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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第526页 > CAT93C56ZD4A-1.8-GT3E
CAT93C56/57
(启模E)
2K位Microwire串行EEPROM
特点
I
高速运转: 1MHz的
I
低功耗CMOS技术
I
1.8至5.5伏特操作
I
可选x8或x16内存组织
I
自定时写周期自动清零
I
软件写保护
I
顺序读取
H
FR
ALO
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
I
上电时疏忽造成的写保护
I
百万编程/擦除周期
I
百年数据保留
I
商用,工业和汽车
温度范围
I
RoHS兼容封装
描述
该CAT93C56 / 57顷2K位串行EEPROM存储器
其被配置为16的任一寄存器中的设备
位( ORG引脚为V
CC
)或8位( ORG引脚为GND)。每
通过使用寄存器可以写入(或读取)串行
DI (或DO )引脚。该CAT93C56 / 57制造
利用Catalyst的先进的CMOS EEPROM浮动
门技术。该装置被设计成承受
百万编程/擦除周期,并有一个数据reten-
重刑百年。该器件采用8引脚DIP ,
SOIC , TSSOP和8焊盘TDFN封装。
引脚配置
DIP封装( L)
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
ORG
GND
功能符号
SOIC封装( W)
NC
VCC
CS
SK
1
2
3
4
8
7
6
5
ORG
GND
DO
DI
V
CC
ORG
CS
SK
DI
DO
SOIC封装( V)
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
ORG
GND
CS
SK
DI
DO
SOIC封装( X)
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
ORG
GND
GND
引脚功能
引脚名称
功能
芯片选择
时钟输入
串行数据输入
串行数据输出
电源
存储器组织
无连接
CS
SK
DI
DO
V
CC
GND
ORG
TSSOP封装( Y)
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
ORG
GND
TDFN封装( ZD4 )
VCC
8
NC
7
ORG
6
GND
5
1
CS
2
SK
3
DI
4
DO
底部视图
有关订购信息,请参见第8页。
NC
注意:当ORG引脚连接到VCC时, X16组织
化选择。当它被连接到地,所述x8的销是
选择。如果ORG引脚悬空,则内部上拉
设备会选择x16组织。
2005 Catalyst半导体公司
特性如有变更,恕不另行通知。
文档。 1088号,第
CAT93C56/57
绝对最大额定值*
高温下偏置.................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度........................ -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(1)
............. -2.0V到+ V
CC
+2.0V
V
CC
相对于地面................ -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力(T
A
= 25 ° C) ................................... 1.0W
引线焊接温度( 10秒) ............ 300℃
输出短路电流
(2)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(3)
T
DR(3)
V
ZAP(3)
I
LTH(3)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
基准测试方法
MIL - STD-883标准,测试方法1033
MIL - STD-883标准,测试方法1008
MIL - STD-883标准,测试方法3015
JEDEC标准17
1,000,000
100
2000
100
典型值
最大
单位
周期/字节
岁月
mA
* COMMENT
注意,超出上述绝对最大的“上市
“,可能对器件造成永久性损坏。
这些压力额定值只和功能的操作
该设备在这些或那些之外的任何其他条件
在操作部分中列出的本规范不
暗示。暴露于任何绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的性能和
可靠性。
直流工作特性
V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ,除非另有说明。
符号
I
CC1
I
CC2
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IL1
V
IH1
V
IL2
V
IH2
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
参数
电源电流
(写)
电源电流
(READ )
电源电流
(待机) ( x8模式)
电源电流
(待机) ( x16Mode )
输入漏电流
输出漏电流
(包括ORG引脚)
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
测试条件
f
SK
= 1MHz的
V
CC
= 5.0V
f
SK
= 1MHz的
V
CC
= 5.0V
CS = 0V
ORG = GND
CS=0V
ORG =浮动或V
CC
V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
,
CS = 0V
4.5V
V
CC
& LT ; 5.5V
4.5V
V
CC
& LT ; 5.5V
1.8V
V
CC
& LT ; 4.5V
1.8V
V
CC
& LT ; 4.5V
4.5V
V
CC
& LT ; 5.5V
I
OL
= 2.1毫安
4.5V
V
CC
& LT ; 5.5V
I
OH
= -400A
1.8V
V
CC
& LT ; 4.5V
I
OL
= 1毫安
1.8V
V
CC
& LT ; 4.5V
I
OH
= -100A
V
CC
- 0.2
2.4
0.2
-0.1
2
0
V
CC
x 0.7
0
典型值
最大
3
500
10
10
1
1
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.2
V
CC
+1
0.4
单位
mA
A
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
V
V
注意:
(1 )最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中,输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ,这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
(2)输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
( 3 )此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
提供( 4 )闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
文档。 1088号,第
2
CAT93C56/57
引脚电容
符号
C
OUT(2)
C
IN(2)
TEST
输出电容( DO)的
输入电容( CS , SK , DI , ORG )
条件
V
OUT
=0V
V
IN
=0V
典型值
最大
5
5
单位
pF
pF
指令集
指令
抹去
EWEN
EWDS
ERAL
WRAL
设备
TYPE
93C56
(1)
93C57
93C56
(1)
93C57
93C56
(1)
93C57
93C56
(1)
93C57
93C56
(1)
93C57
93C56
(1)
93C57
93C56
(1)
93C57
开始
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
地址
操作码
10
10
11
11
01
01
00
00
00
00
00
00
00
00
x8
A8-A0
A7-A0
A8-A0
A7-A0
A8-A0
A7-A0
11XXXXXXX
11XXXXXX
00XXXXXXX
00XXXXXX
10XXXXXXX
10XXXXXX
01XXXXXXX
01XXXXXX
数据
x8
x16
评论
读地址AN- A0
清除地址AN- A0
D7-D0
D7-D0
D15 - D0写地址AN- A0
D15-D0
写使能
写禁止
清除所有地址
D7-D0
D7-D0
D15 -D0写入所有地址
D15-D0
x16
A7-A0
A6-A0
A7-A0
A6-A0
A7-A0
A6-A0
11XXXXXX
11XXXXX
00XXXXXX
00XXXXX
10XXXXXX
10XXXXX
01XXXXXX
01XXXXX
交流特性
范围
V
CC
=
1.8V-5.5V
符号
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ(1)
t
EW
t
CSMIN
t
SKHI
t
SKLOW
t
SV
SK
最大
参数
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
编程/擦除脉冲宽度
最低CS低电平时间
最低SK高时间
最低SK低电平时间
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
DC
1
1
1
1
250
DC
C
L
= 100pF的
(3)
TEST
条件
200
0
400
400
1
1
400
10
0.5
0.5
0.5
0.5
500
DC
最大
V
CC
=
2.5V-5.5V
100
0
200
200
0.5
0.5
200
10
0.25
0.25
0.25
0.25
1000
最大
V
CC
=
4.5V-5.5V
50
0
100
100
0.25
0.25
100
10
最大
单位
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ms
s
s
s
s
千赫
注意:
( 1 )地址位A8为256x8 ORG和A7为128x16 ORG是& QUOT ;无所谓& QUOT ;位,但必须保持在任一& QUOT ; 1 & QUOT ;或& QUOT ; 0 & QUOT ;为READ,WRITE
和擦除命令。
( 2 )此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
3
文档。 1088号,第
CAT93C56/57
上电时序
(1)(2)
符号
t
PUR
t
PUW
参数
上电到读操作
上电到写操作
最大
1
1
单位
ms
ms
交流测试条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
时序参考电压
输入脉冲电压
时序参考电压
50ns
0.4V至2.4V
0.8V, 2.0V
0.2V
CC
到0.7V
CC
0.5V
CC
4.5V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
4.5V
1.8V
V
CC
4.5V
注意:
( 1 )此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
(2) t
PUR
和T
PUW
是从时间V所需的延迟
CC
是稳定的,直到指定的操作可以启动。
( 3 )输入电平和时序参考点显示在“AC测试条件”表中。
设备操作
该CAT93C56 / 57是一个2048位的非易失性存储器
旨在与行业标准microproces-使用
感器。该CAT93C56 / 57可组成任意
的16位或8位寄存器。当组织为X16 ,
为93C57 7的10位的指令; 7 11位
为93C56控制读,写说明和
擦除装置的操作。当组织为X8 ,
为93C57 7的11位的指令; 7 12位IN-
structions为93C56控制的读,写,
擦除装置的操作。该CAT93C56 / 57
工作在单电源供电,并会产生
在芯片上,在任何写操作所需的高电压
操作。
指令,地址和写数据移入
DI引脚上的时钟( SK )的上升沿。在DO
针通常处于高阻抗状态时除外
从设备中读取数据,或检查时,
在写操作后准备/繁忙状态。
就绪/忙碌状态可以启动后确定
通过选择设备的写操作( CS高)
和查询DO管脚; DO低指示
写操作未完成,而做高indi-
凯茨,该装置已准备好进行下一条指令。如果
必要时, DO引脚可以被放回高
通过移动一个虚拟的阻抗芯片中的状态选择
“ 1 ”进入DI引脚。 DO引脚将进入高
阻抗上的时钟(SK)的下降沿状态。
把DO引脚进入高阻状态
推荐的应用中的DI引脚和
4
DO引脚都被捆扎在一起,以形成共同的DI / DO
引脚。
发送到设备的所有指令的格式是一个
逻辑"1"起始位,2-位(或4位)操作码, 7位地址
( 93C57 ) / 8位地址( 93C56 ) (额外的位时
组织X8)和用于写入操作的16位数据字段
(8位为X8的组织)。
一旦接收到一个READ命令和地址
(移入DI引脚) ,该CAT93C56的DO引脚/
57会出来的高阻抗状态,后
发送一个初始虚拟零位,将开始移出
数据处理( MSB在前) 。的输出数据位将
切换上SK时钟的上升沿和稳定
在指定的时间延迟(T后
PD0
或T
PD1
).
后接收到写命令,地址和
数据显示, CS (片选)引脚必须被取消了
最小的t
CSMIN
。 CS的下降沿将启动
存储器的自同步清晰和数据存储周期
在指令中指定的位置。的计时
SK针是没有必要的器件已经进入了
自时钟模式。的就绪/忙碌状态
CAT93C56 / 57可以通过选择装置来确定
和查询DO管脚。由于该器件具有自动 -
清除前写的,这是没有必要擦除
内存位置之前被写入。
文档。 1088号,第
CAT93C56/57
图1. Sychronous数据时序
tSKHI
SK
TDI发动机
DI
TCSS
CS
TDI发动机
DO
tPD0,tPD1
数据有效
tCSMIN
有效
有效
tDIH
tSKLOW
TCSH
图2.读指令时序
SK
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
CS
不关心
AN
DI
1
1
0
AN–1
A0
DO
高-Z
哑0
D15 . . . D0
or
D7 . . . D0
地址+ 1
D15 . . . D0
or
D 7 . . . D0
地址+ 2
D15 . . . D0
or
D 7 . . . D0
地址+ N
D15 . . .
or
D7 . . .
图3.写指令时序
SK
tCSMIN
CS
AN
DI
1
0
1
TSV
DO
高-Z
TEW
准备
高-Z
太赫兹
AN-1
A0
DN
D0
状态
VERIFY
待机
5
文档。 1088号,第
CAT93C56 , CAT93C57
2 - KB Microwire串行
CMOS EEPROM
描述
该CAT93C56 / 57是2 KB的CMOS串行EEPROM装置
被组织为任一寄存器128的16位( ORG引脚在V
CC
)或256
8位( ORG引脚为GND)的寄存器。每个寄存器可以写入(或
读)连续使用DI (或DO )引脚。该CAT93C56 / 57功能
连续读取和自定时自动清零内部写。片上
上电复位电路,防止供电的内在逻辑
在错误的状态。
特点
http://onsemi.com
SOIC8
V或W后缀
CASE 751BD
SOIC - 8 EIAJ
X后缀
CASE 751BE
TDFN8
VP2后缀
CASE 511AK
高速运行: 2兆赫
1.8 V至5.5 V电源电压范围
可选x8或x16内存组织
顺序读取
软件写保护
上电时不会放电写保护
低功耗CMOS技术
百万编程/擦除周期
百年数据保留
工业和扩展温度范围
8引脚PDIP , SOIC , TSSOP和8焊盘TDFN封装
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
V
CC
PDIP8
L结尾
CASE 646AA
TDFN8
ZD4后缀
CASE 511AL
TSSOP8
后缀
CASE 948AL
销刀豆网络gurations
CS
SK
DI
DO
1
V
CC
NC
ORG
GND
PDIP (L) ,SOIC ( V,X ) ,
TSSOP ( Y) , TDFN ( VP2 , ZD4 * )
NC
V
CC
CS
SK
1
ORG
GND
DO
DI
* TDFN 3×3毫米( ZD4 )和
SOIC ( W)旋转引出线
套票
CAT93C57和CAT93C56 ,
只有修订版E(不recommen-
DED用于新设计
CAT93C56)
ORG
CS
SK
DI
CAT93C56
CAT93C57
DO
SOIC ( W * )
(俯视图)
引脚功能
引脚名称
功能
芯片选择
时钟输入
串行数据输入
串行数据输出
电源
存储器组织
无连接
CS
SK
DI
DO
V
CC
GND
ORG
NC
GND
图1.功能符号
注: ORG引脚连接到V
CC
,在x16组织的选择。
当它被连接到地,所述x8的销被选中。如果ORG引脚为
未连接,则内部上拉电阻会选择x16组织。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第16页。
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年8月
启18
1
出版订单号:
CAT93C56/D
CAT93C56 , CAT93C57
表1.绝对最大额定值
参数
储存温度
在相对于地面的任何引脚电压(注1 )
评级
65
+150
0.5
为+6.5
单位
°C
V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1.在任何引脚的直流输入电压应不低于
0.5
伏或高于V
CC
+ 0.5V的转换过程中,在任何引脚上的电压可能会
下冲,以不低于
1.5
V或超调量不超过V更
CC
+ 1.5伏,对于小于20毫微秒周期。
表2.可靠性的特点
(注2 )
符号
N
结束
(注3)
T
DR
耐力
数据保留
参数
1,000,000
100
单位
编程/擦除周期
岁月
2.这些参数,并初步设计或过程的变化影响,根据相应的AEC -Q100标准的参数进行测试后,
和JEDEC测试方法。
3块模式,V
CC
= 5 V ,25°C
表3.直流工作特性, CAT93C56 ,模具启摹 - 新产品
(V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ,T
A
= -40 ° C至+ 125°C ,除非另有说明。 )
符号
I
CC1
I
CC2
I
SB1
参数
电源
电流(写)
电源
电流(读)
电源
电流(待机)
( x8模式)
电源
电流(待机)
( x16模式)
输入漏
当前
输出漏
当前
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
测试条件
f
SK
= 1兆赫,V
CC
= 5.0 V
f
SK
= 1兆赫,V
CC
= 5.0 V
V
IN
= GND或V
CC
,
CS = GND ORG = GND
V
IN
= GND或V
CC
, CS =
GND ORG =浮动或V
CC
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
,
CS = GND
4.5 V
v
V
CC
& LT ; 5.5 V
4.5 V
v
V
CC
& LT ; 5.5 V
1.8 V
v
V
CC
& LT ; 4.5 V
1.8 V
v
V
CC
& LT ; 4.5 V
4.5 V
v
V
CC
< 5.5 V ,
I
OL
= 2.1毫安
4.5 V
v
V
CC
< 5.5 V ,
I
OH
=
400
mA
1.8 V
v
V
CC
< 4.5 V ,
I
OL
= 1毫安
1.8 V
v
V
CC
< 4.5 V ,
I
OH
=
100
mA
V
CC
0.2
2.4
0.2
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 125°C
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 125°C
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 125°C
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 125°C
0.1
2
0
V
CC
x 0.7
最大
1
500
2
4
1
2
1
2
1
2
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.2
V
CC
+ 1
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
单位
mA
mA
mA
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IL1
V
IH1
V
IL2
V
IH2
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
http://onsemi.com
2
CAT93C56 , CAT93C57
表4.直流工作特性, CAT93C56 / 57 ,模具英文内容 - 成熟的产品( CAT93C56 ,英文内容 -
不推荐用于新设计)
(V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ,T
A
= -40 ° C至+ 125°C ,除非另有说明。 )
符号
I
CC1
I
CC2
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IL1
V
IH1
V
IL2
V
IH2
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
参数
电源电流(写)
电源电流(读)
电源电流(待机)
( x8模式)
电源电流(待机)
( x16模式)
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
测试条件
f
SK
= 1兆赫,V
CC
= 5.0 V
f
SK
= 1兆赫,V
CC
= 5.0 V
V
IN
= GND或V
CC
, CS = GND
ORG = GND
V
IN
= GND或V
CC
, CS = GND
ORG =浮动或V
CC
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
, CS = GND
4.5 V
v
V
CC
& LT ; 5.5 V
4.5 V
v
V
CC
& LT ; 5.5 V
1.8 V
v
V
CC
& LT ; 4.5 V
1.8 V
v
V
CC
& LT ; 4.5 V
4.5 V
v
V
CC
< 5.5 V,I
OL
= 2.1毫安
4.5 V
v
V
CC
< 5.5 V,I
OH
=
400
mA
1.8 V
v
V
CC
< 4.5 V,I
OL
= 1毫安
1.8 V
v
V
CC
< 4.5 V,I
OH
=
100
mA
V
CC
0.2
2.4
0.2
0.1
2
0
V
CC
x 0.7
最大
3
500
10
10
1
1
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.2
V
CC
+ 1
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
表5.引脚电容
(T
A
= 25 ° C,F = 1兆赫,V
CC
= 5 V)
符号
C
OUT
(注4 )
C
IN
(注4 )
TEST
输出电容( DO)的
输入电容( CS , SK , DI , ORG )
条件
V
OUT
= 0 V
V
IN
= 0 V
典型值
最大
5
5
单位
pF
pF
4.这些参数,并初步设计或过程的变化影响,根据相应的AEC -Q100标准的参数进行测试后,
和JEDEC测试方法。
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3
CAT93C56 , CAT93C57
表6.交流特征
(注5 )
, CAT93C56 ,模具启摹 - 新产品
(V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ,T
A
=
40°C
至+ 125°C ,除非另有规定编)
范围
符号
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ
(注6 )
t
EW
t
CSMIN
t
SKHI
t
SKLOW
t
SV
SK
最大
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
编程/擦除脉冲宽度
最低CS低电平时间
最低SK高时间
最低SK低电平时间
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
DC
0.25
0.25
0.25
0.25
2000
参数
50
0
100
100
0.25
0.25
100
5
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ns
ms
ms
ms
ms
ms
千赫
表7.交流特性
(注5 )
, CAT93C56 / 57 ,模具英文内容 - 成熟的产品
( CAT93C56英文内容
不推荐用于新设计)
范围
V
CC
= 1.8 V
5.5 V
符号
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ
(注6 )
t
EW
t
CSMIN
t
SKHI
t
SKLOW
t
SV
SK
最大
参数
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
编程/擦除脉冲宽度
最低CS低电平时间
最低SK高时间
最低SK低电平时间
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
DC
1
1
1
1
250
DC
200
0
400
400
1
1
400
10
0.5
0.5
0.5
0.5
500
DC
最大
V
CC
= 2.5 V
5.5 V
100
0
200
200
0.5
0.5
200
10
0.25
0.25
0.25
0.25
1000
最大
V
CC
= 4.5 V
5.5 V
50
0
100
100
0.25
0.25
100
10
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ns
ms
ms
ms
ms
ms
千赫
表8.上电时序
(注6及7 )
符号
t
PUR
t
PUW
上电到读操作
上电到写操作
参数
最大
1
1
单位
ms
ms
根据“ A.C。 5试验条件测试条件“表中。
6.这些参数,并初步设计或过程的变化,根据相应的影响参数进行测试后,
AEC -Q100和JEDEC测试方法。
7. t
PUR
和T
PUW
是从时间V所需的延迟
CC
是稳定的,直到指定的操作可以启动。
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4
CAT93C56 , CAT93C57
表9.交流测试条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
时序参考电压
输入脉冲电压
时序参考电压
输出负载
50纳秒
0.4 V至2.4 V
0.8 V, 2.0 V
0.2 V
CC
0.7 V
CC
0.5 V
CC
4.5 V
v
V
CC
v
5.5 V
4.5 V
v
V
CC
v
5.5 V
1.8 V
v
V
CC
v
4.5 V
1.8 V
v
V
CC
v
4.5 V
电流源I
OLmax
/I
OHMAX
; CL = 100 pF的
设备操作
该CAT93C56 / 57是一个2048位的非易失性存储器
旨在与业界标准的微处理器使用。
该CAT93C56 / 57可组成16任寄存器
位或8位。当组织为X16 , 7 10位
为93C57说明或7的11位的指令
93C56控制的读,写和擦除操作
该设备。当组织为X8 , 7 11 - bit指令
为93C56控制93C57或7 12 - bit指令
读,写,擦除设备的操作。该
CAT93C56 / 57工作在单电源供电和意志
在芯片上产生,在任何写操作所需的高电压
操作。
指令,地址和写入的数据读入
DI引脚上的时钟( SK )的上升沿。 DO引脚为
通常在高阻抗状态,在读取数据时,除了
从设备上,或检查时,就绪/忙状态
在写操作后。串行通信协议
遵循图2所示的时序。
就绪/忙碌状态可开始后确定
内部写周期,通过选择器( CS高点)和
查询DO管脚; DO低表明写
操作未完成,而溶解氧高表示该
设备准备好接收下一个指令。如果有必要,在DO
销可以放回到高阻抗状态中
芯片通过移动一个虚拟的“ 1 ”进入DI引脚选择。在DO
销将进入上的上升沿为高阻抗状态
时钟(SK) 。把DO引脚进入高阻
状态,建议在应用中的DI引脚和
DO引脚都被捆绑在一起,形成一个共同的DI / O
引脚。
t
SKHI
SK
t
DIS
DI
t
CSS
CS
有效
t
SKLOW
t
CSH
t
DIH
有效
t
DIS
DO
t
PD0
, t
PD1
数据有效
t
CSMN
图2.同步数据时序
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