CAT24C44
256位串行非易失性CMOS静态RAM
特点
s
单5V电源
s
无限ê
2
PROM到RAM召回
s
CMOS和TTL兼容的I / O
s
CMOS低功耗：
s
JEDEC标准管脚引出线：
-8引脚DIP
-8引脚SOIC
s
100,000编程/擦除周期（E
2
舞会）
s
汽车召回在电
s
商用，工业和汽车
- 活动：3 mA最大。
-Standby ： 30
A最大。
s
上电/掉电保护
s
10年的数据保存
温度范围
描述
该CAT24C44串行NVRAM是一个256位的非易失性
内存划分为16字×16位。高
高速静态RAM阵列是逐位进行备份的一个
非易失性ê
2
PROM的阵列，它可以很容易地反
数据从RAM阵列到E的FER
2
PROM （ STORE ）和
给E
2
PROM到RAM （ RECALL ） 。存储操作
在10ms以下完成。和RECALL操作
通常在为1.5μs 。该CAT24C44功能无限
RAM写入操作既可以通过外部RAM
写或给E内部召回
2
舞会。内部假
店内的保护电路禁止商店运营
当V
CC
小于3.5V （典型值） ，确保é
2
舞会
数据的完整性。
该CAT24C44使用Catalyst的AD-制造
vanced CMOS浮栅技术。它被设计成
忍受100,000编程/擦除周期（E
2
PROM）以及
具有10年的数据保持力。该器件可
在JEDEC批准的8引脚塑料DIP和SOIC封装
老少皆宜。
引脚配置
DIP封装（ P）
CE
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
商店
召回
VSS
引脚功能
引脚名称
SOIC封装（ S）
CE
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
商店
召回
VSS
5157 FHD F01
功能
串行时钟
串行输入
串行数据输出
芯片使能
召回
商店
+5V
地
SK
DI
DO
CE
召回
商店
V
CC
V
SS
1998年由Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
文档。第25019-0A 2/98 N-1
1
这种材料版权归其各自的制造商
CAT24C44
框图
E
2
PROM阵列
召回
ROW
解码
静态RAM
ARRAY
256-BIT
商店
控制
逻辑
商店
召回
CE
DI
SK
指令
注册
COLUMN
解码
DO
VCC
VSS
指令
解码
4-BIT
计数器
5157 FHD F09
模式选择
(1)(2)
模式
硬件召回
(3)
软件RECALL
五金店
(3)
软件商店
X =无关
商店
1
1
0
1
召回
0
1
1
1
软件
指令
NOP
RCL
NOP
申通快递
写使能
LATCH
X
X
SET
SET
上一页召回
LATCH
X
X
真
真
上电时序
(4)
符号
VCCSR
t
PUR
t
PUW
参数
V
CC
压摆率
上电到读操作
电到写操作或存放时
分钟。
0.5
马克斯。
0.005
200
5
单位
V / M
s
ms
注意：
（ 1 ）存储操作的优先级高于所有其他操作。
（ 2）存储操作被禁止时， V
CC
以下是
≈
3.5V.
（3） NOP指令表示该设备当前没有执行指令。
（ 4 ）该参数是最初的设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
文档。第25019-0A 2/98 N-1
2
这种材料版权归其各自的制造商
CAT24C44
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(2)
............. -2.0至+ VCC + 2.0V
V
CC
相对于地面............... -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（ TA = 25℃） ................................... 1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(3)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(1)
T
DR(1)
V
ZAP(1)
I
LTH(1)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
100,000
10
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或之外的任何其他条件的
在本规范钙的业务部门所列出的那些
化，是不是暗示。暴露于任何绝对最大
评级长时间会影响器件的perfor-
曼斯和可靠性。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
基准测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
直流工作特性
V
CC
= 5V
±10%,
除非另有规定ED 。
范围
符号
I
CCO
I
SB
I
LI
I
LO
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
参数
电流消耗（工作）
消耗电流（待机）
输入电流
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
2
0
2.4
0.4
分钟。
典型值。
马克斯。
3
30
2
10
V
CC
0.8
单位
mA
A
A
A
V
V
V
V
I
OH
= -2mA
I
OL
= 4.2毫安
条件
输入= 5.5V ，T
A
= 0°C
所有输出卸载
CE = V
IL
0
≤
V
IN
≤
5.5V
0
≤
V
OUT
≤
5.5V
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
= 5V
符号
C
I/O(1)
C
IN(1)
参数
输入/输出电容
输入电容
马克斯。
10
6
单位
pF
pF
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。
在输出引脚最大直流电压为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
（ 3）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
3
这种材料版权归其各自的制造商
文档。第25019-0A 2/98 N-1
CAT24C44
从装置：如果该
CE
引脚被过早取消
的移位的指令，该指令将不
执行，并且移位寄存器内部的CAT24C44
将被清除。如果有多于或少于16个
内存的数据传输，不正确的数据在时钟
转让将导致。 SK时钟是完全静态的
允许用户停止时钟，并将其重新启动，以
恢复数据的移动。
读
在接收到开始位， 4位地址位，和3位
读命令（移入DI引脚）的DO引脚
该CAT24C44会来的高阻抗状态了
和16位的数据，位于该地址指定的
中的说明，将同步输出设备。
当从设备的时钟数据，第一比特时钟
输出（ DO）是从第8个时钟的下降沿定时，
所有后续位（ D1 - D15 ）从瑞星计时
在时钟的边缘。
写
接收到起始位， 4位地址位，和3位之后
写命令时， 16位字移入
装置，用于存储在RAM存储器位置试样
田间。该
CE
引脚必须在整个写操作期间保持高位
操作。
设备操作
该CAT24C44用于与标准微用途
处理器。该CAT24C44被组织成16个寄存器
由16位。 7个8位的指令控制装置的
运行模式， RAM读写，而
E
2
PROM存储和调用。另外，也可以向
控制电子
2
在硬件PROM存储和调用功能
洁具用
商店
和
召回
销。该CAT24C44
工作在5V单电源，并会产生，在
芯片， RAM为E时所需的高电压
2
舞会
存储操作。
指令，地址和写数据移入
DI引脚上的时钟（ SK ）的上升沿。在DO
引脚保持在高阻抗状态，除非
从设备输出数据。该
CE
（芯片使能）
引脚必须在整个数据传输过程中保持高位。
发送到CAT24C44所有指令的格式是
逻辑'1'起始位， 4位地址（数据读取或写入
操作）或4个“不关心”位（设备模式操作
而言），和一个3位的操作码（见指令集） 。对于数据
写操作时， 8位的指令之后是16
数据的比特。对于数据读取指令， DO会出来
及的高阻抗状态，可以将数据的16位
将时钟从设备。读出的第8位
指令是“无关”位。这是为了消除任何
要发生在应用中该总线争
的DI和DO引脚被连接在一起，形成一个共同的
DI / DO线。提醒一句，而时钟数据和
图1. RAM的读周期时序
CE
1
SK
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
22
23
24
(8)
(1)
DI
1
A
A
A
A
1
1
X
DO
高-Z
D0
D1
D2
D3
D14
D15
D0
5157 FHD F02
图2. RAM写入周期定时
CE
1
SK
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
22
23
24
DI
1
A
A
A
A
0
1
1
D0
D1
D2
D3
D13
D14
D15
5157 FHD F03
注意：
（ 1 ）位的READ指令8是“不关心” 。
5
这种材料版权归其各自的制造商
文档。第25019-0A 2/98 N-1
CAT24C44
256位串行非易失性CMOS静态RAM
特点
s
单5V电源
s
无限的EEPROM来RAM召回
s
CMOS和TTL兼容的I / O
s
CMOS低功耗：
s
JEDEC标准管脚引出线：
-8引脚DIP
-8引脚SOIC
s
100000编程/擦除周期（ EEPROM ）
s
汽车召回在电
s
商用，工业和汽车
- 活动：3 mA最大。
-Standby ： 30
A最大。
s
上电/掉电保护
s
10年的数据保存
温度范围
s
可用"Green"封装选项
描述
该CAT24C44串行NVRAM是一个256位的非易失性
内存划分为16字×16位。高
高速静态RAM阵列是逐位进行备份的一个
非易失性EEPROM阵列，可以很容易地传输
从RAM阵列数据的FER到EEPROM （存储）和
从EEPROM到RAM （ RECALL ） 。存储操作
在10ms以下完成。和RECALL操作
通常在为1.5μs 。该CAT24C44功能unlim-
资讯科技教育RAM写入操作既可以通过外部RAM
写入或从EEPROM内部召回。内部假
店内的保护电路禁止商店运营
当V
CC
小于3.5V （典型值） ，确保EEPROM
数据的完整性。
该CAT24C44使用Catalyst的AD-制造
vanced CMOS浮栅技术。它被设计成
忍受100,000编程/擦除周期（ EEPROM）和
具有10年的数据保持力。该器件可
在JEDEC批准的8引脚塑料DIP和SOIC封装
老少皆宜。
引脚配置
DIP封装（ P，L ， GL ）
CE
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
引脚功能
引脚名称
功能
串行时钟
串行输入
串行数据输出
芯片使能
召回
商店
+5V
地
SK
DI
DO
CE
召回
商店
V
CC
V
SS
SOIC封装（S ，V ， GV ）
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
商店
召回
VSS
VCC
CE
商店SK
RECALL DI
VSS
DO
2005 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 1083 ，版本号
CAT24C44
框图
EEPROM阵列
召回
ROW
解码
静态RAM
ARRAY
256-BIT
商店
控制
逻辑
商店
召回
CE
DI
SK
指令
注册
COLUMN
解码
DO
VCC
VSS
指令
解码
4-BIT
计数器
模式选择
(1)(2)
模式
硬件召回
(3)
软件RECALL
五金店
(3)
软件商店
X =无关
商店
1
1
0
1
召回
0
1
1
1
软件
指令
NOP
RCL
NOP
申通快递
写使能
LATCH
X
X
SET
SET
上一页召回
LATCH
X
X
真
真
上电时序
(4)
符号
VCCSR
t
PUR
t
PUW
参数
V
CC
压摆率
上电到读操作
电到写操作或存放时
分钟。
0.5
马克斯。
0.005
200
5
单位
V / M
s
ms
注意：
（ 1 ）存储操作的优先级高于所有其他操作。
（ 2）存储操作被禁止时， V
CC
以下是
≈
3.5V.
（3） NOP指令表示该设备当前没有执行指令。
（ 4 ）该参数是最初的设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
文档。 1083 ，版本号
2
2005 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
CAT24C44
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(2)
............. -2.0至+ VCC + 2.0V
V
CC
相对于地面............... -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（ TA = 25℃） ................................... 1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(3)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(1)
T
DR(1)
V
ZAP(1)
I
LTH(1)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
100,000
10
2000
100
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或之外的任何其他条件的
在本规范钙的业务部门所列出的那些
化，是不是暗示。暴露于任何绝对最大
评级长时间会影响器件的perfor-
曼斯和可靠性。
典型值。
马克斯。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
直流工作特性
V
CC
= 5V
±10%,
除非另有规定ED 。
范围
符号
I
CCO
I
SB
I
LI
I
LO
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
参数
电流消耗（工作）
消耗电流（待机）
输入电流
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
2
0
2.4
0.4
分钟。
典型值。
马克斯。
3
30
2
10
V
CC
0.8
单位
mA
A
A
A
V
V
V
V
I
OH
= -2mA
I
OL
= 4.2毫安
条件
输入= 5.5V ，T
A
= 0°C
所有输出卸载
CE = V
IL
0
≤
V
IN
≤
5.5V
0
≤
V
OUT
≤
5.5V
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
= 5V
符号
C
I/O(1)
C
IN(1)
参数
输入/输出电容
输入电容
马克斯。
10
6
单位
pF
pF
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
注意：
（ 1 ）这些参数都和最初设计或工艺变更影响，根据相应的AEC -Q100标准的参数进行测试后，
和JEDEC测试方法。
（ 2）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。
在输出引脚最大直流电压为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
（ 3）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
2005 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
3
文档。 1083 ，版本号
CAT24C44
从装置：如果该
CE
引脚被过早取消
的移位的指令，该指令将不
执行，并且移位寄存器内部的CAT24C44
将被清除。如果有多于或少于16个
内存的数据传输，不正确的数据在时钟
转让将导致。 SK时钟是完全静态的
允许用户停止时钟，并将其重新启动，以
恢复数据的移动。
读
在接收到开始位， 4位地址位，和3位
读命令（移入DI引脚）的DO引脚
该CAT24C44会来的高阻抗状态了
和16位的数据，位于该地址指定的
中的说明，将同步输出设备。
当从设备的时钟数据，第一比特时钟
输出（ DO）是从第8个时钟的下降沿定时，
所有后续位（ D1 - D15 ）从瑞星计时
在时钟的边缘。
写
接收到起始位， 4位地址位，和3位之后
写命令时， 16位字移入
装置，用于存储在RAM存储器位置试样
田间。该
CE
引脚必须在整个写操作期间保持高位
操作。
设备操作
该CAT24C44用于与标准微用途
处理器。该CAT24C44被组织成16个寄存器
由16位。 7个8位的指令控制装置的
运行模式， RAM读写，而
EEPROM存储和调用。另外，也可以向
控制EEPROM存储和调用功能，在硬件
洁具用
商店
和
召回
销。该CAT24C44
工作在5V单电源，并会产生，在
芯片的RAM到EEPROM中所需要的高电压
存储操作。
指令，地址和写数据移入
DI引脚上的时钟（ SK ）的上升沿。在DO
引脚保持在高阻抗状态，除非
从设备输出数据。该
CE
（芯片使能）
引脚必须在整个数据传输过程中保持高位。
发送到CAT24C44所有指令的格式是
逻辑'1'起始位， 4位地址（数据读取或写入
操作）或4个“不关心”位（设备模式操作
而言），和一个3位的操作码（见指令集） 。对于数据
写操作时， 8位的指令之后是16
数据的比特。对于数据读取指令， DO会出来
及的高阻抗状态，可以将数据的16位
将时钟从设备。读出的第8位
指令是“无关”位。这是为了消除任何
要发生在应用中该总线争
的DI和DO引脚被连接在一起，形成一个共同的
DI / DO线。提醒一句，而时钟数据和
图1. RAM的读周期时序
CE
1
SK
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
22
23
24
(1)
(8)
DI
1
A
A
A
A
X
1
1
DO
高-Z
D0
D1
D2
D3
D14
D15
D0
图2. RAM写入周期定时
CE
1
SK
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
22
23
24
DI
1
A
A
A
A
1
0
1
D0
D1
D2
D3
D13
D14
D15
注意：
（ 1 ）位的READ指令8是“不关心” 。
2005 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
5
文档。 1083 ，版本号
QQ：2881677436 复制
