DPS-081104
片式磁珠阵列
阵列系列
v
特点
良好的可靠性（整体结构）
防磁
快速安装速度
符合RoHS
W
D
L
SIZE
L
W
3216
3.2±0.20
1.6±0.20
0.9±0.20
0.3±0.20
0.4±0.15
0.8±0.10
v
尺寸
（单位：毫米）
B
T
E
v
应用
CD - ROM ， DVD ， MD线路
数字电视和录像机
v
通用代码
CBA
1
T
B
3216
2
G
3
A
4
121
5
N4
6
E
7
E
D
1
2
3
4
5
6
7
系列代号
CBA ：片状铁氧体磁珠阵列
维码
前两位数字：长度（mm）
最后两位数字：宽度（mm）
应用程序代码
G：信号线
P：大电流线路
U：超高电流线路
材料代码
答：通用变频器
K，J ：中频
M：高周波
V ：甚高频
阻抗值码
前两位数字代表显著
最后一个数字是零以下的数
EX ） 121 = 120 （ Ω ）
电路数
N4 ： 4阵列
包装代码
E：卷压纹带包装
v
温度范围
工作温度。 -55 + 125 ℃
储存温度。 -10 + 40
℃
v
代表性的材料特性
高
μ
（低RXCP ）
低
μ
（高RXCP ）
V
M
J，K
A
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DPS-081104
片式磁珠阵列
v
3216尺寸
阻抗
()
±25%
30
60
120
220
300
470
601
100
60
120
220
300
470
600
1000
30
60
120
300
470
600
直流电阻
（ Ω ）最大。
0.10
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0.70
0.25
0.30
0.35
0.40
0.50
0.60
0.75
0.10
0.12
0.20
0.45
0.45
0.50
额定电流
（毫安）最大。
200
200
300
150
100
100
100
50
400
350
250
250
200
200
150
200
200
100
100
100
100
100
测试频率
（兆赫）
三和P / N
CBA3216GA300N4
CBA3216GA600N4
CBA3216GA121N4
CBA3216GA221N4
CBA3216GA301N4
CBA3216GA471N4
CBA3216GA601N4
CBA3216GA102N4
CBA3216GK600N4
CBA3216GK121N4
CBA3216GK221N4
CBA3216GK301N4
CBA3216GK471N4
CBA3216GK601N4
CBA3216GK102N4
CBA3216GM300N4
CBA3216GM600N4
CBA3216GM121N4
CBA3216GM301N4
CBA3216GM471N4
CBA3216GM601N4
※
测量设备
片式磁珠阵列系列
- 。 Z： HP4291B / E4991A
- 。 RDC ： HP4338B
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片式磁珠阵列
v
3216尺寸
CBA 3216 GA 300 N4
阻抗[
W
]
60
100
CBA 3216 GA 600 N4
Z
R
X
阻抗[
W
]
200
CBA 3216 GA 121 N4
Z
R
X
阻抗[
W
]
45
75
150
Z
30
50
100
R
15
25
50
X
0
1
10
100
1000
0
1
10
100
1000
0
1
10
100
1000
频率〔MHz〕
频率〔MHz〕
频率〔MHz〕
300
CBA 3216 GA 221 N4
Z
阻抗[
W
]
R
400
CBA 3216 GA 301 N4
Z
阻抗[
W
]
R
800
CBA 3216 GA 601 N4
Z
R
阻抗[
W
]
225
300
600
片式磁珠阵列系列
150
200
400
75
X
100
X
200
X
1
10
100
1000
0
1
10
100
1000
0
1
10
100
1000
0
频率〔MHz〕
频率〔MHz〕
频率〔MHz〕
1200
CBA 3216 GA 102 N4
Z
阻抗[
W
]
R
240
CBA 3216 GK 121 N4
Z
R
阻抗[
W
]
400
CBA 3216 GK 221 N4
Z
R
X
1
10
100
1000
阻抗[
W
]
900
180
300
600
120
200
300
X
60
X
1
10
100
1000
100
0
1
10
100
1000
0
0
频率〔MHz〕
频率〔MHz〕
频率〔MHz〕
600
CBA 3216 GK 301 N4
阻抗[
W
]
800
CBA 3216 GK 471 N4
Z
R
阻抗[
W
]
1000
CBA 3216 GK 601 N4
Z
阻抗[
W
]
400
Z
R
600
750
R
500
400
200
200
250
X
X
0
1
10
100
1000
0
1
10
100
X
1000
0
1
10
100
1000
频率〔MHz〕
频率〔MHz〕
频率〔MHz〕
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片式磁珠阵列
可靠性&测试条件
项
操作
温度范围
存储
温度范围
需求
- 55
℃
~ + 125
℃
40
℃
最大值，70％ RH以下。
测试条件
-
在包装条件
预热温度：100 150
℃
预热时间： 60秒。
焊锡温度： 245
±
5
℃
焊接时间： 10
±
1秒。
可焊性
90％以上的端子电极的应
覆盖有新焊料
片式磁珠，可靠性&测试条件
耐
焊接热
1.无损伤，如裂缝应该是
导致芯片元件
端电极2，超过75％的
应覆盖有新焊料
3.阻抗不应改变
多于
±30
%
端子电极的50％以上
应覆盖有新焊料
预热温度：100 150
℃
预热时间： 60秒。
焊锡温度： 270
±
10
℃
焊接时间： 10
±
0.5秒。
再溢流焊接
ST
≥
ST
1
CT
3
CT
预热温度： 150
℃
预热时间： 60秒。
焊锡温度： 245
±
5
℃
焊接时间： 10秒。最大。
（回流焊曲线）
高温
阻力
温度： 125
±
3
℃
时间： 500
±
12小时
在测量室内环境
温放置24小时后
温度： 125
±
3
℃
外加电流：额定电流
时间：1000年
±
12小时
在测量室内环境
温放置24小时后
温度： 40
±
2
℃
湿度： 90
±
2 ％RH的
时间： 500
±
12小时
在测量室内环境
温放置24小时后
高温
负载电阻
1.无机械损伤
2.阻抗不得变更超过
±30
%
湿度
阻力
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片式磁珠阵列
可靠性&测试条件
项
需求
测试条件
温度： 40
±
2
℃
湿度： 90
±
2 ％RH的
外加电流：额定电流
时间： 500
±
12小时
在测量室内环境
温放置24小时后
温度： -55
±
3
℃
时间：1000年
±
12小时
在测量室内环境
温放置24小时后
1. -55
±
3 ℃ 30分钟
2.125
±
3
℃
30分钟
3.重复100周期
频率： 10 55赫兹
振幅： 1.5毫米
方向：X ， Y，Z
扫时间：2小时各轴
砸10次在水泥地上
从100厘米的高度
无机械损伤
项
抗弯强度
一（毫米）
B（毫米）
C（毫米）
W（千克力）
4阵列
湿度负载
阻力
低温
阻力
1.无机械损伤
2.阻抗不得变更超过
±30
%
热冲击
片式磁珠，可靠性&测试条件
振动
降
R0.5
土地模式
B C
A
D
0.8
0.8
3.0
0.4
W
50
20
W
弯曲强度
端子电极应是既不中断
也不是芯片损坏
R340
2 mm
电阻测量仪
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