CAT28C256
32K位并行é
2
舞会
特点
s
快速读取访问次数： 120 /为150ns
s
低功耗CMOS功耗：
s
硬件和软件写保护
s
自动页写操作：
-active ：25 mA最大。
-Standby ： 150
A最大。
s
简单的写操作：
-1 64字节为5ms
负载翻页计时器
s
写检测结束：
- 酮芯片地址和数据锁存器
- 自定时写周期，自动清除
s
快速写周期时间：
- 切换位
威刚投票
s
100,000编程/擦除周期
s
百年数据保留
s
商用，工业和汽车
-5ms最大
s
CMOS和TTL兼容的I / O
温度范围
描述
该CAT28C256是一种快速，低功耗， 5V - CMOS只
平行ê
2
PROM组织为32K ×8位。它需要
简单的界面，在系统编程。片上
地址和数据锁存器，自定时写周期自动
明确和V
CC
上电/掉电写保护消
附加的定时和保护硬件。
数据
轮询
和切换状态比特信号的自的开始和结束
定时写周期。此外，该CAT28C256特征
硬件和软件写保护。
该CAT28C256使用Catalyst的AD-制造
vanced CMOS浮栅技术。它被设计成
忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据
保留100年。该器件可在JEDEC
批准的28引脚DIP ， 28引脚TSOP和32引脚PLCC
包。
框图
A6–A14
ADDR 。 BUFFER
&门锁
对开关
写
保护
ROW
解码器
32,768 x 8
E
2
舞会
ARRAY
64字节页
注册
VCC
高压
发电机
CE
OE
WE
控制
逻辑
I / O缓冲器
定时器
数据轮询
和
切换位
COLUMN
解码器
5096 FHD F02
I/O0–I/O7
A0–A5
ADDR 。 BUFFER
&门锁
1998年由Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 25020-0A 2/98号
CAT28C256
引脚配置
DIP封装（ P）
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
PLCC封装（ N）
A14
NC
VCC
WE
A13
29
28
27
26
25
24
23
A7
A12
4 3 2 1 32 31 30
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
VSS
NC
I/O3
I/O4
I/O5
5096 FHD F01
TSOP封装（采用8mm x 13.4毫米） （ T13 ）
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
28C256 F03
引脚功能
引脚名称
A
0
–A
14
I / O
0
-I / O
7
CE
OE
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
引脚名称
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
写使能
5V电源
地
无连接
文档。 25020-0A 2/98号
2
CAT28C256
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(2)
........... -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
V
CC
相对于地面............... -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（ TA = 25℃） ................................... 1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(3)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(1)
T
DR(1)
V
ZAP(1)
I
LTH(1)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
10
4
或10
5
100
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或之外的任何其他条件的
在本规范钙的业务部门所列出的那些
化，是不是暗示。暴露于任何绝对最大
评级长时间会影响器件的perfor-
曼斯和可靠性。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
直流工作特性
V
CC
= 5V
±10%,
除非另有规定ED 。
范围
符号
I
CC
I
CCC(5)
I
SB
I
SBC(6)
I
LI
I
LO
V
IH(6)
V
IL(5)
V
OH
V
OL
V
WI
参数
V
CC
电流（工作， TTL ）
V
CC
电流（工作， CMOS ）
V
CC
电流（待机， TTL ）
V
CC
电流（待机， CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
写禁止电压
3.5
–10
–10
2
–0.3
2.4
0.4
分钟。
典型值。
马克斯。
30
25
1
150
10
10
V
CC
+0.3
0.8
单位
mA
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
V
I
OH
= –400A
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
CE = OE = V
IL
， F = 8MH
z
所有的I / O公开赛
CE = OE = V
ILC
， F = 8MH
z
所有的I / O公开赛
CE = V
IH
，所有的I / O公开赛
CE = V
IHC
,
所有的I / O公开赛
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
,
CE = V
IH
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
（ 3）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100mA的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
(5) V
ILC
= -0.3V到+ 0.3V 。
(6) V
IHC
= V
CC
-0.3V到V
CC
+0.3V.
3
文档。 25020-0A 2/98号
CAT28C256
模式选择
模式
读
字节写（我们控制）
字节写（ CE控制）
待机和写禁止
读取和写入禁止
H
X
CE
L
L
L
X
H
WE
H
OE
L
H
H
X
H
I / O
D
OUT
D
IN
D
IN
高-Z
高-Z
动力
活跃
活跃
活跃
待机
活跃
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
= 5V
符号
C
I/O(1)
C
IN(1)
TEST
输入/输出电容
输入电容
马克斯。
10
6
单位
pF
pF
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
交流的特点，读周期
V
CC
= 5V ±10％ ，除非另有说明
28C256-12
分钟。马克斯。
120
120
120
50
0
0
50
50
0
0
0
0
50
50
28C256-15
分钟。马克斯。
150
150
150
70
符号
t
RC
t
CE
t
AA
t
OE
t
LZ(1)
t
OLZ(1)
t
HZ(1)(2)
t
OHZ(1)(2)
t
OH(1)
参数
读周期时间
CE
存取时间
地址访问时间
OE
存取时间
CE
低到有源输出
OE
低到有源输出
CE
高输出高阻态
OE
高输出高阻态
从地址变更输出保持
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（2）输出的浮动（高Z ）被定义为状态时的外部数据线是由输出缓冲器不再驱动。
文档。 25020-0A 2/98号
4
CAT28C256
交流的特点，写周期
V
CC
= 5V ±10％ ，除非另有说明
28C256-12
分钟。马克斯。
5
0
50
0
0
100
0
0
100
50
10
5
0.1
10
100
0
50
0
0
100
0
0
100
50
10
5
0.1
10
100
28C256-15
分钟。马克斯。
5
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
CW(3)
t
OES
t
OEH
t
WP(3)
t
DS
t
DH
t
INIT(1)
参数
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
CE
建立时间
CE
保持时间
CE
脉冲时间
OE
建立时间
OE
保持时间
WE
脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写保护期后电
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
s
t
BLC(1)(4)
字节负载循环时间
图1.交流测试输入/输出波形（ 2 ）
2.4 V
输入脉冲电平
0.45 V
0.8 V
5096 FHD F03
2.0 V
参考点
图2.交流测试负载电路（例如）
1.3V
1N914
3.3K
设备
下
TEST
OUT
CL = 100 pF的
5096 FHD F04
CL INCLUDES夹具电容
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2 ）输入上升和下降时间（ 10 ％和90 ％ ）， < 10纳秒。
（ 3 ）小于20ns的时间写脉冲不会启动写周期。
持续时间T（ 4 ）计时器
BLC
最大。开始每低到WE高过渡。如果允许超时，页面或字节写操作将开始;
从高电平变为低电平内吨然而过渡
BLC
最大。停止定时器。
5
文档。 25020-0A 2/98号
CAT28C256
256K位并行EEPROM
特点
■
快速读取访问次数： 120 /为150ns
■
低功耗CMOS功耗：
H
根
FR
ALO
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
■
硬件和软件写保护
■
自动页写操作：
最大25毫安： -active
-Standby ： 150
一个MAX
■
简单的写操作：
-1 64字节为5ms
负载翻页计时器
■
写检测结束：
- 酮芯片地址和数据锁存器
- 自定时写周期，自动清除
■
快速写周期时间：
- 切换位
威刚投票
数据
■
100,000编程/擦除周期
■
百年数据保留
■
商用，工业和汽车
-5ms最大
■
CMOS和TTL兼容的I / O
温度范围
描述
该CAT28C256是一种快速，低功耗， 5V - CMOS只
并行EEPROM组织为32K ×8位。它需要
简单的界面，在系统编程。片上
地址和数据锁存器，自定时写周期自动
明确和V
CC
上电/掉电写保护消
附加的定时和保护硬件。
数据
轮询
和切换状态比特信号的自的开始和结束
定时写周期。此外，该CAT28C256特征
硬件和软件写保护。
该CAT28C256使用Catalyst的AD-制造
vanced CMOS浮栅技术。它被设计成
忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据
保留100年。该器件可在JEDEC
批准的28引脚DIP ， 28引脚TSOP和32引脚PLCC
包。
框图
A6–A14
ADDR 。 BUFFER
&门锁
对开关
写
保护
ROW
解码器
32,768 x 8
EEPROM
ARRAY
64字节页
注册
VCC
高压
发电机
CE
OE
WE
控制
逻辑
I / O缓冲器
定时器
数据轮询
和
切换位
COLUMN
解码器
I/O0–I/O7
A0–A5
ADDR 。 BUFFER
&门锁
2004 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 1004号， Rev. D的
CAT28C256
引脚配置
DIP封装（P ， L）
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
PLCC封装（N ，G ）
NC
VCC
A7
A12
A14
WE
A13
4 3 2 1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
顶视图
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
VSS
NC
I/O3
I/O4
I/O5
TSOP封装（采用8mm x 13.4毫米） （ T13 ， H13 ）
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
引脚功能
引脚名称
A
0
–A
14
I / O
0
-I / O
7
CE
OE
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
引脚名称
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
写使能
5V电源
地
无连接
文档。 1004号， Rev. D的
2
CAT28C256
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(2)
........... -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
V
CC
相对于地面............... -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（ TA = 25℃） ................................... 1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(3)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(1)
T
DR(1)
V
ZAP(1)
I
LTH(1)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
100,000
100
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或之外的任何其他条件的
在本规范钙的业务部门所列出的那些
化，是不是暗示。暴露于任何绝对最大
评级长时间会影响器件的perfor-
曼斯和可靠性。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
直流工作特性
V
CC
= 5V
±10%,
除非另有规定ED 。
范围
符号
I
CC
I
CCC(5)
I
SB
I
SBC(6)
I
LI
I
LO
V
IH(6)
V
IL(5)
V
OH
V
OL
V
WI
参数
V
CC
电流（工作， TTL ）
V
CC
电流（工作， CMOS ）
V
CC
电流（待机， TTL ）
V
CC
电流（待机， CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
写禁止电压
3.5
–10
–10
2
–0.3
2.4
0.4
分钟。
典型值。
马克斯。
30
25
1
150
10
10
V
CC
+0.3
0.8
单位
mA
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
V
I
OH
= –400A
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
CE = OE = V
IL
， F = 8MH
z
所有的I / O公开赛
CE = OE = V
ILC
， F = 8MH
z
所有的I / O公开赛
CE = V
IH
，所有的I / O公开赛
CE = V
IHC
,
所有的I / O公开赛
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
,
CE = V
IH
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
（ 3）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100mA的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
(5) V
ILC
= -0.3V到+ 0.3V 。
(6) V
IHC
= V
CC
-0.3V到V
CC
+0.3V.
3
文档。 1004号， Rev. D的
CAT28C256
模式选择
模式
读
字节写（我们控制）
字节写（ CE控制）
待机和写禁止
读取和写入禁止
H
X
CE
L
L
L
X
H
WE
H
OE
L
H
H
X
H
I / O
D
OUT
D
IN
D
IN
高-Z
高-Z
动力
活跃
活跃
活跃
待机
活跃
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
= 5V
符号
C
I/O(1)
C
IN(1)
TEST
输入/输出电容
输入电容
马克斯。
10
6
单位
pF
pF
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
交流的特点，读周期
V
CC
= 5V ±10％ ，除非另有说明
28C256-12
分钟。马克斯。
120
120
120
50
0
0
50
50
0
0
0
0
50
50
28C256-15
分钟。马克斯。
150
150
150
70
符号
t
RC
t
CE
t
AA
t
OE
t
LZ(1)
t
OLZ(1)
t
HZ(1)(2)
t
OHZ(1)(2)
t
OH(1)
参数
读周期时间
CE
存取时间
地址访问时间
OE
存取时间
CE
低到有源输出
OE
低到有源输出
CE
高输出高阻态
OE
高输出高阻态
从地址变更输出保持
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（2）输出的浮动（高Z ）被定义为状态时的外部数据线是由输出缓冲器不再驱动。
文档。 1004号， Rev. D的
4
CAT28C256
交流的特点，写周期
V
CC
= 5V ±10％ ，除非另有说明
28C256-12
分钟。马克斯。
5
0
50
0
0
100
0
0
100
50
10
5
0.1
10
100
0
50
0
0
100
0
0
100
50
10
5
0.1
10
100
28C256-15
分钟。马克斯。
5
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
CW(3)
t
OES
t
OEH
t
WP(3)
t
DS
t
DH
t
INIT(1)
参数
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
CE
建立时间
CE
保持时间
CE
脉冲时间
OE
建立时间
OE
保持时间
WE
脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写保护期后电
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
s
t
BLC(1)(4)
字节负载循环时间
图1.交流测试输入/输出波形（ 2 ）
VCC - 0.3V
输入脉冲电平
0.0 V
0.8 V
2.0 V
参考点
图2.交流测试负载电路（例如）
1.3V
1N914
3.3K
设备
下
TEST
OUT
CL = 100 pF的
CL INCLUDES夹具电容
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2 ）输入上升和下降时间（ 10 ％和90 ％ ）， < 10纳秒。
（ 3 ）小于20ns的时间写脉冲不会启动写周期。
持续时间T（ 4 ）计时器
BLC
最大。开始每低到WE高过渡。如果允许超时，页面或字节写操作将开始;
从高电平变为低电平内吨然而过渡
BLC
最大。停止定时器。
5
文档。 1004号， Rev. D的
CAT28C256
256 KB并行EEPROM
描述
该CAT28C256是一种快速，低功耗， 5 V仅CMOS并行
EEPROM组织为32K ×8位。它需要一个简单的接口
在系统编程。芯片上地址和数据锁存器，
自定时写周期，自动清除和V
CC
电/掉电写
保护消除附加的定时和保护硬件。数据
轮询和切换状态位信号的开始和结束自定时
写周期。此外，该CAT28C256功能的硬件和
软件写保护。
该CAT28C256采用安森美半导体的制造
先进的CMOS浮栅技术。它的目的是要忍受
100,000编程/擦除周期，具有100年的数据保持能力。
该器件采用JEDEC批准提供28引脚DIP ， 28引脚TSOP
或32引脚PLCC封装。
特点
http://onsemi.com
TSOP28
T13 ， H13后缀
CASE 318AE
快速读取访问时间： 120/150纳秒
低功耗CMOS功耗：
- 活动：最多25 mA的电流。
- 待机： 150
mA
马克斯。
简单的写操作：
- 片上的地址和数据锁存器
- 自定时写周期，自动清除
快速写周期时间：
5 ms以下。
CMOS和TTL兼容的I / O
硬件和软件写保护
自动页写操作：
1到64字节的5毫秒
页面加载定时器
写检测结束：
切换位
数据轮询
100,000编程/擦除周期
百年数据保留
商用，工业和汽车温度范围
PDIP28
P，L后缀
CASE 646AE
PLCC32
N，G后缀
CASE 776AK
引脚功能
引脚名称
A
0
A
14
I / O
0
-I / O
7
CE
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
5 V电源
地
无连接
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第14页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年12月，
启示录6
1
出版订单号：
CAT28C256/D
CAT28C256
引脚配置
DIP封装（P ， L）
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
PLCC封装（N ，G ）
A
7
A
12
A
14
NC
V
CC
WE
A
13
OE
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
V
CC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
TSOP封装（8毫米× 13.4毫米） （ T13 ， H13 ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
I / O
0
4 3 2 1 32 31 30
5
29
6
28
7
27
8
26
9
25
10
24
11
23
12
22
13
21
14 1516 171819 20
I / O
1
I / O
2
V
SS
NC
I / O
3
I / O
4
I / O
5
A
8
A
9
A
11
NC
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
（俯视图）
A
6
A
14
ADDR 。 BUFFER
&门锁
对开关
写
保护
ROW
解码器
32,768 x 8
EEPROM
ARRAY
V
CC
高压
发电机
64字节页
注册
CE
OE
WE
控制
逻辑
数据轮询
和
切换位
COLUMN
解码器
I / O缓冲器
定时器
ADDR 。 BUFFER
&门锁
I / O
0
-I / O
7
A
0
A
5
图1.框图
http://onsemi.com
2
CAT28C256
表1.绝对最大额定值
参数
在偏置温度
储存温度
在相对于地面的任何引脚电压（注1 ）
V
CC
相对于地面
包装功率耗散能力（T
A
= 25°C)
引线焊接温度（ 10秒）
输出短路电流（注2 ）
评级
-55到+125
-65到+150
-2.0 V至+ V
CC
+ 2.0 V
2.0
到+7.0
1.0
300
100
单位
°C
°C
V
V
W
°C
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.最低直流输入电压是
0.5
五，在转换过程中，可能会投入到下冲
2.0
V代表小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V，对于小于20毫微秒周期。
2.输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
表2.可靠性的特点
（注3）
符号
N
结束
T
DR
V
ZAP
I
LTH
（注4 ）
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
LATCH -UP
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
民
100,000
100
2,000
100
最大
单位
周期/字节
岁月
V
mA
3.这些参数，并初步设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
提供4闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从
1
V到V
CC
+ 1 V.
表3.直流工作特性
(V
CC
= 5 V
±10%,
除非另有规定）。
范围
符号
I
CC
I
CCC
（注5 ）
I
SB
I
SBC
（注6 ）
I
LI
I
LO
V
IH
（注6 ）
V
IL
（注5 ）
V
OH
V
OL
V
WI
参数
V
CC
电流（工作， TTL ）
V
CC
电流（工作， CMOS ）
V
CC
电流（待机， TTL ）
V
CC
电流（待机， CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
写禁止电压
I
OH
=
400
mA
I
OL
= 2.1毫安
3.5
测试条件
CE = OE = V
IL
,
F = 8 MHz时，所有的I / O公开赛
CE = OE = V
ILC
,
F = 8 MHz时，所有的I / O公开赛
CE = V
IH
，所有的I / O公开赛
CE = V
IHC
，所有的I / O公开赛
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
,
CE = V
IH
10
10
2
0.3
2.4
0.4
民
典型值
最大
30
25
1
150
10
10
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
5. V
ILC
=
0.3
V至0.3 V.
6. V
IHC
= V
CC
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V.
http://onsemi.com
3
CAT28C256
表4.模式选择
模式
读
字节写（我们控制）
字节写（ CE控制）
待机和写禁止
读取和写入禁止
H
X
CE
L
L
L
X
H
WE
H
OE
L
H
H
X
H
I / O
D
OUT
D
IN
D
IN
高-Z
高-Z
动力
活跃
活跃
活跃
待机
活跃
表5.电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
= 5 V)
符号
C
I / O
（注7 ）
C
IN
（注7 ）
TEST
输入/输出电容
输入电容
最大
10
6
条件
V
I / O
= 0 V
V
IN
= 0 V
单位
pF
pF
7.此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
表6.交流的特点，读周期
(V
CC
= 5 V
±10%,
除非另有规定）。
28C25612
符号
t
RC
t
CE
t
AA
t
OE
t
LZ
（注8）
t
OLZ
（注8）
t
HZ
（注8,9）
t
OHZ
（注8,9）
t
OH
（注8）
读周期时间
CE访问时间
地址访问时间
OE访问时间
CE低到有源输出
OE低到输出有效
CE高到输出高阻态
OE高到输出高阻态
从地址变更输出保持
0
0
0
50
50
0
参数
民
120
120
120
50
0
0
50
50
最大
28C25615
民
150
150
150
70
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8.此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
9.输出浮动（高Z ）被定义为状态时的外部数据线是由输出缓冲器不再驱动。
http://onsemi.com
4
CAT28C256
表7.交流的特点，写周期
(V
CC
= 5 V
±10%,
除非另有规定）。
28C25612
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
CW
（注10 ）
t
OES
t
OEH
t
WP
（注10 ）
t
DS
t
DH
t
INIT
（注11 ）
t
BLC
（注11 ， 12 ）
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
CE建立时间
CE保持时间
CE脉冲时间
OE建立时间
OE保持时间
WE脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写保护期后电
字节负载循环时间
0
50
0
0
100
0
0
100
50
10
5
0.1
10
100
参数
民
最大
5
0
50
0
0
100
0
0
100
50
10
5
0.1
10
100
28C25615
民
最大
5
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
小于20 ns的时间10.写脉冲不会启动写周期。
11，此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
的持续时间T 12，计时器
BLC
最大。开始每低到WE高过渡。如果允许超时，页面或字节写操作将开始;但
从高电平变为低电平内吨的过渡
BLC
最大。停止定时器。
V
CC
0.3 V
输入脉冲电平
0.0 V
2.0 V
0.8 V
参考点
图2.交流测试输入/输出波形
（注13 ）
13.输入上升和下降时间（ 10 ％和90 ％ ）， < 10纳秒。
1.3 V
1N914
3.3 K
设备
下
TEST
OUT
C
L
= 100 pF的
C
L
包括夹具电容
图3.交流测试负载电路（例如）
http://onsemi.com
5
CAT28C256
32K位并行é
2
舞会
特点
s
快速读取访问次数： 120 /为150ns
s
低功耗CMOS功耗：
s
硬件和软件写保护
s
自动页写操作：
-active ：25 mA最大。
-Standby ： 150
A最大。
s
简单的写操作：
-1 64字节为5ms
负载翻页计时器
s
写检测结束：
- 酮芯片地址和数据锁存器
- 自定时写周期，自动清除
s
快速写周期时间：
- 切换位
威刚投票
s
100,000编程/擦除周期
s
百年数据保留
s
商用，工业和汽车
-5ms最大
s
CMOS和TTL兼容的I / O
温度范围
描述
该CAT28C256是一种快速，低功耗， 5V - CMOS只
平行ê
2
PROM组织为32K ×8位。它需要
简单的界面，在系统编程。片上
地址和数据锁存器，自定时写周期自动
明确和V
CC
上电/掉电写保护消
附加的定时和保护硬件。
数据
轮询
和切换状态比特信号的自的开始和结束
定时写周期。此外，该CAT28C256特征
硬件和软件写保护。
该CAT28C256使用Catalyst的AD-制造
vanced CMOS浮栅技术。它被设计成
忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据
保留100年。该器件可在JEDEC
批准的28引脚DIP ， 28引脚TSOP和32引脚PLCC
包。
框图
A6–A14
ADDR 。 BUFFER
&门锁
对开关
写
保护
ROW
解码器
32,768 x 8
E
2
舞会
ARRAY
64字节页
注册
VCC
高压
发电机
CE
OE
WE
控制
逻辑
I / O缓冲器
定时器
数据轮询
和
切换位
COLUMN
解码器
5096 FHD F02
I/O0–I/O7
A0–A5
ADDR 。 BUFFER
&门锁
1998年由Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 25020-0A 2/98号
CAT28C256
引脚配置
DIP封装（ P）
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
PLCC封装（ N）
A14
NC
VCC
WE
A13
29
28
27
26
25
24
23
A7
A12
4 3 2 1 32 31 30
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
VSS
NC
I/O3
I/O4
I/O5
5096 FHD F01
TSOP封装（采用8mm x 13.4毫米） （ T13 ）
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
28C256 F03
引脚功能
引脚名称
A
0
–A
14
I / O
0
-I / O
7
CE
OE
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
引脚名称
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
写使能
5V电源
地
无连接
文档。 25020-0A 2/98号
2
CAT28C256
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(2)
........... -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
V
CC
相对于地面............... -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（ TA = 25℃） ................................... 1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(3)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(1)
T
DR(1)
V
ZAP(1)
I
LTH(1)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
10
4
或10
5
100
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或之外的任何其他条件的
在本规范钙的业务部门所列出的那些
化，是不是暗示。暴露于任何绝对最大
评级长时间会影响器件的perfor-
曼斯和可靠性。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
直流工作特性
V
CC
= 5V
±10%,
除非另有规定ED 。
范围
符号
I
CC
I
CCC(5)
I
SB
I
SBC(6)
I
LI
I
LO
V
IH(6)
V
IL(5)
V
OH
V
OL
V
WI
参数
V
CC
电流（工作， TTL ）
V
CC
电流（工作， CMOS ）
V
CC
电流（待机， TTL ）
V
CC
电流（待机， CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
写禁止电压
3.5
–10
–10
2
–0.3
2.4
0.4
分钟。
典型值。
马克斯。
30
25
1
150
10
10
V
CC
+0.3
0.8
单位
mA
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
V
I
OH
= –400A
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
CE = OE = V
IL
， F = 8MH
z
所有的I / O公开赛
CE = OE = V
ILC
， F = 8MH
z
所有的I / O公开赛
CE = V
IH
，所有的I / O公开赛
CE = V
IHC
,
所有的I / O公开赛
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
,
CE = V
IH
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
（ 3）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100mA的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
(5) V
ILC
= -0.3V到+ 0.3V 。
(6) V
IHC
= V
CC
-0.3V到V
CC
+0.3V.
3
文档。 25020-0A 2/98号
CAT28C256
模式选择
模式
读
字节写（我们控制）
字节写（ CE控制）
待机和写禁止
读取和写入禁止
H
X
CE
L
L
L
X
H
WE
H
OE
L
H
H
X
H
I / O
D
OUT
D
IN
D
IN
高-Z
高-Z
动力
活跃
活跃
活跃
待机
活跃
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
= 5V
符号
C
I/O(1)
C
IN(1)
TEST
输入/输出电容
输入电容
马克斯。
10
6
单位
pF
pF
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
交流的特点，读周期
V
CC
= 5V ±10％ ，除非另有说明
28C256-12
分钟。马克斯。
120
120
120
50
0
0
50
50
0
0
0
0
50
50
28C256-15
分钟。马克斯。
150
150
150
70
符号
t
RC
t
CE
t
AA
t
OE
t
LZ(1)
t
OLZ(1)
t
HZ(1)(2)
t
OHZ(1)(2)
t
OH(1)
参数
读周期时间
CE
存取时间
地址访问时间
OE
存取时间
CE
低到有源输出
OE
低到有源输出
CE
高输出高阻态
OE
高输出高阻态
从地址变更输出保持
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（2）输出的浮动（高Z ）被定义为状态时的外部数据线是由输出缓冲器不再驱动。
文档。 25020-0A 2/98号
4
CAT28C256
交流的特点，写周期
V
CC
= 5V ±10％ ，除非另有说明
28C256-12
分钟。马克斯。
5
0
50
0
0
100
0
0
100
50
10
5
0.1
10
100
0
50
0
0
100
0
0
100
50
10
5
0.1
10
100
28C256-15
分钟。马克斯。
5
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
CW(3)
t
OES
t
OEH
t
WP(3)
t
DS
t
DH
t
INIT(1)
参数
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
CE
建立时间
CE
保持时间
CE
脉冲时间
OE
建立时间
OE
保持时间
WE
脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写保护期后电
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
s
t
BLC(1)(4)
字节负载循环时间
图1.交流测试输入/输出波形（ 2 ）
2.4 V
输入脉冲电平
0.45 V
0.8 V
5096 FHD F03
2.0 V
参考点
图2.交流测试负载电路（例如）
1.3V
1N914
3.3K
设备
下
TEST
OUT
CL = 100 pF的
5096 FHD F04
CL INCLUDES夹具电容
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2 ）输入上升和下降时间（ 10 ％和90 ％ ）， < 10纳秒。
（ 3 ）小于20ns的时间写脉冲不会启动写周期。
持续时间T（ 4 ）计时器
BLC
最大。开始每低到WE高过渡。如果允许超时，页面或字节写操作将开始;
从高电平变为低电平内吨然而过渡
BLC
最大。停止定时器。
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文档。 25020-0A 2/98号
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