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CB45000系列

HCMOS6标准单元

特点

0.35微米5层金属HCMOS6过程中，

逆行阱技术，低电阻

自对准硅化活跃的地区和polysilicide门。

3.3 V与5 V优化晶体管的I / O接口

脸上能力

2 - 160 PS （典型值）输入与非延迟

扇出= 2 。

广泛的I / O功能，包括低电压

CMOS ，低压TTL和LVDS 。驾驶

能力ISA ， EISA ， PCI ，MCA和SCSI

接口电平

高驱动I / O;吸收高达24能力

mA，带压摆率控制，电流尖峰支持

PRESSION和阻抗匹配。

发电机支持单端口RAM ，

双端口RAM和ROM与BIST方案。

DRAM集成在ASIC方法

丰富的内置函数库includ-

荷兰国际集团ST DSP和微内核的第三方

MICROS和Synopsys综合库。

完全独立的电源层和接地CON连接G-

urations为输入，芯和输出。

I / O环能力高达1000焊盘。

闭锁触发电流> +/- 500毫安。

ESD保护> +/- 4000伏的典型值

振荡器为宽的频谱。

500+ SSI细胞广泛

可测试性设计的功能，包括IEEE

1149.1 JTAG边界扫描架构。

基于Cadence的，导师和Synopsys

设计系统具有从多个接口

工作站。

广大陶瓷和塑料封装范围。

CB45000超级集成

成本效益的产品

建筑分区

无故障整合

应用特定网络

你的产品是独一无二的

用户特定网络版电池集成

设计刀豆网络保密性

IP完全可重复使用的

只读存储器

DSP

DPRAM

ST20

1998年3月

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CB45000系列

概述

该CB45000标准电池系列采用了高

高性能，低电压， 5级金属，

HCMOS6 0.35微米工艺实现子

同时提供非常纳秒的内部速度

低功耗，高抗干扰能力。

随着14000的平均路由逻辑密度

门/毫米

，该CB45000家庭允许

高度复杂的设备设计。潜力

可用门数范围以上3万元以下

等效门。设备可以工作在Vdd的

电压范围为2.7 3.6伏。

该阵列系列的I / O数量范围超过

750信号和1000引脚基于所述

封装技术的利用。一个灵活的I / O

方法已经开发出来，提供一种

图1

过程概述

当今复杂的系统最佳解决方案

驱动水平和专业的界面问题

标准。

该产品提供了一个变量绑定的方法

从80μ向上支撑垫间距和

支持交错垫行来解决今天的

键合技术。更多的灵活性，以

支持65μ和50μ焊盘间距会

在不久的将来。

在I / O可以CON组fi gured的电路范围

低电压CMOS和TTL低摆幅

差动电路（LVDS ），并每1Gigabit

第二高速链路。如SCSI ， 3.3标准

和5伏PCI及其他5.0伏接口

目前尚未解决。

金属5 ：铝铜

金属4 ：铝铜

金属3 ：铝铜

金属2 ：铝铜

金属1 ：W

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CB45000系列

技术概述

在HCMOS6过程中的一个主要特点是

自对准硅化活跃的地区。这导致了源

这是一到两个数量级的漏区

欧姆电阻，而不是几百或

成千上万的源漏极电阻欧姆的

非自对准硅化技术。这种非常低的

性是一个原因，非常低的晶体管

宽度可以在由于电池设计可利用

驱动器不会由于源漏之间的电阻丢失。

这降低了使用低宽度的晶体管结果

由于栅极的电容负载

更小的区域使用。低电阻，低

电容，和小门导致低的功率

用法逆变器相比之前的

技术。

该

减少

动力

消费允许自对准硅化活性的用法

条纹在内部权力分配的简单

细胞，替换，在一些情况下，对使用

科幻RST金属层。这节省了芯片面积

允许更大的密度，导磁率和

导致更大的整体细胞的可路由

电路密度。

在HCMOS6过程中的其他主要功能

科幻是使用CMP已经金属互连层

（化学机械抛光）的平坦化。

为改善与平面使用的CMP

金属层，允许使用额外

互连层没有产量下降，

提高密度，同时保持较低的成本。

配电方法提供

独立的内部分配，以提高产品

噪声容限，减少功率损耗。三

耗材：

内部Vdd和Vss

供应芯单元和预缓冲仲

在我的系统蒸发散/ O

外部Vdd和Vss

仅提供输出晶体管

接收机Vdd和Vss

用于接收单元的连接第一个阶段。

对于5.0V接口等分布可选

标准可以用作必需的。

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CB45000系列

图书馆

该CB45000系列磁带库分为四个

类别：

SSI单元库

IO单元库

宏功能

模块发电机

SSI单元库概述

在CB45000系列的设计一直是

优化，允许非常高密度，高

速度和低功耗设计。由于这些原因

广泛的细胞不同范围的

驱动能力都在库中。

该库单元进行了优化，在长期

为了功能和电气参数

有：

良好的平衡

最大速率

最佳的阈值电压

对称的Vdd / Vss的噪声容限

最低功耗的高速网络连接gure

细胞的几何方面是

CON连接gured允许极为密集的设计，充分

开发的布局和布线的特点

工具中的水平和垂直路由方面

网格。对于布局布线，达到网络已经水平

金属被利用。小区内布线尽量限制

尽可能科幻首先金属，与第二，第三和

第四金属水平，致力于互连

接线和配电。该网络FTH金属

用于电源和时钟布辛。

核心逻辑

在CB45000所示的传播延迟

数据手册中给出的标称处理， 3.3V

操作，并且25℃的温度条件下。

然而有一些影响的附加因素

在宏小区的延迟特性。这些

包括装载因扇出和互连

路由，供电电压，结温

设备，加工公差和输入信号

过渡时间。

之前的物理布局，设计系统可以

估计与任何关键相关的延迟

路径。的布局和布线的影响

可以准确RC回从注释

布局的关键时序的网络最终模拟。该

结温度，效果（K

）和电压

供应（K

）上的延迟数字

总结在表2和表2中的第三个因素，

与制程变异有关。这

乘数的最小值为0.8 ，最大值

1.2 。

表1结温乘法器

温度

-55

-40

125

0.77

0.83

1.00

1.13

1.17

1.27

10 m

图2. ND2核心单元

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CB45000系列

表2的电压倍增

2.7

3.0

3.3

3.6

1.20

1.11

1.00

0.94

一套I / O晶体管子单元。

这些子单元可以迅速CON组fi gured使用

金属化层，以符合各种I / O的

特定网络阳离子，同时保持最佳的ESD

保护级别和闭锁预防

的特点。

在I / O电路还包括子单元

被用于形成专门的晶体管

每个I / O线的斜率控制部分。

电流尖峰抑制逻辑保证

传导晶体管之前被关闭

反对设置被打开。

接合焊盘本身是可变的间距的条件

和大小，甚至支持交错粘合

方法。这是变更

I / O缓存库

该CB45000不使用传统的I / O单元

设计; SGS - THOMSON是先驱者之一

新出现的“灵活的I / O ”的方针和

CB45000功能变量绑定和灵活的

根据prede网络斯内德输出晶体管方案

科幻gure 3

灵活的IO缓冲技术

模具的边缘

Guardring

可编程的键盘位置可

以同时用于一个IO单元库

交错和线性结合。

模具的边缘

Guardring

ESD钳位

结构

ESD钳位

结构

ESD钳位

结构

ESD钳位

结构

ESD钳位

结构

ESD钳位

结构

产量

DRIVE

晶体管

产量

DRIVE

晶体管

产量

DRIVE

晶体管

产量

DRIVE

晶体管

产量

DRIVE

晶体管

产量

DRIVE

晶体管

二极管

逻辑电路

测试接口

摆率控制

二极管

逻辑电路

测试接口

摆率控制

二极管

逻辑电路

测试接口

摆率控制

二极管

逻辑电路

测试接口

摆率控制

二极管

逻辑电路

测试接口

摆率控制

二极管

逻辑电路

测试接口

摆率控制

模具芯

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