CAT28F512
512K位CMOS闪存
特点
s
快速读取访问时间： 90/120/150 NS
s
低功耗CMOS功耗：
英特尔授权
第二个来源
s
商用，工业和汽车
温度范围
s
停止定时器编程/擦除
s
芯片上地址和数据锁存器
s
JEDEC标准管脚引出线：
-active ：30 mA（最大值） （ CMOS / TTL电平）
-Standby ：最大1毫安（ TTL电平）
-Standby ： 100
A（最大值） （ CMOS电平）
s
高速编程：
–10
每个的byte
-1秒典型芯片项目
s
12.0V
±
5％的编程和擦除电压
-32引脚DIP
-32引脚PLCC
-32引脚TSOP （ 8 ×20 ）
s
100,000编程/擦除周期
s
10年的数据保存
s
电子签名
描述
该CAT28F512是高速64K ×8位的电
可擦除和重新编程的闪存最好
适合需要在系统的应用程序或售后
代码更新。全记忆中的电擦除
内容是在0.5秒内典型地实现。
它与标准的引脚和读时序兼容
EPROM和E
2
PROM器件。编程和
通过擦除操作执行和验证
算法。所述指令输入通过I / O总线，
使用两个写周期方案。地址和数据
锁存期间释放的I / O总线和地址总线
写操作。
该CAT28F512使用Catalyst的AD-制造
vanced CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据
保持10年。该器件可在JEDEC
批准的32引脚塑料DIP ， 32引脚PLCC和32引脚
TSOP封装。
框图
I/O0–I/O7
I / O缓冲器
擦除电压
开关
WE
命令
注册
编程电压
开关
CE， OE逻辑
数据
LATCH
SENSE
AMP
CE
OE
地址锁存
Y型GATING
y解码器
524,288位
内存
ARRAY
A0–A15
X解码器
28F512 F02
电压以确认
开关
1998年由Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。第25042-00 2/98 F- 1
CAT28F512
初步
引脚配置
引脚功能
引脚名称
A
0
–A
15
TYPE
输入
I / O
输入
输入
输入
功能
地址输入
存储器寻址
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
编程/擦除
电源
DIP封装（ P）
PLCC封装（ N）
I / O
0
-I / O
7
VPP
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
N / C
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
VCC
WE
N / C
A12
A15
NC
VPP
CE
OE
29
28
27
26
25
24
23
22
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
4
3
2
1 32 31 30
WE
V
CC
V
SS
V
PP
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
VSS
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
28F512 F01
TSOP封装（标准引脚采用8mm x 20毫米） （ T）
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
VPP
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
VSS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
TSOP封装（引脚反转）（ TR ）
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
VSS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
VPP
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
28F512 F03
文档。第25042-00 2/98 F- 1
2
初步
CAT28F512
绝对最大额定值*
高温下偏置................... -55 ° C至+ 95°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(1)
........... -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
引脚上的电压
9
同
对于地面
(1)
................... -2.0V至+ 13.5V
V
PP
相对于地面
在编程/擦除
(1)
.............. -2.0V至+ 14.0V
V
CC
相对于地面
(1)
............ -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（T
A
= 25 ° C） .................................为1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(2)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(3)
T
DR(3)
V
ZAP(3)
I
LTH(3)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
100K
10
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些压力额定值只和功能的操作
该设备在这些或那些之外的任何其他条件
在操作部分中列出的本规范不
暗示。暴露于任何绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的性能和
可靠性。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0 MHz的
范围
符号
C
IN(3)
C
OUT(3)
C
VPP(3)
TEST
输入引脚电容
输出引脚电容
V
PP
供应电容
民
马克斯。
6
10
25
单位
pF
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
V
PP
= 0V
注意：
（1 ）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20ns的周期。
（2）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
（ 3 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
3
文档。第25042-00 2/98 F- 1
CAT28F512
直流工作特性
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定ED 。
范围
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC1
I
CC2(1)
I
CC3(1)
I
CC4(1)
I
PPS
I
PP1
I
PP2(1)
I
PP3(1)
I
PP4(1)
V
IL
V
ILC
V
OL
V
IH
V
IHC
V
OH1
V
OH2
V
ID
I
ID(1)
V
LO
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
CC
读操作工作电流
V
CC
编程电流
V
CC
擦除电流
V
CC
PROG 。 /擦除校验电流
V
PP
待机电流
V
PP
读电流
V
PP
编程电流
V
PP
擦除电流
V
PP
PROG 。 /擦除校验电流
输入低电平TTL
输入低电平CMOS
输出低电平
输入高电平TTL
输入高电平CMOS
输出高电平TTL
输出高电平CMOS
A
9
签名电压
A
9
当前签名
V
CC
擦除/编程。锁定电压
2.5
2
V
CC
*0.7
2.4
V
CC
–0.4
11.4
13
200
–0.5
–0.5
分钟。
马克斯。
±1
±1
100
1
30
15
15
15
±10
200
30
30
5
0.8
0.8
0.45
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
单位
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
A
V
初步
测试条件
V
IN
= V
CC
或V
SS
V
CC
= 5.5V,
OE
= V
IH
V
OUT
= V
CC
或V
SS
,
V
CC
= 5.5V,
OE
= V
IH
CE
= V
CC
±0.5V,
V
CC
= 5.5V
CE
= V
IH
, V
CC
= 5.5V
V
CC
= 5.5V,
CE
= V
IL
,
I
OUT
= 0毫安， F = 6兆赫
V
CC
= 5.5V,
编程中
V
CC
= 5.5V,
擦除进展
V
CC
= 5.5V ，程序或
擦除验证进展
V
PP
= V
PPL
V
PP
= V
PPH
V
PP
= V
PPH
,
编程中
V
PP
= V
PPH
,
擦除进展
V
PP
= V
PPH
，程序或
擦除验证进展
I
OL
= 5.8毫安，V
CC
= 4.5V
I
OH
= -2.5mA ，V
CC
= 4.5V
I
OH
= -400μA ，V
CC
= 4.5V
A
9
= V
ID
A
9
= V
ID
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
文档。第25042-00 2/98 F- 1
4
初步
电源特性
范围
符号
V
CC
V
PPL
V
PPH
参数
V
CC
电源电压
V
PP
在读操作
V
PP
在读/擦除/编程
民
4.5
0
11.4
马克斯。
5.5
6.5
12.6
CAT28F512
单位
V
V
V
交流的特点，读操作
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定ED 。
JEDEC标准
符号
t
AVAV
t
ELQV
t
AVQV
t
GLQV
t
AXQX
t
GLQX
t
ELQX
t
GHQZ
t
EHQZ
t
WHGL(1)
符号
t
RC
t
CE
t
加
t
OE
t
OH
参数
读周期时间
CE
存取时间
地址访问时间
OE
存取时间
从地址输出保持
OE / CE
变化
0
0
0
20
30
6
6
28F512-90
分钟。马克斯。
90
90
90
35
0
0
0
30
40
6
28F512-12 28F512-15
分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
120
120
120
50
0
0
0
35
45
150
150
150
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
t
OLZ(1)(6)
OE
到输出低-Z
t
LZ(1)(6)
t
DF(1)(2)
t
DF(1)(2)
-
CE
到输出低-Z
OE
高到输出高阻
CE
高到输出高阻
写恢复时间之前，请先阅读
图1.交流测试输入/输出波形
(3)(4)(5)
2.4 V
输入脉冲电平
0.45 V
0.8 V
5096 FHD F03
2.0 V
参考点
图2.交流测试负载电路（例如）
1.3V
1N914
3.3K
设备
下
TEST
OUT
CL = 100 pF的
CL INCLUDES夹具电容
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（2）输出的浮动（高Z ）被定义为其中所述外部数据线是由输出缓冲器不再驱动时的状态。
（ 3 ）输入上升和下降时间（ 10 ％至90 ％ ）和LT ; 10纳秒。
（ 4 ）输入脉冲电平= 0.45V和2.4V 。
（ 5 ）输入和输出时序参考= 0.8V和2.0V 。
（6 ）低Z被定义为所述外部数据可以由输出缓冲器来驱动，但可能是无效的状态。
5108 FHD F04
5
文档。第25042-00 2/98 F- 1
CAT28F512
512K位CMOS闪存
英特尔授权的第二个来源
特点
I
快速读取访问时间： 90/120/150 NS
I
低功耗CMOS功耗：
H
LOGEN
FR
A
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
I
商用，工业和汽车
温度范围
I
停止定时器编程/擦除
I
芯片上地址和数据锁存器
I
JEDEC标准管脚引出线：
-active ：30 mA（最大值） （ CMOS / TTL电平）
-Standby ：最大1毫安（ TTL电平）
-Standby ： 100
A（最大值） （ CMOS电平）
I
高速编程：
–10
每个的byte
-1秒典型芯片项目
I
12.0V
±
5％的编程和擦除电压
-32引脚DIP
-32引脚PLCC
-32引脚TSOP （ 8 ×20 ）
I
100,000编程/擦除周期
I
10年的数据保存
I
可用"Green"封装选项
I
电子签名
描述
该CAT28F512是高速64K ×8位的电
可擦除和重新编程的闪存最好
适合需要在系统的应用程序或售后
代码更新。全记忆中的电擦除
内容是在0.5秒内典型地实现。
它与标准的引脚和读时序兼容
EPROM和EEPROM器件。编程和擦除
通过一个操作被执行，并验证algo-
rithm 。所述指令输入通过I / O总线，用
两个写周期的计划。地址和数据锁存
以释放I / O总线和地址总线的写操作期间
操作。
该CAT28F512使用Catalyst的AD-制造
vanced CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据
保持10年。该器件可在JEDEC
批准的32引脚塑料DIP ， 32引脚PLCC和32引脚
TSOP封装。
框图
I/O0–I/O7
I / O缓冲器
擦除电压
开关
WE
命令
注册
编程电压
开关
CE， OE逻辑
数据
LATCH
SENSE
AMP
CE
OE
地址锁存
Y型GATING
y解码器
524,288位
内存
ARRAY
A0–A15
X解码器
电压以确认
开关
2004 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 1084号，第
CAT28F512
引脚配置
引脚功能
引脚名称
A
0
–A
15
TYPE
输入
I / O
输入
输入
输入
功能
地址输入
存储器寻址
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
编程/擦除
电源
DIP封装（P ， L）
PLCC封装（N ，G ）
I / O
0
-I / O
7
VPP
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
N / C
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
28F512 F01
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
VPP
VCC
WE
N / C
A12
A15
NC
CE
OE
29
28
27
26
25
24
23
22
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
4
5
6
7
8
9
10
11
12
3
2
1 32 31 30
WE
V
CC
V
SS
V
PP
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
VSS
I/O3
I/O4
TSOP封装（标准引脚采用8mm x 20毫米） （T ，H ）
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
VPP
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
VSS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
TSOP封装（引脚反转）（ TR ， HR）
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
VSS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
VPP
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
28F512 F03
I/O5
I/O6
文档。 1084号，第
2
CAT28F512
绝对最大额定值*
高温下偏置................... -55 ° C至+ 95°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(1)
........... -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
引脚上的电压
9
同
对于地面
(1)
................... -2.0V至+ 13.5V
V
PP
相对于地面
在编程/擦除
(1)
.............. -2.0V至+ 14.0V
V
CC
相对于地面
(1)
............ -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（T
A
= 25 ° C） .................................为1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(2)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(3)
T
DR(3)
V
ZAP(3)
I
LTH(3)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
100K
10
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些压力额定值只和功能的操作
该设备在这些或那些之外的任何其他条件
在操作部分中列出的本规范不
暗示。暴露于任何绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的性能和
可靠性。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0 MHz的
范围
符号
C
IN(3)
C
OUT(3)
C
VPP(3)
TEST
输入引脚电容
输出引脚电容
V
PP
供应电容
民
马克斯。
6
10
25
单位
pF
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
V
PP
= 0V
注意：
（1 ）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20ns的周期。
（2）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
（ 3 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
3
文档。 1084号，第
CAT28F512
直流工作特性
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定ED 。
范围
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC1
I
CC2(1)
I
CC3(1)
I
CC4(1)
I
PPS
I
PP1
I
PP2(1)
I
PP3(1)
I
PP4(1)
V
IL
V
ILC
V
OL
V
IH
V
IHC
V
OH1
V
OH2
V
ID
I
ID(1)
V
LO
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
CC
读操作工作电流
V
CC
编程电流
V
CC
擦除电流
V
CC
PROG 。 /擦除校验电流
V
PP
待机电流
V
PP
读电流
V
PP
编程电流
V
PP
擦除电流
V
PP
PROG 。 /擦除校验电流
输入低电平TTL
输入低电平CMOS
输出低电平
输入高电平TTL
输入高电平CMOS
输出高电平TTL
输出高电平CMOS
A
9
签名电压
A
9
当前签名
V
CC
擦除/编程。锁定电压
2.5
2
V
CC
*0.7
2.4
V
CC
–0.4
11.4
13
200
–0.5
–0.5
分钟。
马克斯。
±1
±1
100
1
30
15
15
15
±10
200
30
30
5
0.8
0.8
0.45
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
单位
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
A
V
I
OH
= -2.5mA ，V
CC
= 4.5V
I
OH
= -400μA ，V
CC
= 4.5V
A
9
= V
ID
A
9
= V
ID
I
OL
= 5.8毫安，V
CC
= 4.5V
测试条件
V
IN
= V
CC
或V
SS
V
CC
= 5.5V,
OE
= V
IH
V
OUT
= V
CC
或V
SS
,
V
CC
= 5.5V,
OE
= V
IH
CE
= V
CC
±0.5V,
V
CC
= 5.5V
CE
= V
IH
, V
CC
= 5.5V
V
CC
= 5.5V,
CE
= V
IL
,
I
OUT
= 0毫安， F = 6兆赫
V
CC
= 5.5V,
编程中
V
CC
= 5.5V,
擦除进展
V
CC
= 5.5V ，程序或
擦除验证进展
V
PP
= V
PPL
V
PP
= V
PPH
V
PP
= V
PPH
,
编程中
V
PP
= V
PPH
,
擦除进展
V
PP
= V
PPH
，程序或
擦除验证进展
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
文档。 1084号，第
4
CAT28F512
电源特性
范围
符号
V
CC
V
PPL
V
PPH
参数
V
CC
电源电压
V
PP
在读操作
V
PP
在读/擦除/编程
民
4.5
0
11.4
马克斯。
5.5
6.5
12.6
单位
V
V
V
交流的特点，读操作
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定ED 。
JEDEC标准
符号
t
AVAV
t
ELQV
t
AVQV
t
GLQV
t
AXQX
t
GLQX
t
ELQX
t
GHQZ
t
EHQZ
t
WHGL(1)
符号
t
RC
t
CE
t
加
t
OE
t
OH
参数
读周期时间
CE
存取时间
地址访问时间
OE
存取时间
从地址输出保持
OE / CE
变化
0
0
0
20
30
6
6
28F512-90
分钟。马克斯。
90
90
90
35
0
0
0
30
40
6
28F512-12 28F512-15
分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
120
120
120
50
0
0
0
35
45
150
150
150
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
t
OLZ(1)(6)
OE
到输出低-Z
t
LZ(1)(6)
t
DF(1)(2)
t
DF(1)(2)
-
CE
到输出低-Z
OE
高到输出高阻
CE
高到输出高阻
写恢复时间之前，请先阅读
图1.交流测试输入/输出波形
(3)(4)(5)
2.4 V
输入脉冲电平
0.45 V
0.8 V
2.0 V
参考点
图2.交流测试负载电路（例如）
1.3V
1N914
3.3K
设备
下
TEST
OUT
CL = 100 pF的
CL INCLUDES夹具电容
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（2）输出的浮动（高Z ）被定义为其中所述外部数据线是由输出缓冲器不再驱动时的状态。
（ 3 ）输入上升和下降时间（ 10 ％至90 ％ ）和LT ; 10纳秒。
（ 4 ）输入脉冲电平= 0.45V和2.4V 。
（ 5 ）输入和输出时序参考= 0.8V和2.0V 。
（6 ）低Z被定义为所述外部数据可以由输出缓冲器来驱动，但可能是无效的状态。
5
文档。 1084号，第
CAT28F512
512K位CMOS闪存
特点
s
快速读取访问时间： 90/120/150 NS
s
低功耗CMOS功耗：
英特尔授权
第二个来源
s
商用，工业和汽车
温度范围
s
停止定时器编程/擦除
s
芯片上地址和数据锁存器
s
JEDEC标准管脚引出线：
-active ：30 mA（最大值） （ CMOS / TTL电平）
-Standby ：最大1毫安（ TTL电平）
-Standby ： 100
A（最大值） （ CMOS电平）
s
高速编程：
–10
每个的byte
-1秒典型芯片项目
s
12.0V
±
5％的编程和擦除电压
-32引脚DIP
-32引脚PLCC
-32引脚TSOP （ 8 ×20 ）
s
100,000编程/擦除周期
s
10年的数据保存
s
电子签名
描述
该CAT28F512是高速64K ×8位的电
可擦除和重新编程的闪存最好
适合需要在系统的应用程序或售后
代码更新。全记忆中的电擦除
内容是在0.5秒内典型地实现。
它与标准的引脚和读时序兼容
EPROM和E
2
PROM器件。编程和
通过擦除操作执行和验证
算法。所述指令输入通过I / O总线，
使用两个写周期方案。地址和数据
锁存期间释放的I / O总线和地址总线
写操作。
该CAT28F512使用Catalyst的AD-制造
vanced CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据
保持10年。该器件可在JEDEC
批准的32引脚塑料DIP ， 32引脚PLCC和32引脚
TSOP封装。
框图
I/O0–I/O7
I / O缓冲器
擦除电压
开关
WE
命令
注册
编程电压
开关
CE， OE逻辑
数据
LATCH
SENSE
AMP
CE
OE
地址锁存
Y型GATING
y解码器
524,288位
内存
ARRAY
A0–A15
X解码器
28F512 F02
电压以确认
开关
1998年由Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。第25042-00 2/98 F- 1
CAT28F512
初步
引脚配置
引脚功能
引脚名称
A
0
–A
15
TYPE
输入
I / O
输入
输入
输入
功能
地址输入
存储器寻址
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
编程/擦除
电源
DIP封装（ P）
PLCC封装（ N）
I / O
0
-I / O
7
VPP
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
N / C
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
VCC
WE
N / C
A12
A15
NC
VPP
CE
OE
29
28
27
26
25
24
23
22
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
4
3
2
1 32 31 30
WE
V
CC
V
SS
V
PP
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
VSS
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
28F512 F01
TSOP封装（标准引脚采用8mm x 20毫米） （ T）
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
VPP
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
VSS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
TSOP封装（引脚反转）（ TR ）
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
VSS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
VPP
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
28F512 F03
文档。第25042-00 2/98 F- 1
2
初步
CAT28F512
绝对最大额定值*
高温下偏置................... -55 ° C至+ 95°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(1)
........... -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
引脚上的电压
9
同
对于地面
(1)
................... -2.0V至+ 13.5V
V
PP
相对于地面
在编程/擦除
(1)
.............. -2.0V至+ 14.0V
V
CC
相对于地面
(1)
............ -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（T
A
= 25 ° C） .................................为1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(2)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(3)
T
DR(3)
V
ZAP(3)
I
LTH(3)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
100K
10
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些压力额定值只和功能的操作
该设备在这些或那些之外的任何其他条件
在操作部分中列出的本规范不
暗示。暴露于任何绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的性能和
可靠性。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0 MHz的
范围
符号
C
IN(3)
C
OUT(3)
C
VPP(3)
TEST
输入引脚电容
输出引脚电容
V
PP
供应电容
民
马克斯。
6
10
25
单位
pF
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
V
PP
= 0V
注意：
（1 ）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20ns的周期。
（2）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
（ 3 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
3
文档。第25042-00 2/98 F- 1
CAT28F512
直流工作特性
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定ED 。
范围
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC1
I
CC2(1)
I
CC3(1)
I
CC4(1)
I
PPS
I
PP1
I
PP2(1)
I
PP3(1)
I
PP4(1)
V
IL
V
ILC
V
OL
V
IH
V
IHC
V
OH1
V
OH2
V
ID
I
ID(1)
V
LO
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
CC
读操作工作电流
V
CC
编程电流
V
CC
擦除电流
V
CC
PROG 。 /擦除校验电流
V
PP
待机电流
V
PP
读电流
V
PP
编程电流
V
PP
擦除电流
V
PP
PROG 。 /擦除校验电流
输入低电平TTL
输入低电平CMOS
输出低电平
输入高电平TTL
输入高电平CMOS
输出高电平TTL
输出高电平CMOS
A
9
签名电压
A
9
当前签名
V
CC
擦除/编程。锁定电压
2.5
2
V
CC
*0.7
2.4
V
CC
–0.4
11.4
13
200
–0.5
–0.5
分钟。
马克斯。
±1
±1
100
1
30
15
15
15
±10
200
30
30
5
0.8
0.8
0.45
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
单位
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
A
V
初步
测试条件
V
IN
= V
CC
或V
SS
V
CC
= 5.5V,
OE
= V
IH
V
OUT
= V
CC
或V
SS
,
V
CC
= 5.5V,
OE
= V
IH
CE
= V
CC
±0.5V,
V
CC
= 5.5V
CE
= V
IH
, V
CC
= 5.5V
V
CC
= 5.5V,
CE
= V
IL
,
I
OUT
= 0毫安， F = 6兆赫
V
CC
= 5.5V,
编程中
V
CC
= 5.5V,
擦除进展
V
CC
= 5.5V ，程序或
擦除验证进展
V
PP
= V
PPL
V
PP
= V
PPH
V
PP
= V
PPH
,
编程中
V
PP
= V
PPH
,
擦除进展
V
PP
= V
PPH
，程序或
擦除验证进展
I
OL
= 5.8毫安，V
CC
= 4.5V
I
OH
= -2.5mA ，V
CC
= 4.5V
I
OH
= -400μA ，V
CC
= 4.5V
A
9
= V
ID
A
9
= V
ID
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
文档。第25042-00 2/98 F- 1
4
初步
电源特性
范围
符号
V
CC
V
PPL
V
PPH
参数
V
CC
电源电压
V
PP
在读操作
V
PP
在读/擦除/编程
民
4.5
0
11.4
马克斯。
5.5
6.5
12.6
CAT28F512
单位
V
V
V
交流的特点，读操作
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定ED 。
JEDEC标准
符号
t
AVAV
t
ELQV
t
AVQV
t
GLQV
t
AXQX
t
GLQX
t
ELQX
t
GHQZ
t
EHQZ
t
WHGL(1)
符号
t
RC
t
CE
t
加
t
OE
t
OH
参数
读周期时间
CE
存取时间
地址访问时间
OE
存取时间
从地址输出保持
OE / CE
变化
0
0
0
20
30
6
6
28F512-90
分钟。马克斯。
90
90
90
35
0
0
0
30
40
6
28F512-12 28F512-15
分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
120
120
120
50
0
0
0
35
45
150
150
150
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
t
OLZ(1)(6)
OE
到输出低-Z
t
LZ(1)(6)
t
DF(1)(2)
t
DF(1)(2)
-
CE
到输出低-Z
OE
高到输出高阻
CE
高到输出高阻
写恢复时间之前，请先阅读
图1.交流测试输入/输出波形
(3)(4)(5)
2.4 V
输入脉冲电平
0.45 V
0.8 V
5096 FHD F03
2.0 V
参考点
图2.交流测试负载电路（例如）
1.3V
1N914
3.3K
设备
下
TEST
OUT
CL = 100 pF的
CL INCLUDES夹具电容
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（2）输出的浮动（高Z ）被定义为其中所述外部数据线是由输出缓冲器不再驱动时的状态。
（ 3 ）输入上升和下降时间（ 10 ％至90 ％ ）和LT ; 10纳秒。
（ 4 ）输入脉冲电平= 0.45V和2.4V 。
（ 5 ）输入和输出时序参考= 0.8V和2.0V 。
（6 ）低Z被定义为所述外部数据可以由输出缓冲器来驱动，但可能是无效的状态。
5108 FHD F04
5
文档。第25042-00 2/98 F- 1
QQ：2881677436 复制
