CAT93C46/56/57/66/86
1K / 2K / 2K / 4K / 16K位Microwire串行EEPROM
特点
s
高速运行：
H
LOGEN
FR
A
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
s
上电时疏忽造成的写保护
s
百万编程/擦除周期
s
百年数据保留
s
商用，工业和汽车
- 93C46 / 56 /57/ 66： 1MHz的
- 93C86 ： 3MHz的
s
低功耗CMOS技术
s
1.8 6.0伏特操作
s
可选x8或x16内存组织
s
自定时写周期自动清零
s
硬件和软件写保护
温度范围
s
连续读取（除CAT93C46 ）
s
程序使能（ PE ）引脚（ CAT93C86只）
s
提供“绿色”封装选项
描述
该CAT93C46 / 57分之56 / 66 / 86顷1K / 2K / 2K / 4K / 16K位
其被构造成串行EEPROM存储器装置
作为16位要么寄存器（ ORG引脚为V
CC
）或8位
（ ORG引脚的GND） 。每个寄存器可以写入（或读）
连续使用DI （或DO ）引脚。该CAT93C46 / 56 /
57/66/86在使用催化剂的先进制造
CMOS EEPROM浮动门技术。该器件
旨在承受百万编程/擦除周期
和有100年的数据保存。该装置是
采用8引脚DIP ， 8引脚SOIC和8引脚TSSOP封装
包。
引脚配置
DIP封装（P ， L）
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
SOIC封装（J ， W） SOIC封装（S ， V） SOIC封装（K ， X）
1
2
3
4
8
7
6
5
ORG
GND
DO
DI
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
CS
NC （ PE * ） SK
ORG
DI
GND
DO
VCC
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC （ PE * ）
ORG
GND
TSSOP封装（U ， Y） **
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC （ PE * ）
ORG
GND
VCC
NC （ PE * ）
VCC
NC （ PE * ）
ORG
CS
GND
SK
*仅适用于93C86 ** “U / Y”只适用于93C46 / 56 / 66分之57包
引脚功能
引脚名称
CS
SK
DI
DO
V
CC
GND
ORG
NC
PE *
功能
芯片选择
时钟输入
串行数据输入
串行数据输出
1.8至6.0V电源
地
存储器组织
无连接
项目启用
93C46/56/57/66/86
F01
框图
VCC
GND
ORG
存储阵列
组织
地址
解码器
数据
注册
DI
CS
PE *
DECODE MODE
逻辑
产量
卜FF器
注意：当ORG引脚连接到VCC时， X16组织
化选择。当它被连接到地时， X8的销
被选中。如果ORG引脚悬空，那么
内部上拉电阻将选择X16组织。
SK
时钟
发电机
DO
93C46 / 56 /57 /八十六分之六十六F02
2002年由Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知。
文档。 1023 ，版本号摹
93C46/56/57/66/86
绝对最大额定值*
高温下偏置.................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度........................ -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(1)
............. -2.0V到+ V
CC
+2.0V
V
CC
相对于地面................ -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（T
A
= 25 ° C） ................................... 1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(2)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(3)
T
DR(3)
V
ZAP(3)
I
LTH(3)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
基准测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
民
1,000,000
100
2000
100
典型值
最大
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些压力额定值只和功能的操作
该设备在这些或那些之外的任何其他条件
在操作部分中列出的本规范不
暗示。暴露于任何绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的性能和
可靠性。
直流工作特性
V
CC
= + 1.8V至+ 6.0V ，除非另有规定。
符号
I
CC1
I
CC2
I
SB1
I
SB2(5)
I
LI
I
LO
V
IL1
V
IH1
V
IL2
V
IH2
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
参数
电源电流
（写操作）
电源电流
（读操作）
电源电流
（待机） （ x8模式）
电源电流
（待机） （ x16Mode ）
输入漏电流
输出漏电流
（包括ORG引脚）
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
测试条件
f
SK
= 1MHz的
V
CC
= 5.0V
f
SK
= 1MHz的
V
CC
= 5.0V
CS = 0V
ORG = GND
CS=0V
ORG =浮动或V
CC
V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
,
CS = 0V
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5V
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V
4.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5V
I
OL
= 2.1毫安
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5V
I
OH
= -400A
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V
I
OL
= 1毫安
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V
I
OH
= -100A
V
CC
- 0.2
2.4
0.2
-0.1
2
0
V
CC
x 0.7
民
典型值
最大
3
500
10
0
1
1
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.2
V
CC
+1
0.4
单位
mA
A
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
V
V
注意：
（1 ）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
（2）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
（ 3 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
（ 5 ）待机电流（ ISB
2
） = 0μA （小于900nA ）为93C46 / 56 /57/ 66 （ISB
2
） = 2μA为93C86 。
文档。 1023 ，版本号摹
2
93C46/56/57/66/86
引脚电容
符号
C
OUT(3)
C
IN(3)
TEST
输出电容（ DO）的
输入电容（ CS ， SK ， DI ， ORG ）
条件
V
OUT
=0V
V
IN
=0V
民
典型值
最大
5
5
单位
pF
pF
指令集
教学设备
TYPE
读
93C46
93C56
(1)
93C66
93C57
93C86
93C46
93C56
(1)
93C66
93C57
93C86
93C46
93C56
(1)
93C66
93C57
93C86
93C46
93C56
93C66
93C57
93C86
93C46
93C56
93C66
93C57
93C86
93C46
93C56
93C66
93C57
93C86
93C46
93C56
93C66
93C57
93C86
开始操作码
位
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
10
10
10
10
10
11
11
11
11
11
01
01
01
01
01
00
00
00
00
00
00
00
00
00
00
00
00
00
00
00
00
00
00
00
00
地址
x8
x16
A6-A0
A8-A0
A8-A0
A7-A0
A10-A0
A6-A0
A8-A0
A8-A0
A7-A0
A10-A0
A6-A0
A8-A0
A8-A0
A7-A0
A10-A0
11XXXXX
11XXXXXXX
11XXXXXXX
11XXXXXX
数据
x8
x16
评论
读地址AN- A0
PE
(2)
A5-A0
A7-A0
A7-A0
A6-A0
A9-A0
A5-A0
A7-A0
A7-A0
A6-A0
A9-A0
A5-A0
A7-A0
A7-A0
A6-A0
A9-A0
11XXXX
11XXXXXX
11XXXXXX
11XXXXX
X
清除地址AN- A0
抹去
I
D7-D0
D7-D0
D7-D0
D7-D0
D7-D0
D15-D0
D15-D0
D15-D0
D15-D0
D15-D0
写地址AN- A0
写
I
写使能
EWEN
11XXXXXXXXX 11XXXXXXXX
00XXXXX
00XXXXXXX
00XXXXXXX
00XXXXXX
00XXXX
00XXXXXX
00XXXXXX
00XXXXX
X
写禁止
EWDS
00XXXXXXXXX 00XXXXXXXX
10XXXXX
10XXXXXXX
10XXXXXXX
10XXXX
10XXXXXX
10XXXXXX
X
清除所有地址
ERAL
10XXXXXX
10XXXXX
10XXXXXXXXX 10XXXXXXXX
01XXXXX
01XXXXXXX
01XXXXXXX
01XXXXXX
01XXXX
01XXXXXX
01XXXXXX
01XXXXX
I
D7-D0
D7-D0
D7-D0
D7-D0
D7-D0
D15-D0
D15-D0
D15-D0
D15-D0
D15-D0
写的所有地址
WRAL
01XXXXXXXXX 01XXXXXXXX
I
注意：
（ 1 ）地址位A8为256x8 ORG和A7为128x16 ORG是＆ QUOT ;无所谓＆ QUOT ;位，但必须保持在任一＆ QUOT ; 1 ＆ QUOT ;或＆ QUOT ; 0 ＆ QUOT ;为READ，WRITE
和擦除命令。
（ 2 ）只适用于93C86
（ 3 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
3
文档。 1023 ，版本号摹
93C46/56/57/66/86
交流特性（ 93C46 / 56 /57/ 66）
范围
V
CC
=
1.8V-6V
TEST
符号参数
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ(1)
t
EW
t
CSMIN
t
SKHI
t
SKLOW
t
SV
SK
最大
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
编程/擦除脉冲宽度
最低CS低电平时间
最低SK高时间
最低SK低电平时间
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
DC
1
1
1
1
250
DC
C
L
= 100pF的
(3)
条件
民
200
0
400
400
1
1
400
10
0.5
0.5
0.5
0.5
500
DC
最大
民
100
0
200
200
0.5
0.5
200
10
0.25
0.25
0.25
0.25
1000
最大
民
50
0
100
100
0.25
0.25
100
10
最大
单位
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ms
s
s
s
s
千赫
V
CC
=
2.5V-6V
V
CC
=
4.5V-5.5V
交流特性（ 93C86 ）
范围
TEST
符号参数
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ(1)
t
EW
t
CSMIN
t
SKHI
t
SKLOW
t
SV
SK
最大
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
编程/擦除脉冲宽度
最低CS低电平时间
最低SK高时间
最低SK低电平时间
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
DC
1
1
1
1
500
DC
C
L
= 100pF的
(3)
条件
V
CC
=
1.8V-6V
民
200
0
200
200
1
1
400
5
0.5
0.5
0.5
0.5
1000
DC
最大
V
CC
=
2.5V-6V
民
100
0
100
100
0.5
0.5
200
5
0.15
0.15
0.15
0.1
3000
最大
V
CC
=
4.5V-5.5V
民
50
0
50
50
0.15
0.15
100
5
最大
单位
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ms
s
s
s
s
千赫
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
文档。 1023 ，版本号摹
4
93C46/56/57/66/86
上电时序
(1)(2)
符号
t
PUR
t
PUW
参数
上电到读操作
上电到写操作
最大
1
1
单位
ms
ms
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
(2) t
PUR
和T
PUW
是从时间V所需的延迟
CC
是稳定的，直到指定的操作可以启动。
（ 3 ）输入电平和时序参考点显示在“AC测试条件”表中。
交流测试条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
时序参考电压
输入脉冲电压
时序参考电压
≤
50ns
0.4V至2.4V
0.8V, 2.0V
0.2V
CC
到0.7V
CC
0.5V
CC
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
4.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
4.5V
5
文档。 1023 ，版本号摹
CAT93C86
16 KB Microwire串行
EEPROM
描述
该CAT93C86是一个16 KB的串行EEPROM存储器装置
被配置为16位的任一寄存器（ ORG引脚在V
CC
）或8位
（ ORG引脚的GND） 。每个寄存器可以写入（或读）通过串行
使用DI （或DO ）引脚。该CAT93C86使用制造
安森美半导体先进的CMOS EEPROM中浮栅
技术。该设备被设计为承受百万编程/擦除
循环并具有100年的数据保存。该装置是在可用的
8引脚DIP和8引脚SOIC封装。
特点
http://onsemi.com
SOIC8
V，W后缀
CASE 751BD
高速运行： 3兆赫/ V
CC
= 5 V
低功耗CMOS技术
1.8 V至5.5 V操作
可选x8或x16内存组织
自定时写周期，自动清除
硬件和软件写保护
上电时无意写保护
顺序读取
编程使能（ PE ）引脚
百万编程/擦除周期
百年数据保留
工业和扩展温度范围
8引脚PDIP和SOIC封装
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂，并符合RoHS
柔顺
V
CC
PDIP8
L结尾
CASE 646AA
SOIC8
X后缀
CASE 751BE
引脚配置
CS
SK
DI
DO
1
V
CC
PE
ORG
GND
PE
V
CC
CS
SK
1
ORG
GND
DO
DI
PDIP （L ） ， SOIC （V ， X）
SOIC（ W）*
引脚功能
引脚名称
CS
功能
芯片选择
时钟输入
串行数据输入
串行数据输出
电源
地
存储器组织
项目启用
ORG
CS
SK
PE
CAT93C86
DI
DO
SK
DI
DO
V
CC
GND
ORG
PE
GND
图1.功能符号
注意：
当ORG引脚连接到V
CC
，在x16组织
被选中。当它被连接到地，所述x8的销被选中。如果
ORG引脚悬空，则内部上拉器件将
选择x16组织。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第10页上。
*不推荐用于新设计
半导体元件工业有限责任公司， 2013
十月， 2013
启示录12
1
出版订单号：
CAT93C86/D
CAT93C86
表1.绝对最大额定值
参数
在偏置温度
储存温度
在相对于地面的任何引脚电压（注1 ）
V
CC
相对于地面
包装功率耗散能力（T
A
= 25°C)
引线焊接温度（ 10秒）
输出短路电流（注2 ）
评级
55
+125
65
+150
2.0
到+ V
CC
+2.0
2.0
到+7.0
1.0
300
100
单位
°C
°C
V
V
W
°C
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.最低直流输入电压是
0.5
五，在转换过程中，可能会投入到下冲
2.0
V代表小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
2.输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
表2.可靠性的特点
符号
N
结束
（注3）
T
DR
（注3）
V
ZAP
（注3）
I
LTH
（注3,4）
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
LATCH -UP
基准测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
民
1,000,000
100
2000
100
单位
周期/字节
岁月
V
mA
3.这些参数，并初步设计或过程的变化会影响该参数后进行测试。
提供4闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从
1
V到V
CC
+1 V.
表3.直流工作特性
(V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ，除非另有说明。 ）
符号
I
CC1
I
CC2
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IL1
V
IH1
V
IL2
V
IH2
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
参数
电源电流（写）
电源电流（读）
电源电流
（待机） （ x8模式）
电源电流
（待机） （ x16模式）
输入漏电流
输出漏电流
（包括ORG引脚）
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
测试条件
f
SK
= 1 MHz的; V
CC
= 5.0 V
f
SK
= 1 MHz的; V
CC
= 5.0 V
CS = 0 V ORG = GND
CS = 0 V ORG =浮动或V
CC
V
IN
= 0 V到V
CC
V
OUT
= 0 V到V
CC
， CS = 0 V
4.5 V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5 V
4.5 V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5 V
1.8 V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5 V
1.8 V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5 V
4.5 V
≤
V
CC
< 5.5 V ;我
OL
= 2.1毫安
4.5 V
≤
V
CC
< 5.5 V ;我
OH
=
400
mA
1.8 V
≤
V
CC
< 4.5 V ;我
OL
= 1毫安
1.8 V
≤
V
CC
< 4.5 V ;我
OH
=
100
mA
V
CC
0.2
2.4
0.2
0.1
2
0
V
CC
x 0.7
0
民
典型值
最大
3
500
10
10
1
1
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.2
V
CC
+ 1
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
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2
CAT93C86
表4.引脚电容
（注5 ）
符号
C
OUT
C
IN
TEST
输出电容（ DO）的
输入电容（ CS ， SK ， DI ， ORG ）
条件
V
OUT
= 0 V
V
IN
= 0 V
民
典型值
最大
5
5
单位
pF
pF
表5.电时序
（注5,6）
符号
t
PUR
t
PUW
参数
上电到读操作
上电到写操作
最大
1
1
单位
ms
ms
表6.交流测试条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
时序参考电压
输入脉冲电压
时序参考电压
≤
50纳秒
0.4 V至2.4 V
0.8 V, 2.0 V
0.2× V
CC
以0.7× V
CC
0.5× V
CC
4.5 V
≤
V
CC
≤
5.5 V
4.5 V
≤
V
CC
≤
5.5 V
1.8 V
≤
V
CC
≤
4.5 V
1.8 V
≤
V
CC
≤
4.5 V
表7.交流特性
V
CC
=
1.8 V
5.5 V
符号
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ
（注5 ）
t
EW
t
CSMIN
t
SKHI
t
SKLOW
t
SV
SK
最大
5.
6.
7.
参数
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
编程/擦除脉冲宽度
最低CS低电平时间
最低SK高时间
最低SK低电平时间
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
DC
1
1
1
1
500
DC
C
L
= 100 pF的（注7 ）
测试条件
民
200
0
200
200
1
1
400
5
0.5
0.5
0.5
0.5
1000
DC
最大
V
CC
=
2.5 V
5.5 V
民
100
0
100
100
0.5
0.5
200
5
0.15
0.15
0.15
0.1
3000
最大
V
CC
=
4.5 V
5.5 V
民
50
0
50
50
0.15
0.15
100
5
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ns
ms
ms
ms
ms
ms
千赫
这些参数都和最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
t
PUR
和T
PUW
是从时间V所需的延迟
CC
是稳定的，直到指定的操作可以启动。
的输入电平与定时基准点被显示在“交流测试条件“表中。
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3
CAT93C86
表8.指令集
指令
读
抹去
写
EWEN
EWDS
ERAL
WRAL
开始
位
1
1
1
1
1
1
1
地址
操作码
10
11
01
00
00
00
00
x8
A10A0
A10A0
A10A0
11XXXXXXXXX
00XXXXXXXXX
10XXXXXXXXX
01XXXXXXXXX
x16
A9A0
A9A0
A9A0
11XXXXXXXX
00XXXXXXXX
10XXXXXXXX
01XXXXXXXX
D7D0
D15D0
D7D0
D15D0
x8
数据
x16
评论
读地址AN- A0
清除地址AN- A0
写地址AN- A0
写使能
写禁止
清除所有地址
写的所有地址
设备操作
该CAT93C86是16,384位的非易失性存储器
旨在与业界标准的微处理器使用。
该CAT93C86可以组织16任寄存器
位或8位。当组织为X16 ， 7 13位
指令控制的读，写和擦除
该装置的操作。当组织为X8 ，七
14位指令控制的读，写和擦除
该装置的操作。该CAT93C86运行在一个
单电源供电，并且将芯片产生的高
在任何写操作所需的电压。
指令，地址和写入的数据读入
DI引脚上的时钟（ SK ）的上升沿。 DO引脚为
通常在高阻抗状态，在读取数据时，除了
从设备上，或检查时，就绪/忙状态
在写操作后。
就绪/忙碌状态可开始后确定
通过选择设备的写操作（ CS高点）和
查询DO管脚; DO低表明写
操作未完成，而溶解氧高表示该
设备准备好接收下一个指令。如果有必要，在DO
销可以放回到高阻抗状态中
芯片通过移动一个虚拟的“ 1 ”进入DI引脚选择。在DO
销将进入上的下降沿为高阻抗状态
时钟（SK） 。把DO引脚进入高阻
状态，建议在应用中的DI引脚和
DO引脚都被捆绑在一起，形成一个共同的DI / O
引脚。
发送到设备的所有指令的格式是一个
逻辑“1”的起始位， 2位（或4位）操作码， 10位地址
（当组织X8的一个附加位）和用于写入
操作的16位数据字段（8位为X8的组织）。
注意：
写，擦除，写入所有和擦除所有说明
需要PE = 1。如果PE悬空， 93C86是程序
启用模式。对于写使能和写禁止
指令PE =不在乎。
读
一旦接收到一个READ命令和地址
（移入DI引脚） ，该CAT93C86的DO引脚会
走出来的高阻抗状态，发送后
最初的虚拟零位，将开始移出数据
解决（ MSB在前） 。输出的数据位将切换上
后的SK时钟的上升沿和稳定
特定网络版时间延迟（T
PD0
或T
PD1
).
在最初的数据字已移出和CS
保持有效的SK时钟不断切换，在
设备将自动递增到下一地址和
移出的下一个数据字以顺序读模式。如
只要CS持续有效和SK继续
切换时，器件将保持递增到下一地址
自动，直到它到达该地址空间的末尾，
然后循环返回到地址0在连续读模式下，
只有初始数据字是由一个虚拟的零位preceeded 。
所有随后的数据字将遵循无虚设
零位。
写
接收到写命令，地址和数据之后，
在CS （片选）引脚必须取消最少
的t
CSMIN
。 CS的下降沿将启动自同步
内存位置的指定明确的数据存储周期
在指令。在SK管脚的时钟不
该设备后，需要进入自动计时
模式。该CAT93C86的准备/繁忙状态可
通过选择器件和查询DO管脚来确定。
由于该器件具有自动清除写入前，它是
删除一个内存位置是之前没有必要
写入。
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4
CAT93C86
16 KB Microwire串行
EEPROM
描述
该CAT93C86是一个16 KB的串行EEPROM存储器装置
被配置为16位的任一寄存器（ ORG引脚在V
CC
）或8位
（ ORG引脚的GND） 。每个寄存器可以写入（或读）通过串行
使用DI （或DO ）引脚。该CAT93C86使用制造
安森美半导体先进的CMOS EEPROM中浮栅
技术。该设备被设计为承受百万编程/擦除
循环并具有100年的数据保存。该装置是在可用的
8引脚DIP和8引脚SOIC封装。
特点
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SOIC8
V，W后缀
CASE 751BD
高速运行： 3兆赫/ V
CC
= 5 V
低功耗CMOS技术
1.8 V至5.5 V操作
可选x8或x16内存组织
自定时写周期，自动清除
硬件和软件写保护
上电时无意写保护
顺序读取
编程使能（ PE ）引脚
百万编程/擦除周期
百年数据保留
工业和扩展温度范围
8引脚PDIP和SOIC封装
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂，并符合RoHS
柔顺
V
CC
PDIP8
L结尾
CASE 646AA
SOIC8
X后缀
CASE 751BE
引脚配置
CS
SK
DI
DO
1
V
CC
PE
ORG
GND
PE
V
CC
CS
SK
1
ORG
GND
DO
DI
PDIP （L ） ， SOIC （V ， X）
SOIC（ W）*
引脚功能
引脚名称
CS
功能
芯片选择
时钟输入
串行数据输入
串行数据输出
电源
地
存储器组织
项目启用
ORG
CS
SK
PE
CAT93C86
DI
DO
SK
DI
DO
V
CC
GND
ORG
PE
GND
图1.功能符号
注意：
当ORG引脚连接到V
CC
，在x16组织
被选中。当它被连接到地，所述x8的销被选中。如果
ORG引脚悬空，则内部上拉器件将
选择x16组织。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第10页上。
*不推荐用于新设计
半导体元件工业有限责任公司， 2013
十月， 2013
启示录12
1
出版订单号：
CAT93C86/D
CAT93C86
表1.绝对最大额定值
参数
在偏置温度
储存温度
在相对于地面的任何引脚电压（注1 ）
V
CC
相对于地面
包装功率耗散能力（T
A
= 25°C)
引线焊接温度（ 10秒）
输出短路电流（注2 ）
评级
55
+125
65
+150
2.0
到+ V
CC
+2.0
2.0
到+7.0
1.0
300
100
单位
°C
°C
V
V
W
°C
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.最低直流输入电压是
0.5
五，在转换过程中，可能会投入到下冲
2.0
V代表小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
2.输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
表2.可靠性的特点
符号
N
结束
（注3）
T
DR
（注3）
V
ZAP
（注3）
I
LTH
（注3,4）
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
LATCH -UP
基准测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
民
1,000,000
100
2000
100
单位
周期/字节
岁月
V
mA
3.这些参数，并初步设计或过程的变化会影响该参数后进行测试。
提供4闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从
1
V到V
CC
+1 V.
表3.直流工作特性
(V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ，除非另有说明。 ）
符号
I
CC1
I
CC2
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IL1
V
IH1
V
IL2
V
IH2
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
参数
电源电流（写）
电源电流（读）
电源电流
（待机） （ x8模式）
电源电流
（待机） （ x16模式）
输入漏电流
输出漏电流
（包括ORG引脚）
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
测试条件
f
SK
= 1 MHz的; V
CC
= 5.0 V
f
SK
= 1 MHz的; V
CC
= 5.0 V
CS = 0 V ORG = GND
CS = 0 V ORG =浮动或V
CC
V
IN
= 0 V到V
CC
V
OUT
= 0 V到V
CC
， CS = 0 V
4.5 V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5 V
4.5 V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5 V
1.8 V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5 V
1.8 V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5 V
4.5 V
≤
V
CC
< 5.5 V ;我
OL
= 2.1毫安
4.5 V
≤
V
CC
< 5.5 V ;我
OH
=
400
mA
1.8 V
≤
V
CC
< 4.5 V ;我
OL
= 1毫安
1.8 V
≤
V
CC
< 4.5 V ;我
OH
=
100
mA
V
CC
0.2
2.4
0.2
0.1
2
0
V
CC
x 0.7
0
民
典型值
最大
3
500
10
10
1
1
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.2
V
CC
+ 1
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
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2
CAT93C86
表4.引脚电容
（注5 ）
符号
C
OUT
C
IN
TEST
输出电容（ DO）的
输入电容（ CS ， SK ， DI ， ORG ）
条件
V
OUT
= 0 V
V
IN
= 0 V
民
典型值
最大
5
5
单位
pF
pF
表5.电时序
（注5,6）
符号
t
PUR
t
PUW
参数
上电到读操作
上电到写操作
最大
1
1
单位
ms
ms
表6.交流测试条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
时序参考电压
输入脉冲电压
时序参考电压
≤
50纳秒
0.4 V至2.4 V
0.8 V, 2.0 V
0.2× V
CC
以0.7× V
CC
0.5× V
CC
4.5 V
≤
V
CC
≤
5.5 V
4.5 V
≤
V
CC
≤
5.5 V
1.8 V
≤
V
CC
≤
4.5 V
1.8 V
≤
V
CC
≤
4.5 V
表7.交流特性
V
CC
=
1.8 V
5.5 V
符号
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ
（注5 ）
t
EW
t
CSMIN
t
SKHI
t
SKLOW
t
SV
SK
最大
5.
6.
7.
参数
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
编程/擦除脉冲宽度
最低CS低电平时间
最低SK高时间
最低SK低电平时间
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
DC
1
1
1
1
500
DC
C
L
= 100 pF的（注7 ）
测试条件
民
200
0
200
200
1
1
400
5
0.5
0.5
0.5
0.5
1000
DC
最大
V
CC
=
2.5 V
5.5 V
民
100
0
100
100
0.5
0.5
200
5
0.15
0.15
0.15
0.1
3000
最大
V
CC
=
4.5 V
5.5 V
民
50
0
50
50
0.15
0.15
100
5
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ns
ms
ms
ms
ms
ms
千赫
这些参数都和最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
t
PUR
和T
PUW
是从时间V所需的延迟
CC
是稳定的，直到指定的操作可以启动。
的输入电平与定时基准点被显示在“交流测试条件“表中。
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3
CAT93C86
表8.指令集
指令
读
抹去
写
EWEN
EWDS
ERAL
WRAL
开始
位
1
1
1
1
1
1
1
地址
操作码
10
11
01
00
00
00
00
x8
A10A0
A10A0
A10A0
11XXXXXXXXX
00XXXXXXXXX
10XXXXXXXXX
01XXXXXXXXX
x16
A9A0
A9A0
A9A0
11XXXXXXXX
00XXXXXXXX
10XXXXXXXX
01XXXXXXXX
D7D0
D15D0
D7D0
D15D0
x8
数据
x16
评论
读地址AN- A0
清除地址AN- A0
写地址AN- A0
写使能
写禁止
清除所有地址
写的所有地址
设备操作
该CAT93C86是16,384位的非易失性存储器
旨在与业界标准的微处理器使用。
该CAT93C86可以组织16任寄存器
位或8位。当组织为X16 ， 7 13位
指令控制的读，写和擦除
该装置的操作。当组织为X8 ，七
14位指令控制的读，写和擦除
该装置的操作。该CAT93C86运行在一个
单电源供电，并且将芯片产生的高
在任何写操作所需的电压。
指令，地址和写入的数据读入
DI引脚上的时钟（ SK ）的上升沿。 DO引脚为
通常在高阻抗状态，在读取数据时，除了
从设备上，或检查时，就绪/忙状态
在写操作后。
就绪/忙碌状态可开始后确定
通过选择设备的写操作（ CS高点）和
查询DO管脚; DO低表明写
操作未完成，而溶解氧高表示该
设备准备好接收下一个指令。如果有必要，在DO
销可以放回到高阻抗状态中
芯片通过移动一个虚拟的“ 1 ”进入DI引脚选择。在DO
销将进入上的下降沿为高阻抗状态
时钟（SK） 。把DO引脚进入高阻
状态，建议在应用中的DI引脚和
DO引脚都被捆绑在一起，形成一个共同的DI / O
引脚。
发送到设备的所有指令的格式是一个
逻辑“1”的起始位， 2位（或4位）操作码， 10位地址
（当组织X8的一个附加位）和用于写入
操作的16位数据字段（8位为X8的组织）。
注意：
写，擦除，写入所有和擦除所有说明
需要PE = 1。如果PE悬空， 93C86是程序
启用模式。对于写使能和写禁止
指令PE =不在乎。
读
一旦接收到一个READ命令和地址
（移入DI引脚） ，该CAT93C86的DO引脚会
走出来的高阻抗状态，发送后
最初的虚拟零位，将开始移出数据
解决（ MSB在前） 。输出的数据位将切换上
后的SK时钟的上升沿和稳定
特定网络版时间延迟（T
PD0
或T
PD1
).
在最初的数据字已移出和CS
保持有效的SK时钟不断切换，在
设备将自动递增到下一地址和
移出的下一个数据字以顺序读模式。如
只要CS持续有效和SK继续
切换时，器件将保持递增到下一地址
自动，直到它到达该地址空间的末尾，
然后循环返回到地址0在连续读模式下，
只有初始数据字是由一个虚拟的零位preceeded 。
所有随后的数据字将遵循无虚设
零位。
写
接收到写命令，地址和数据之后，
在CS （片选）引脚必须取消最少
的t
CSMIN
。 CS的下降沿将启动自同步
内存位置的指定明确的数据存储周期
在指令。在SK管脚的时钟不
该设备后，需要进入自动计时
模式。该CAT93C86的准备/繁忙状态可
通过选择器件和查询DO管脚来确定。
由于该器件具有自动清除写入前，它是
删除一个内存位置是之前没有必要
写入。
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