CAT28C16A
16K位CMOS并行ê
2
舞会
特点
s
快速读取访问次数： 200纳秒
s
低功耗CMOS功耗：
s
写检测结束：
数据
轮询
s
硬件写保护
s
CMOS和TTL兼容的I / O
s
万编程/擦除周期
s
10年的数据保存
s
商用，工业和汽车
-active ：25 mA最大。
-Standby ： 100
A最大。
s
简单的写操作：
- 酮芯片地址和数据锁存器
- 自定时写周期，自动清除
s
快速写周期时间： 10ms以下
温度范围
描述
该CAT28C16A是一种快速，低功耗， 5V - CMOS只
平行ê
2
PROM组织为2K ×8位。它需要
简单的界面，在系统编程。片上
地址和数据锁存器，自定时写周期
自动清除和V
CC
上电/掉电写保护
消除附加的定时和保护硬件。
数据
轮询信号的开始和结束自定时
写周期。此外，该CAT28C16A设有硬
洁具写保护。
该CAT28C16A使用Catalyst的AD-制造
vanced CMOS浮栅技术。它被设计成
忍受万编程/擦除周期，并具有数据
保持10年。该器件可在JEDEC
批准的24引脚DIP和SOIC或32引脚PLCC封装
老少皆宜。
框图
A4–A10
ADDR 。 BUFFER
&门锁
对开关
写
保护
ROW
解码器
2,048 x 8
E
2
舞会
ARRAY
VCC
高压
发电机
CE
OE
WE
控制
逻辑
I / O缓冲器
定时器
数据轮询
I/O0–I/O7
A0–A3
ADDR 。 BUFFER
&门锁
COLUMN
解码器
5089 FHD F02
1998年由Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 25033-00 2/98号
CAT28C16A
引脚配置
DIP封装（ P）
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A8
A9
WE
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
SOIC封装（J ， K）
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A8
A9
WE
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
PLCC封装（ N）
NC
NC
VCC
WE
NC
A7
NC
4 3 2 1 32 31 30
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
5
6
7
8
9
10
顶视图
29
28
27
26
25
24
A8
A9
NC
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
VSS
NC
I/O5
引脚功能
引脚名称
A
0
–A
10
I / O
0
-I / O
7
CE
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
5V电源
地
无连接
5089 FHD F01
模式选择
模式
读
字节写（我们控制）
字节写（ CE控制）
待机和写禁止
读取和写入禁止
H
X
CE
L
L
L
X
H
WE
H
OE
L
H
H
X
H
I / O
D
OUT
D
IN
D
IN
高-Z
高-Z
动力
活跃
活跃
活跃
待机
活跃
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
= 5V
符号
C
I/O(1)
C
IN(1)
TEST
输入/输出电容
输入电容
马克斯。
10
6
单位
pF
pF
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
文档。 25033-00 2/98号
2
CAT28C16A
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(2)
........... -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
V
CC
相对于地面............... -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（ TA = 25℃） ................................... 1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(3)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(1)
T
DR(1)
V
ZAP(1)
I
LTH(1)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
10,000
10
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或之外的任何其他条件的
在本规范钙的业务部门所列出的那些
化，是不是暗示。暴露于任何绝对最大
评级长时间会影响器件的perfor-
曼斯和可靠性。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
直流工作特性
V
CC
= 5V
±10%,
除非另有规定ED 。
范围
符号
I
CC
I
CCC(5)
I
SB
I
SBC(6)
I
LI
I
LO
V
IH(6)
V
IL(5)
V
OH
V
OL
V
WI
参数
V
CC
电流（工作， TTL ）
V
CC
电流（工作， CMOS ）
V
CC
电流（待机， TTL ）
V
CC
电流（待机， CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
写禁止电压
3.0
–10
–10
2
–0.3
2.4
0.4
分钟。
典型值。
马克斯。
35
25
1
100
10
10
V
CC
+0.3
0.8
单位
mA
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
V
I
OH
= –400A
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
CE = OE = V
IL
,
F = 1 / T的
RC
分钟，所有的I / O公开赛
CE = OE = V
ILC
,
F = 1 / T的
RC
分钟，所有的I / O公开赛
CE = V
IH
，所有的I / O公开赛
CE = V
IHC
,
所有的I / O公开赛
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
,
CE = V
IH
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
（ 3）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100mA的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
(5) V
ILC
= -0.3V到+ 0.3V 。
(6) V
IHC
= V
CC
-0.3V到V
CC
+0.3V.
文档。 25033-00 2/98号
3
CAT28C16A
交流的特点，读周期
V
CC
= 5V
±10%,
除非另有规定ED 。
28C16A-20
符号
t
RC
t
CE
t
AA
t
OE
t
LZ(1)
t
OLZ(1)
t
HZ(1)(2)
t
OHZ(1)(2)
t
OH(1)
读周期时间
CE访问时间
地址访问时间
OE访问时间
CE低到有源输出
OE低到输出有效
CE高到输出高阻态
OE高到输出高阻态
从地址变更输出保持
0
0
0
55
55
参数
分钟。
200
200
200
80
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图1.交流测试输入/输出波形（ 3 ）
2.4 V
输入脉冲电平
0.45 V
0.8 V
2.0 V
参考点
5089 FHD F03
图2.交流测试负载电路（例如）
1.3V
1N914
3.3K
设备
下
TEST
OUT
CL = 100 pF的
CL INCLUDES夹具电容
5089 FHD F04
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（2）输出的浮动（高Z ）被定义为状态时的外部数据线是由输出缓冲器不再驱动。
（ 3 ）输入上升和下降时间（ 10 ％和90 ％ ）， < 10纳秒。
文档。 25033-00 2/98号
4
CAT28C16A
交流的特点，写周期
V
CC
= 5V
±10%,
除非另有规定ED 。
28C16A-20
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
CW(2)
t
OES
t
OEH
t
WP(2)
t
DS
t
DH
t
DL
t
INIT(1)
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
CE建立时间
CE保持时间
CE脉冲时间
OE建立时间
OE保持时间
WE脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
数据锁存时间
写保护期后电
10
100
0
0
150
15
15
150
50
10
50
5
20
参数
分钟。
马克斯。
10
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2 ）小于20ns的时间写脉冲不会启动写周期。
文档。 25033-00 2/98号
5
CAT28C16A
16K位CMOS并行ê
2
舞会
特点
s
快速读取访问次数： 200纳秒
s
低功耗CMOS功耗：
s
写检测结束：
数据
轮询
s
硬件写保护
s
CMOS和TTL兼容的I / O
s
万编程/擦除周期
s
10年的数据保存
s
商用，工业和汽车
-active ：25 mA最大。
-Standby ： 100
A最大。
s
简单的写操作：
- 酮芯片地址和数据锁存器
- 自定时写周期，自动清除
s
快速写周期时间： 10ms以下
温度范围
描述
该CAT28C16A是一种快速，低功耗， 5V - CMOS只
平行ê
2
PROM组织为2K ×8位。它需要
简单的界面，在系统编程。片上
地址和数据锁存器，自定时写周期
自动清除和V
CC
上电/掉电写保护
消除附加的定时和保护硬件。
数据
轮询信号的开始和结束自定时
写周期。此外，该CAT28C16A设有硬
洁具写保护。
该CAT28C16A使用Catalyst的AD-制造
vanced CMOS浮栅技术。它被设计成
忍受万编程/擦除周期，并具有数据
保持10年。该器件可在JEDEC
批准的24引脚DIP和SOIC或32引脚PLCC封装
老少皆宜。
框图
A4–A10
ADDR 。 BUFFER
&门锁
对开关
写
保护
ROW
解码器
2,048 x 8
E
2
舞会
ARRAY
VCC
高压
发电机
CE
OE
WE
控制
逻辑
I / O缓冲器
定时器
数据轮询
I/O0–I/O7
A0–A3
ADDR 。 BUFFER
&门锁
COLUMN
解码器
5089 FHD F02
1998年由Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 25033-00 2/98号
CAT28C16A
引脚配置
DIP封装（ P）
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A8
A9
WE
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
SOIC封装（J ， K）
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A8
A9
WE
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
PLCC封装（ N）
NC
NC
VCC
WE
NC
A7
NC
4 3 2 1 32 31 30
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
5
6
7
8
9
10
顶视图
29
28
27
26
25
24
A8
A9
NC
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
VSS
NC
I/O5
引脚功能
引脚名称
A
0
–A
10
I / O
0
-I / O
7
CE
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
5V电源
地
无连接
5089 FHD F01
模式选择
模式
读
字节写（我们控制）
字节写（ CE控制）
待机和写禁止
读取和写入禁止
H
X
CE
L
L
L
X
H
WE
H
OE
L
H
H
X
H
I / O
D
OUT
D
IN
D
IN
高-Z
高-Z
动力
活跃
活跃
活跃
待机
活跃
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
= 5V
符号
C
I/O(1)
C
IN(1)
TEST
输入/输出电容
输入电容
马克斯。
10
6
单位
pF
pF
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
文档。 25033-00 2/98号
2
CAT28C16A
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(2)
........... -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
V
CC
相对于地面............... -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（ TA = 25℃） ................................... 1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(3)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(1)
T
DR(1)
V
ZAP(1)
I
LTH(1)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
10,000
10
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或之外的任何其他条件的
在本规范钙的业务部门所列出的那些
化，是不是暗示。暴露于任何绝对最大
评级长时间会影响器件的perfor-
曼斯和可靠性。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
直流工作特性
V
CC
= 5V
±10%,
除非另有规定ED 。
范围
符号
I
CC
I
CCC(5)
I
SB
I
SBC(6)
I
LI
I
LO
V
IH(6)
V
IL(5)
V
OH
V
OL
V
WI
参数
V
CC
电流（工作， TTL ）
V
CC
电流（工作， CMOS ）
V
CC
电流（待机， TTL ）
V
CC
电流（待机， CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
写禁止电压
3.0
–10
–10
2
–0.3
2.4
0.4
分钟。
典型值。
马克斯。
35
25
1
100
10
10
V
CC
+0.3
0.8
单位
mA
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
V
I
OH
= –400A
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
CE = OE = V
IL
,
F = 1 / T的
RC
分钟，所有的I / O公开赛
CE = OE = V
ILC
,
F = 1 / T的
RC
分钟，所有的I / O公开赛
CE = V
IH
，所有的I / O公开赛
CE = V
IHC
,
所有的I / O公开赛
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
,
CE = V
IH
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
（ 3）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100mA的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
(5) V
ILC
= -0.3V到+ 0.3V 。
(6) V
IHC
= V
CC
-0.3V到V
CC
+0.3V.
文档。 25033-00 2/98号
3
CAT28C16A
交流的特点，读周期
V
CC
= 5V
±10%,
除非另有规定ED 。
28C16A-20
符号
t
RC
t
CE
t
AA
t
OE
t
LZ(1)
t
OLZ(1)
t
HZ(1)(2)
t
OHZ(1)(2)
t
OH(1)
读周期时间
CE访问时间
地址访问时间
OE访问时间
CE低到有源输出
OE低到输出有效
CE高到输出高阻态
OE高到输出高阻态
从地址变更输出保持
0
0
0
55
55
参数
分钟。
200
200
200
80
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图1.交流测试输入/输出波形（ 3 ）
2.4 V
输入脉冲电平
0.45 V
0.8 V
2.0 V
参考点
5089 FHD F03
图2.交流测试负载电路（例如）
1.3V
1N914
3.3K
设备
下
TEST
OUT
CL = 100 pF的
CL INCLUDES夹具电容
5089 FHD F04
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（2）输出的浮动（高Z ）被定义为状态时的外部数据线是由输出缓冲器不再驱动。
（ 3 ）输入上升和下降时间（ 10 ％和90 ％ ）， < 10纳秒。
文档。 25033-00 2/98号
4
CAT28C16A
交流的特点，写周期
V
CC
= 5V
±10%,
除非另有规定ED 。
28C16A-20
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
CW(2)
t
OES
t
OEH
t
WP(2)
t
DS
t
DH
t
DL
t
INIT(1)
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
CE建立时间
CE保持时间
CE脉冲时间
OE建立时间
OE保持时间
WE脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
数据锁存时间
写保护期后电
10
100
0
0
150
15
15
150
50
10
50
5
20
参数
分钟。
马克斯。
10
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2 ）小于20ns的时间写脉冲不会启动写周期。
文档。 25033-00 2/98号
5
CAT28C16A
16 kb的CMOS并行
EEPROM
描述
该CAT28C16A是一种快速，低功耗， 5V ，只有CMOS并行
EEPROM组织为2K ×8位。它需要一个简单的接口
在系统编程。芯片上地址和数据锁存器，
自定时写周期，自动清除和V
CC
电/掉电写
保护消除附加的定时和保护硬件。数据
轮询信号的自定时写周期的开始和结束。
此外， CAT28C16A支持硬件写保护。
该CAT28C16A采用安森美半导体的制造
先进的CMOS浮栅技术。它的目的是要忍受
100,000编程/擦除周期，具有100年的数据保持能力。
该器件可在JEDEC批准的24引脚DIP和SOIC或
32引脚PLCC封装。
特点
http://onsemi.com
SOIC24
J，K， W，X后缀
CASE 751BK
快速读取访问时间： 90 ns的，为120 ns ， 200 ns的
低功耗CMOS功耗：
- 活动：最多25 mA的电流。
- 待机： 100
mA
马克斯。
简单的写操作：
- 片上的地址和数据锁存器
- 自定时写周期，自动清除
快速写周期时间： 10 ms最大
写检测结束：数据查询
硬件写保护
CMOS和TTL兼容的I / O
100,000编程/擦除周期
百年数据保留
商用，工业和汽车温度范围
引脚配置
A
7
NC
NC
NC
V
CC
WE
NC
PDIP24
L结尾
CASE 646AD
PLCC32
N，G后缀
CASE 776AK
引脚功能
引脚名称
A
0
A
10
I / O
0
-I / O
7
CE
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
5 V电源
地
无连接
DIP封装（ L）
SOIC封装（ J，K ， W，X ）
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
8
A
9
WE
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
PLCC封装（N ，G ）
订购信息
A
8
A
9
NC
NC
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第10页上。
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
I / O
0
4 3 2 1 32 31 30
5
29
6
28
7
27
8
26
9
25
顶视图
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I / O
1
I / O
2
V
SS
NC
I / O
3
I / O
4
I / O
5
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年10月
启示录6
1
出版订单号：
CAT28C16A/D
CAT28C16A
A
4
A
10
ADDR 。 BUFFER
&门锁
对开关
写
保护
ROW
解码器
2,048 x 8
EEPROM
ARRAY
V
CC
高压
发电机
CE
OE
WE
控制
逻辑
I / O缓冲器
数据轮询
I / O
0
-I / O
7
定时器
ADDR 。 BUFFER
&门锁
A
0
A
3
COLUMN
解码器
图1.框图
表1.模式选择
模式
读
字节写（我们控制）
字节写（ CE控制）
待机和写禁止
读取和写入禁止
H
X
CE
L
L
L
X
H
WE
H
OE
L
H
H
X
H
I / O
D
OUT
D
IN
D
IN
高-Z
高-Z
动力
活跃
活跃
活跃
待机
活跃
表2.电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
= 5 V)
符号
C
I / O
（注1 ）
C
IN
（注1 ）
TEST
输入/输出电容
输入电容
最大
10
6
条件
V
I / O
= 0 V
V
IN
= 0 V
单位
pF
pF
1.该参数，并初步设计或过程的变化会影响该参数后进行测试。
表3.绝对最大额定值
参数
在偏置温度
储存温度
在相对于地面的任何引脚电压（注2 ）
V
CC
相对于地面
包装功率耗散能力（T
A
= 25°C)
引线焊接温度（ 10秒）
输出短路电流（注3 ）
评级
-55到+125
-65到+150
-2.0 V至+ V
CC
+ 2.0 V
2.0
到+7.0
1.0
300
100
单位
°C
°C
V
V
W
°C
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
2.最小DC输入电压是
0.5
五，在转换过程中，可能会投入到下冲
2.0
V代表小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V，对于小于20毫微秒周期。
3.输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
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2
CAT28C16A
表4.可靠性的特点
（注4 ）
符号
N
结束
（注5 ）
T
DR
（注5 ）
V
ZAP
I
LTH
（注6 ）
耐力
数据保留
ESD敏感性
LATCH -UP
参数
民
100,000
100
2,000
100
最大
单位
周期/字节
岁月
V
mA
4.此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
5.对于CAT28C16A -20 ，最小的耐力是10,000次，最小数据保持10年。
提供6闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从
1
V到V
CC
+ 1 V.
表5.直流工作特性
(V
CC
= 5 V
±10%,
除非另有规定）。
范围
符号
I
CC
I
CCC
（注7 ）
I
SB
I
SBC
（注8）
I
LI
I
LO
V
IH
（注8）
V
IL
（注7 ）
V
OH
V
OL
V
WI
参数
V
CC
电流（工作， TTL ）
V
CC
电流（工作， CMOS ）
V
CC
电流（待机， TTL ）
V
CC
电流（待机， CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
写禁止电压
I
OH
=
400
mA
I
OL
= 2.1毫安
3.0
测试条件
CE = OE = V
IL
,
F = 1 / T的
RC
分钟，所有的I / O公开赛
CE = OE = V
ILC
,
F = 1 / T的
RC
分钟，所有的I / O公开赛
CE = V
IH
，所有的I / O公开赛
CE = V
IHC
，所有的I / O公开赛
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
,
CE = V
IH
10
10
2
0.3
2.4
0.4
民
典型值
最大
35
25
1
100
10
10
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
7. V
ILC
=
0.3
V到+0.3 V
8. V
IHC
= V
CC
0.3 V到V
CC
+ 0.3 V
表6.交流的特点，读周期
(V
CC
= 5 V
±10%,
除非另有规定）。
28C16A90
符号
t
RC
t
CE
t
AA
t
OE
t
LZ
（注9 ）
t
OLZ
（注9 ）
t
HZ
（注9 ，10）
t
OHZ
（注9 ，
10)
t
OH
（注9 ）
参数
读周期时间
CE访问时间
地址访问时间
OE访问时间
CE低到有源输出
OE低到输出有效
CE高到输出高阻态
OE高到输出高阻态
从地址变更输出保持
0
0
0
50
50
0
民
90
90
90
50
0
0
50
50
0
最大
28C16A12
民
120
120
120
60
0
0
55
55
最大
28C16A20
民
200
200
200
80
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
9.此参数是最初的设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
10.输出浮动（高Z ）被定义为状态时的外部数据线是由输出缓冲器不再驱动。
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3
CAT28C16A
2.4 V
输入脉冲电平
0.45 V
2.0 V
0.8 V
参考点
图2.交流测试输入/输出波形
（注11 ）
11.输入上升和下降时间（ 10 ％和90 ％ ）， < 10纳秒。
1.3V
1N914
3.3K
设备
下
TEST
OUT
C
L
= 100 pF的
C
L
包括夹具电容
图3.交流测试负载电路（例如）
表7.交流的特点，写周期
(V
CC
= 5 V
±10%,
除非另有规定）。
28C16A90
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
CW
（注12 ）
t
OES
t
OEH
t
WP
（注12 ）
t
DS
t
DH
t
DL
t
INIT
（注13 ）
参数
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
CE建立时间
CE保持时间
CE脉冲时间
OE建立时间
OE保持时间
WE脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
数据锁存时间
写保护期后电
0
100
0
0
110
0
0
110
60
0
5
0.05
10
100
民
最大
5
0
100
0
0
110
0
0
110
60
0
5
0.05
10
100
28C16A12
民
最大
5
10
100
0
0
150
15
15
150
50
10
50
5
20
28C16A20
民
最大
10
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
小于20 ns的时间12.写脉冲不会启动写周期。
13，此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
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4
CAT28C16A
设备操作
读
存储在CAT28C16A数据传送到数据总线时， WE保持高电平，并且两个参考和CE保持为低。该
数据总线被设置为高阻抗状态，当CE或OE变为高电平。此2线式控制架构可用于
消除在系统环境中的总线竞争。
t
RC
地址
t
CE
CE
OE
t
OE
WE
V
IH
t
LZ
t
OLZ
t
AA
t
OH
数据有效
t
OHZ
t
HZ
数据有效
数据输出
高-Z
图4.读周期
t
WC
地址
t
AS
t
CS
CE
t
AH
t
CH
OE
t
OES
WE
t
DL
数据输出
高-Z
t
WP
t
OEH
DATA IN
数据有效
t
DS
t
DH
图5.字节写周期[我们控制]
字节写
写周期被执行时，无论CE和WE低，
和OE为高电平。写周期就可以利用我们启动
或CE ，地址输入被闩上的下落
边WE或CE认证，去年为准。数据，反之，
被锁在WE或CE的上升沿，以先到为准
第一。一旦启动，一个字节的写周期自动删除
寻址字节和新的数据被写入在10毫秒内。
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5
CAT28C16A
16 kb的CMOS并行
EEPROM
描述
该CAT28C16A是一种快速，低功耗， 5V ，只有CMOS并行
EEPROM组织为2K ×8位。它需要一个简单的接口
在系统编程。芯片上地址和数据锁存器，
自定时写周期，自动清除和V
CC
电/掉电写
保护消除附加的定时和保护硬件。数据
轮询信号的自定时写周期的开始和结束。
此外， CAT28C16A支持硬件写保护。
该CAT28C16A采用安森美半导体的制造
先进的CMOS浮栅技术。它的目的是要忍受
100,000编程/擦除周期，具有100年的数据保持能力。
该器件可在JEDEC批准的24引脚DIP和SOIC或
32引脚PLCC封装。
特点
http://onsemi.com
SOIC24
J，K， W，X后缀
CASE 751BK
快速读取访问时间： 90 ns的，为120 ns ， 200 ns的
低功耗CMOS功耗：
- 活动：最多25 mA的电流。
- 待机： 100
mA
马克斯。
简单的写操作：
- 片上的地址和数据锁存器
- 自定时写周期，自动清除
快速写周期时间： 10 ms最大
写检测结束：数据查询
硬件写保护
CMOS和TTL兼容的I / O
100,000编程/擦除周期
百年数据保留
商用，工业和汽车温度范围
引脚配置
A
7
NC
NC
NC
V
CC
WE
NC
PDIP24
L结尾
CASE 646AD
PLCC32
N，G后缀
CASE 776AK
引脚功能
引脚名称
A
0
A
10
I / O
0
-I / O
7
CE
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
5 V电源
地
无连接
DIP封装（ L）
SOIC封装（ J，K ， W，X ）
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
8
A
9
WE
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
PLCC封装（N ，G ）
订购信息
A
8
A
9
NC
NC
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第10页上。
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
I / O
0
4 3 2 1 32 31 30
5
29
6
28
7
27
8
26
9
25
顶视图
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I / O
1
I / O
2
V
SS
NC
I / O
3
I / O
4
I / O
5
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年10月
启示录6
1
出版订单号：
CAT28C16A/D
CAT28C16A
A
4
A
10
ADDR 。 BUFFER
&门锁
对开关
写
保护
ROW
解码器
2,048 x 8
EEPROM
ARRAY
V
CC
高压
发电机
CE
OE
WE
控制
逻辑
I / O缓冲器
数据轮询
I / O
0
-I / O
7
定时器
ADDR 。 BUFFER
&门锁
A
0
A
3
COLUMN
解码器
图1.框图
表1.模式选择
模式
读
字节写（我们控制）
字节写（ CE控制）
待机和写禁止
读取和写入禁止
H
X
CE
L
L
L
X
H
WE
H
OE
L
H
H
X
H
I / O
D
OUT
D
IN
D
IN
高-Z
高-Z
动力
活跃
活跃
活跃
待机
活跃
表2.电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
= 5 V)
符号
C
I / O
（注1 ）
C
IN
（注1 ）
TEST
输入/输出电容
输入电容
最大
10
6
条件
V
I / O
= 0 V
V
IN
= 0 V
单位
pF
pF
1.该参数，并初步设计或过程的变化会影响该参数后进行测试。
表3.绝对最大额定值
参数
在偏置温度
储存温度
在相对于地面的任何引脚电压（注2 ）
V
CC
相对于地面
包装功率耗散能力（T
A
= 25°C)
引线焊接温度（ 10秒）
输出短路电流（注3 ）
评级
-55到+125
-65到+150
-2.0 V至+ V
CC
+ 2.0 V
2.0
到+7.0
1.0
300
100
单位
°C
°C
V
V
W
°C
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
2.最小DC输入电压是
0.5
五，在转换过程中，可能会投入到下冲
2.0
V代表小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V，对于小于20毫微秒周期。
3.输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
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2
CAT28C16A
表4.可靠性的特点
（注4 ）
符号
N
结束
（注5 ）
T
DR
（注5 ）
V
ZAP
I
LTH
（注6 ）
耐力
数据保留
ESD敏感性
LATCH -UP
参数
民
100,000
100
2,000
100
最大
单位
周期/字节
岁月
V
mA
4.此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
5.对于CAT28C16A -20 ，最小的耐力是10,000次，最小数据保持10年。
提供6闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从
1
V到V
CC
+ 1 V.
表5.直流工作特性
(V
CC
= 5 V
±10%,
除非另有规定）。
范围
符号
I
CC
I
CCC
（注7 ）
I
SB
I
SBC
（注8）
I
LI
I
LO
V
IH
（注8）
V
IL
（注7 ）
V
OH
V
OL
V
WI
参数
V
CC
电流（工作， TTL ）
V
CC
电流（工作， CMOS ）
V
CC
电流（待机， TTL ）
V
CC
电流（待机， CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
写禁止电压
I
OH
=
400
mA
I
OL
= 2.1毫安
3.0
测试条件
CE = OE = V
IL
,
F = 1 / T的
RC
分钟，所有的I / O公开赛
CE = OE = V
ILC
,
F = 1 / T的
RC
分钟，所有的I / O公开赛
CE = V
IH
，所有的I / O公开赛
CE = V
IHC
，所有的I / O公开赛
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
,
CE = V
IH
10
10
2
0.3
2.4
0.4
民
典型值
最大
35
25
1
100
10
10
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
7. V
ILC
=
0.3
V到+0.3 V
8. V
IHC
= V
CC
0.3 V到V
CC
+ 0.3 V
表6.交流的特点，读周期
(V
CC
= 5 V
±10%,
除非另有规定）。
28C16A90
符号
t
RC
t
CE
t
AA
t
OE
t
LZ
（注9 ）
t
OLZ
（注9 ）
t
HZ
（注9 ，10）
t
OHZ
（注9 ，
10)
t
OH
（注9 ）
参数
读周期时间
CE访问时间
地址访问时间
OE访问时间
CE低到有源输出
OE低到输出有效
CE高到输出高阻态
OE高到输出高阻态
从地址变更输出保持
0
0
0
50
50
0
民
90
90
90
50
0
0
50
50
0
最大
28C16A12
民
120
120
120
60
0
0
55
55
最大
28C16A20
民
200
200
200
80
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
9.此参数是最初的设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
10.输出浮动（高Z ）被定义为状态时的外部数据线是由输出缓冲器不再驱动。
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3
CAT28C16A
2.4 V
输入脉冲电平
0.45 V
2.0 V
0.8 V
参考点
图2.交流测试输入/输出波形
（注11 ）
11.输入上升和下降时间（ 10 ％和90 ％ ）， < 10纳秒。
1.3V
1N914
3.3K
设备
下
TEST
OUT
C
L
= 100 pF的
C
L
包括夹具电容
图3.交流测试负载电路（例如）
表7.交流的特点，写周期
(V
CC
= 5 V
±10%,
除非另有规定）。
28C16A90
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
CW
（注12 ）
t
OES
t
OEH
t
WP
（注12 ）
t
DS
t
DH
t
DL
t
INIT
（注13 ）
参数
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
CE建立时间
CE保持时间
CE脉冲时间
OE建立时间
OE保持时间
WE脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
数据锁存时间
写保护期后电
0
100
0
0
110
0
0
110
60
0
5
0.05
10
100
民
最大
5
0
100
0
0
110
0
0
110
60
0
5
0.05
10
100
28C16A12
民
最大
5
10
100
0
0
150
15
15
150
50
10
50
5
20
28C16A20
民
最大
10
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
小于20 ns的时间12.写脉冲不会启动写周期。
13，此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
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CAT28C16A
设备操作
读
存储在CAT28C16A数据传送到数据总线时， WE保持高电平，并且两个参考和CE保持为低。该
数据总线被设置为高阻抗状态，当CE或OE变为高电平。此2线式控制架构可用于
消除在系统环境中的总线竞争。
t
RC
地址
t
CE
CE
OE
t
OE
WE
V
IH
t
LZ
t
OLZ
t
AA
t
OH
数据有效
t
OHZ
t
HZ
数据有效
数据输出
高-Z
图4.读周期
t
WC
地址
t
AS
t
CS
CE
t
AH
t
CH
OE
t
OES
WE
t
DL
数据输出
高-Z
t
WP
t
OEH
DATA IN
数据有效
t
DS
t
DH
图5.字节写周期[我们控制]
字节写
写周期被执行时，无论CE和WE低，
和OE为高电平。写周期就可以利用我们启动
或CE ，地址输入被闩上的下落
边WE或CE认证，去年为准。数据，反之，
被锁在WE或CE的上升沿，以先到为准
第一。一旦启动，一个字节的写周期自动删除
寻址字节和新的数据被写入在10毫秒内。
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