CAT660
百毫安CMOS电荷泵逆变器/倍增
特点
s
替换MAX660和LTC660
s
转换V +为V形或V + 2V至+
s
低输出阻抗， 4
典型
s
高功率EF网络效率
s
可选的电荷泵频率
s
低静态电流
H
根
FR
ALO
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
s
引脚兼容，高电流的替代
7660/1044
s
工业温度范围
s
提供8引脚SOIC和DIP封装
- 为10kHz或80kHz的
- 优化电容的大小
- 无铅，无卤素封装选项
应用
s
负电压发生器
s
倍压
s
电压分配器
s
低EMI电源
s
砷化镓场效应管偏置
s
锂电池供电
s
仪器仪表
s
LCD对比度偏置
s
蜂窝式电话，寻呼机
描述
该CAT660是电荷泵电压转换器。它会
反转一个1.5V至5.5V输入到-1.5V至-5.5V输出。只
需要两个外部电容器。有保证
100mA输出电流能力，在CAT660可以代替
开关调节器和它的电感器。低EMI是
由于没有电感器的实现。
此外， CAT660可以双击所供给的电压
从电池或电源。从2.5V至5.5V的输入
将产生一个翻番， 5V至11V的输出电压。
频率控制引脚（ BOOST / FC）提供给
选择高（ 80kHz时）或低（ 10kHz时）内部
振荡器的频率，从而使静态电流与
要作出电容的大小取舍。在80kHz的
频率被选择时，对FC引脚连接到
V + 。的工作频率也可以与调节
一个外部电容器在OSC引脚或通过驱动OSC
与外部时钟。
8引脚DIP和SOIC封装，可在
工业级温度范围。
该CAT660替代MAX660和LTC660 。
此外， CAT660的管脚与7660兼容/
1044 ，与应用程序提供了一个简单的升级
百毫安负荷。
典型用途
VIN +
1.5V至5.5V
1
BOOST / FC
C1
+
V+
OSC
LV
OUT
8
7
6
5
倒
负
产量
电压
C1
+
1
BOOST / FC
2
CAP +
CAT660
V+
OSC
LV
OUT
8
7
6
5
倍增
积极
产量
电压
2
CAP +
3
GND
4
CAP-
CAT660
3
GND
4
CAP-
VIN = 2.5V至5.5V
高压变频器
积极
倍压
Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。编号MD -5000 ，修订版W
CAT660
绝对最大额定值
V +至GND ............................................... .............. 6V
存储温度......................... -65℃ 160℃
输入电压（引脚1,6和7 ） .. -0.3V到（V + + 0.3V ）
BOOST / FC和OSC输入电压...........最低
负（输出 - 0.3V ）或（ V + - 6V ）至（v + + 0.3V ）
输出短路持续时间为GND .............. 1秒。
（ OUT可以在不损坏接地短路1秒，但
短路输出到V + ，应该避免。 ）
引线焊接温度（ 10秒） ............. 300℃
注：t
A
=环境温度
这些仅仅是极限参数和功能操作不
暗示。暴露于prolongued绝对最大额定值
时间会影响器件的可靠性。所有的电压都是
相对于地面。
工作环境温度范围
CAT660E .............. -40 ° C至85°C
连续功率耗散（T
A
= 70°C)
塑料DIP ................................................ 730mW
SOIC ................................................. 500mW的........
TDFN ................................................. .............. 1W
电气特性
V + = 5V ， C1 = C2 = 150μF ，升压/ FC =打开，C
OSC
= 0pF ，换流器模式与测试电路，如图1 ，除非
另有说明。温度是在工作环境温度范围内，除非另有说明。
参数
电源电压
电源电流
输出电流
输出电阻
符号
VS
IS
IOUT
RO
条件
变频器： LV =打开。
L
= 1k
变频器： LV = GND 。
L
= 1k
倍增： LV = OUT 。
L
= 1k
BOOST / FC =开放， LV =打开
BOOST / FC = V + ， LV =打开
OUT比-4V负
I
L
= 100mA时C1 = C2 = 150
F
（注2 ）
BOOST / FC = V + （ C1 ， C2的ESR
≤
0.5)
I
L
= 100mA时C1 = C2 = 10
F
振荡器频率FOSC
（注3）
OSC输入电流
功率英法fi效率
IOSC
PE
BOOST / FC =打开
BOOST / FC = V +
BOOST / FC =打开
BOOST / FC = V +
R
L
= 1kΩ的连接在V +和
出，T
A
= 25
°
C（倍增）
R
L
= 500Ω连接GND之间
出，T
A
= 25
°
C（逆变器）
I
L
= 100mA至GND ，T
A
= 25
°
C（逆变器）
电压转换
效率
注意： 1。在图1中，测试电路的电容C1和C2是150μF ，具有0.2Ω最大ESR 。高ESR水平可能会降低效率和产出
电压。
注2.输出电阻是内部开关电阻和外部电容器的ESR的组合。为了获得最大的电压和效率
保持在0.2Ω外部电容的ESR 。
注3. FOSC是用C测试
OSC
= 100pF电容，以减少测试夹具装。该测试相关回来到C
OSC
= 0pF模拟电容
在OSC当该装置被插入到一个测试插座不带外部C
OSC
.
民
3.0
1.5
2.5
典型值
最大
5.5
5.5
5.5
单位
V
0.09
0.3
100
4
0.5
3
mA
mA
7
12
5
40
10
80
±1
±5
千赫
A
%
96
92
98
96
88
VEFF
无负载，T
A
= 25
°
C
99
99.9
%
3
文档。编号MD -5000 ，修订版W
CAT660
图1.测试电路
V+
1
2
+
C1
150F
BOOST / FC
CAP +
GND
CAP-
V+
OSC
LV
OUT
8
7
6
5
IS
V+
5V
外
振荡器
COSC
RL
IL
VOUT
3
4
CAT660
高压变频器
C2
+ 150F
典型工作特性
使用测试电路在图1中逆变器的试验条件中产生的典型特性曲线： V + = 5V ，LV的
= GND ，升压/ FC =开放和T
A
= 25℃ ，除非另有说明。需要注意的是电荷泵频率为单
一半的振荡器频率。
电源电流与输入电压
150
电源电流与温度的关系（空载）
120
VIN = 5V
输入电流[A] 。
120
90
60
30
0
1
2
3
4
5
输入电压[V]的
6
空载
输入电流[ A]
100
80
60
40
20
0
-50 -25
VIN = 3V
VIN = 2V
0
25
50
75
100 125
输出电阻与输入电压
输出阻抗[ ] 。
10
8
6
4
2
0
1
2
3
4
5
输入电压[V]的
6
输出电阻与温度（ 50
负载）
8
7
6
100
负载
VIN = 2V
5
VIN = 3V
4
3
2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
VIN = 5V
文档。编号MD -5000 ，修订版W
4
CAT660
百毫安CMOS电荷泵
逆变器/倍增
描述
该CAT660是电荷泵电压转换器。它将一个反转
1.5 V至5.5 V输入到
1.5
V到
5.5
V输出。只有两个外部
需要电容。有保证100 mA的输出电流
能力，该CAT660可以取代开关稳压器和其
电感器。降低EMI是由于没有电感器的实现。
此外， CAT660可以增加一倍，从一个供给的电压
电池或电源。投入2.5 V至5.5 V将产生
增加了一倍， 5 V至11 V的输出电压。
频率控制引脚（ BOOST / FC ）以选择一个
高（ 80千赫）或低（ 10 kHz）的内部振荡器频率，从而
使静态电流与电容的大小权衡作出。
在80 kHz的频率时选择FC引脚连接到V + 。
的工作频率，也可以用外部调整
电容在OSC引脚或通过驱动OSC与一个外部时钟。
8引脚DIP和SOIC封装，可在工业
温度范围。
该CAT660替代MAX660和LTC660 。此外，
该CAT660引脚与一千零四十四分之七千六百六十〇兼容，提供了一个简单的
升级为接受100mA负载的应用。
特点
http://onsemi.com
SOIC8
V后缀
CASE 751BD
PDIP8
L结尾
CASE 646AA
引脚配置
BOOST / FC
CAP +
GND
CAP-
（ TOP VIEW ）
1
V+
OSC
LV
OUT
替换MAX660和LTC660
转换V +为V形或V + 2V至+
低输出阻抗， 4
W
典型
高功率EF网络效率
可选的电荷泵频率
10千赫或80千赫
优化电容的大小
低静态电流
引脚兼容，高电流替代一千○四十四分之七千六百六十〇
工业温度范围
提供8引脚SOIC和DIP封装
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
负电压发生器
倍压
电压分配器
低EMI电源
砷化镓场效应管偏置
锂电池供电
仪器仪表
LCD对比度偏置
蜂窝式电话，寻呼机
1
标记DIAGRAMS
660ELA
660EVA
660ELA = CAT660ELA
660EVA = CAT660EVA或
660EVA =
CAT660EVAT3
订购信息
设备
CAT660ELA
CAT660EVA
CAT660EVAT3
包
PDIP8
（无铅）
SOIC8
（无铅）
SOIC8
（无铅）
航运
50 /管
100 /管
3,000 /
磁带&卷轴
应用
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年5月
启示录24
出版订单号：
CAT660/D
CAT660
典型用途
+V
IN
1.5 V至5.5 V
1
2
C1 +
1
mF
to
150
mF
3
4
BOOST / FC
CAP +
GND
CAP-
CAT660
V+
OSC
LV
OUT
8
7
6
5
C2
倒
负
电压
产量
1
mF
to
150
mF
1
mF
to
150
mF
C1
1
+
2
3
4
BOOST / FC
CAP +
GND
CAP-
CAT660
V+
OSC
LV
OUT
8
7
6
5
倍增
积极
电压
C2输出
1
mF
to
150
mF
V
IN
= 2.5 V
至5.5 V
图1.电压型逆变器
表1.引脚说明
图2.正电压倍增
电路CON组fi guration
引脚数
1
名字
BOOST / FC
逆变器方式
变频调速器的内部振荡器。与外部
振荡升压/ FC没有任何影响。
BOOST / FC
开放
V+
2
3
4
5
6
CAP +
GND
CAP-
OUT
LV
振荡器频率
10 kHz的典型， 5千赫最低
80 kHz的典型， 40千赫最低
一样的逆变器。
电源。正电压输入。
一样的逆变器。
电源接地。
LV ，必须依赖于对所有的输入
电压。
DOUBLER模式
一样的逆变器。
电荷泵电容。正极。
电源接地。
电荷泵电容。负极。
输出负电压。
低电压选择引脚。当输入电压小于
超过3 V ， LV连接到GND 。当输入电压高于3 V ，
LV可以连接到GND或悬空。如果OSC驱动
外， LV连接到GND 。
振荡器控制输入。一个外部电容即可连接
泰德降低振荡器的频率。外部振荡器
可以驱动OSC并设置芯片的工作频率。该
电荷泵频率一半的频率OSC 。
电源。正电压输入。
7
OSC
一样的逆变器。不要超速OSC
在加倍模式。标准逻辑电平
将不适合的。请参阅应用
一节以获取更多信息。
正电压输出。
8
V+
http://onsemi.com
2
CAT660
表2.绝对最大额定值
参数
V +至GND
输入电压（引脚1,6和7 ）
BOOST / FC和OSC输入电压
输出短路持续时间到GND
（ OUT可以在不损失，但短路接地短路1秒
到V应避免+ ）。
连续功率耗散（T
A
= 70°C)
塑料DIP
SOIC
TDFN
储存温度
引线焊接温度（ 10秒）
工作环境温度范围
评级
6
0.3
到（V + + 0.3 ）
最小负（出
0.3 V）或
(V+
6 V）至（ V + + 0.3V）
1
单位
V
V
V
美国证券交易委员会。
730
500
1
65
到+160
300
40
+85
mW
mW
W
°C
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
注：t
A
=环境温度
表3.电气特性
（V + = 5 V ， C1 = C2 = 150
MF，
升压/ FC =打开，C
OSC
= 0 pF的，逆变器模式下测试
如图3 ，除非另有说明电路。温度超过工作环境温度范围内，除非另有说明。 ）
参数
电源电压
符号
VS
条件
变频器： LV =开放，R
L
= 1千瓦
变频器： LV = GND ，R
L
= 1千瓦
倍增： LV = OUT ，R
L
= 1千瓦
电源电流
IS
BOOST / FC =开放， LV =打开
BOOST / FC = V + ， LV =打开
输出电流
输出电阻
IOUT
RO
OUT比负
4
V
I
L
= 100毫安， C1 = C2 = 150
mF
（注2 ）
BOOST / FC = V + （ C1 ， C2的ESR
≤
0.5
W)
I
L
= 100毫安， C1 = C2 = 10
mF
振荡器频率
（注3）
OSC输入
当前
功率英法fi效率
FOSC
BOOST / FC =打开
BOOST / FC = V +
IOSC
PE
BOOST / FC =打开
BOOST / FC = V +
R
L
= 1千瓦连接在V +和OUT ，
T
A
= 25 ° C（倍增）
R
L
= 500
W
连接GND和OUT之间，
T
A
= 25 ° C（逆变器）
I
L
= 100 mA至GND ，T
A
= 25 ° C（逆变器）
电压转换
效率
VEFF
无负载，T
A
= 25°C
99
96
92
5
40
10
80
±1
±5
98
96
88
99.9
%
mA
%
100
4
7
12
千赫
民
3.0
1.5
2.5
0.09
0.3
典型值
最大
5.5
5.5
5.5
0.5
3
mA
W
mA
单位
V
1.在图3中，测试电路的电容器C1和C2是150
mF
并拥有0.2
W
最大ESR 。高ESR水平可能会降低效率和产出
电压。
2.输出电阻是内部开关电阻和外部电容器的ESR的组合。为了获得最大的电压和效率
经常0.2外接电容的ESR
W.
3. FOSC是用C测试
OSC
= 100 pF的，以尽量减少测试夹具装。该测试相关回来到C
OSC
= 0 pF到模拟的电容
在OSC当该装置被插入到一个测试插座不带外部C
OSC
.
http://onsemi.com
3
CAT660
高压变频器
CAT660
V
+
1
2
+
C
1
150
mF
3
4
BOOST / FC
CAP +
GND
CAP-
V+
OSC
LV
OUT
8
7
6
5
C2
150
mF
I
S
V
+
5V
外
振荡器
C
OSC
R
L
I
L
V
OUT
+
图3.测试电路
（正在使用的测试电路如图中产生的典型特性曲线3，逆变器的测试条件为： V + = 5 V ， LV = GND ，升压/ FC
=开放和T
A
= 25°C ，除非另有说明。注意，该电荷泵频率为二分之一的振荡频率）。
150
120
90
空载
60
30
0
120
100
输入电流（mA ）
80
60
40
20
0
50
VIN = 5 V
典型工作特性
输入电流（A ）
VIN = 3V
VIN = 2 V
1
2
3
4
5
6
25
0
25
50
75
100
125
输入电压（ V）
温度（℃）
图4.电源电流与输入电压
10
输出阻抗（ W）
8
6
100
W
负载
4
2
0
输出阻抗（ W）
8
7
6
5
4
3
2
50
图5.电源电流与温度的关系
（无负载）
VIN = 2 V
VIN = 3V
VIN = 5 V
1
2
3
4
5
6
25
0
25
50
75
100
125
输入电压（ V）
温度（℃）
图6.输出电阻与输入电压
图7.输出电阻与温度的关系
(50
W
负载）
http://onsemi.com
4
CAT660
百毫安CMOS电荷泵逆变器/倍增
特点
s
替换MAX660和LTC660
s
转换V +为V形或V + 2V至+
s
低输出阻抗， 4
典型
s
高功率EF网络效率
s
可选的电荷泵频率
s
低静态电流
H
根
FR
ALO
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
s
引脚兼容，高电流的替代
7660/1044
s
工业温度范围
s
提供8引脚SOIC和DIP封装
- 为10kHz或80kHz的
- 优化电容的大小
- 无铅，无卤素封装选项
应用
s
负电压发生器
s
倍压
s
电压分配器
s
低EMI电源
s
砷化镓场效应管偏置
s
锂电池供电
s
仪器仪表
s
LCD对比度偏置
s
蜂窝式电话，寻呼机
描述
该CAT660是电荷泵电压转换器。它会
反转一个1.5V至5.5V输入到-1.5V至-5.5V输出。只
需要两个外部电容器。有保证
100mA输出电流能力，在CAT660可以代替
开关调节器和它的电感器。低EMI是
由于没有电感器的实现。
此外， CAT660可以双击所供给的电压
从电池或电源。从2.5V至5.5V的输入
将产生一个翻番， 5V至11V的输出电压。
频率控制引脚（ BOOST / FC）提供给
选择高（ 80kHz时）或低（ 10kHz时）内部
振荡器的频率，从而使静态电流与
要作出电容的大小取舍。在80kHz的
频率被选择时，对FC引脚连接到
V + 。的工作频率也可以与调节
一个外部电容器在OSC引脚或通过驱动OSC
与外部时钟。
8引脚DIP和SOIC封装，可在
工业级温度范围。
该CAT660替代MAX660和LTC660 。
此外， CAT660的管脚与7660兼容/
1044 ，与应用程序提供了一个简单的升级
百毫安负荷。
典型用途
VIN +
1.5V至5.5V
1
BOOST / FC
C1
+
V+
OSC
LV
OUT
8
7
6
5
倒
负
产量
电压
C1
+
1
BOOST / FC
2
CAP +
CAT660
V+
OSC
LV
OUT
8
7
6
5
倍增
积极
产量
电压
2
CAP +
3
GND
4
CAP-
CAT660
3
GND
4
CAP-
VIN = 2.5V至5.5V
高压变频器
积极
倍压
2008 SCILLC 。版权所有。
特性如有变更，恕不另行通知。
1
文档。编号MD -5000 ，修订版X
CAT660
绝对最大额定值
V +至GND ............................................... .............. 6V
存储温度......................... -65℃ 160℃
输入电压（引脚1,6和7 ） .. -0.3V到（V + + 0.3V ）
BOOST / FC和OSC输入电压...........最低
负（输出 - 0.3V ）或（ V + - 6V ）至（v + + 0.3V ）
输出短路持续时间为GND .............. 1秒。
（ OUT可以在不损坏接地短路1秒，但
短路输出到V + ，应该避免。 ）
引线焊接温度（ 10秒） ............. 300℃
注：t
A
=环境温度
这些仅仅是极限参数和功能操作不
暗示。暴露于prolongued绝对最大额定值
时间会影响器件的可靠性。所有的电压都是
相对于地面。
工作环境温度范围
CAT660E .............. -40 ° C至85°C
连续功率耗散（T
A
= 70°C)
塑料DIP ................................................ 730mW
SOIC ................................................. 500mW的........
TDFN ................................................. .............. 1W
电气特性
V + = 5V ， C1 = C2 = 150μF ，升压/ FC =打开，C
OSC
= 0pF ，换流器模式与测试电路，如图1 ，除非
另有说明。温度是在工作环境温度范围内，除非另有说明。
参数
电源电压
电源电流
输出电流
输出电阻
符号
VS
IS
IOUT
RO
条件
变频器： LV =打开。
L
= 1k
变频器： LV = GND 。
L
= 1k
倍增： LV = OUT 。
L
= 1k
BOOST / FC =开放， LV =打开
BOOST / FC = V + ， LV =打开
OUT比-4V负
I
L
= 100mA时C1 = C2 = 150
F
（注2 ）
BOOST / FC = V + （ C1 ， C2的ESR
≤
0.5)
I
L
= 100mA时C1 = C2 = 10
F
振荡器频率FOSC
（注3）
OSC输入电流
功率英法fi效率
IOSC
PE
BOOST / FC =打开
BOOST / FC = V +
BOOST / FC =打开
BOOST / FC = V +
R
L
= 1kΩ的连接在V +和
出，T
A
= 25
°
C（倍增）
R
L
= 500Ω连接GND之间
出，T
A
= 25
°
C（逆变器）
I
L
= 100mA至GND ，T
A
= 25
°
C（逆变器）
电压转换
效率
注意： 1。在图1中，测试电路的电容C1和C2是150μF ，具有0.2Ω最大ESR 。高ESR水平可能会降低效率和产出
电压。
注2.输出电阻是内部开关电阻和外部电容器的ESR的组合。为了获得最大的电压和效率
保持在0.2Ω外部电容的ESR 。
注3. FOSC是用C测试
OSC
= 100pF电容，以减少测试夹具装。该测试相关回来到C
OSC
= 0pF模拟电容
在OSC当该装置被插入到一个测试插座不带外部C
OSC
.
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特性如有变更，恕不另行通知。
民
3.0
1.5
2.5
典型值
最大
5.5
5.5
5.5
单位
V
0.09
0.3
100
4
0.5
3
mA
mA
7
12
5
40
10
80
±1
±5
千赫
A
%
96
92
98
96
88
VEFF
无负载，T
A
= 25
°
C
99
99.9
%
3
文档。编号MD -5000 ，修订版X
CAT660
图1.测试电路
V+
1
2
+
C1
150F
BOOST / FC
CAP +
GND
CAP-
V+
OSC
LV
OUT
8
7
6
5
IS
V+
5V
外
振荡器
COSC
RL
IL
VOUT
3
4
CAT660
高压变频器
C2
+ 150F
典型工作特性
使用测试电路在图1中逆变器的试验条件中产生的典型特性曲线： V + = 5V ，LV的
= GND ，升压/ FC =开放和T
A
= 25℃ ，除非另有说明。需要注意的是电荷泵频率为单
一半的振荡器频率。
电源电流与输入电压
150
电源电流与温度的关系（空载）
120
VIN = 5V
输入电流[A] 。
120
90
60
30
0
1
2
3
4
5
输入电压[V]的
6
空载
输入电流[ A]
100
80
60
40
20
0
-50 -25
VIN = 3V
VIN = 2V
0
25
50
75
100 125
输出电阻与输入电压
输出阻抗[ ] 。
10
8
6
4
2
0
1
2
3
4
5
输入电压[V]的
6
输出电阻与温度（ 50
负载）
8
7
6
100
负载
VIN = 2V
5
VIN = 3V
4
3
2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
VIN = 5V
文档。编号MD -5000 ，修订版X
4
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