【CAT28F1021兆位的CMOS闪存特点s快速读取访问时间： 45/55/70/90 NSs低功耗】,IC型号CAT28F102T14RI-90T,CAT28F102T14RI-90T PDF资料,CAT28F102T14RI-90T经销商,ic,电子元器件-51电子网

CAT28F102

1兆位的CMOS闪存

特点

s

快速读取访问时间： 45/55/70/90 NS

s

低功耗CMOS功耗：

英特尔授权

第二个来源

s

64K ×16的Word组织

s

停止定时器编程/擦除

s

芯片上地址和数据锁存器

s

JEDEC标准管脚引出线：

-active ：30 mA（最大值）（ CMOS / TTL电平）

-Standby ：最大1毫安（ TTL电平）

-Standby ： 100

A（最大值）（ CMOS电平）

s

高速编程：

–10

每个的byte

-1秒典型芯片项目

-40引脚DIP

-44引脚PLCC

-40引脚TSOP

s

100,000编程/擦除周期

s

10年的数据保存

s

电子签名

s

0.5秒典型芯片擦除

s

12.0V

±

5％的编程和擦除电压

s

商用，工业和汽车

温度范围

描述

该CAT28F102是高速64K ×16位的电

可擦除和重新编程的闪存最好

适合需要在系统的应用程序或售后

代码更新。全记忆中的电擦除

内容是在0.5秒内典型地实现。

它与标准的引脚和读时序兼容

EPROM和E

2

PROM器件。编程和擦除

通过一个操作被执行，并验证algo-

rithm 。所述指令输入通过I / O总线，用

两个写周期的计划。地址和数据锁存

以释放I / O总线和地址总线的写操作期间

操作。

该CAT28F102使用Catalyst的AD-制造

vanced CMOS浮栅技术。它被设计成

忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据

保持10年。该器件可在JEDEC

批准的40引脚DIP ， 44引脚PLCC ，或40引脚TSOP

包。

I/O0–I/O15

框图

I / O缓冲器

擦除电压

开关

WE

命令

注册

编程电压

开关

CE， OE逻辑

数据

LATCH

SENSE

AMP

CE

OE

地址锁存

Y型GATING

y解码器

1,048,576-BIT

内存

ARRAY

A0–A15

X解码器

电压以确认

开关

28F101-1

1998年由Catalyst半导体公司

特性如有变更，恕不另行通知

1

文档。 25038-0A第2/98 F- 1

CAT28F102

引脚配置

引脚功能

引脚名称

A

0

–A

15

I / O

0

-I / O

15

A15

A14

TYPE

输入

I / O

输入

功能

地址输入

存储器寻址

数据输入/输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

编程/擦除

电源

无连接

PLCC封装（ N）

I/O13

I/O14

I/O15

CE

NC

VCC

WE

NC

VPP

CE

OE

WE

A13

A12

A11

A10

A9

VSS

NC

A8

A7

A6

A5

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

VSS

NC

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

6 5 4 3 2 1 44 43 42 41 40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

V

CC

V

SS

V

PP

NC

29

17

18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

OE

NC

A0

A1

A2

A3

A4

TSOP封装（ T14 ）

A9

A10

A11

A12

A13

A14

A15

NC

WE

VCC

VPP

CE

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

VSS

A8

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

OE

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

VSS

28F101-3

28F101-2

DIP封装（ P）

VPP

CE

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

VSS

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

OE

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

VCC

WE

NC

A15

A14

A13

A12

A11

A10

A9

VSS

A8

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

反向TSOP封装（ T14R ）

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

GND

A9

A10

A11

A12

A13

A14

A15

NC

WE

VCC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

OE

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

GND

I/O8

I/O9

I/O10

I/O11

I/O12

I/O13

I/O14

I/O15

VPP

CE

28F102 TSOP2

文档。 25038-0A第2/98 F- 1

2

CAT28F102

绝对最大额定值*

高温下偏置................... -55 ° C至+ 95°C

存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C

任何引脚的电压

对于地面

(1)

........... -0.6V到+ V

CC

+ 2.0V

引脚上的电压

9

同

对于地面

(1)

................... -2.0V至+ 13.5V

V

PP

相对于地面

在编程/擦除

(1)

.............. -0.6V至+ 14.0V

V

CC

相对于地面

(1)

............ -2.0V至+ 7.0V

封装功耗

能力（T

A

= 25 ° C） .................................为1.0W

引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃

输出短路电流

(2)

........................百毫安

可靠性的特点

符号

N

END(3)

T

DR(3)

V

ZAP(3)

I

LTH(3)(4)

参数

耐力

数据保留

ESD敏感性

闭锁

分钟。

100K

10

2000

100

马克斯。

* COMMENT

注意，超出上述绝对最大的“上市

“，可能对器件造成永久性损坏。

这些压力额定值只和功能的操作

该设备在这些或那些之外的任何其他条件

在操作部分中列出的本规范不

暗示。暴露于任何绝对最大额定值

长时间可能会影响器件的性能和

可靠性。

单位

周期/字节

岁月

伏

mA

测试方法

MIL - STD-883标准，测试方法1033

MIL - STD-883标准，测试方法1008

MIL - STD-883标准，测试方法3015

JEDEC标准17

电容

T

A

= 25 ° C，F = 1.0 MHz的

范围

符号

C

IN(3)

C

OUT(3)

C

VPP(3)

TEST

输入引脚电容

输出引脚电容

V

PP

供应电容

民

马克斯。

6

10

25

单位

pF

条件

V

IN

= 0V

V

OUT

= 0V

V

PP

= 0V

注意：

（1 ）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流

电压输出引脚为V

CC

+ 0.5V ，这可能会过冲至V

CC

+ 2.0V为小于20ns的周期。

（2）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。

（ 3 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。

提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V

CC

+1V.

3

文档。 25038-0A第2/98 F- 1

CAT28F102

直流工作特性

V

CC

= +5V

±10%,

除非另有说明

范围

符号

I

LI

I

LO

I

SB1

I

SB2

I

CC1

I

CC2(1)

I

CC3(1)

I

CC4(1)

I

PPS

I

PP1

I

PP2(1)

I

PP3(1)

I

PP4(1)

V

IL

V

ILC

V

OL

V

IH

V

IHC

V

OH1

V

OH2

V

ID

I

ID(1)

V

LO

参数

输入漏电流

输出漏电流

V

CC

待机电流CMOS

V

CC

待机电流TTL

V

CC

读操作工作电流

V

CC

编程电流

V

CC

擦除电流

V

CC

PROG 。 /擦除校验电流

V

PP

待机电流

V

PP

读电流

V

PP

编程电流

V

PP

擦除电流

V

PP

PROG 。 /擦除校验电流

输入低电平TTL

输入低电平CMOS

输出低电平

输入高电平TTL

输入高电平CMOS

输出高电平TTL

输出高电平CMOS

A

9

签名电压

A

9

当前签名

V

CC

擦除/编程。锁定电压

2.5

2

V

CC

*0.7

2.4

V

CC

-0.4

11.4

13.0

200

–0.5

分钟。

马克斯。

±1

100

1

50

30

±10

100

50

30

5

0.8

0.45

V

CC

+0.5

V

CC

+0.5

单位

A

mA

A

mA

V

A

V

I

OH

= -2.5mA ，V

CC

= 4.5V

I

OH

= -400μA ，V

CC

= 4.5V

A

9

= V

ID

A

9

= V

ID

I

OL

= 5.8毫安，V

CC

= 4.5V

测试条件

V

IN

= V

CC

或V

SS

V

CC

= 5.5V ， OE = V

IH

V

OUT

= V

CC

或V

SS

,

V

CC

= 5.5V ， OE = V

IH

CE = V

CC

±0.5V,

V

CC

= 5.5V

CE = V

IH

, V

CC

= 5.5V

V

CC

= 5.5V ，CE = V

IL

,

I

OUT

= 0毫安， F = 6兆赫

V

CC

= 5.5V,

编程中

V

CC

= 5.5V,

擦除进展

V

CC

= 5.5V ，程序或

擦除验证进展

V

PP

= V

PPL

V

PP

= V

PPH

V

PP

= V

PPH

,

编程中

V

PP

= V

PPH

,

擦除进展

V

PP

= V

PPH

，程序或

擦除验证进展

电源特性

V

CC

V

CC

V

PPL

V

PPH

V

CC

电源电压

V

CC

电源电压

V

PP

在读操作

V

PP

在读/擦除/编程

4.5

4.75

0

11.4

5.5

5.25

6.5

12.6

V

28F102-70, 90

28F102-55, -45

文档。 25038-0A第2/98 F- 1

4

CAT28F102

交流的特点，读操作

V

CC

= +5V

±10%,

除非另有说明

JEDEC

符号

t

AVAV

t

ELQV

t

AVQV

t

GLQV

t

AXQX

t

GLQX

t

ELQX

t

GHQZ

t

EHQZ(1)(2)

t

WHGL

标准

符号

t

RC

t

CE

t

加

t

OE

t

OH

t

OLZ(1)(6)

t

LZ(1)(6)

t

DF(1)(2)

-

参数

读周期时间

CE

存取时间

地址访问时间

OE

存取时间

从地址输出保持

OE / CE

陈

OE

到输出低-Z

CE

到输出低-Z

OE

高到输出高阻

CE

高到输出高阻

写恢复时间之前，

读

6

0

15

6

28F102-45

(7)

Vcc=5V+5%

28F102-55

(7)

28F102-70

(7)

28F102- 90

(8)

Vcc=5V+5%

分钟。

45

马克斯。

MIN 。 MAX 。 MIN 。

55

70

55

25

0

15

6

0

马克斯。

分钟。

90

最大

单位

ns

45

20

70

28

0

18

25

6

90

35

ns

20

30

ns

s

图1.交流测试输入/输出波形

(3)(4)(5)

2.4 V

输入脉冲电平

0.45 V

0.8 V

5108 FHD F03

2.0 V

参考点

图2.交流测试负载电路（例如）

1.3V

1N914

3.3K

设备

下

TEST

OUT

CL = 100 pF的

CL INCLUDES夹具电容

5108 FHD F04

图3.高速AC测试输入/输出波形

(3)(4)(5)

3V

2.4 V

输入脉冲电平

2.0 V

1.5V

0.8 V

参考点

0.0

0.45 V

图4.高速AC测试负载电路（例如）

1.3V

1N914

3.3K

设备

下

TEST

OUT

CL = 100 pF的

30

CL INCLUDES夹具电容

注意：

（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。

（2）输出的浮动（高Z ）被定义为其中所述外部数据线是由输出缓冲器不再驱动时的状态。

（ 3 ）输入上升和下降时间（ 10 ％至90 ％）和LT ; 10纳秒。

（ 4 ）输入脉冲电平= 0.45V和2.4V 。对于高速输入脉冲电平0.0V和3.0V 。

（ 5 ）输入和输出时序参考= 0.8V和2.0V 。对于高速输入和输出时序参考= 1.5V 。

（6 ）低Z被定义为所述外部数据可以由输出缓冲器来驱动，但可能是无效的状态。

（7）为负载和基准点见图3和图4

（ 8 ）对于负载和基准点见图1和图2

5

文档。 25038-0A第2/98 F- 1

CAT28F102

1兆位的CMOS闪存

特点

s

快速读取访问时间： 45/55/70/90 NS

s

低功耗CMOS功耗：

英特尔授权

第二个来源

s

64K ×16的Word组织

s

停止定时器编程/擦除

s

芯片上地址和数据锁存器

s

JEDEC标准管脚引出线：

-active ：30 mA（最大值）（ CMOS / TTL电平）

-Standby ：最大1毫安（ TTL电平）

-Standby ： 100

A（最大值）（ CMOS电平）

s

高速编程：

–10

每个的byte

-1秒典型芯片项目

-40引脚DIP

-44引脚PLCC

-40引脚TSOP

s

100,000编程/擦除周期

s

10年的数据保存

s

电子签名

s

0.5秒典型芯片擦除

s

12.0V

±

5％的编程和擦除电压

s

商用，工业和汽车

温度范围

描述

该CAT28F102是高速64K ×16位的电

可擦除和重新编程的闪存最好

适合需要在系统的应用程序或售后

代码更新。全记忆中的电擦除

内容是在0.5秒内典型地实现。

它与标准的引脚和读时序兼容

EPROM和E

2

PROM器件。编程和擦除

通过一个操作被执行，并验证algo-

rithm 。所述指令输入通过I / O总线，用

两个写周期的计划。地址和数据锁存

以释放I / O总线和地址总线的写操作期间

操作。

该CAT28F102使用Catalyst的AD-制造

vanced CMOS浮栅技术。它被设计成

忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据

保持10年。该器件可在JEDEC

批准的40引脚DIP ， 44引脚PLCC ，或40引脚TSOP

包。

I/O0–I/O15

框图

I / O缓冲器

擦除电压

开关

WE

命令

注册

编程电压

开关

CE， OE逻辑

数据

LATCH

SENSE

AMP

CE

OE

地址锁存

Y型GATING

y解码器

1,048,576-BIT

内存

ARRAY

A0–A15

X解码器

电压以确认

开关

28F101-1

1998年由Catalyst半导体公司

特性如有变更，恕不另行通知

1

文档。 25038-0A第2/98 F- 1

CAT28F102

引脚配置

引脚功能

引脚名称

A

0

–A

15

I / O

0

-I / O

15

A15

A14

TYPE

输入

I / O

输入

功能

地址输入

存储器寻址

数据输入/输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

编程/擦除

电源

无连接

PLCC封装（ N）

I/O13

I/O14

I/O15

CE

NC

VCC

WE

NC

VPP

CE

OE

WE

A13

A12

A11

A10

A9

VSS

NC

A8

A7

A6

A5

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

VSS

NC

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

6 5 4 3 2 1 44 43 42 41 40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

V

CC

V

SS

V

PP

NC

29

17

18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

OE

NC

A0

A1

A2

A3

A4

TSOP封装（ T14 ）

A9

A10

A11

A12

A13

A14

A15

NC

WE

VCC

VPP

CE

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

VSS

A8

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

OE

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

VSS

28F101-3

28F101-2

DIP封装（ P）

VPP

CE

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

VSS

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

OE

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

VCC

WE

NC

A15

A14

A13

A12

A11

A10

A9

VSS

A8

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

反向TSOP封装（ T14R ）

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

GND

A9

A10

A11

A12

A13

A14

A15

NC

WE

VCC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

OE

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

GND

I/O8

I/O9

I/O10

I/O11

I/O12

I/O13

I/O14

I/O15

VPP

CE

28F102 TSOP2

文档。 25038-0A第2/98 F- 1

2

CAT28F102

绝对最大额定值*

高温下偏置................... -55 ° C至+ 95°C

存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C

任何引脚的电压

对于地面

(1)

........... -0.6V到+ V

CC

+ 2.0V

引脚上的电压

9

同

对于地面

(1)

................... -2.0V至+ 13.5V

V

PP

相对于地面

在编程/擦除

(1)

.............. -0.6V至+ 14.0V

V

CC

相对于地面

(1)

............ -2.0V至+ 7.0V

封装功耗

能力（T

A

= 25 ° C） .................................为1.0W

引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃

输出短路电流

(2)

........................百毫安

可靠性的特点

符号

N

END(3)

T

DR(3)

V

ZAP(3)

I

LTH(3)(4)

参数

耐力

数据保留

ESD敏感性

闭锁

分钟。

100K

10

2000

100

马克斯。

* COMMENT

注意，超出上述绝对最大的“上市

“，可能对器件造成永久性损坏。

这些压力额定值只和功能的操作

该设备在这些或那些之外的任何其他条件

在操作部分中列出的本规范不

暗示。暴露于任何绝对最大额定值

长时间可能会影响器件的性能和

可靠性。

单位

周期/字节

岁月

伏

mA

测试方法

MIL - STD-883标准，测试方法1033

MIL - STD-883标准，测试方法1008

MIL - STD-883标准，测试方法3015

JEDEC标准17

电容

T

A

= 25 ° C，F = 1.0 MHz的

范围

符号

C

IN(3)

C

OUT(3)

C

VPP(3)

TEST

输入引脚电容

输出引脚电容

V

PP

供应电容

民

马克斯。

6

10

25

单位

pF

条件

V

IN

= 0V

V

OUT

= 0V

V

PP

= 0V

注意：

（1 ）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流

电压输出引脚为V

CC

+ 0.5V ，这可能会过冲至V

CC

+ 2.0V为小于20ns的周期。

（2）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。

（ 3 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。

提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V

CC

+1V.

3

文档。 25038-0A第2/98 F- 1

CAT28F102

直流工作特性

V

CC

= +5V

±10%,

除非另有说明

范围

符号

I

LI

I

LO

I

SB1

I

SB2

I

CC1

I

CC2(1)

I

CC3(1)

I

CC4(1)

I

PPS

I

PP1

I

PP2(1)

I

PP3(1)

I

PP4(1)

V

IL

V

ILC

V

OL

V

IH

V

IHC

V

OH1

V

OH2

V

ID

I

ID(1)

V

LO

参数

输入漏电流

输出漏电流

V

CC

待机电流CMOS

V

CC

待机电流TTL

V

CC

读操作工作电流

V

CC

编程电流

V

CC

擦除电流

V

CC

PROG 。 /擦除校验电流

V

PP

待机电流

V

PP

读电流

V

PP

编程电流

V

PP

擦除电流

V

PP

PROG 。 /擦除校验电流

输入低电平TTL

输入低电平CMOS

输出低电平

输入高电平TTL

输入高电平CMOS

输出高电平TTL

输出高电平CMOS

A

9

签名电压

A

9

当前签名

V

CC

擦除/编程。锁定电压

2.5

2

V

CC

*0.7

2.4

V

CC

-0.4

11.4

13.0

200

–0.5

分钟。

马克斯。

±1

100

1

50

30

±10

100

50

30

5

0.8

0.45

V

CC

+0.5

V

CC

+0.5

单位

A

mA

A

mA

V

A

V

I

OH

= -2.5mA ，V

CC

= 4.5V

I

OH

= -400μA ，V

CC

= 4.5V

A

9

= V

ID

A

9

= V

ID

I

OL

= 5.8毫安，V

CC

= 4.5V

测试条件

V

IN

= V

CC

或V

SS

V

CC

= 5.5V ， OE = V

IH

V

OUT

= V

CC

或V

SS

,

V

CC

= 5.5V ， OE = V

IH

CE = V

CC

±0.5V,

V

CC

= 5.5V

CE = V

IH

, V

CC

= 5.5V

V

CC

= 5.5V ，CE = V

IL

,

I

OUT

= 0毫安， F = 6兆赫

V

CC

= 5.5V,

编程中

V

CC

= 5.5V,

擦除进展

V

CC

= 5.5V ，程序或

擦除验证进展

V

PP

= V

PPL

V

PP

= V

PPH

V

PP

= V

PPH

,

编程中

V

PP

= V

PPH

,

擦除进展

V

PP

= V

PPH

，程序或

擦除验证进展

电源特性

V

CC

V

CC

V

PPL

V

PPH

V

CC

电源电压

V

CC

电源电压

V

PP

在读操作

V

PP

在读/擦除/编程

4.5

4.75

0

11.4

5.5

5.25

6.5

12.6

V

28F102-70, 90

28F102-55, -45

文档。 25038-0A第2/98 F- 1

4

CAT28F102

交流的特点，读操作

V

CC

= +5V

±10%,

除非另有说明

JEDEC

符号

t

AVAV

t

ELQV

t

AVQV

t

GLQV

t

AXQX

t

GLQX

t

ELQX

t

GHQZ

t

EHQZ(1)(2)

t

WHGL

标准

符号

t

RC

t

CE

t

加

t

OE

t

OH

t

OLZ(1)(6)

t

LZ(1)(6)

t

DF(1)(2)

-

参数

读周期时间

CE

存取时间

地址访问时间

OE

存取时间

从地址输出保持

OE / CE

陈

OE

到输出低-Z

CE

到输出低-Z

OE

高到输出高阻

CE

高到输出高阻

写恢复时间之前，

读

6

0

15

6

28F102-45

(7)

Vcc=5V+5%

28F102-55

(7)

28F102-70

(7)

28F102- 90

(8)

Vcc=5V+5%

分钟。

45

马克斯。

MIN 。 MAX 。 MIN 。

55

70

55

25

0

15

6

0

马克斯。

分钟。

90

最大

单位

ns

45

20

70

28

0

18

25

6

90

35

ns

20

30

ns

s

图1.交流测试输入/输出波形

(3)(4)(5)

2.4 V

输入脉冲电平

0.45 V

0.8 V

5108 FHD F03

2.0 V

参考点

图2.交流测试负载电路（例如）

1.3V

1N914

3.3K

设备

下

TEST

OUT

CL = 100 pF的

CL INCLUDES夹具电容

5108 FHD F04

图3.高速AC测试输入/输出波形

(3)(4)(5)

3V

2.4 V

输入脉冲电平

2.0 V

1.5V

0.8 V

参考点

0.0

0.45 V

图4.高速AC测试负载电路（例如）

1.3V

1N914

3.3K

设备

下

TEST

OUT

CL = 100 pF的

30

CL INCLUDES夹具电容

注意：

（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。

（2）输出的浮动（高Z ）被定义为其中所述外部数据线是由输出缓冲器不再驱动时的状态。

（ 3 ）输入上升和下降时间（ 10 ％至90 ％）和LT ; 10纳秒。

（ 4 ）输入脉冲电平= 0.45V和2.4V 。对于高速输入脉冲电平0.0V和3.0V 。

（ 5 ）输入和输出时序参考= 0.8V和2.0V 。对于高速输入和输出时序参考= 1.5V 。

（6 ）低Z被定义为所述外部数据可以由输出缓冲器来驱动，但可能是无效的状态。

（7）为负载和基准点见图3和图4

（ 8 ）对于负载和基准点见图1和图2

5

文档。 25038-0A第2/98 F- 1