CAT522
配置的数字可编程电位计（ DPP ） ：
可编程电压应用
H
根
FR
ALO
EE
LE
特点
s
配置为可编程的两个8位的DPP
A
D
F
R
E
E
TM
应用
s
自动化产品校准。
s
设备的遥控器调整
s
偏移，增益和零点的自我调整
在DAC类应用电压源
s
独立的基准输入
s
非易失性NVRAM存储器中存储雨刮器
s
输出电压范围包括两个电源轨
s
2独立寻址缓冲
校准和自适应控制系统。
s
防篡改校准。
s
DAC （带记忆）的替代品。
输出雨刷
s
1 LSB精度，分辨率高
s
串行微丝一样的界面
s
单电源供电： 2.7V - 5.5V
s
设置回读，而不影响输出
描述
该CAT522是一款双通道， 8位数字可编程
电位计（ DPP ）配置为可编程
电压和DAC样的应用程序。针对最后
的产品，如摄像机标定，传真
机器和自动化高的蜂窝电话
量的生产线，它也适合于井
自校准系统和应用场合
设备需要定期调整或者是
难以进入或在危险环境。
该CAT522提供了两个独立的可编程
的DPP每一个都具有其自己的参考输入，并且每
能够实现轨到轨输出摆幅。雨刷是
通过铁路缓冲以轨运算放大器。雨刮器的设置，存储在
非易失性存储器NVRAM中，不会丢失，当
设备断电并自动
当电源恢复原状。每个雨刮器可以
工作原理图
RDY / BSY
V
DD
VREFH1 VREFH2
14
13
抖动而不影响测试新的输出值
存储设置和存储的设置可以被读回
不影响民进党的输出。
该CAT522控制用一个简单的3线， microwire-
象串行接口。片选引脚允许多个
设备共享一个共同的串行接口。
通信返回到主控制器是通过单
串口的数据线由于采用了CAT522三态数据
输出引脚。一个RDY / BSY输出协同工作的
一个内部低电压检测信号正确的操作
的非易失性NVRAM存储器的擦除/写周期。
该CAT522在0 ° C，适用于70 ° C商业级
和-40 ° C至85°C的工业工作温度
范围。这两个14引脚塑料DIP和表面贴装
封装。
引脚配置
DIP封装（P ， L）
VDD
CLK
1
2
3
4
5
6
7
CAT522
SOIC封装（J ， W）
VDD
CLK
1
2
3
4
5
6
7
CAT522
3
1
PROG
7
节目
控制
14
13
12
11
10
9
8
VREFH1
VREFH2
14
13
12
11
10
9
8
VREFH1
VREFH2
VOUT1
VOUT2
VREFL2
VREFL1
GND
DI
5
雨刮器
控制
注册
和
NVRAM
+
24K
11
V
OUT2
RDY / BSY
CS
CLK
2
串行
控制
VOUT1 RDY / BSY
VOUT2
VREFL2
VREFL1
GND
CS
DI
DO
PROG
CS
4
24k
+
12
V
OUT1
DI
DO
串行
数据
产量
注册
6
DO
PROG
CAT522
8
GND
9
10
VREFL1 VREFL2
2004 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 2004年号，英文内容
CAT522
绝对最大额定值
电源电压*
V
DD
到GND ...................................... -0.5V至+ 7V
输入
CLK至GND ............................ -0.5V到V
DD
+0.5V
CS到GND .............................. -0.5V到V
DD
+0.5V
DI到GND ............................... -0.5V到V
DD
+0.5V
RDY / BSY至GND ................... -0.5V到V
DD
+0.5V
PROG到GND ........................ -0.5V到V
DD
+0.5V
V
REF
H至GND ........................ -0.5V到V
DD
+0.5V
V
REF
L到GND ......................... -0.5V到V
DD
+0.5V
输出
D
0
到GND ............................... -0.5V到V
DD
+0.5V
V
OUT
1-4到GND ................... -0.5V到V
DD
+0.5V
可靠性的特点
符号
V
ZAP(1)
I
LTH(1)(2)
工作环境温度
商业（ 'C '或空白后缀） ...... 0 ° C至+ 70°C
工业（' I'后缀） ........................ -40 ° C至+ 85°C
结温..................................... + 150°C
存储温度........................ -65 ° C至+ 150°C
铅焊接（ 10秒最大） .......................... + 300℃
*注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。绝对
最大额定值是有限值，而单独应用
其它参数在规定的操作条件下，
并运行在任何条件不
暗示。器件的性能和可靠性可能由被削弱
暴露在绝对额定值条件下，长时间
时间。
参数
ESD敏感性
闭锁
民
2000
100
最大
单位
伏
mA
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
注意事项：
1.该参数，并初步设计或过程的变化会影响该参数后进行测试。
提供2闩锁保护的压力高达100mA的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+ 1V.
电源
符号参数
I
DD1
I
DD2
电源电流（读出）
电源电流（写）
条件
正常运行
程序设计，V
DD
= 5V
V
DD
= 3V
V
DD
工作电压范围
民
—
—
—
2.7
典型值
400
1600
1000
—
最大
600
2500
1600
5.5
单位
A
A
A
V
逻辑输入
符号
I
IH
I
IL
V
IH
V
IL
参数
输入漏电流
输入漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
条件
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0V
民
—
—
2
0
典型值
—
—
—
—
最大
10
-10
V
DD
0.8
单位
A
A
V
V
逻辑输出
符号参数
V
OH
V
IL
高电平输出电压
低电平输出电压
条件
I
OH
= -40A
I
OL
= 1毫安， V
DD
= +5V
I
OL
= 0.4毫安， V
DD
= +3V
民
V
DD
-0.3
—
—
典型值
—
—
—
最大
—
0.4
0.4
单位
V
V
V
文档。 2004年号，英文内容
2
CAT522
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
DPP处理如下：
功能
电源正极
时钟输入引脚
READY / BUSY输出
芯片选择
串行数据输入管脚
串行数据输出引脚
EEPROM编程使能
输入
电源地
最小民进党1输出电压
最小民进党2输出电压
民进党2输出
民进党1输出
最大民进党2输出电压
最大民进党1输出电压
名字
V
DD
CLK
RDY / BSY
CS
DI
DO
PROG
GND
V
REFL1
V
REFL2
V
OUT2
V
OUT1
V
REFH2
V
REFH1
民进党输出
V
OUT1
V
OUT2
A0
0
1
A1
1
1
设备操作
该CAT522是一款双8位数字配置
可编程电位计（ DPP ），其输出可
被编程为256个单独的电压中的任一项
步骤。一旦编程，这些输出设置
保留在非易失性存储器中，而不会丢失时
电源从芯片去除。上电时的
的DPP返回存储在非易失性存储器中的设置。
每个民进党可以写入和读出独立
没有在读使所述输出电压或
写周期。每个输出也可以不调整
改变所存储的输出设置，这是有用的
将它们存储在之前测试新的输出设置
内存。
数字接口
该CAT522采用3线串行，微丝样
控制接口，包括时钟（ CLK ） ，片选的
（CS）和数据输入（ DI）的输入。对于所有操作，地址
和数据移入LSB在前。此外，所有的数字
数据前必须有一个逻辑“1”为起始位。该
民进党地址和数据都移入的DI引脚
时钟的上升沿。当发送的多个块
信息最少两个时钟周期是必需的
发送的最后一个数据块和一个起始位之间。
多个设备可以通过共享一个公共输入数据线
选择性地激活CS控制所需的IC 。
数据输出（ DO）的也可以共享一个公用线
由于DO引脚为三态，并返回到高
阻抗不使用时。
芯片选择
片选（ CS）启用和禁用CAT522的
读取和写入操作。当CS为高电平时的数据可以是
读或从芯片，并在数据输出（DO ）引脚为
活跃的。数据加载到民进党控制寄存器将
一直有效，直到CS变低。将CS为逻辑
所有民进党输出的设置存储在非易失低回报
易失性存储器和开关DO到其高阻抗
三态模式。
因为CS的功能，如复位CS引脚一直
脱敏与30纳秒至90纳秒的滤波电路，以防止
从造成不必要的复位和损失噪声尖峰
挥发的数据。
时钟
该CAT522的时钟控制输入和输出的两个数据流
该集成电路和非易失性存储器单元进行编程。串行
数据移入DI引脚和缩小的DO引脚
时钟的上升沿。虽然这不是必需的时钟
将数据传输之间运行，时钟必须是
为了操作写入到非易失性存储器中，即使
虽然被保存的数据可能已经居住在
民进党雨刮器控制寄存器。
没有时钟是在系统上电需要。该
CAT522内部上电复位电路的负载数据
从非易失性存储器到的DPP不使用
外部时钟。
5
文档。 2004年号，英文内容
CAT522
绝对最大额定值
(1)
参数
电源电压
V
DD
到GND
输入
CLK至GND
CS到GND
DI到GND
RDY / BSY到GND
PROG到GND
V
REFH
到GND
V
REFL
到GND
评级
-0.5到+7
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到V
DD
+0.5
单位
V
参数
输出
D
0
到GND
V
OUT
1-4到GND
工作环境温度
广告
（ “C”或空白后缀）
工业（' I'后缀）
结温
储存温度
铅焊接（最多10秒）
评级
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到V
DD
+0.5
0至+70
-40至+85
+150
-65到+150
+300
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
°C
V
V
V
V
V
V
V
可靠性的特点
符号
V
ZAP(2)
I
LTH （2）（ 3）
参数
ESD敏感性
闭锁
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
民
2000
100
最大
单位
V
mA
电源
符号
I
DD1
I
DD2
V
DD
参数
电源电流（读出）
电源电流（写）
工作电压范围
条件
正常运行
程序设计，V
DD
= 5V
V
DD
= 3V
民
—
—
—
2.7
典型值
400
1600
1000
—
最大
600
2500
1600
5.5
单位
A
A
A
V
逻辑输入
符号
I
IH
I
IL
V
IH
V
IL
参数
输入漏电流
输入漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
条件
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0V
民
—
—
2
0
典型值
—
—
—
—
最大
10
-10
V
DD
0.8
单位
A
A
V
V
逻辑输出
符号
V
OH
V
IL
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
条件
I
OH
= -40A
I
OL
= 1mA时， V
DD
= +5V
I
OL
= 0.4毫安，V
DD
= +3V
民
V
DD
-0.3
—
—
典型值
—
—
—
最大
—
0.4
0.4
单位
V
V
V
注意事项：
（ 1 ）强调上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或那些在此操作部分中列出的以外的任何其他条件的装置的操作
规范是不是暗示。暴露于任何绝对最大额定值长时间会影响器件的性能和可靠性。
（ 2 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
提供（ 3 ）闩锁保护的压力高达100mA的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+ 1V.
Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
3
文档。编号MD -2004修订版摹
CAT522
电位特性
V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V ，V
REFH
= V
DD
, V
REFL
= 0V ，除非另有说明
符号
R
锅
参数
电位器阻值
R
锅
到比赛RPOT
锅电阻容差
在V电压
REFH
针
在V电压
REFL
针
决议
INL
DNL
R
OUT
I
OUT
TC
RPOT
C
H
/C
L
积分非线性误差
微分线性误差
缓冲输出电阻
缓冲输出电流
锅电阻TC
电位器的电容
300
8/8
2.7
0
0.4
0.5
0.25
1
0.5
10
3
—
条件
民
典型值
24
±0.5
±1
±20
V
DD
V
DD
- 2.7
最大
单位
k
%
%
V
V
%
最低位
最低位
mA
PPM /℃
pF
AC电气特性
V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V ，V
REFH
= V
DD
, V
REFL
= 0V ，除非另有说明
符号
数字
t
CSMIN
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
DO1
t
DO0
t
HZ
t
LZ
t
忙
t
PS
t
PROG
t
CLK
H
t
CLK
L
f
C
类似物
t
DS
民进党建立时间为1 LSB
C
负载
= 10pF的，V
DD
= +5V
C
负载
= 10pF的，V
DD
= +3V
—
—
3
6
10
10
s
s
最低CS低电平时间
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
输出延迟到低Z
擦除/写周期时间
PROG建立时间
最小脉冲宽度
最低CLK高电平时间
最低CLK低电平时间
时钟频率
C
L
= 100pF的
(1)
150
100
0
50
50
—
—
—
—
—
150
700
500
300
DC
—
—
—
—
—
—
—
400
400
4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
150
150
—
—
5
—
—
—
—
1
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
兆赫
参数
条件
民
典型值
最大
单位
注意事项：
（1）所有的定时测定均是在信号交叉V中的点定义
DD
/ 2.
（ 2 ）这些参数是周期性采样，不100 ％测试。
文档。编号MD -2004修订版摹
4
Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
CAT522
绝对最大额定值
(1)
参数
电源电压
V
DD
到GND
输入
CLK至GND
CS到GND
DI到GND
RDY / BSY到GND
PROG到GND
V
REFH
到GND
V
REFL
到GND
评级
-0.5到+7
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到V
DD
+0.5
单位
V
参数
输出
D
0
到GND
V
OUT
1-4到GND
工作环境温度
广告
（ “C”或空白后缀）
工业（' I'后缀）
结温
储存温度
铅焊接（最多10秒）
评级
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到V
DD
+0.5
0至+70
-40至+85
+150
-65到+150
+300
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
°C
V
V
V
V
V
V
V
可靠性的特点
符号
V
ZAP(2)
I
LTH （2）（ 3）
参数
ESD敏感性
闭锁
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
民
2000
100
最大
单位
V
mA
电源
符号
I
DD1
I
DD2
V
DD
参数
电源电流（读出）
电源电流（写）
工作电压范围
条件
正常运行
程序设计，V
DD
= 5V
V
DD
= 3V
民
—
—
—
2.7
典型值
400
1600
1000
—
最大
600
2500
1600
5.5
单位
A
A
A
V
逻辑输入
符号
I
IH
I
IL
V
IH
V
IL
参数
输入漏电流
输入漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
条件
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0V
民
—
—
2
0
典型值
—
—
—
—
最大
10
-10
V
DD
0.8
单位
A
A
V
V
逻辑输出
符号
V
OH
V
IL
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
条件
I
OH
= -40A
I
OL
= 1mA时， V
DD
= +5V
I
OL
= 0.4毫安，V
DD
= +3V
民
V
DD
-0.3
—
—
典型值
—
—
—
最大
—
0.4
0.4
单位
V
V
V
注意事项：
（ 1 ）强调上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或那些在此操作部分中列出的以外的任何其他条件的装置的操作
规范是不是暗示。暴露于任何绝对最大额定值长时间会影响器件的性能和可靠性。
（ 2 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
提供（ 3 ）闩锁保护的压力高达100mA的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+ 1V.
Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
3
文档。编号MD -2004版本F
CAT522
电位特性
V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V ，V
REFH
= V
DD
, V
REFL
= 0V ，除非另有说明
符号
R
锅
参数
电位器阻值
R
锅
到比赛RPOT
锅电阻容差
在V电压
REFH
针
在V电压
REFL
针
决议
INL
DNL
R
OUT
I
OUT
TC
RPOT
C
H
/C
L
积分非线性误差
微分线性误差
缓冲输出电阻
缓冲输出电流
锅电阻TC
电位器的电容
300
8/8
2.7
0
0.4
0.5
0.25
1
0.5
10
3
—
条件
民
典型值
24
±0.5
±1
±20
V
DD
V
DD
- 2.7
最大
单位
k
%
%
V
V
%
最低位
最低位
mA
PPM /℃
pF
AC电气特性
V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V ，V
REFH
= V
DD
, V
REFL
= 0V ，除非另有说明
符号
数字
t
CSMIN
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
DO1
t
DO0
t
HZ
t
LZ
t
忙
t
PS
t
PROG
t
CLK
H
t
CLK
L
f
C
类似物
t
DS
民进党建立时间为1 LSB
C
负载
= 10pF的，V
DD
= +5V
C
负载
= 10pF的，V
DD
= +3V
注意事项：
（1）所有的定时测定均是在信号交叉V中的点定义
DD
/ 2.
（ 2 ）这些参数是周期性采样，不100 ％测试。
参数
最低CS低电平时间
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
输出延迟到低Z
擦除/写周期时间
PROG建立时间
最小脉冲宽度
最低CLK高电平时间
最低CLK低电平时间
时钟频率
条件
民
150
100
0
50
典型值
—
—
—
—
—
—
—
400
400
4
—
—
—
—
—
3
6
最大
—
—
—
—
—
150
150
—
—
5
—
—
—
—
1
10
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
兆赫
s
s
C
L
= 100pF的
(1)
50
—
—
—
—
—
150
700
500
300
DC
—
—
文档。编号MD -2004版本F
4
Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
Catalyst半导体的质量方针
Catalyst半导体的质量方针是为客户提供高品质，领先的非易失性存储器为基础的产品。除了提供高
优质的产品，催化剂致力于提升客户满意度，注重预防的不符合，不断追求改进其
全公司的运营。
绿色包装方案
Catalyst半导体取得了2002年第四季度的承诺提供量产的无铅，无卤素的“绿色”封装集成电路。催化剂
提供“绿色”包其完整的产品系列的模拟和混合信号集成电路，以及串行和并行EEPROM存储器。 “绿色”包装
计划是一个完整的系统解决方案，包含铅电镀，封装化合物和芯片粘接环氧树脂技术。
催化剂继续满足监管机构世界各地的要求：
在电气和电子设备废弃物（ WEEE ）
日本国际贸易和工业部
日本电气绝缘材料协会
欧盟指令
H
OGEN
FR
AL
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
介绍
成立于1985年， Catalyst半导体公司总部位于加利福尼亚州桑尼维尔。催化剂的高性能模拟的领先供应商/
混合信号解决方案，并在汽车，飞机，通信，计算，工业和消费使用的非易失性存储器产品
市场。催化剂的设计和销售范围广泛的模拟/混合信号产品，如白光LED驱动器， DC-DC转换器， GPI / O扩展器，
数字可编程电位计（ DPP ） ，微控制器监控电路等模拟/混合信号products.Programmable产品
包括串行和并行的EEPROM与我
2
C， SPI和Microwire接口，以及NVRAM中和低密度闪存存储器。典型应用
包括液晶显示器，数码相机，手机，汽车仪表，调制解调器，无线LAN ，网卡， DIMM模块，数字卫星
盒接收器，机顶盒和因特网的路由器。催化剂的质量管理体系已通过ISO 9001 ： 2000经过认证的。有关其他信息
Catalyst半导体，请访问我们的网站： www.catsemi.com 。
白光LED驱动器
DC- DC转换器
低电压
并联型稳压器
混合信号
P
监事
I
2
C接口
I / O扩展器
数字可编程
电位计（ DPP ）
催化剂
技术核心
串行EEPROM
并行的EEPROM
内存
FL灰
NVRAM
根
FR
ALO
EE
2
请访问我们的网站，样品，数据表和其他产品信息。
H
LE
A
D
F
R
E
E
TM
先进的信息
CAT522
8位双通道数字电位器具有独立的基准输入
特点
s
缓冲输出
s
保留输出设置无动力
s
独立的基准输入
s
输出范围包括两个电源轨
s
片上编程电压产生
s
2个独立可寻址输出
s
串行
P接口
s
单电源供电： 2.7V - 5.5V
应用
s
自动化产品校准。
s
设备的遥控器调整
s
偏移，增益和零点的自我调整
校准和自适应控制系统。
s
防篡改校准。
描述
该CAT522是一款双8位存储器DAC设计成一个
电子替代机械式电位器
和装饰花盆。针对产品的最终校准
如摄录机，传真机和蜂窝长焦附加镜
手机上的自动化大批量的生产线和
能够自校准的系统，它也非常适合
应用程序是设备需要定期AD-
校正配料可以是难以进入的，或位于一个
危险的环境中。
该CAT522提供2个独立可编程的DAC
每一个都具有其自己的参考输入，并且每一个都能够
轨到轨输出摆幅。输出是通过铁路缓冲
至轨运算放大器输出的设置，存储在非易失性
EEPROM存储器，当该装置是不被丢失
断电和自动恢复的时候
电源恢复。每个输出都可以抖动测试
不影响存储的设置新的输出值
工作原理图
V
DD
和存储的设置可以被读回不扰民
DAC的输出。
该CAT522的控制是完成了一个简单的3
线串行接口。片选引脚允许多个
CAT522的共享一个通用串行接口的COM和
munications回主机控制器是通过单
串口的数据线由于采用了CAT522的三态数据
输出引脚。一个RDY / BSY输出协同工作的
一个内部低电压检测信号正确的操作
EEPROM的擦除/写周期。
该CAT522从一个单一的3-5伏电源工作
供应量。需要EEPROM擦除高电压/
片上产生的写操作。
该CAT522在0 ° C，适用于70 ° C商业级
和-40 ° C至+ 85 ° C工业级工作温度
范围和14引脚塑料DIP和表面提供
安装包。
引脚配置
1
DIP封装（ P）
6
DO
SOIC封装（J ）
RDY / BSY
3
串行数据输出
PROG
7
节目
控制
14
EEPROM
LATCH
DAC 1
V
REF
H1
VDD
CLK
RDY / BSY
CS
DI
13
V
H2
REF
V
2
OUT
VREF L2
1
2
3
4
14
13
12
VREF H1
VREF H2
VOUT1
V
2
OUT
VREF L2
VREF L1
GND
VDD
CLK
RDY / BSY
CS
DI
DO
PROG
1
2
3
4
14
13
12
VREF H1
VREF H2
VOUT1
VOUT2
VREF L2
VREF L1
GND
+
–
12
9
1
V
OUT
V REF L1
CLK
2
数据
调节器
CS
4
11
CAT522
5
10
6
7
9
8
11
CAT522
5
10
6
7
9
8
DI
5
EEPROM
LATCH
DAC 2
DO
PROG
+
–
11
10
H.V.
收费
泵
CAT522
8
GND
2000年由Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
CAT522
绝对最大额定值
电源电压*
V
DD
到GND ...................................... -0.5V至+ 7V
输入
CLK至GND ............................ -0.5V到V
DD
+0.5V
CS到GND .............................. -0.5V到V
DD
+0.5V
DI到GND ............................... -0.5V到V
DD
+0.5V
RDY / BSY至GND ................... -0.5V到V
DD
+0.5V
PROG到GND ........................ -0.5V到V
DD
+0.5V
V
REF
H至GND ........................ -0.5V到V
DD
+0.5V
V
REF
L到GND ......................... -0.5V到V
DD
+0.5V
输出
D
0
到GND ............................... -0.5V到V
DD
+0.5V
V
OUT
1-2到GND ................... -0.5V到V
DD
+0.5V
可靠性的特点
符号
V
ZAP(1)
I
LTH(1)(2)
先进的信息
工作环境温度
商业（ 'C'后缀） .................... 0 ° C至+ 70°C
工业（' I'后缀） ...................... - 40 ° C至+ 85°C
结温..................................... + 150°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
铅焊接（ 10秒最大） .......................... + 300℃
*注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。绝对
最大额定值是有限值，而单独应用
其它参数在规定的操作条件下，
并运行在任何条件不
暗示。器件的性能和可靠性可能由被削弱
暴露在绝对额定值条件下，长时间
时间。
参数
ESD敏感性
闭锁
民
2000
100
最大
单位
伏
mA
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
注意事项：
1.该参数，并初步设计或过程的变化会影响该参数后进行测试。
提供2闩锁保护的压力高达100mA的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+ 1V.
直流电气特性：
V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V ，V
REF
H = V
DD
, V
REF
L = 0V时，除非另有说明
符号
准确性
INL
积分非线性误差
I
负载
= 10
A,
I
负载
= 40
A,
DNL
微分线性误差
I
负载
= 10
A,
I
负载
= 40
A,
T
R
= C
T
R
= I
T
R
= C
T
R
= I
T
R
= C
T
R
= I
T
R
= C
T
R
= I
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2
0
2.7
GND
—
—
I
OH
= – 40
A
I
OL
= 1毫安， V
DD
= +5V
I
OL
= 0.4毫安， V
DD
= +3V
V
DD
–0.3
—
—
0.6
0.6
1.2
1.2
0.25
0.25
0.5
0.5
—
—
—
—
—
—
28K
±
0.5
—
—
—
±
1
±
1
—
—
±
0.5
±
0.5
—
—
10
–10
V
DD
0.8
V
DD
V
DD
-2.7
—
±
1
—
0.4
0.4
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
A
A
V
V
V
V
%
V
V
V
参数
决议
条件
民
8
典型值
—
最大
—
单位
位
逻辑输入
I
IH
I
IL
V
IH
V
IL
输入漏电流
输入漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
V
REF
H输入电压范围
V
REF
L输入电压范围
V
REF
H = V
REF
L电阻
输入电阻匹配
高电平输出电压
低电平输出电压
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0V
参考文献：
V
RH
V
RL
Z
IN
V
IN
/ R
IN
V
OH
V
OL
逻辑输出
8/00
2
不推荐用于新设计
绝对最大额定值
(1)
参数
电源电压
V
DD
到GND
输入
CLK至GND
CS到GND
DI到GND
RDY / BSY到GND
PROG到GND
V
REFH
到GND
V
REFL
到GND
评级
-0.5到+7
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到V
DD
+0.5
单位
V
参数
输出
D
0
到GND
V
OUT
1-4到GND
工作环境温度
广告
（ “C”或空白后缀）
工业（' I'后缀）
结温
储存温度
铅焊接（最多10秒）
评级
CAT522
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
°C
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到V
DD
+0.5
0至+70
-40至+85
+150
-65到+150
+300
V
V
V
V
V
V
V
可靠性的特点
符号
V
ZAP(2)
I
LTH （2）（ 3）
参数
ESD敏感性
闭锁
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
民
2000
100
最大
单位
V
mA
电源
符号
I
DD1
I
DD2
V
DD
参数
电源电流（读出）
电源电流（写）
工作电压范围
条件
正常运行
程序设计，V
DD
= 5V
V
DD
= 3V
民
—
—
—
2.7
典型值
400
1600
1000
—
最大
600
2500
1600
5.5
单位
A
A
A
V
逻辑输入
符号
I
IH
I
IL
V
IH
V
IL
参数
输入漏电流
输入漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
条件
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0V
民
—
—
2
0
典型值
—
—
—
—
最大
10
-10
V
DD
0.8
单位
A
A
V
V
逻辑输出
符号
V
OH
V
IL
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
条件
I
OH
= -40A
I
OL
= 1mA时， V
DD
= +5V
I
OL
= 0.4毫安，V
DD
= +3V
民
V
DD
-0.3
—
—
典型值
—
—
—
最大
—
0.4
0.4
单位
V
V
V
注意事项：
（ 1 ）强调上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或那些在此操作部分中列出的以外的任何其他条件的装置的操作
规范是不是暗示。暴露于任何绝对最大额定值长时间会影响器件的性能和可靠性。
（ 2 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
提供（ 3 ）闩锁保护的压力高达100mA的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+ 1V.
2008 SCILLC 。版权所有。
特性如有变更，恕不另行通知
3
文档。编号MD -2004版本我
CAT522
不推荐用于新设计
电位特性
V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V ，V
REFH
= V
DD
, V
REFL
= 0V ，除非另有说明
符号
R
锅
参数
电位器阻值
R
锅
到比赛RPOT
锅电阻容差
在V电压
REFH
针
在V电压
REFL
针
决议
INL
DNL
R
OUT
I
OUT
TC
RPOT
C
H
/C
L
积分非线性误差
微分线性误差
缓冲输出电阻
缓冲输出电流
锅电阻TC
电位器的电容
300
8/8
2.7
0
0.4
0.5
0.25
1
0.5
10
3
—
条件
民
典型值
24
±0.5
±1
±20
V
DD
V
DD
- 2.7
最大
单位
k
%
%
V
V
%
最低位
最低位
mA
PPM /℃
pF
AC电气特性
V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V ，V
REFH
= V
DD
, V
REFL
= 0V ，除非另有说明
符号
数字
t
CSMIN
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
DO1
t
DO0
t
HZ
t
LZ
t
忙
t
PS
t
PROG
t
CLK
H
t
CLK
L
f
C
类似物
t
DS
民进党建立时间为1 LSB
C
负载
= 10pF的，V
DD
= +5V
C
负载
= 10pF的，V
DD
= +3V
—
—
3
6
10
10
s
s
最低CS低电平时间
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
输出延迟到低Z
擦除/写周期时间
PROG建立时间
最小脉冲宽度
最低CLK高电平时间
最低CLK低电平时间
时钟频率
C
L
= 100pF的
(1)
150
100
0
50
50
—
—
—
—
—
150
700
500
300
DC
—
—
—
—
—
—
—
400
400
4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
150
150
—
—
5
—
—
—
—
1
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
兆赫
参数
条件
民
典型值
最大
单位
注意事项：
（1）所有的定时测定均是在信号交叉V中的点定义
DD
/ 2.
（ 2 ）这些参数是周期性采样，不100 ％测试。
文档。编号MD -2004版本我
4
2008 SCILLC 。版权所有。
特性如有变更，恕不另行通知
QQ：2880707522 复制
