CBT3253A
1 -OF- 4双FET的复用器/解复用器
牧师02 - 2007年2月8日
产品数据表
1.概述
该CBT3253A是1 -OF- 4双高速TTL兼容FET
多路复用器/多路分用器。开关的低导通电阻的输入可以是
连接到输出端无需增加传播延迟或产生额外的接地
反弹噪声。
10E， 2OE ， S0，和S1中选择适当的B输出为A输入数据。
该CBT3253A的特点是从操作
40 °C
+85
°C.
2.特点
5
两个端口之间的连接开关
TTL兼容的输入电平
通过开关最小的传播延迟
ESD保护超过每JESD22 - A114 2000 V HBM ， 200 V MM元
JESD22- A115和每JESD22 - C101 1000 V CDM
I
闭锁测试是为了JEDEC标准JESD78超过100毫安
I
I
I
I
3.订购信息
表1中。
订购信息
T
AMB
=
40
°
C至+ 85
°
C
类型编号
CBT3253AD
顶面
标志
CBT3253AD
包
名字
SO16
SSOP16
SSOP16
[1]
描述
塑料小外形封装; 16线索;
体宽3.9毫米
塑料小外形封装;
16线索;体宽5.3毫米
塑料小外形封装;
16线索;体宽3.9毫米;
引线间距0.635毫米
VERSION
SOT109-1
SOT338-1
SOT519-1
CBT3253ADB C3253A
CBT3253ADS CT3253A
CBT3253APW CT3253A
[1]
也被称为QSOP16 。
TSSOP16
塑料薄小外形封装; SOT403-1
16线索;体宽4.4毫米
恩智浦半导体
CBT3253A
1 -OF- 4双FET的复用器/解复用器
5.管脚信息
5.1钢钉
1OE
S1
1B4
1B3
1B2
1B1
1A
GND
1
2
3
4
16 V
CC
15 2OE
14 S0
13 2B4
1OE
S1
1B4
1B3
1B2
1B1
1
2
3
4
5
6
7
8
002aab825
16 V
CC
15 2OE
14 S0
13 2B4
12 2B3
11 2B2
10 2B1
9
2A
CBT3253AD
5
6
7
8
002aab824
12 2B3
11 2B2
10 2B1
9
2A
CBT3253ADB
1A
GND
图2.引脚CON组fi guration为SO16
图3.引脚CON组fi guration的SSOP16
1OE
S1
1B4
1B3
1B2
1B1
1A
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
002aab826
16 V
CC
15 2OE
14 S0
13 2B4
12 2B3
11 2B2
10 2B1
9
2A
1OE
S1
1B4
1B3
1B2
1B1
1A
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
002aab827
16 V
CC
15 2OE
14 S0
13 2B4
12 2B3
11 2B2
10 2B1
9
2A
CBT3253ADS
CBT3253APW
图4.引脚CON组fi guration的SSOP16
(QSOP16)
图5.引脚CON组fi guration为TSSOP16
5.2引脚说明
表2中。
符号
1OE
S1
1B4, 1B3, 1B2, 1B1
1A
GND
2A
2B1, 2B2, 2B3, 2B4
S0
2OE
V
CC
[1]
CBT3253A_2
引脚说明
针
1
2
3, 4, 5, 6
7
8
9
10, 11, 12, 13
14
15
16
描述
输出使能（低电平有效）
选择控制输入
B输出
[1]
A输入
接地（ 0 V ）
A输入
B输出
选择控制输入
输出使能（低电平有效）
正电源电压
B输出是输入的，如果A输入输出。
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
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3 17
恩智浦半导体
CBT3253A
1 -OF- 4双FET的复用器/解复用器
6.功能描述
请参阅
图1中“ CBT3253A （正逻辑）的逻辑图”
6.1功能选择
表3中。
功能选择
H =高电平状态; L =低电平状态; X =无关
输入
1OE
X
H
L
L
L
L
2OE
H
X
L
L
L
L
S1
X
X
L
L
H
H
S0
X
X
L
H
L
H
断开1A和2A
断开1A和2A
1A至1B1和图2A至2B1
图1A至1B2和图2A至2B2
图1A至1B3和图2A至2B3
图1A至1B4和图2A至2B4
功能
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CC
V
I
I
CCC
I
IK
T
英镑
[1]
参数
电源电压
输入电压
通过连续电流
每个V
CC
或GND引脚
输入钳位电流
储存温度
条件
民
0.5
0.5
[1]
-
最大
+7.0
+7.0
128
50
+150
单位
V
V
mA
mA
°C
V
I
＆ LT ; 0 V
-
65
输入和输出负电压的评分可以在输入和输出钳位电流的评分超过了
被观察到。
8.推荐工作条件
表5 。
工作条件
该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND ，以确保正确的设备
操作。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
AMB
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
环境温度
在自由空气中操作
条件
民
4.5
2
-
40
典型值
-
-
-
-
最大
5.5
-
0.8
+85
单位
V
V
V
°C
CBT3253A_2
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恩智浦半导体
CBT3253A
1 -OF- 4双FET的复用器/解复用器
9.静态特性
表6 。
静态特性
T
AMB
=
40
°
C至+ 85
°
C
符号
V
IK
V
通
I
LI
I
CC
I
CC
C
i
C
io的（OFF）的
C
io的（上）
R
on
参数
输入钳位电压
通电压
输入漏电流
静态电源电流
额外的静态电源
电流（控制输入）
输入电容
（控制引脚）
断态输入/输出
电容
通态输入/输出
电容
导通状态电阻
[3]
条件
V
CC
= 4.5 V ;我
I
=
18
mA
V
I
= V
CC
= 5.5 V ;我
O
=
100 A
V
CC
= 5 V; V
I
= 5.5 V或GND
V
CC
= 5.5 V ;我
O
= 0 mA时;
V
I
= V
CC
或GND
V
CC
= 5.5 V ;一个输入在3.4 V ;
其他输入在V
CC
或GND
V
I
= 3 V或0 V
端口; V
O
= 3 V或0 V ; OE = V
CC
B端口; V
O
= 3 V或0 V ; OE = V
CC
A端口和B端口
V
CC
= 4.5 V; V
I
= 0 V ;我
I
= 64毫安
V
CC
= 4.5 V; V
I
= 0 V ;我
I
= 30毫安
V
CC
= 4.5 V; V
I
= 2.4 V ;我
I
=
15
mA
[1]
[2]
[3]
所有典型值是在V
CC
= 5 V ，T
AMB
= 25
°C.
这是供应量的增加电流每路输入是在特定网络版TTL电平，而不是V
CC
或GND 。
测得的由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。导通状态电阻
由两个（ A或B）的终端的最低电压来确定。
[2]
民
-
3.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
[1]
-
3.6
-
-
-
4.5
11.4
3.8
18.6
5
5
10
最大
1.2
3.9
±1
3
2.5
-
-
-
-
7
7
15
单位
V
V
A
A
mA
pF
pF
pF
pF
10.动态特性
表7中。
动态特性
V
CC
= +5.0 V
±
0.5 V ;牛逼
AMB
=
40
°
C至+ 85
°
℃;除非另有规定ED 。
符号
t
PD
t
en
t
DIS
参数
传播延迟
启用时间
[2]
禁止时间
[3]
条件
从输入（ Na或NBN）到输出（ NBN或NA ）
从输入（ Sn）的输出（ Na或NBN ）
从输入（ Sn）的输出（ Na或NBN ）
从输入（ NOE ）到输出（ Na或NBN ）
从输入（ Sn）的输出（ Na或NBN ）
从输入（ NOE ）到输出（ Na或NBN ）
[1]
[2]
[3]
[1]
民
-
1.2
1.3
1.4
1.1
1.0
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
0.25
6.2
6.3
6.4
7.2
7
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
传播延迟是典型的通态电阻，开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
输出使能时间，高低电平。
输出禁止时间从高低电平。
CBT3253A_2
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CBT3253A
1 -OF- 4双FET的复用器/解复用器
第3版 - 2013年9月24日
产品数据表
1.概述
该CBT3253A是1 -OF- 4双高速TTL兼容FET
多路复用器/多路分用器。开关的低导通电阻的输入可以是
连接到输出端无需增加传播延迟或产生额外的接地
反弹噪声。
10E， 2OE ， S0，和S1中选择适当的B输出为A输入数据。
该CBT3253A的特点是从操作
40 C
+85
C.
2.特点和好处科幻TS
5
两个端口之间的连接开关
TTL兼容的输入电平
通过开关最小的传播延迟
闭锁保护超过每JEDEC标准JESD78 II类A级100毫安
ESD保护：
HBM JESD22- A114E超过2000伏
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
CDM JESD22- C101C超过1000 V
多种封装选择
从指定的
40 C
+85
C
3.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围
40 C
+85
C
40 C
+85
C
40 C
+85
C
40 C
+85
C
包
名字
CBT3253AD
CBT3253ADB
CBT3253ADS
CBT3253APW
SO16
SSOP16
SSOP16
[1]
TSSOP16
描述
塑料小外形封装; 16线索;
体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 16线索;
体宽5.3毫米
塑料小外形封装; 16线索;
体宽3.9毫米;引线间距0.635毫米
塑料薄小外形封装; 16线索;
体宽4.4毫米
VERSION
SOT109-1
SOT338-1
SOT519-1
SOT403-1
类型编号
[1]
也被称为QSOP16 。
恩智浦半导体
CBT3253A
1 -OF- 4双FET的复用器/解复用器
6.功能描述
表3中。
功能选择
H =高电压电平; L =低电压电平; X =无关。
输入
1OE
X
H
L
L
L
L
2OE
H
X
L
L
L
L
S1
X
X
L
L
H
H
S0
X
X
L
H
L
H
断开1A和2A
断开1A和2A
1A至1B1和图2A至2B1
图1A至1B2和图2A至2B2
图1A至1B3和图2A至2B3
图1A至1B4和图2A至2B4
开关
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
CC
V
I
I
SW
I
IK
T
英镑
P
合计
电源电压
输入电压
开关电流
输入钳位电流
储存温度
总功耗
T
AMB
=
40 C
+85
C
SO16封装
SSOP16封装
TSSOP16封装
[1]
[2]
[3]
[2]
[3]
[3]
[1]
条件
民
0.5
0.5
-
50
65
-
-
-
最大
+7.0
+7.0
128
+150
500
500
500
单位
V
V
mA
mA
C
mW
mW
mW
连续电流通过每个开关
V
I
＆ LT ; 0 V
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
对于SO16封装：P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
C.
对于SSOP16和TSSOP16封装：P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上70
C.
8.推荐工作条件
表5 。
工作条件
该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
AMB
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
环境温度
在自由空气中操作
条件
民
4.5
2.0
-
40
最大
5.5
-
0.8
+85
单位
V
V
V
C
CBT3253A
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
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第3版 - 2013年9月24日
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恩智浦半导体
CBT3253A
1 -OF- 4双FET的复用器/解复用器
9.静态特性
表6 。
静态特性
T
AMB
=
40
C至+ 85
C.
符号
V
IK
V
通
I
I
I
CC
I
CC
C
I
C
io的（OFF）的
C
io的（上）
R
ON
参数
输入钳位电压
通电压
输入漏电流
电源电流
额外的电源电流
输入电容
关断状态的输入/输出电容
通态输入/输出电容
抗性
条件
V
CC
= 4.5 V ;我
I
=
18
mA
V
I
= V
CC
= 5.0 V ;我
O
=
100 A
V
CC
= 5.5 V; V
I
= GND或5.5 V
V
CC
= 5.5 V ;我
O
= 0 mA时;
V
I
= V
CC
或GND
每个输入; V
CC
= 5.5 V ;一个输入的
3.4 V，其他输入在V
CC
或GND
控制引脚; V
I
= 3 V或0 V
端口; V
O
= 3 V或0 V ; NOE = V
CC
B端口; V
O
= 3 V或0 V ; NOE = V
CC
A端口和B端口
V
CC
= 4.5 V
V
I
= 0 V ;我
I
= 64毫安
V
I
= 0 V ;我
I
= 30毫安
V
I
= 2.4 V ;我
I
= 15毫安
[1]
[2]
[3]
所有典型值是在V测
CC
= 5 V ;牛逼
AMB
= 25
C.
这是供应量的增加电流每路输入是在特定网络版TTL电平，而不是V
CC
或GND 。
测得的由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。的最低电压
2 （A或B）的端子决定了导通电阻。
[3]
[2]
民
-
3.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
[1]
-
3.9
-
-
-
4.5
11.4
3.8
18.6
5
5
10
最大
1.2
4.2
1
3
2.5
-
-
-
-
7
7
15
单位
V
V
A
A
mA
pF
pF
pF
pF
10.动态特性
表7中。
动态特性
T
AMB
=
40
C至+ 85
℃; V
CC
= 4.5 V至5.5 V ;对于测试电路中，看到
图6 。
符号
t
pd
t
en
t
DIS
参数
传播延迟
启用时间
禁止时间
条件
nA至NBN或NBN呐;看
图4
锡呐;看
图4
NOE以Na或NBN ;看
图5
SN到NBN ;看
图5
NOE以Na或NBN ;看
图5
SN到NBN ;看
图5
[1]
[2]
[1][2]
[1][2]
[2]
[2]
[2]
[2]
民
-
1.2
1.3
1.4
1.1
1.0
最大
0.25
6.2
6.3
6.4
7.2
7
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
此参数是必要的，但不是生产测试。传播延迟是基于典型接通的RC时间常数
开关和负载电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）来驱动的阻力。
t
PLH
和T
PHL
相同吨
pd
.
t
PZL
和T
PZH
相同吨
en
.
t
PLZ
和T
PHZ
相同吨
DIS
.
CBT3253A
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第3版 - 2013年9月24日
5 15
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