CAT28C257
256K位CMOS并行EEPROM
特点
■
快速读取访问时间： 120/150纳秒
■
低功耗CMOS功耗：
■
自动页写操作：
H
根
FR
ALO
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
-active ：25 mA最大。
-Standby ： 150
A最大。
■
简单的写操作：
-1 128字节的5毫秒
负载翻页计时器
■
写检测结束：
- 酮芯片地址和数据锁存器
- 自定时写周期，自动清除
■
快速写周期时间：
- 切换位
威刚投票
数据
■
硬件和软件写保护
■
100,000编程/擦除周期
■
百年数据保留
■
商用，工业和汽车
-5ms最大
■
CMOS和TTL兼容的I / O
温度范围
描述
该CAT28C257是一种快速，低功耗， 5V - CMOS只
并行EEPROM组织为32K ×8位。它需要
简单的界面，在系统编程。片上
地址和数据锁存器，自定时写周期自动
明确和V
CC
上电/掉电写保护消
附加的定时和保护硬件。
数据
轮询
和切换状态比特信号的自的开始和结束
定时写周期。此外，该CAT28C257特征
硬件和软件写保护。
该CAT28C257使用催化剂制造的
先进的CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据
保留100年。该器件可在JEDEC
批准的28引脚DIP或32引脚PLCC封装。
框图
32,768 x 8
EEPROM
ARRAY
128字节页
注册
A7–A14
ADDR 。 BUFFER
&门锁
对开关
写
保护
ROW
解码器
VCC
高压
发电机
CE
OE
WE
控制
逻辑
I / O缓冲器
定时器
数据轮询
和
切换位
COLUMN
解码器
I/O0–I/O7
A0–A6
ADDR 。 BUFFER
&门锁
2004 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 1015号， Rev. D的
CAT28C257
绝对最大额定值*
高温下偏置.................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度........................ -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(2)
............ -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
V
CC
相对于地面................ -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（ TA = 25℃） ................................... 1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(3)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(1)
T
DR(1)
V
ZAP(1)
I
LTH(1)(4)
参数
耐力
数据保留
测试方法
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或之外的任何其他条件的
在本规范钙的业务部门所列出的那些
化，是不是暗示。暴露于任何绝对最大
评级长时间会影响器件的perfor-
曼斯和可靠性。
民
100
2000
100
典型值
最大
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
MIL - STD-883标准，测试方法1033 10
4
或10
5
MIL - STD-883标准，测试方法1008
ESD敏感性MIL -STD -883测试方法3015
闭锁
JEDEC标准17
直流工作特性
V
CC
= 5V
±10%,
除非另有规定ED 。
符号
I
CC
I
CCC(5)
I
SB
I
SBC(6)
I
LI
I
LO
V
IH(6)
V
IL(5)
V
OH
V
OL
V
WI
参数
V
CC
电流（工作， TTL ）
测试条件
CE
=
OE
= V
IL
， F = 6MH
z
所有的I / O公开赛
民
典型值
30
25
1
150
–10
–10
2
–0.3
I
OH
= –400A
I
OL
= 2.1毫安
3.5
2.4
0.4
最大
mA
mA
mA
A
10
10
V
CC
+0.3
0.8
A
A
V
V
V
V
V
单位
V
CC
电流（工作， CMOS ）
CE
=
OE
= V
ILC
， F = 6MH
z
所有的I / O公开赛
V
CC
电流（待机， TTL ）
V
CC
电流（待机， CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
写禁止电压
CE
= V
IH
，所有的I / O公开赛
CE
= V
IHC
,
所有的I / O公开赛
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
,
CE = V
IH
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
（ 3）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100mA的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
(5) V
ILC
= -0.3V到+ 0.3V 。
(6) V
IHC
= V
CC
-0.3V到V
CC
+0.3V.
3
文档。 1015号， Rev. D的
CAT28C257
模式选择
模式
读
字节写（我们控制）
字节写（ CE控制）
待机和写禁止
读取和写入禁止
H
X
CE
L
L
L
X
H
WE
H
OE
L
H
H
X
H
I / O
D
OUT
D
IN
D
IN
高-Z
高-Z
动力
活跃
活跃
活跃
待机
活跃
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
= 5V
符号
C
I/O(1)
C
IN(1)
TEST
输入/输出电容
输入电容
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
民
典型值
最大
10
6
单位
pF
pF
交流的特点，读周期
V
CC
= 5V ±10％ ，除非另有说明
28C257-12
符号
t
RC
t
CE
t
AA
t
OE
t
LZ(1)
t
OLZ(1)
t
HZ(1)(2)
t
OHZ(1)(2)
t
OH(1)
参数
读周期时间
CE
存取时间
地址访问时间
OE
存取时间
CE
低到有源输出
OE
低到有源输出
CE
高输出高阻态
OE
高输出高阻态
从地址变更输出保持
0
0
0
50
50
0
民
120
120
120
50
0
0
50
50
典型值
最大
民
150
150
150
70
28C257-15
典型值
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
上电时序
符号
t
PUR
t
PUW
参数
上电到读
电到写
5
民
典型值
最大
100
10
单位
s
ms
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（2）输出的浮动（高Z ）被定义为状态时的外部数据线是由输出缓冲器不再驱动。
文档。 1015号， Rev. D的
4
CAT28C257
交流的特点，写周期
V
CC
= 5V ± 10％ ，除非另有说明
28C257-12
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
CW(3)
t
OES
t
OEH
t
WP(3)
t
DS
t
DH
t
INIT(1)
t
BLC(1)(4)
参数
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
CE
建立时间
CE
保持时间
CE
脉冲时间
OE
建立时间
OE
保持时间
WE
脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写保护期后电
字节负载循环时间
0
50
0
0
100
0
0
100
50
0
5
0.1
0
10
100
5
0.1
10
100
民
典型值
最大
5
0
50
0
0
100
0
0
100
50
民
28C257-15
典型值
最大
5
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
s
图1.交流测试输入/输出波形（ 2 ）
VCC - 0.3V
输入脉冲电平
0.0 V
0.8 V
2.0 V
参考点
图2.交流测试负载电路（例如）
1.3V
1N914
3.3K
设备
下
TEST
OUT
CL = 100 pF的
CL INCLUDES夹具电容
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2 ）输入上升和下降时间（ 10 ％和90 ％ ）， < 10纳秒。
（ 3 ）小于20ns的时间写脉冲不会启动写周期。
持续时间T（ 4 ）计时器
BLC
最大。开始每低到WE高过渡。如果允许超时，页面或字节写操作将开始;
从高电平变为低电平内吨然而过渡
BLC
最大。停止定时器。
5
文档。 1015号， Rev. D的
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