CAT64LC10/20/40
1K / 2K / 4K位SPI串行EEPROM
特点
s
SPI总线兼容
s
低功耗CMOS技术
s
2.5V至6.0V的操作
s
自定时写周期自动清零
s
硬件复位引脚
s
硬件和软件写保护
H
LOGEN
FR
A
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
s
商用，工业和汽车
温度范围
s
上电时疏忽造成的写保护
s
RDY / BSY引脚进行写操作结束的迹象
BSY
s
百万编程/擦除周期
s
百年数据保留
描述
该CAT64LC10 / 20/ 40是一个1K / 2K / 4K位串行EEPROM
这是由16位配置为64/128/256寄存器。
每个寄存器可以写入（或读）连续使用
在DI （或DO ）引脚。该CAT64LC10 / 20/ 40
利用Catalyst的先进的CMOS制造
引脚配置
DIP封装（P ， L）
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
RDY / BUSY
RESET
GND
引脚功能
引脚名称
CS
SK
DI
i
D
DO
V
CC
GND
RESET
RDY / BUSY
c
s
RESET
u
n
i
t
n
o
SOIC封装（J ， W）
1
2
3
4
8
7
6
5
GND
DO
DI
RDY / BUSY
VCC
CS
SK
RESET
EEPROM浮动门技术。它被设计成
忍受百万编程/擦除周期，并具有数据
保留100年。该器件采用8引脚
DIP ， SOIC和TSSOP封装。
d
e
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
RDY / BUSY
VCC
CS
SK
1
2
3
4
VCC
a
P
8
7
6
5
8
7
6
5
RESET
GND
DO
DI
s
t
r
TSSOP封装（U ， Y）
VCC
RDY / BUSY
RESET
GND
SOIC封装（S ，V ）
1
2
3
4
8
7
6
5
TSSOP封装（ UR ， YR ）
CS
SK
VCC
RDY / BUSY
RESET
GND
DI
DO
框图
GND
功能
芯片选择
时钟输入
串行数据输入
串行数据输出
+ 2.5V至+ 6.0V电源
地
DI
RESET
CS
DECODE MODE
逻辑
数据
注册
产量
卜FF器
存储阵列
64/128/256 x 16
地址
解码器
SK
时钟
发电机
DO
RDY / BUSY
READY / BUSY状态
64LC10 /四十零分之二十○ F02
2004 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 1021号，版本C
CAT64LC10/20/40
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(1)
............ -2.0V到+ V
CC
+2.0V
V
CC
相对于地面............... -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（ TA = 25℃） ................................... 1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(2)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(3)
T
DR(3)
V
ZAP(3)
I
LTH(3)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
1,000,000
100
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些压力额定值只和功能的操作
该设备在这些或那些之外的任何其他条件
在操作部分中列出的本规范不
暗示。暴露于任何绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的性能和
可靠性。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
基准测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
=6.0V)
符号
C
I/O(3)
C
IN(3)
TEST
输入/输出电容（ DO ， RDY / BSY ）
输入电容（ CS ， SK ， DI ， RESET ）
注意：
（1 ）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
（2）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
（ 3 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
i
D
文档。 1021号，版本C
c
s
u
n
i
t
n
o
d
e
马克斯。
8
6
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
a
P
单位
pF
pF
s
t
r
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
2
CAT64LC10/20/40
交流工作特性
V
CC
= + 2.5V至+ 6.0V ，除非另有规定。
范围
符号
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ(2)
t
CSMIN
t
SKHI
参数
CS
建立时间
CS
保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高交流阻抗
最低
CS
高时间
最低SK高时间
2.5V
4.5V–6.0V
t
SKLOW
最低SK低电平时间
2.5V
4.5V–6.0V
250
分钟。
100
100
200
200
典型值。
马克斯。
单位
ns
t
SV
f
SK
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
t
RESS
t
RESMIN
t
RESH
t
RC
RESET TO
CS
建立时间
最小复位高电平时间
复位准备保持时间
写恢复
上电时序
(1)(3)
符号
t
PUR
t
PUW
写周期LIMIITS
符号
t
WR
参数
项目周期
2.5V
4.5V–6.0V
分钟。
马克斯。
10
5
单位
ms
i
D
c
s
上电到读操作
u
n
i
t
n
o
2.5V
4.5V–6.0V
参数
d
e
400
1000
400
250
1000
0
250
0
100
分钟。
1000
a
P
300
500
500
300
s
t
r
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
千赫
ns
ns
ns
ns
马克斯。
10
1
单位
s
ms
上电到程序操作
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2 ）这个参数进行采样，但不是100 ％测试。
(3) t
PUR
和T
PUW
是从时间V所需的延迟
CC
是稳定的，直到指定的操作可以启动。
文档。 1021号，版本C
4
CAT64LC10/20/40
指令集
指令
读
64LC10
64LC20
64LC40
写
64LC10
64LC20
64LC40
写使能
写禁止
[写所有地点]
(1)
操作码
10101000
10101000
10101000
10100100
10100100
10100100
10100011
10100000
10100001
地址
A5 A4 A3 A2 A1 A0 0
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0
0
数据
D15 - D0
D15 - D0
D15 - D0
D15 - D0
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
A5 A4 A3 A2 A1 A0 0
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0
0
D15 - D0
D15 - D0
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
XXXXXXXX
XXXXXXXX
XXXXXXXX
图1.交流测试输入/输出波形
(2)(3(4)
(C
L
= 100 pF的）
VCC ×0.8
输入脉冲电平
VCC ×0.2
VCC ×0.7
注意：
（1）（收件所有地点）是一个测试模式操作，因此不包括在交流/直流操作规范。
（ 2 ）输入上升和下降时间（ 10 ％至90 ％ ） < 10纳秒。
（ 3 ）输入脉冲电平= V
CC
×0.2和V
CC
x 0.8.
（ 4 ）输入和输出时序参考= V
CC
×0.3和V
CC
x 0.7.
i
D
c
s
u
n
i
t
n
o
VCC ×0.3
d
e
参考点
a
P
D15–D0
s
t
r
5
文档。 1021号，版本C
CAT64LC10/20/40
1K / 2K / 4K位SPI串行EEPROM
特点
s
SPI总线兼容
s
低功耗CMOS技术
s
2.5V至6.0V的操作
s
自定时写周期自动清零
s
硬件复位引脚
s
硬件和软件写保护
H
LOGEN
FR
A
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
s
商用，工业和汽车
温度范围
s
上电时疏忽造成的写保护
s
RDY / BSY引脚进行写操作结束的迹象
BSY
s
百万编程/擦除周期
s
百年数据保留
描述
该CAT64LC10 / 20/ 40是一个1K / 2K / 4K位串行EEPROM
这是由16位配置为64/128/256寄存器。
每个寄存器可以写入（或读）连续使用
在DI （或DO ）引脚。该CAT64LC10 / 20/ 40
利用Catalyst的先进的CMOS制造
引脚配置
DIP封装（P ， L）
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
RDY / BUSY
RESET
GND
引脚功能
引脚名称
CS
SK
DI
i
D
DO
V
CC
GND
RESET
RDY / BUSY
c
s
RESET
u
n
i
t
n
o
SOIC封装（J ， W）
1
2
3
4
8
7
6
5
GND
DO
DI
RDY / BUSY
VCC
CS
SK
RESET
EEPROM浮动门技术。它被设计成
忍受百万编程/擦除周期，并具有数据
保留100年。该器件采用8引脚
DIP ， SOIC和TSSOP封装。
d
e
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
RDY / BUSY
VCC
CS
SK
1
2
3
4
VCC
a
P
8
7
6
5
8
7
6
5
RESET
GND
DO
DI
s
t
r
TSSOP封装（U ， Y）
VCC
RDY / BUSY
RESET
GND
SOIC封装（S ，V ）
1
2
3
4
8
7
6
5
TSSOP封装（ UR ， YR ）
CS
SK
VCC
RDY / BUSY
RESET
GND
DI
DO
框图
GND
功能
芯片选择
时钟输入
串行数据输入
串行数据输出
+ 2.5V至+ 6.0V电源
地
DI
RESET
CS
DECODE MODE
逻辑
数据
注册
产量
卜FF器
存储阵列
64/128/256 x 16
地址
解码器
SK
时钟
发电机
DO
RDY / BUSY
READY / BUSY状态
64LC10 /四十零分之二十○ F02
2004 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 1021号，版本C
CAT64LC10/20/40
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(1)
............ -2.0V到+ V
CC
+2.0V
V
CC
相对于地面............... -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（ TA = 25℃） ................................... 1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(2)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(3)
T
DR(3)
V
ZAP(3)
I
LTH(3)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
1,000,000
100
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些压力额定值只和功能的操作
该设备在这些或那些之外的任何其他条件
在操作部分中列出的本规范不
暗示。暴露于任何绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的性能和
可靠性。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
基准测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
=6.0V)
符号
C
I/O(3)
C
IN(3)
TEST
输入/输出电容（ DO ， RDY / BSY ）
输入电容（ CS ， SK ， DI ， RESET ）
注意：
（1 ）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
（2）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
（ 3 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
i
D
文档。 1021号，版本C
c
s
u
n
i
t
n
o
d
e
马克斯。
8
6
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
a
P
单位
pF
pF
s
t
r
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
2
CAT64LC10/20/40
交流工作特性
V
CC
= + 2.5V至+ 6.0V ，除非另有规定。
范围
符号
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ(2)
t
CSMIN
t
SKHI
参数
CS
建立时间
CS
保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高交流阻抗
最低
CS
高时间
最低SK高时间
2.5V
4.5V–6.0V
t
SKLOW
最低SK低电平时间
2.5V
4.5V–6.0V
250
分钟。
100
100
200
200
典型值。
马克斯。
单位
ns
t
SV
f
SK
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
t
RESS
t
RESMIN
t
RESH
t
RC
RESET TO
CS
建立时间
最小复位高电平时间
复位准备保持时间
写恢复
上电时序
(1)(3)
符号
t
PUR
t
PUW
写周期LIMIITS
符号
t
WR
参数
项目周期
2.5V
4.5V–6.0V
分钟。
马克斯。
10
5
单位
ms
i
D
c
s
上电到读操作
u
n
i
t
n
o
2.5V
4.5V–6.0V
参数
d
e
400
1000
400
250
1000
0
250
0
100
分钟。
1000
a
P
300
500
500
300
s
t
r
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
千赫
ns
ns
ns
ns
马克斯。
10
1
单位
s
ms
上电到程序操作
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2 ）这个参数进行采样，但不是100 ％测试。
(3) t
PUR
和T
PUW
是从时间V所需的延迟
CC
是稳定的，直到指定的操作可以启动。
文档。 1021号，版本C
4
CAT64LC10/20/40
指令集
指令
读
64LC10
64LC20
64LC40
写
64LC10
64LC20
64LC40
写使能
写禁止
[写所有地点]
(1)
操作码
10101000
10101000
10101000
10100100
10100100
10100100
10100011
10100000
10100001
地址
A5 A4 A3 A2 A1 A0 0
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0
0
数据
D15 - D0
D15 - D0
D15 - D0
D15 - D0
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
A5 A4 A3 A2 A1 A0 0
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0
0
D15 - D0
D15 - D0
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
XXXXXXXX
XXXXXXXX
XXXXXXXX
图1.交流测试输入/输出波形
(2)(3(4)
(C
L
= 100 pF的）
VCC ×0.8
输入脉冲电平
VCC ×0.2
VCC ×0.7
注意：
（1）（收件所有地点）是一个测试模式操作，因此不包括在交流/直流操作规范。
（ 2 ）输入上升和下降时间（ 10 ％至90 ％ ） < 10纳秒。
（ 3 ）输入脉冲电平= V
CC
×0.2和V
CC
x 0.8.
（ 4 ）输入和输出时序参考= V
CC
×0.3和V
CC
x 0.7.
i
D
c
s
u
n
i
t
n
o
VCC ×0.3
d
e
参考点
a
P
D15–D0
s
t
r
5
文档。 1021号，版本C
CAT64LC10/20/40
1K / 2K / 4K位SPI串行EEPROM
特点
s
SPI总线兼容
s
低功耗CMOS技术
s
2.5V至6.0V的操作
s
自定时写周期自动清零
s
硬件复位引脚
s
硬件和软件写保护
H
LOGEN
FR
A
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
s
商用，工业和汽车
温度范围
s
上电时疏忽造成的写保护
s
RDY / BSY引脚进行写操作结束的迹象
BSY
s
百万编程/擦除周期
s
百年数据保留
描述
该CAT64LC10 / 20/ 40是一个1K / 2K / 4K位串行EEPROM
这是由16位配置为64/128/256寄存器。
每个寄存器可以写入（或读）连续使用
在DI （或DO ）引脚。该CAT64LC10 / 20/ 40
利用Catalyst的先进的CMOS制造
引脚配置
DIP封装（P ， L）
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
RDY / BUSY
RESET
GND
引脚功能
引脚名称
CS
SK
DI
i
D
DO
V
CC
GND
RESET
RDY / BUSY
c
s
RESET
u
n
i
t
n
o
SOIC封装（J ， W）
1
2
3
4
8
7
6
5
GND
DO
DI
RDY / BUSY
VCC
CS
SK
RESET
EEPROM浮动门技术。它被设计成
忍受百万编程/擦除周期，并具有数据
保留100年。该器件采用8引脚
DIP ， SOIC和TSSOP封装。
d
e
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
RDY / BUSY
VCC
CS
SK
1
2
3
4
VCC
a
P
8
7
6
5
8
7
6
5
RESET
GND
DO
DI
s
t
r
TSSOP封装（U ， Y）
VCC
RDY / BUSY
RESET
GND
SOIC封装（S ，V ）
1
2
3
4
8
7
6
5
TSSOP封装（ UR ， YR ）
CS
SK
VCC
RDY / BUSY
RESET
GND
DI
DO
框图
GND
功能
芯片选择
时钟输入
串行数据输入
串行数据输出
+ 2.5V至+ 6.0V电源
地
DI
RESET
CS
DECODE MODE
逻辑
数据
注册
产量
卜FF器
存储阵列
64/128/256 x 16
地址
解码器
SK
时钟
发电机
DO
RDY / BUSY
READY / BUSY状态
64LC10 /四十零分之二十○ F02
2004 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 1021号，版本C
CAT64LC10/20/40
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(1)
............ -2.0V到+ V
CC
+2.0V
V
CC
相对于地面............... -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（ TA = 25℃） ................................... 1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(2)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(3)
T
DR(3)
V
ZAP(3)
I
LTH(3)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
1,000,000
100
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些压力额定值只和功能的操作
该设备在这些或那些之外的任何其他条件
在操作部分中列出的本规范不
暗示。暴露于任何绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的性能和
可靠性。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
基准测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
=6.0V)
符号
C
I/O(3)
C
IN(3)
TEST
输入/输出电容（ DO ， RDY / BSY ）
输入电容（ CS ， SK ， DI ， RESET ）
注意：
（1 ）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
（2）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
（ 3 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
i
D
文档。 1021号，版本C
c
s
u
n
i
t
n
o
d
e
马克斯。
8
6
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
a
P
单位
pF
pF
s
t
r
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
2
CAT64LC10/20/40
交流工作特性
V
CC
= + 2.5V至+ 6.0V ，除非另有规定。
范围
符号
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ(2)
t
CSMIN
t
SKHI
参数
CS
建立时间
CS
保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高交流阻抗
最低
CS
高时间
最低SK高时间
2.5V
4.5V–6.0V
t
SKLOW
最低SK低电平时间
2.5V
4.5V–6.0V
250
分钟。
100
100
200
200
典型值。
马克斯。
单位
ns
t
SV
f
SK
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
t
RESS
t
RESMIN
t
RESH
t
RC
RESET TO
CS
建立时间
最小复位高电平时间
复位准备保持时间
写恢复
上电时序
(1)(3)
符号
t
PUR
t
PUW
写周期LIMIITS
符号
t
WR
参数
项目周期
2.5V
4.5V–6.0V
分钟。
马克斯。
10
5
单位
ms
i
D
c
s
上电到读操作
u
n
i
t
n
o
2.5V
4.5V–6.0V
参数
d
e
400
1000
400
250
1000
0
250
0
100
分钟。
1000
a
P
300
500
500
300
s
t
r
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
千赫
ns
ns
ns
ns
马克斯。
10
1
单位
s
ms
上电到程序操作
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2 ）这个参数进行采样，但不是100 ％测试。
(3) t
PUR
和T
PUW
是从时间V所需的延迟
CC
是稳定的，直到指定的操作可以启动。
文档。 1021号，版本C
4
CAT64LC10/20/40
指令集
指令
读
64LC10
64LC20
64LC40
写
64LC10
64LC20
64LC40
写使能
写禁止
[写所有地点]
(1)
操作码
10101000
10101000
10101000
10100100
10100100
10100100
10100011
10100000
10100001
地址
A5 A4 A3 A2 A1 A0 0
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0
0
数据
D15 - D0
D15 - D0
D15 - D0
D15 - D0
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
A5 A4 A3 A2 A1 A0 0
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0
0
D15 - D0
D15 - D0
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
XXXXXXXX
XXXXXXXX
XXXXXXXX
图1.交流测试输入/输出波形
(2)(3(4)
(C
L
= 100 pF的）
VCC ×0.8
输入脉冲电平
VCC ×0.2
VCC ×0.7
注意：
（1）（收件所有地点）是一个测试模式操作，因此不包括在交流/直流操作规范。
（ 2 ）输入上升和下降时间（ 10 ％至90 ％ ） < 10纳秒。
（ 3 ）输入脉冲电平= V
CC
×0.2和V
CC
x 0.8.
（ 4 ）输入和输出时序参考= V
CC
×0.3和V
CC
x 0.7.
i
D
c
s
u
n
i
t
n
o
VCC ×0.3
d
e
参考点
a
P
D15–D0
s
t
r
5
文档。 1021号，版本C
CAT64LC10/20/40
1K / 2K / 4K位SPI串行EEPROM
特点
s
SPI总线兼容
s
低功耗CMOS技术
s
2.5V至6.0V的操作
s
自定时写周期自动清零
s
硬件复位引脚
s
硬件和软件写保护
H
LOGEN
FR
A
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
s
商用，工业和汽车
温度范围
s
上电时疏忽造成的写保护
s
RDY / BSY引脚进行写操作结束的迹象
BSY
s
百万编程/擦除周期
s
百年数据保留
描述
该CAT64LC10 / 20/ 40是一个1K / 2K / 4K位串行EEPROM
这是由16位配置为64/128/256寄存器。
每个寄存器可以写入（或读）连续使用
在DI （或DO ）引脚。该CAT64LC10 / 20/ 40
利用Catalyst的先进的CMOS制造
引脚配置
DIP封装（P ， L）
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
RDY / BUSY
RESET
GND
引脚功能
引脚名称
CS
SK
DI
i
D
DO
V
CC
GND
RESET
RDY / BUSY
c
s
RESET
u
n
i
t
n
o
SOIC封装（J ， W）
1
2
3
4
8
7
6
5
GND
DO
DI
RDY / BUSY
VCC
CS
SK
RESET
EEPROM浮动门技术。它被设计成
忍受百万编程/擦除周期，并具有数据
保留100年。该器件采用8引脚
DIP ， SOIC和TSSOP封装。
d
e
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
RDY / BUSY
VCC
CS
SK
1
2
3
4
VCC
a
P
8
7
6
5
8
7
6
5
RESET
GND
DO
DI
s
t
r
TSSOP封装（U ， Y）
VCC
RDY / BUSY
RESET
GND
SOIC封装（S ，V ）
1
2
3
4
8
7
6
5
TSSOP封装（ UR ， YR ）
CS
SK
VCC
RDY / BUSY
RESET
GND
DI
DO
框图
GND
功能
芯片选择
时钟输入
串行数据输入
串行数据输出
+ 2.5V至+ 6.0V电源
地
DI
RESET
CS
DECODE MODE
逻辑
数据
注册
产量
卜FF器
存储阵列
64/128/256 x 16
地址
解码器
SK
时钟
发电机
DO
RDY / BUSY
READY / BUSY状态
64LC10 /四十零分之二十○ F02
2004 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 1021号，版本C
CAT64LC10/20/40
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(1)
............ -2.0V到+ V
CC
+2.0V
V
CC
相对于地面............... -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（ TA = 25℃） ................................... 1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(2)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(3)
T
DR(3)
V
ZAP(3)
I
LTH(3)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
1,000,000
100
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些压力额定值只和功能的操作
该设备在这些或那些之外的任何其他条件
在操作部分中列出的本规范不
暗示。暴露于任何绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的性能和
可靠性。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
基准测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
=6.0V)
符号
C
I/O(3)
C
IN(3)
TEST
输入/输出电容（ DO ， RDY / BSY ）
输入电容（ CS ， SK ， DI ， RESET ）
注意：
（1 ）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
（2）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
（ 3 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
i
D
文档。 1021号，版本C
c
s
u
n
i
t
n
o
d
e
马克斯。
8
6
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
a
P
单位
pF
pF
s
t
r
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
2
CAT64LC10/20/40
交流工作特性
V
CC
= + 2.5V至+ 6.0V ，除非另有规定。
范围
符号
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ(2)
t
CSMIN
t
SKHI
参数
CS
建立时间
CS
保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高交流阻抗
最低
CS
高时间
最低SK高时间
2.5V
4.5V–6.0V
t
SKLOW
最低SK低电平时间
2.5V
4.5V–6.0V
250
分钟。
100
100
200
200
典型值。
马克斯。
单位
ns
t
SV
f
SK
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
t
RESS
t
RESMIN
t
RESH
t
RC
RESET TO
CS
建立时间
最小复位高电平时间
复位准备保持时间
写恢复
上电时序
(1)(3)
符号
t
PUR
t
PUW
写周期LIMIITS
符号
t
WR
参数
项目周期
2.5V
4.5V–6.0V
分钟。
马克斯。
10
5
单位
ms
i
D
c
s
上电到读操作
u
n
i
t
n
o
2.5V
4.5V–6.0V
参数
d
e
400
1000
400
250
1000
0
250
0
100
分钟。
1000
a
P
300
500
500
300
s
t
r
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
千赫
ns
ns
ns
ns
马克斯。
10
1
单位
s
ms
上电到程序操作
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2 ）这个参数进行采样，但不是100 ％测试。
(3) t
PUR
和T
PUW
是从时间V所需的延迟
CC
是稳定的，直到指定的操作可以启动。
文档。 1021号，版本C
4
CAT64LC10/20/40
指令集
指令
读
64LC10
64LC20
64LC40
写
64LC10
64LC20
64LC40
写使能
写禁止
[写所有地点]
(1)
操作码
10101000
10101000
10101000
10100100
10100100
10100100
10100011
10100000
10100001
地址
A5 A4 A3 A2 A1 A0 0
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0
0
数据
D15 - D0
D15 - D0
D15 - D0
D15 - D0
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
A5 A4 A3 A2 A1 A0 0
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0
0
D15 - D0
D15 - D0
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
XXXXXXXX
XXXXXXXX
XXXXXXXX
图1.交流测试输入/输出波形
(2)(3(4)
(C
L
= 100 pF的）
VCC ×0.8
输入脉冲电平
VCC ×0.2
VCC ×0.7
注意：
（1）（收件所有地点）是一个测试模式操作，因此不包括在交流/直流操作规范。
（ 2 ）输入上升和下降时间（ 10 ％至90 ％ ） < 10纳秒。
（ 3 ）输入脉冲电平= V
CC
×0.2和V
CC
x 0.8.
（ 4 ）输入和输出时序参考= V
CC
×0.3和V
CC
x 0.7.
i
D
c
s
u
n
i
t
n
o
VCC ×0.3
d
e
参考点
a
P
D15–D0
s
t
r
5
文档。 1021号，版本C
QQ：2880707522 复制
