CAT28F020
2兆位的CMOS闪存
英特尔授权的第二个来源
特点
I
快速读取访问时间：一百二十分之九十〇 NS
I
低功耗CMOS功耗：
H
根
FR
ALO
EE
LE
I
商用，工业和汽车
A
D
F
R
E
E
TM
温度范围
I
停止定时器编程/擦除
I
芯片上地址和数据锁存器
I
JEDEC标准管脚引出线：
- 活动：30 mA（最大值） （ CMOS / TTL电平）
- 待机： mA（最大值） 1 （ TTL电平）
- 待机： 100
A（最大值） （ CMOS电平）
I
高速编程：
– 10
每个的byte
- 4秒典型芯片项目
- 32引脚DIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （ 8 ×20 ）
I
100,000编程/擦除周期
I
10年的数据保存
I
电子签名
I
0.5秒典型芯片擦除
I
12.0V
±
5％的编程和擦除电压
描述
该CAT28F020是高速256K ×8位的电
可擦除和重新编程的闪存最好
适合需要在系统的应用程序或售后
代码更新。全记忆中的电擦除
内容是在0.5秒内典型地实现。
它与标准的引脚和读时序兼容
EPROM和E
2
PROM器件。编程和
通过擦除操作执行和验证
算法。所述指令输入通过I / O总线，
使用两个写周期方案。地址和数据
锁存期间释放的I / O总线和地址总线
写操作。
该CAT28F020使用催化剂制造的
先进的CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据
保持10年。该器件可在JEDEC
批准的32引脚塑料DIP ， 32引脚PLCC和32引脚
TSOP封装。
框图
I/O0–I/O7
I / O缓冲器
擦除电压
开关
WE
命令
注册
编程电压
开关
CE， OE逻辑
数据
LATCH
SENSE
AMP
CE
OE
地址锁存
Y型GATING
y解码器
2,097,152位
内存
ARRAY
5115 FHD F02
A0–A17
X解码器
电压以确认
开关
2004 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 1029号，版本C
CAT28F020
绝对最大额定值*
高温下偏置................... -55 ° C至+ 95°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(1)
........... -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
引脚上的电压
9
同
对于地面
(1)
................... -2.0V至+ 13.5V
V
PP
相对于地面
在编程/擦除
(1)
.............. -2.0V至+ 14.0V
V
CC
相对于地面
(1)
............ -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（T
A
= 25 ° C） .................................为1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(2)
........................百毫安
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些压力额定值只和功能的操作
该设备在这些或那些之外的任何其他条件
在操作部分中列出的本规范不
暗示。暴露于任何绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的性能和
可靠性。
可靠性的特点
符号
N
END(3)
T
DR(3)
V
ZAP(3)
I
LTH(3)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
民
100K
10
2000
100
典型值
最大
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0 MHz的
符号
TEST
C
IN(3)
C
OUT(3)
C
VPP(3)
输入引脚电容
输出引脚电容
V
PP
供应电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
V
PP
= 0V
民
典型值
最大
6
10
25
单位
pF
pF
pF
注意：
1.最小直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20ns的周期。
2.输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
3.此参数是最初的设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
提供4闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
3
文档。 1029号，版本C
CAT28F020
直流工作特性
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定。 （见注2 ）
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC1
I
CC2(1)
I
CC3(1)
I
CC4(1)
I
PPS
I
PP1
I
PP2(1)
I
PP3(1)
I
PP4(1)
V
IL
V
ILC
V
OL
V
IH
V
IHC
V
OH1
V
OH2
V
ID
I
ID(1)
V
LO
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
CC
读操作工作电流
V
CC
编程电流
V
CC
擦除电流
V
CC
PROG 。 /擦除校验电流
V
PP
待机电流
V
PP
读电流
V
PP
编程电流
V
PP
擦除电流
V
PP
PROG 。 /擦除校验电流
输入低电平TTL
输入低电平CMOS
输出低电平
输入高电平TTL
输入高电平CMOS
输出高电平TTL
输出高电平CMOS
A
9
签名电压
A
9
当前签名
V
CC
擦除/编程。锁定电压
I
OH
= -2.5mA ，V
CC(2)
= 4.5V
I
OL
= 5.8毫安，V
CC(2)
= 4.5V
2
V
CC
*0.7
2.4
测试条件
V
IN
= V
CC
或V
SS
V
CC
= 5.5V,
OE
= V
IH
V
OUT
= V
CC
或V
SS
,
V
CC
= 5.5V,
OE
= V
IH
CE
= V
CC
±0.5V,
V
CC
= 5.5V
CE
= V
IH
, V
CC
= 5.5V
V
CC
= 5.5V ，CE = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安， F = 6兆赫
V
CC
= 5.5V,
编程中
V
CC
= 5.5V,
擦除进展
V
CC
= 5.5V ，程序或
擦除验证进展
V
PP
= V
PPL
V
PP
= V
PPH
V
PP
= V
PPH
,
编程中
V
PP
= V
PPH
,
擦除进展
V
PP
= V
PPH
，程序或
擦除验证进展
-0.5
-0.5
民
典型值
最大
±1
±1
100
1
30
15
15
15
±10
200
30
30
5
0.8
0.8
0.45
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
单位
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
13
200
2.5
V
A
V
I
OH
= -400μA ，V
CC(2)
= 4.5V V
CC
-0.4
A
9
= V
ID
A
9
= V
ID
11.4
注意：
1.该参数，并初步设计或过程的变化会影响该参数后进行测试。
2. CAT28F020-90 ，V
CCmin
= 4.75 V.
文档。 1029号，版本C
4
CAT28F020
电源特性
符号
VCC
VPPL
VPPH
参数
28F020-90
VCC电源电压
28F020-12
VPP在读操作
VPP在读/擦除/编程
民
4.75
4.5
0
11.4
典型值
最大
5.5
5.5
6.5
12.6
单位
V
V
V
V
交流的特点，读操作
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定。 （见注8 ）
JEDEC标准
符号
t
AVAV
t
ELQV
t
AVQV
t
GLQV
t
AXQX
t
GLQX
t
ELQX
t
GHQZ
t
EHQZ
t
WHGL(1)
符号
t
RC
t
CE
t
加
t
OE
t
OH
t
OLZ(1)(6)
t
LZ(1)(6)
t
DF(1)(2)
t
DF(1)(2)
-
参数
读周期时间
CE
存取时间
地址访问时间
OE
存取时间
从地址输出保持
OE / CE
变化
OE
到输出低-Z
CE
到输出低-Z
OE
高到输出高阻
CE
高到输出高阻
写恢复时间之前，请先阅读
6
0
0
0
30
40
6
28F020-90
(7)
民
90
90
90
35
0
0
0
30
40
典型值
最大
28F020-12
(7)
民
120
120
120
50
TYP MAX
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
图1.交流测试输入/输出波形
(3)(4)(5)
2.4 V
输入脉冲电平
0.45 V
0.8 V
2.0 V
参考点
测试负载电路（例如）
1.3V
1N914
3.3K
设备
下
TEST
OUT
CL = 100 pF的
c包括夹具电容
L
注意：
1.该参数，并初步设计或过程的变化会影响该参数后进行测试。
2.输出浮动（高Z ）被定义为其中所述外部数据线是由输出缓冲器不再驱动时的状态。
3.输入上升和下降时间（ 10 ％至90 ％ ） < 10纳秒。
4.输入脉冲电平= 0.45 V和2.4 V.对于高速输入脉冲电平0.0 V和3.0 V.
5.输入和输出时序参考= 0.8 V和2.0 V.对于高速输入和输出时序参考= 1.5 V.
6.低- Z被定义为所述外部数据可以由输出缓冲器来驱动，但可能是无效的状态。
7.对于负荷和参考点，参照图1 。
8. CAT28F020-90 ，V
CCmin
= 4.75 V.
5
文档。 1029号，版本C
CAT28F020
英特尔授权
2兆位的CMOS闪存
第二个来源
特点
s
商用，工业和汽车
s
快速读取访问时间：一百二十分之九十〇 NS
s
低功耗CMOS功耗：
温度范围
s
停止定时器编程/擦除
s
芯片上地址和数据锁存器
s
JEDEC标准管脚引出线：
- 活动：30 mA（最大值） （ CMOS / TTL电平）
- 待机： mA（最大值） 1 （ TTL电平）
- 待机： 100
A（最大值） （ CMOS电平）
s
高速编程：
– 10
每个的byte
- 4秒典型芯片项目
- 32引脚DIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （ 8 ×20 ）
s
100,000编程/擦除周期
s
10年的数据保存
s
电子签名
s
0.5秒典型芯片擦除
s
12.0V
±
5％的编程和擦除电压
描述
该CAT28F020是高速256K ×8位的电
可擦除和重新编程的闪存最好
适合需要在系统的应用程序或售后
代码更新。全记忆中的电擦除
内容是在0.5秒内典型地实现。
它与标准的引脚和读时序兼容
EPROM和E
2
PROM器件。编程和
通过擦除操作执行和验证
算法。所述指令输入通过I / O总线，
使用两个写周期方案。地址和数据
锁存期间释放的I / O总线和地址总线
写操作。
该CAT28F020使用催化剂制造的
先进的CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据
保持10年。该器件可在JEDEC
批准的32引脚塑料DIP ， 32引脚PLCC和32引脚
TSOP封装。
框图
I/O0–I/O7
I / O缓冲器
擦除电压
开关
WE
命令
注册
编程电压
开关
CE， OE逻辑
数据
LATCH
SENSE
AMP
CE
OE
地址锁存
Y型GATING
y解码器
2,097,152位
内存
ARRAY
5115 FHD F02
A0–A17
X解码器
电压以确认
开关
2009 SCILLC 。版权所有。
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。编号MD- 1029 ，版本F
CAT28F020
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -45 ° C至+ 130°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(1)
........... -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
引脚上的电压
9
同
对于地面
(1)
................... -2.0V至+ 13.5V
V
PP
相对于地面
在编程/擦除
(1)
.............. -2.0V至+ 14.0V
V
CC
相对于地面
(1)
............ -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（T
A
= 25 ° C） .................................为1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(2)
........................百毫安
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些压力额定值只和功能的操作
该设备在这些或那些之外的任何其他条件
在操作部分中列出的本规范不
暗示。暴露于任何绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的性能和
可靠性。
可靠性的特点
符号
N
END(3)
T
DR(3)
V
ZAP(3)
I
LTH(3)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
民
100K
10
2000
100
典型值
最大
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0 MHz的
符号
TEST
C
IN(3)
C
OUT(3)
C
VPP(3)
输入引脚电容
输出引脚电容
V
PP
供应电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
V
PP
= 0V
民
典型值
最大
6
10
25
单位
pF
pF
pF
注意：
1.最小直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20ns的周期。
2.输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
3.此参数是最初的设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
提供4闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
2009 SCILLC 。版权所有。
特性如有变更，恕不另行通知
3
文档。编号MD- 1029 ，版本F
CAT28F020
直流工作特性
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定。 （见注2 ）
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC1
I
CC2(1)
I
CC3(1)
I
CC4(1)
I
PPS
I
PP1
I
PP2(1)
I
PP3(1)
I
PP4(1)
V
IL
V
ILC
V
OL
V
IH
V
IHC
V
OH1
V
OH2
V
ID
I
ID(1)
V
LO
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
CC
读操作工作电流
V
CC
编程电流
V
CC
擦除电流
V
CC
PROG 。 /擦除校验电流
V
PP
待机电流
V
PP
读电流
V
PP
编程电流
V
PP
擦除电流
V
PP
PROG 。 /擦除校验电流
输入低电平TTL
输入低电平CMOS
输出低电平
输入高电平TTL
输入高电平CMOS
输出高电平TTL
输出高电平CMOS
A
9
签名电压
A
9
当前签名
V
CC
擦除/编程。锁定电压
I
OH
= -2.5mA ，V
CC(2)
= 4.5V
I
OL
= 5.8毫安，V
CC(2)
= 4.5V
2
V
CC
*0.7
2.4
测试条件
V
IN
= V
CC
或V
SS
V
CC
= 5.5V,
OE
= V
IH
V
OUT
= V
CC
或V
SS
,
V
CC
= 5.5V,
OE
= V
IH
CE
= V
CC
±0.5V,
V
CC
= 5.5V
CE
= V
IH
, V
CC
= 5.5V
V
CC
= 5.5V ，CE = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安， F = 6兆赫
V
CC
= 5.5V,
编程中
V
CC
= 5.5V,
擦除进展
V
CC
= 5.5V ，程序或
擦除验证进展
V
PP
= V
PPL
V
PP
= V
PPH
V
PP
= V
PPH
,
编程中
V
PP
= V
PPH
,
擦除进展
V
PP
= V
PPH
，程序或
擦除验证进展
-0.5
-0.5
民
典型值
最大
±1
±1
100
1
30
15
15
15
±10
200
30
30
5
0.8
0.8
0.45
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
单位
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
13
200
2.5
V
A
V
I
OH
= -400μA ，V
CC(2)
= 4.5V V
CC
-0.4
A
9
= V
ID
A
9
= V
ID
11.4
注意：
1.该参数，并初步设计或过程的变化会影响该参数后进行测试。
2. CAT28F020-90 ，V
CCmin
= 4.75 V.
文档。编号MD- 1029 ，版本F
4
2009 SCILLC 。版权所有。
特性如有变更，恕不另行通知
CAT28F020
电源特性
符号
VCC
VPPL
VPPH
参数
28F020-90
VCC电源电压
28F020-12
VPP在读操作
VPP在读/擦除/编程
民
4.75
4.5
0
11.4
典型值
最大
5.5
5.5
6.5
12.6
单位
V
V
V
V
交流的特点，读操作
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定。 （见注8 ）
JEDEC标准
符号
t
AVAV
t
ELQV
t
AVQV
t
GLQV
t
AXQX
t
GLQX
t
ELQX
t
GHQZ
t
EHQZ
t
WHGL(1)
符号
t
RC
t
CE
t
加
t
OE
t
OH
t
OLZ(1)(6)
t
LZ(1)(6)
t
DF(1)(2)
t
DF(1)(2)
-
参数
读周期时间
CE
存取时间
地址访问时间
OE
存取时间
从地址输出保持
OE / CE
变化
OE
到输出低-Z
CE
到输出低-Z
OE
高到输出高阻
CE
高到输出高阻
写恢复时间之前，请先阅读
6
0
0
0
30
40
6
28F020-90
(7)
民
90
90
90
35
0
0
0
30
40
典型值
最大
28F020-12
(7)
民
120
120
120
50
TYP MAX
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
图1.交流测试输入/输出波形
(3)(4)(5)
2.4 V
输入脉冲电平
0.45 V
0.8 V
2.0 V
参考点
测试负载电路（例如）
1.3V
1N914
3.3K
设备
下
TEST
OUT
CL = 100 pF的
c包括夹具电容
L
注意：
1.该参数，并初步设计或过程的变化会影响该参数后进行测试。
2.输出浮动（高Z ）被定义为其中所述外部数据线是由输出缓冲器不再驱动时的状态。
3.输入上升和下降时间（ 10 ％至90 ％ ） < 10纳秒。
4.输入脉冲电平= 0.45 V和2.4 V.对于高速输入脉冲电平0.0 V和3.0 V.
5.输入和输出时序参考= 0.8 V和2.0 V.对于高速输入和输出时序参考= 1.5 V.
6.低- Z被定义为所述外部数据可以由输出缓冲器来驱动，但可能是无效的状态。
7.对于负荷和参考点，参照图1 。
8. CAT28F020-90 ，V
CCmin
= 4.75 V.
2009 SCILLC 。版权所有。
特性如有变更，恕不另行通知
5
文档。编号MD- 1029 ，版本F
QQ：2881677436 复制
