有电台活动

最大

1

单位

A

条件

T

A

= 25°C ， VDD = 3.0V，如果没有其他说明

参数

1.6

电流消耗，发送模式

950 MHz频段（高性能模式）

T

A

= 25°C ， VDD = 3.0V，如果没有其他说明

参数

TX电流消耗+10 dBm的

TX电流消耗为0 dBm

民

典型值

37

26

最大

单位

mA

mA

条件

868/915/920 MHz频段（高性能模式）

T

A

= 25°C ， VDD = 3.0V，如果没有其他说明

参数

TX电流消耗+14 dBm的

TX电流消耗+10 dBm的

民

典型值

45

34

最大

单位

mA

mA

条件

434 MHz频段（高性能模式）

T

A

= 25°C ， VDD = 3.0V，如果没有其他说明

参数

TX电流消耗+15 dBm的

TX电流消耗+14 dBm的

TX电流消耗+10 dBm的

民

典型值

50

45

34

最大

单位

mA

mA

mA

条件

170 MHz频段（高性能模式）

T

A

= 25°C ， VDD = 3.0V，如果没有其他说明

参数

TX电流消耗+15 dBm的

TX电流消耗+14 dBm的

TX电流消耗+10 dBm的

民

典型值

54

49

41

最大

单位

mA

mA

mA

条件

低功耗模式

T

A

= 25°C ， VDD = 3.0 V，F

c

= 869.5兆赫，如果没有别的声明

参数

TX电流消耗+10 dBm的

民

典型值

32

最大

单位

mA

条件

PRODUCTION数据信息为出版日期。产品符合

每德州仪器标准保修条款的规范。生产加工不

不一定包括所有参数进行测试。

SWRS116C - 修订2013年3月

第16页5