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CAT93C66 , CAT93W66
4 KB Microwire串行CMOS
EEPROM
描述
该CAT93C66是4 KB的CMOS串行EEPROM器件是
作为组织或者256个寄存器的16位( ORG引脚为V
CC
)或512
8位( ORG引脚为GND)的寄存器。该CAT93W66功能X16
内存的组织而已。每个寄存器可以写入(或读)
连续使用DI (或DO )引脚。该器件具有顺序
阅读和自定时自动清零内部写。片上
上电复位电路,防止供电的内在逻辑
在错误的状态。
特点
http://onsemi.com
SOIC8
V,W *后缀
CASE 751BD
UDFN8
HU4后缀
CASE 517AZ
TDFN8*
VP2后缀
CASE 511AK
高速运行: 4兆赫( 5 V ) , 2兆赫( 1.8 V )
1.8 V至5.5 V电源电压范围
可选x8或x16存储器组织: CAT93C66
自定时写周期,自动清除
顺序读取
软件写保护
上电时无意写保护
低功耗CMOS技术
百万编程/擦除周期
百年数据保留
工业和扩展温度范围
8引脚PDIP , SOIC , TSSOP , 6引脚SOT- 23 , 8 ,垫TDFN和
UDFN封装
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂,并符合RoHS
柔顺
V
CC
V
CC
PDIP8
L结尾
CASE 646AA
TSSOP8
后缀
CASE 948AL
SOIC8
X后缀
CASE 751BE
SOT236
TB后缀
CASE 527AJ
引脚配置
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8 V
CC
7 NC
6 ORG
5 GND
NC
V
CC
CS
SK
1
2
3
4
8 ORG
7 GND
6 DO
5 DI
ORG
CS
SK
DI
CAT93C66
DO
CS
SK
DI
CAT93W66
DO
PDIP (L) ,SOIC ( V,X ) ,
TSSOP ( Y) , TDFN ( VP2 ) * ,
UDFN ( HU4 )
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8 V
CC
7 NC
6 NC
5 GND
SOIC( W)*
DO
GND
DI
1
2
3
6 V
CC
5 CS
4 SK
GND
GND
SOT- 23 ( TB) **
图1.功能符号
CAT93C66可选择的组织:
TDFN ( VP2 )
CAT93W66
*不推荐用于新设计
**可用CAT93C66 SOT- 23 6针的X8
组织。联系厂方。
当ORG引脚连接到V
CC
,在x16组织是
选择。当它被连接到地,所述x8组织是
选择。如果ORG引脚悬空,那么内部上拉
设备会选择x16组织。
CAT93W66 :
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第16页。
该器件工作在仅x16模式。
半导体元件工业有限责任公司, 2012
2012年4月
启示录11
1
出版订单号:
CAT93C66/D
CAT93C66 , CAT93W66
表1.引脚功能
引脚名称
CS
SK
DI
DO
功能
芯片选择
时钟输入
串行数据输入
串行数据输出
引脚名称
V
CC
GND
ORG (注1 )
NC
功能
电源
存储器组织
无连接
1. ORG引脚可用于只有CAT93C66 。
表2.绝对最大额定值
参数
储存温度
在相对于地面的任何引脚电压(注2 )
评级
65
+150
0.5
为+6.5
单位
°C
V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
2.任何引脚的直流输入电压应不低于
0.5
伏或高于V
CC
+ 0.5V的转换过程中,在任何引脚上的电压可能会
下冲,以不低于
1.5
V或超调量不超过V更
CC
+ 1.5伏,对于小于20毫微秒周期。
表3.可靠性的特点
(注3)
符号
N
结束
(注4 )
T
DR
耐力
数据保留
参数
1,000,000
100
单位
编程/擦除周期
岁月
3.这些参数,并初步设计或过程的变化影响,根据相应的AEC -Q100标准的参数进行测试后,
和JEDEC测试方法。
4.块模式,V
CC
= 5 V ,25°C 。
表4.直流工作特性
成熟的产品
(
V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ,T
A
=
40°C
至+ 125 ℃,除非另有说明)。
符号
I
CC1
I
CC2
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IL1
V
IH1
V
IL2
V
IH2
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
参数
电源电流
(写)
电源电流
(READ )
电源电流
(待机) ( x8模式)
电源电流
(待机) ( x16模式)
输入漏电流
f
SK
= 1兆赫,V
CC
= 5.0 V
f
SK
= 1兆赫,V
CC
= 5.0 V
V
IN
= GND或V
CC
,
CS = GND ORG = GND
V
IN
= GND或V
CC
, CS = GND
ORG =浮动或V
CC
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
,
CS = GND
4.5 V
V
CC
& LT ; 5.5 V
4.5 V
V
CC
& LT ; 5.5 V
1.8 V
V
CC
& LT ; 4.5 V
1.8 V
V
CC
& LT ; 4.5 V
4.5 V
V
CC
< 5.5 V,I
OL
= 2.1毫安
测试条件
最大
1
500
单位
mA
mA
mA
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 125°C
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 125°C
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 125°C
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 125°C
0.1
2
0
V
CC
x 0.7
2.4
2
4
1
2
1
2
1
2
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.2
V
CC
+ 1
0.4
mA
mA
输出漏电流
mA
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
V
V
V
V
V
V
4.5 V
V
CC
< 5.5 V,I
OH
=
400
mA
1.8 V
V
CC
< 4.5 V,I
OL
= 1毫安
1.8 V
V
CC
< 4.5 V,I
OH
=
100
mA
0.2
V
CC
0.2
V
V
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2
CAT93C66 , CAT93W66
表5.直流工作特性
新产品(启高)
(V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ,T
A
= -40 ° C至+ 125°C ,除非另有说明。 )
符号
I
CC1
I
CC2
I
SB1
I
SB2
参数
电源电流(写)
电源电流(读出)
待机电流
( x8模式)
待机电流
( x16模式)
输入漏电流
写,V
CC
= 5.0 V
阅读, DO开放,女
SK
= 2兆赫,V
CC
= 5.0 V
V
IN
= GND或V
CC
CS = GND , ORG = GND
V
IN
= GND或V
CC
CS = GND ,
ORG =浮动或V
CC
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
CS = GND
4.5 V
V
CC
& LT ; 5.5 V
4.5 V
V
CC
& LT ; 5.5 V
1.8 V
V
CC
& LT ; 4.5 V
1.8 V
V
CC
& LT ; 4.5 V
4.5 V
V
CC
< 5.5 V,I
OL
= 3毫安
4.5 V
V
CC
< 5.5 V,I
OH
=
400
mA
1.8 V
V
CC
< 4.5 V,I
OL
= 1毫安
1.8 V
V
CC
< 4.5 V,I
OH
=
100
mA
V
CC
0.2
2.4
0.2
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 125°C
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 125°C
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 125°C
I
LO
V
IL1
V
IH1
V
IL2
V
IH2
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
输出漏
当前
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 125°C
0.1
2
0
V
CC
x 0.7
测试条件
最大
1
500
2
5
1
3
1
2
1
2
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.2
V
CC
+ 1
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
单位
mA
mA
mA
I
LI
表6.引脚电容
(T
A
= 25 ° C,F = 1.0兆赫,V
CC
= +5.0 V)
符号
C
OUT
(注5 )
C
IN
(注5 )
TEST
输出电容( DO)的
输入电容( CS , SK , DI , ORG )
条件
V
OUT
= 0 V
V
IN
= 0 V
典型值
最大
5
5
单位
pF
pF
5.这些参数,并初步设计或过程的变化影响,根据相应的AEC -Q100标准的参数进行测试后,
和JEDEC测试方法。
表7.电时序
(注6,7)
符号
t
PUR
t
PUW
上电到读操作
上电到写操作
参数
最大
1
1
单位
ms
ms
6.这些参数,并初步设计或过程的变化,根据相应的影响参数进行测试后,
AEC -Q100和JEDEC测试方法。
7. t
PUR
和T
PUW
是从时间V所需的延迟
CC
是稳定的,直到指定的操作可以启动。
表8.交流测试条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
时序参考电压
输入脉冲电压
时序参考电压
输出负载
50纳秒
0.4 V至2.4 V
0.8 V, 2.0 V
0.2 V
CC
0.7 V
CC
0.5 V
CC
电流源I
OLmax
/I
OHMAX
; CL = 100 pF的
4.5 V
V
CC
5.5 V
4.5 V
V
CC
5.5 V
1.8 V
V
CC
4.5 V
1.8 V
V
CC
4.5 V
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3
CAT93C66 , CAT93W66
表9.交流特性
成熟的产品
(V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ,T
A
=
40°C
至+ 125 ℃,除非另有说明。 ) (注8)
范围
符号
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ
(注9 )
t
EW
t
CSMIN
t
SKHI
t
SKLOW
t
SV
SK
最大
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
编程/擦除脉冲宽度
最低CS低电平时间
最低SK高时间
最低SK低电平时间
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
DC
0.25
0.25
0.25
0.25
2000
参数
50
0
100
100
0.25
0.25
100
5
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ns
ms
ms
ms
ms
ms
千赫
据“交流8.测试条件测试条件“表中。
9,这些参数和初始设计或工艺变更,根据相应的影响参数进行测试后,
AEC -Q100和JEDEC测试方法。
表10.交流特性
新产品(启高)
(V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V , TA =
40°C
至+ 125°C ,除非另有规定编)
V
CC
= 1.8 V
5.5 V
符号
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ
(注10 )
t
EW
t
CSMIN
t
SKHI
t
SKLOW
t
SV
SK
最大
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
编程/擦除脉冲宽度
最低CS低电平时间
最低SK高时间
最低SK低电平时间
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
DC
0.25
0.25
0.25
0.25
2000
DC
参数
50
0
100
100
0.25
0.25
100
5
0.1
0.1
0.1
0.1
4000
最大
V
CC
= 4.5 V
5.5 V
50
0
50
50
0.1
0.1
100
5
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ns
ms
ms
ms
ms
ms
千赫
10,此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
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4
CAT93C66 , CAT93W66
设备操作
该CAT93C66是一个4096位的非易失性存储器
旨在与业界标准的微处理器使用。
该CAT93C66可以组织16任寄存器
位或8位。当组织为X16 , 7 11位
指令控制的读,写和擦除
该装置的操作。当组织为X8 ,七
12位指令控制的读,写和擦除
该装置的操作。该CAT93W66工作在X16
唯一模式。该器件采用单电源供电
并且将产生的片上,在所需的高电压
任何写操作。
指令,地址和写入的数据读入
DI引脚上的时钟( SK )的上升沿。 DO引脚为
通常在高阻抗状态,在读取数据时,除了
从设备上,或检查时,就绪/忙状态
在写操作后。串行通信协议
遵循图2所示的时序。
表11.指令集
地址
指令
抹去
EWEN
EWDS
ERAL
WRAL
开始位
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
11
01
00
00
00
00
x8
(注11 )
A8A0
A8A0
A8A0
11XXXXXXX
00XXXXXXX
10XXXXXXX
01XXXXXXX
x16
A7A0
A7A0
A7A0
11XXXXXX
00XXXXXX
10XXXXXX
01XXXXXX
D7D0
D15D0
D7D0
D15D0
数据
x8
(注11 )
x16
评论
读出地址An - A0
清除地址AN - A0
写地址的 - A0
写使能
写禁止
清除所有地址
写的所有地址
就绪/忙碌状态可开始后确定
内部写周期,通过选择器( CS高点)和
查询DO管脚; DO低表明写
操作未完成,而溶解氧高表示该
设备准备好接收下一个指令。如果有必要,在DO
销可以放回到高阻抗状态中
芯片通过移动一个虚拟的“ 1 ”进入DI引脚选择。在DO
销将进入上的上升沿为高阻抗状态
时钟(SK) 。把DO引脚进入高阻
状态,建议在应用中的DI引脚和
DO引脚都被捆绑在一起,形成一个共同的DI / O
引脚。
发送到设备的所有指令的格式是一个
逻辑“1”的起始位, 2位(或4位)操作码, 8位的地址
(当组织X8的一个附加位)和用于写入
操作的16位数据字段(8位为X8的组织)。
该指令的格式显示在指令集表。
11. x8的内存组织仅可用于在CAT93C66 。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CAT93C66YI-G
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
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电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
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TSSOP8
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联系人:李
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联系人:朱
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
CAT93C66YI-G
ATMEL
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TSSOP-8
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