CAT28F010
1兆位的CMOS闪存
特点
s
快速读取访问时间： 70/90/120 NS
s
低功耗CMOS功耗：
英特尔授权
第二个来源
s
商用，工业和汽车
温度范围
s
芯片上地址和数据锁存器
s
JEDEC标准管脚引出线：
-active ：30 mA（最大值） （ CMOS / TTL电平）
-Standby ：最大1毫安（ TTL电平）
-Standby ： 100
A（最大值） （ CMOS电平）
s
高速编程：
–10
每个的byte
-2秒典型芯片项目
-32引脚DIP
-32引脚PLCC
-32引脚TSOP （ 8 ×20 ）
s
100,000编程/擦除周期
s
10年的数据保存
s
电子签名
s
0.5秒典型芯片擦除
s
12.0V
±
5％的编程和擦除电压
s
停止定时器编程/擦除
描述
该CAT28F010是高速128K ×8位的电
可擦除和重新编程的闪存最好
适合需要在系统的应用程序或售后
代码更新。全记忆中的电擦除
内容是在0.5秒内典型地实现。
它与标准的引脚和读时序兼容
EPROM和E
2
PROM器件。编程和
通过擦除操作执行和验证
算法。所述指令输入通过I / O总线，
使用两个写周期方案。地址和数据
锁存期间释放的I / O总线和地址总线
写操作。
该CAT28F010使用Catalyst的AD-制造
vanced CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据
保持10年。该器件可在JEDEC
批准的32引脚塑料DIP ， 32引脚PLCC和32引脚
TSOP封装。
I/O0–I/O7
框图
I / O缓冲器
擦除电压
开关
WE
命令
注册
编程电压
开关
CE， OE逻辑
数据
LATCH
SENSE
AMP
CE
OE
地址锁存
Y型GATING
y解码器
1,048,576位
内存
ARRAY
5108 FHD F02
A0–A16
X解码器
电压以确认
开关
2001 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 1019号，版本A
CAT28F010
引脚配置
DIP封装（ P）
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
N / C
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
引脚功能
引脚名称
A
0
–A
16
PLCC封装（ N）
A12
A15
A16
VPP
VCC
WE
N / C
TYPE
输入
I / O
输入
输入
输入
功能
地址输入
存储器寻址
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
编程/擦除
电源
I / O
0
-I / O
7
CE
29
28
27
26
25
24
23
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
4 3 2 1 32 31 30
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
OE
WE
V
CC
V
SS
V
PP
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
VSS
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
5108 FHD F01
5108 FHD F01
TSOP封装（标准引脚采用8mm x 20毫米） （ T）
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
VSS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
TSOP封装（引脚反转）（ TR ）
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
VSS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
5108 FHD F14
文档。 1019号，版本A
2
CAT28F010
绝对最大额定值*
高温下偏置................... -55 ° C至+ 95°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(1)
........... -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
引脚上的电压
9
同
对于地面
(1)
................... -2.0V至+ 13.5V
V
PP
相对于地面
在编程/擦除
(1)
.............. -2.0V至+ 14.0V
V
CC
相对于地面
(1)
............ -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（T
A
= 25 ° C） .................................为1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(2)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(3)
T
DR(3)
V
ZAP(3)
I
LTH(3)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
100K
10
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些压力额定值只和功能的操作
该设备在这些或那些之外的任何其他条件
在操作部分中列出的本规范不
暗示。暴露于任何绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的性能和
可靠性。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0 MHz的
范围
符号
C
IN(3)
C
OUT(3)
C
VPP(3)
TEST
输入引脚电容
输出引脚电容
V
PP
供应电容
民
马克斯。
6
10
25
单位
pF
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
V
PP
= 0V
注意：
（1 ）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20ns的周期。
（2）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
（ 3 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
3
文档。 1019号，版本A
CAT28F010
直流工作特性
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定ED 。
范围
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC1
I
CC2(1)
I
CC3(1)
I
CC4(1)
I
PPS
I
PP1
I
PP2(1)
I
PP3(1)
I
PP4(1)
V
IL
V
ILC
V
OL
V
IH
V
IHC
V
OH1
V
OH2
V
ID
I
ID(1)
V
LO
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
CC
读操作工作电流
V
CC
编程电流
V
CC
擦除电流
V
CC
PROG 。 /擦除校验电流
V
PP
待机电流
V
PP
读电流
V
PP
编程电流
V
PP
擦除电流
V
PP
PROG 。 /擦除校验电流
输入低电平TTL
输入低电平CMOS
输出低电平
输入高电平TTL
输入高电平CMOS
输出高电平TTL
输出高电平CMOS
A
9
签名电压
A
9
当前签名
V
CC
擦除/编程。锁定电压
2.5
2
V
CC
*0.7
2.4
V
CC
–0.4
11.4
13
200
–0.5
–0.5
分钟。
马克斯。
±1
±1
100
1
30
15
15
15
±10
200
30
30
5
0.8
0.8
0.45
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
单位
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
A
V
I
OH
= -2.5mA ，V
CC
= 4.5V
I
OH
= -400μA ，V
CC
= 4.5V
A
9
= V
ID
A
9
= V
ID
I
OL
= 5.8毫安，V
CC
= 4.5V
测试条件
V
IN
= V
CC
或V
SS
V
CC
= 5.5V ， OE = V
IH
V
OUT
= V
CC
或V
SS
,
V
CC
= 5.5V ， OE = V
IH
CE = V
CC
±0.5V,
V
CC
= 5.5V
CE = V
IH
, V
CC
= 5.5V
V
CC
= 5.5V ，CE = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安， F = 6兆赫
V
CC
= 5.5V,
编程中
V
CC
= 5.5V,
擦除进展
V
CC
= 5.5V ，程序或
擦除验证进展
V
PP
= V
PPL
V
PP
= V
PPH
V
PP
= V
PPH
,
编程中
V
PP
= V
PPH
,
擦除进展
V
PP
= V
PPH
，程序或
擦除验证进展
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
文档。 1019号，版本A
4
CAT28F010
电源特性
范围
符号
V
CC
V
PPL
V
PPH
参数
V
CC
电源电压
V
PP
在读操作
V
PP
在读/擦除/编程
民
4.5
0
11.4
马克斯。
5.5
6.5
12.6
单位
V
V
V
交流的特点，读操作
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定ED 。
28F010-70
(8)
JEDEC标准
符号符号
t
AVAV
t
ELQV
t
AVQV
t
GLQV
t
AXQX
t
GLQX
t
ELZX
t
GHQZ
t
EHQZ
t
WHGL(1)
t
RC
t
CE
t
加
t
OE
t
OH
t
OLZ(1)(6)
t
LZ(1)(6)
t
DF(1)(2)
t
DF(1)(2)
-
参数
读周期时间
CE
存取时间
地址访问时间
OE
存取时间
从地址输出保持
OE / CE
变化
OE
到输出低-Z
CE
到输出低-Z
OE
高到输出高阻
CE
高到输出高阻
写恢复时间
之前，请阅读
6
0
0
0
20
30
6
分钟。马克斯。
70
70
70
28
0
0
0
20
30
6
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
90
90
90
35
0
0
0
30
40
120
120
120
50
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
28F010-90
(7)
28F010-12
(7)
图1.交流测试输入/输出波形
(3)(4)(5)
2.4 V
输入脉冲电平
0.45 V
0.8 V
2.0 V
参考点
图2.高速交流测试输入/输出
Waveform(3)(4)(5)
3.0 V
输入脉冲电平
0.0 V
1.5 V
参考点
5108 FHD F03
5108 FHD F03A
测试负载电路（例如）
1.3V
1N914
测试负载电路（例如）
1.3V
1N914
3.3K
设备
下
TEST
OUT
CL = 100 pF的
CL INCLUDES夹具电容
5108 FHD F04
3.3K
设备
下
TEST
OUT
CL = 30 pF的
CL INCLUDES夹具电容
5108 FHD F05
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（2）输出的浮动（高Z ）被定义为其中所述外部数据线是由输出缓冲器不再驱动时的状态。
（ 3 ）输入上升和下降时间（ 10 ％至90 ％ ）和LT ; 10纳秒。
（ 4 ）输入脉冲电平= 0.45V和2.4V 。对于高速输入脉冲电平0.0V和3.0V 。
（ 5 ）输入和输出时序参考= 0.8V和2.0V 。对于高速输入和输出时序参考= 1.5V 。
（6 ）低Z被定义为所述外部数据可以由输出缓冲器来驱动，但可能是无效的状态。
（7）为负载和参考点，参照图1
（8）对于负荷和参考点，参照图2
5
文档。 1019号，版本A
QQ：2880707522 复制
