CBAT54W
CBAT54AW
CBAT54CW
CBAT54SW
表面贴装
硅肖特基二极管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CBAT54W
系列类型硅肖特基二极管中
SOT- 323表面贴装封装。
SOT- 323案例
CBAT54W ：
CBAT54AW ：
CBAT54CW ：
CBAT54SW ：
单身
双通道，共阳极
双通道，共阴极
双串联
记号
记号
记号
记号
符号
VR
IF
IFRM
IFSM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
代码：
代码：
代码：
代码：
C4L
C42
C4C
C44
单位
V
mA
mA
mA
mW
°C
° C / W
最大额定值：
(TA=25°C)
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
正向浪涌电流， TP = 10ms的
功耗
工作和存储
结温
热阻
-65到+150
500
30
200
300
600
250
每二极管电气特性：
符号
IR
VF
VF
VF
VF
VF
Cd
TRR
测试条件
VR=25V
IF=0.1mA
IF=1.0mA
IF=10mA
IF=30mA
IF=100mA
VR = 1.0V ， F = 1.0 MHz的
IF = IR = 10毫安， IRR = 1.0毫安， RL = 100Ω
（ TA = 25° C除非另有说明）
最大
2.0
240
320
400
500
800
10
5.0
单位
A
mV
mV
mV
mV
mV
pF
ns
R0 （ 2005年24月）
CBAT54W
CBAT54AW
CBAT54CW
CBAT54SW
表面贴装
硅肖特基二极管
描述：
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
中央半导体CBAT54W系列
类型硅肖特基二极管采用SOT -323
表面贴装封装。
SOT- 323案例
CBAT54W ：
CBAT54AW ：
CBAT54CW ：
CBAT54SW ：
单身
双通道，共阳极
双通道，共阴极
双串联
记号
记号
记号
记号
符号
VR
IF
IFRM
IFSM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
代码：
代码：
代码：
代码：
C4L
C42
C4C
C44
单位
V
mA
mA
mA
mW
°C
° C / W
最大额定值：
(TA=25°C)
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
正向浪涌电流， TP = 10ms的
功耗
工作和存储结温
热阻
30
200
300
600
250
-65到+150
500
每二极管电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
最大
单位
IR
VR=25V
2.0
μA
VF
IF=0.1mA
240
mV
VF
VF
VF
VF
Cd
TRR
IF=1.0mA
IF=10mA
IF=30mA
IF=100mA
VR = 1.0V ， F = 1.0MHz的
IF = IR = 10毫安， IRR = 1.0毫安， RL = 100Ω
320
400
500
800
10
5.0
mV
mV
mV
mV
pF
ns
R1 （2010年4月）
CBAT54W
CBAT54AW
CBAT54CW
CBAT54SW
表面贴装
硅肖特基二极管
SOT- 323案例 - 机械外形
CBAT54W
前导码：
1 ）阳极
2 ）无连接
3 ）阴极
记号
CODE ： C4L
CBAT54AW
前导码：
1 ）阴极D2
2 ）阴极D1
3 ）阳极D1，D2
记号
代码： C42
CBAT54CW
前导码：
1 ）阳极D2
2 ）阳极D1
3 ）阴极D1，D2
记号
CODE ： C4C
CBAT54SW
前导码：
1 ）阳极D2
2 ）阴极D1
3 ）阳极D1 ， D2阴极
记号
代码： C44
R1 （2010年4月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
QQ：2881677436 复制
