初步
的EnerChip CC CBC3105
的EnerChip CC与集成电源管理
特点
与充电控制电源管理器
综合5μAh固态电池
内置储能保护
温度补偿充电控制
可调电压切换
收费的EnerChip在很宽的电源电压范围
低待机功耗
SMT - 无铅回流焊宽容
数以千计的充电周期的
自放电率低
环保型，符合RoHS标准 - 测试
IP
ENERCH5-R4C
C310
CB
应用
4× 5× 0.9毫米DFN封装的SMT
该的EnerChip CC是世界上首款智能超薄
电影储能设备。它是一个集成
解决方案，提供备份储能
电源管理要求电力系统
桥接和/或次级功率。单一的EnerChip
CC可以收取高达10附加EnerChips
并联连接。
在正常操作期间，所述的EnerChip CC收费
本身使用一个内部受控的电压
电荷泵工作在2.5V至5.5V 。一
ENABLE引脚允许激活和停用
使用外部控制线电荷泵的
为了减少电流消耗，并采取
优势的的EnerChip的快速的充电时间。
当主电源的电压低于某个用户可
定义的阈值电压，所述的EnerChip CC将信号
此事件与路由的EnerChip电压V
OUT
.
该的EnerChip CC也有能量存储保护
电路，使数以千计的充电周期。
该CBC3105 - R4C是一个16引脚4mm x 5mm的双
扁平无引线（ DFN ）封装，管，盘可用，
或磁带和卷轴用于自动插入使用
设备。
待机电源
用于非易失性的SRAM ，实时
钟表，控制器，电源管理人员，以及其他
系统的关键组件。
无线传感器和RFID标签
及其他
动力，低工作周期应用。
本地化电源
让微控制器
并且在待机模式下的警报的其他设备。
电源桥
提供后备电源
交换主电池时系统。
家电产品
具有实时
钟;提供了切换电源的主
供应备用电池。
商业和工业系统
例如：
网络路由器，销售点终端，单
车载计算机，测试设备，多功能
打印机，工业控制器，和电表。
能量收集
通过耦合的EnerChip
能量换能器，如太阳能电池板。
CBC3105
图1：典型的EnerChip CC
应用电路
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初步
的EnerChip CC CBC3105
电性能
的EnerChip备份输出电压：
能源容量（典型值） ：
充电时间80％ ：
充电/放电周期：
3.3V
5Ah
10分钟
>5000至10％的放电
物理性能
包装尺寸：
工作温度：
存储温度：
采用4mm x 5毫米
-20 ° C至+ 70°C
-40°C至+ 125°C
功能框图
所述的EnerChip CC内部示意图示于图2中的电源输入电压（ VDD）的
施加到所述电荷泵，所述控制逻辑，并进行比较，以用户设置的阈值作为由所述确定
电压VMODE 。 VMODE是一个模拟输入范围为0V至VDD。使能引脚为数字输入端，
关闭电荷泵时低。 VOUT是无论是从VDD或集成的EnerChip提供。 RESET是
数字输出，当低时，表示VOUT的正源来自集成的EnerChip 。
CFLY是飞跨电容的电压倍增电路。 C的值
FLY
如果输出是可以改变的
需要修改的的EnerChip CC的阻抗。的输出阻抗由口授
1/fC,
哪里
f
为
振荡的频率（典型地为100kHz ）和
C
是电容值（通常为0.1μF ） 。 GND为系统接地。
图2 ：的EnerChip CC CBC3105内部框图
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的EnerChip CC CBC3105
CBC3105 - R4C输入/输出继电器说明
引脚数（S ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
LABEL
VBAT-
NC
VMODE
GND
VOUT
CP
CN
NC
RESET
启用
NC
VDD
NC
VCHG
NC
VBAT +
描述
消极的EnerChip码头 - 铁系统地
无连接
模式选择备份切换阈值
系统接地
系统电压
飞电容正
飞电容负
无连接
复位信号（低电平有效）
电荷泵启用
无连接
输入电压
无连接
的EnerChip充电电压 - 领带到引脚16和/或可选的EnerChip （S ）
无连接
积极的EnerChip客运站 - 领带针14
VBAT-
NC
VMODE
GND
VOUT
CP
CN
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
VBAT +
NC
VCHG
NC
VDD
NC
启用
复位/
图3 ：的EnerChip CC CBC3105封装引脚输出
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绝对最大额定值
参数
V
DD
相对于GND
ENABLE和V
模式
输入电压
V
BAT
(1)
V
CHG
V
OUT
复位输出电压
CP ，飞电容电压
CN
(1)
(1)
条件
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
民
GND - 0.3
GND - 0.3
3.0
3.0
GND - 0.3
GND - 0.3
GND - 0.3
GND - 0.3
典型
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
6.0
V
DD
+0.3
4.15
4.15
6.0
V
OUT
+0.3
6.0
V
DD
+0.3
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
无需外部连接到这些引脚被允许的，除了平行EnerChips 。
工作特性
参数
输出电压V
OUT
输出电压V
OUT
（备份模式）
的EnerChip脉冲放电电流
自放电率（5年平均）
工作温度
储存温度
细胞电阻（ 25℃）
充电周期
（ 80 ％额定钙的
pacity ; 4.1V充电
电压）
25°C
40°C
条件
V
DD
＆ GT ; V
TH
V
DD
＆ LT ; V
TH
民
-
2.2
-
-
-20
-40
-
-
5000
1000
2500
500
-
-
5
典型
V
DD
3.3
2.5
1.5
(1)
25
-
7
31
-
-
-
-
11
45
-
最大
-
3.6
-
-
+70
+125
(2)
11
48
-
-
-
-
22
70
-
单位
V
V
-
％每年
％每年
°C
°C
k
周期
周期
周期
周期
分钟
ΦAH
-
不可恢复
可采
变量 - 见附录。注意1025
-
-
充电周期2
充电周期1000
10％的放电深度的
50 ％放电深度的
10％的放电深度的
50％的放电深度的
充电周期2
充电周期1000
40nA放电; 25℃
充电时间（以80 ％的额定
能力; 4.1V充电; 25℃）下
容量
(1)
(2)
正月采自放电5 ％的平均水平。
储存温度是不带电的EnerChip CC设备。
注：在本文档中包含的所有规格如有变更，恕不另行通知。
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电源电流特性
TA = -20C至+ 70C
特征
静态电流
符号
I
Q
条件
ENABLE = GND
ENABLE = V
DD
V
DD
=3.3V
V
DD
=5.5V
V
DD
=3.3V
V
DD
=5.5V
民
-
-
-
-
-
-
最大
3.5
6.0
35
38
0.5
42
单位
A
A
A
A
nA
nA
I
QBATOFF
的EnerChip截止电流
I
QBATON
V
BAT <
V
BATCO
,
V
OUT
=0
V
BAT >
V
BATCO
,
ENABLE = V
DD
, I
OUT
=0
接口逻辑信号特性
V
DD
= 2.5V至5.5V ，TA = -20C至+ 70C
特征
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
逻辑输入漏电流
(1)
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IN
条件
-
-
V
DD
＆ GT ; V
TH
（参见图4
和5）本人
L
=10A
I
L
= -100A
0<V
IN
＆ LT ; V
DD
民
V
DD
- 0.5
-
V
DD
-
0.04V
(1)
-
-1.0
最大
-
0.5
-
0.3
+1.0
单位
伏
伏
伏
伏
nA
RESET跟踪V
DD
; RESET = V
DD
- (I
OUT
个R
OUT
).
复位信号的AC / DC特性
V
DD
= 2.5V至5.5V ，TA = -20C至+ 70C
特征
V
DD
瑞星RESET
升起
V
DD
下降到RESET
落下
模式1 TRIP V
V
DD
升起
模式2 TRIP V
(2)
V
DD
升起
复位迟滞
电压
(3)
(V
DD
为RESET ）
符号
t
ResetH
t
ResetL
V
RESET
V
RESET
条件
V
DD
上升为2.8V至3.1V
在<10μs
V
DD
从坠落3.1V至2.8V
在<100ns
V
模式
= GND
V
模式
= V
DD
/2
V
模式
=V
DD
民
60
0.5
2.85
2.40
60
45
30
最大
200
2
3.15
2.60
100
75
50
单位
ms
s
V
V
V
HYST
V
模式
= GND
V
模式
= V
DD
/2
mV
(2)
(3)
用户可选择的跳闸电压可以通过在V ，将一个电阻分压器来设定
模式
连接到GND 。请参考图8 。
滞后是跳闸电平的模式2的功能，请参考图9 。
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