CAT22C10
256位非易失CMOS静态RAM
特点
s
单5V电源
s
快速内存访问时间：
s
CMOS低功耗：
–200ns
–300ns
s
无限ê
2
PROM到RAM召回
s
CMOS和TTL兼容的I / O
s
上电/掉电保护
s
100,000编程/擦除周期（E
2
舞会）
-active ：最大40mA 。
-Standby ： 30
A最大。
s
JEDEC标准管脚引出线：
-18引脚DIP
-16引脚SOIC
s
10年的数据保存
s
商用，工业和汽车
温度范围
描述
该CAT22C10 NVRAM是一个256位的非易失性存储器
组织为64字× 4位。高速静态
RAM阵列是逐位进行备份的非易失性
E
2
PROM阵列，它可以很容易地传输数据
从RAM阵列到E
2
PROM（存储）和来自
E
2
PROM到RAM （ RECALL ） 。 STORE操作
在10ms以下完成。和RECALL操作的典型
美云为1.5μs之内。该CAT22C10功能无限
RAM写入操作既可以通过外部RAM
写或给E内部召回
2
舞会。内部假
店内的保护电路禁止商店运营
当V
CC
小于3.0V 。
该CAT22C10使用Catalyst的AD-制造
vanced CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期（E
2
舞会）
并且具有10年的数据保持力。该装置是
在提供JEDEC批准的18引脚塑料DIP和16
引脚SOIC封装。
引脚配置
DIP封装（ P）
SOIC封装（J ）
A4
A3
A2
A1
A0
CS
VSS
商店
引脚功能
引脚名称
A
0
–A
5
功能
地址
IN / OUT数据
写使能
芯片选择
召回
商店
+5V
地
无连接
NC
A4
A3
A2
A1
A0
CS
VSS
商店
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
14
13
12
11
10
VCC
NC
A5
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
WE
召回
22C10 F01
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
A5
I/O4
I/O3
I/O2
I/O1
WE
召回
I / O
0
-I / O
3
WE
CS
召回
商店
V
CC
V
SS
22C10 F02
NC
1998年由Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。第25018-0A 2/98 N-1
这种材料版权归其各自的制造商
CAT22C10
框图
E
2
PROM阵列
A0
A1
A2
A3
A4
A5
商店
召回
ROW
静态RAM
商店
SELECT
ARRAY
召回
列选择
控制
逻辑
读/写
电路
CS
WE
的I / O0- I / O1 I / O2 I / O3
5153 FHD F02
模式选择
(1)(2)(3)
输入
模式
待机
RAM读
RAM写入
(E
2
PROM → RAM ）
(E
2
PROM → RAM ）
（ RAM →
2
舞会）
（ RAM →
2
舞会）
上电时序
(4)
符号
VCCSR
参数
V
CC
压摆率
分钟。
0.5
马克斯。
0.005
单位
V / ms的
CS
H
L
L
X
H
X
H
WE
X
H
L
H
X
H
X
召回
H
H
H
L
L
H
H
商店
H
H
H
H
H
L
L
I / O
输出高阻
输出数据
输入数据
输出高阻召回
输出高阻召回
输出高阻商店
输出高阻商店
注意：
(1)
召回
信号的优先级高于
商店
当两者都施加在同一时间的信号。
(2)
商店
被抑制时，
召回
是活动的。
（ 3）存储操作被禁止时， V
CC
以下是
≈
3.0V.
（ 4 ）该参数是最初的设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
文档。第25018-0A 2/98 N-1
2
这种材料版权归其各自的制造商
CAT22C10
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(2)
.............. -2.0至+ VCC + 2.0V
V
CC
相对于地面................ -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（ TA = 25℃） ................................... 1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(3)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(1)
T
DR(1)
V
ZAP(1)
I
LTH(1)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
100,000
10
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或之外的任何其他条件的
在本规范钙的业务部门所列出的那些
化，是不是暗示。暴露于任何绝对最大
评级长时间会影响器件的perfor-
曼斯和可靠性。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
基准测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
直流工作特性
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定ED 。
范围
符号
I
CC
参数
消耗电流
（操作）
消耗电流
（待机）
输入电流
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
RAM数据保持电压
1.5
2
0
2.4
0.4
5.5
分钟。
典型值。
马克斯。
40
单位
mA
条件
所有输入= 5.5V
T
A
= 0°C
所有的I / O公开赛
CS = V
CC
所有的I / O公开赛
0
≤
V
IN
≤
5.5V
0
≤
V
OUT
≤
5.5V
I
SB
I
LI
I
LO
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
DH
30
10
10
V
CC
0.8
A
A
A
V
V
V
V
V
I
OH
= -2mA
I
OL
= 4.2毫安
V
CC
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
= 5V
符号
C
I/O(1)
C
IN(1)
参数
输入/输出电容
输入电容
马克斯。
10
6
单位
pF
pF
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
（ 3）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
3
这种材料版权归其各自的制造商
文档。第25018-0A 2/98 N-1
CAT22C10
交流的特点，写周期
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定ED 。
22C10-20
符号
t
WC
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
WZ(1)
t
OW
参数
写周期时间
CS写入脉冲宽度
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效时间
数据保持时间
输出禁止时间
输出使能时间
0
分钟。
200
150
50
150
25
100
0
100
0
马克斯。
22C10-30
分钟。
300
150
50
150
25
100
0
100
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
L
= 100pF的
+ 1TTL门
V
OH
= 2.2V
V
OL
= 0.65V
V
IH
= 2.2V
V
IL
= 0.65V
条件
交流的特点，读周期
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定ED 。
22C10-20
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OH
t
LZ(1)
t
HZ(1)
参数
读周期时间
地址访问时间
CS访问时间
输出数据保持时间
CS启用时间
CS禁用时间
0
0
100
分钟。
200
200
200
0
0
100
马克斯。
22C10-30
分钟。
300
300
300
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
条件
C
L
= 100pF的
+ 1TTL门
V
OH
= 2.2V
V
OL
= 0.65V
V
IH
= 2.2V
V
IL
= 0.65V
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
文档。第25018-0A 2/98 N-1
4
这种材料版权归其各自的制造商
CAT22C10
交流的特点，存储周期
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定ED 。
范围
符号
t
STC
t
STP
t
STZ(1)
t
OST(1)
参数
店时间
商店脉冲宽度
商店禁止时间
商店启用时间
0
200
100
分钟。
马克斯。
10
单位
ms
ns
ns
ns
C
L
= 100pF电容+ 1TTL门
V
OH
= 2.2V, V
OL
= 0.65V
V
IH
= 2.2V, V
IL
= 0.65V
条件
交流的特点，召回周期
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定ED 。
范围
符号
t
RCC
t
RCP
t
RCZ
t
ORC
t
ARC
参数
召回周期时间
召回脉冲宽度
回忆禁止时间
记得启用时间
调用数据访问时间
0
1.1
分钟。
1.4
300
100
马克斯。
单位
s
ns
ns
ns
s
C
L
= 100pF电容+ 1TTL门
V
OH
= 2.2V, V
OL
= 0.65V
V
IH
= 2.2V, V
IL
= 0.65V
条件
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
5
这种材料版权归其各自的制造商
文档。第25018-0A 2/98 N-1
CAT22C10
256位非易失CMOS静态RAM
特点
■
单5V电源
■
快速内存访问时间：
H
根
FR
ALO
EE
LE
■
CMOS低功耗：
A
D
F
R
E
E
TM
–200ns
–300ns
■
无限的EEPROM来RAM召回
■
CMOS和TTL兼容的I / O
■
上电/掉电保护
■
100,000编程/擦除周期（E
2
舞会）
-active ：最大40mA 。
-Standby ： 30
A最大。
■
JEDEC标准管脚引出线：
-18引脚DIP
-16引脚SOIC
■
10年的数据保存
■
商用，工业和汽车
温度范围
■
可用"Green"封装选项
描述
该CAT22C10 NVRAM是一个256位的非易失性存储器
组织为64字× 4位。高速静态
RAM阵列是逐位进行备份的非易失性
EEPROM阵列，它可以很容易地传输数据
从RAM阵列向EEPROM（存储）和来自
EEPROM到RAM （ RECALL ） 。 STORE操作
在10ms以下完成。和RECALL操作的典型
美云为1.5μs之内。该CAT22C10功能无限
RAM写入操作既可以通过外部RAM
写入或从EEPROM内部召回。内部假
店内的保护电路禁止商店运营
当V
CC
小于3.0V 。
该CAT22C10使用Catalyst的AD-制造
vanced CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期（ EEPROM ）
并且具有10年的数据保持力。该装置是
在提供JEDEC批准的18引脚塑料DIP和16
引脚SOIC封装。
引脚配置
DIP封装（P ， L）
SOIC封装（J ， W）
A4
A3
A2
A1
A0
CS
VSS
商店
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
A5
I/O4
I/O3
I/O2
I/O1
WE
召回
引脚功能
引脚名称
A
0
–A
5
I / O
0
-I / O
3
WE
CS
召回
商店
V
CC
V
SS
NC
功能
地址
IN / OUT数据
写使能
芯片选择
召回
商店
+5V
地
无连接
NC
A4
A3
A2
A1
A0
CS
VSS
商店
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
14
13
12
11
10
VCC
NC
A5
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
WE
召回
2004 Catalyst半导体公司，正在申请专利
特性如有变更，恕不另行通知
文档。 1082号，第
CAT22C10
框图
EEPROM阵列
A0
A1
A2
A3
A4
A5
商店
召回
ROW
静态RAM
商店
SELECT
ARRAY
召回
列选择
控制
逻辑
读/写
电路
CS
WE
的I / O0- I / O1 I / O2 I / O3
模式选择
(1)(2)(3)
输入
模式
待机
RAM读
RAM写入
（ EEPROM → RAM ）
（ EEPROM → RAM ）
（ RAM → EEPROM ）
（ RAM → EEPROM ）
上电时序
(4)
符号
VCCSR
参数
V
CC
压摆率
分钟。
0.5
马克斯。
0.005
单位
V / ms的
CS
H
L
L
X
H
X
H
WE
X
H
L
H
X
H
X
召回
H
H
H
L
L
H
H
商店
H
H
H
H
H
L
L
I / O
输出高阻
输出数据
输入数据
输出高阻召回
输出高阻召回
输出高阻商店
输出高阻商店
注意：
(1)
召回
信号的优先级高于
商店
当两者都施加在同一时间的信号。
(2)
商店
被抑制时，
召回
是活动的。
（ 3）存储操作被禁止时， V
CC
以下是
≈
3.0V.
（ 4 ）该参数是最初的设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
文档。 1082号，第
2
CAT22C10
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(2)
.............. -2.0至+ VCC + 2.0V
V
CC
相对于地面................ -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（ TA = 25℃） ................................... 1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(3)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(1)
T
DR(1)
V
ZAP(1)
I
LTH(1)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
100,000
10
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或之外的任何其他条件的
在本规范钙的业务部门所列出的那些
化，是不是暗示。暴露于任何绝对最大
评级长时间会影响器件的perfor-
曼斯和可靠性。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
基准测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
直流工作特性
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定ED 。
范围
符号
I
CC
参数
消耗电流
（操作）
消耗电流
（待机）
输入电流
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
RAM数据保持电压
1.5
2
0
2.4
0.4
5.5
分钟。
典型值。
马克斯。
40
单位
mA
条件
所有输入= 5.5V
T
A
= 0°C
所有的I / O公开赛
CS = V
CC
所有的I / O公开赛
0
≤
V
IN
≤
5.5V
0
≤
V
OUT
≤
5.5V
I
SB
I
LI
I
LO
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
DH
30
10
10
V
CC
0.8
A
A
A
V
V
V
V
V
I
OH
= -2mA
I
OL
= 4.2毫安
V
CC
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
= 5V
符号
C
I/O(1)
C
IN(1)
参数
输入/输出电容
输入电容
马克斯。
10
6
单位
pF
pF
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
（ 3）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
3
文档。 1082号，第
CAT22C10
交流的特点，写周期
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定ED 。
22C10-20
符号
t
WC
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
WZ(1)
t
OW
参数
写周期时间
CS写入脉冲宽度
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效时间
数据保持时间
输出禁止时间
输出使能时间
0
分钟。
200
150
50
150
25
100
0
100
0
马克斯。
22C10-30
分钟。
300
150
50
150
25
100
0
100
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
L
= 100pF的
+ 1TTL门
V
OH
= 2.2V
V
OL
= 0.65V
V
IH
= 2.2V
V
IL
= 0.65V
条件
交流的特点，读周期
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定ED 。
22C10-20
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OH
t
LZ(1)
t
HZ(1)
参数
读周期时间
地址访问时间
CS访问时间
输出数据保持时间
CS启用时间
CS禁用时间
0
0
100
分钟。
200
200
200
0
0
100
马克斯。
22C10-30
分钟。
300
300
300
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
条件
C
L
= 100pF的
+ 1TTL门
V
OH
= 2.2V
V
OL
= 0.65V
V
IH
= 2.2V
V
IL
= 0.65V
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
文档。 1082号，第
4
CAT22C10
交流的特点，存储周期
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定ED 。
范围
符号
t
STC
t
STP
t
STZ(1)
t
OST(1)
参数
店时间
商店脉冲宽度
商店禁止时间
商店启用时间
0
200
100
分钟。
马克斯。
10
单位
ms
ns
ns
ns
C
L
= 100pF电容+ 1TTL门
V
OH
= 2.2V, V
OL
= 0.65V
V
IH
= 2.2V, V
IL
= 0.65V
条件
交流的特点，召回周期
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定ED 。
范围
符号
t
RCC
t
RCP
t
RCZ
t
ORC
t
ARC
参数
召回周期时间
召回脉冲宽度
回忆禁止时间
记得启用时间
调用数据访问时间
0
1.1
分钟。
1.4
300
100
马克斯。
单位
s
ns
ns
ns
s
C
L
= 100pF电容+ 1TTL门
V
OH
= 2.2V, V
OL
= 0.65V
V
IH
= 2.2V, V
IL
= 0.65V
条件
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
5
文档。 1082号，第
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