CBCX68系列NPN
CBCX69系列PNP
表面贴装
其他芯片
小信号晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CBCX68和
CBCX69系列类型是互补硅
由外延平面制造的晶体管
过程中，环氧树脂模制在表面安装封装，
设计用于需要高电流的应用
能力。
标记：全部型号
SOT- 89 CASE
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
连续基极电流
峰值电流基地
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
单位
V
V
V
A
A
mA
mA
W
°C
° C / W
25
20
5.0
1.0
2.0
100
200
1.2
-65到+150
104
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
ICBO
VCB=25V
ICBO
VCB = 25V ， TA = 150℃
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
VBE （ON）的
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
fT
VEB=5.0V
IC=10A
IC=10mA
IE=1.0A
IC = 1.0A ， IB =百毫安
VCE = 10V ， IC = 5.0毫安
VCE = 1.0V ， IC = 1.0A
VCE = 10V ， IC = 5.0毫安
VCE = 1.0V ， IC = 500毫安（ CBCX68 ， CBCX69 ）
VCE = 1.0V ， IC = 500毫安（ CBCX68-16 ， CBCX69-16 ）
VCE = 1.0V ， IC = 500毫安（ CBCX68-25 ， CBCX69-25 ）
VCE = 1.0V ， IC = 1.0A
VCE = 5.0V ， IC = 10毫安， F = 20MHz的
50
85
100
160
60
65
25
20
5.0
典型值
最大
100
10
10
单位
nA
A
A
V
V
V
0.5
0.6
1.0
375
250
400
V
V
V
兆赫
R10 （2010年4月）
CBCX68系列NPN
CBCX69系列PNP
表面贴装
其他芯片
小信号晶体管
SOT- 89案例 - 机械外形
（底视图）
前导码：
1 ）发射
2 ）集电极
3 ）基
标记：
全部型号
R10 （2010年4月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CBCX68
CBCX69
硅互补
小信号晶体管
中央
描述：
TM
半导体公司
中央半导体CBCX68 ，
CBCX69类型是互补硅
晶体管制造的外延平面
过程中，环氧树脂模制在一个表面安装型
包，专为需要的应用
高电流能力。
SOT- 89 CASE
最大额定值
(TA=25°C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
功耗
工作和存储
结温
热温
符号
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
25
20
5.0
1.0
2.0
100
200
1.2
-65到+150
104
单位
V
V
V
A
A
mA
mA
W
°C
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号测试条件
民
典型值
ICBO
VCB=25V
ICBO
VCB = 25V ， TA = 150℃
IEBO
VEB=5.0V
BVCBO
IC=10A
25
BVCEO
IC=10mA
20
BVEBO
IE=1.0A
5.0
VCE （ SAT ） IC = 1.0A ， IB =百毫安
VBE （ON）的
VCE=10V,IC=5.0mA
0.6
VBE （ON）的
VCE = 1.0V ， IC = 1.0A
的hFE
VCE=10V,IC=500mA
50
的hFE
VCE=1.0,IC=500mA
85
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 1.0A
60
fT
VCE = 5.0V ， IC = 10毫安， F = 20MHz的
65
最大
100
10
0.5
1.0
375
单位
nA
A
A
V
V
V
V
V
V
兆赫
R4 （ 2001年19月）
QQ：2880707522 复制
