CA3338 ， CA3338A
数据表
2004年7月
FN1850.4
CMOS视频速度， 8位， 50 MSPS ， R2R
D / A转换器
在CA3338系列为CMOS / SOS高速R2R电压
输出的数字 - 模拟转换器。它们可以从一个操作
+ 5V单电源供电，在视频的速度，并能产生
“轨至轨”输出摆幅。内部电平转换器和引脚
可选的第二供应提供以下的输出范围
数字地。数据补充控制允许
输入数据，同时锁存使能控制提供了反转
无论是穿通或锁存操作。的两端
R2R梯形网络都可以从外部和可能
调制增益或偏移调整。此外， “毛刺”
能一直保持非常低的通过分割和
的高3位的温度计编码。
的CA3338被制造在蓝宝石衬底上，得到
低动态功耗，低输出电容和
固有的锁定电阻。
特点
CMOS / SOS低功耗
R2R输出，分段低“毛刺”
CMOS / TTL兼容输入
快速建立： （典型值），以
1
/
2
LSB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为20ns
馈通锁存器用于计时或不使用时钟使用
精确度（典型值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±0.5
最低位
数据补控制
高更新率（典型值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50MHz的
单极性或双极性工作
无铅可用
应用
TV /视频显示
高速示波器显示
数字波形发生器
订购信息
部分
数
CA3338E
CA3338EZ
（注）
CA3338AE
CA3338AEZ
（注）
CA3338M
CA3338MZ
（注）
CA3338AM
CA3338AMZ
（注）
线性
（ INL ， DNL ）
±1.0
最低位
±1.0
最低位
温度。
范围（° C）
-40到85
-40到85
PKG 。
包装DWG 。 ＃
16 Ld的PDIP E16.3
16 Ld的PDIP E16.3
（无铅）
16 Ld的PDIP E16.3
16 Ld的PDIP E16.3
（无铅）
16 Ld的SOIC M16.3
16 Ld的SOIC M16.3
（无铅）
16 Ld的SOIC M16.3
16 Ld的SOIC M16.3
（无铅）
直接数字合成
引脚
CA3338 ， CA3338A
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
16 V
DD
15 LE
14 COMP
13 V
REF
+
12 V
OUT
11 V
REF
-
10 V
EE
9 D0
±0.75
最低位
±0.75
最低位
-40到85
-40到85
±1.0
最低位
±1.0
最低位
-40到85
-40到85
±0.75
最低位
±0.75
最低位
-40到85
-40到85
Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成，
模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是既锡铅和无铅兼容
焊接操作。 Intersil无铅产品分类MSL在
达到或超过了无铅无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020B的要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
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CA3338 ， CA3338A
绝对最大额定值
直流电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 8V
(V
DD
- V
SS
或V
DD
- V
EE
，以较高者为准）
输入电压范围
数字输入（ LE ， COMP D0 - D7 ） 。 。 。 。 V
SS
- 0.5V至V
DD
+ 0.5V
模拟引脚（V
REF
+, V
REF
-, V
OUT
) . . . .V
DD
- 8V至V
DD
+ 0.5V
DC输入电流
数字输入（ LE ， COMP ， D0 - D7 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±20mA
推荐的电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.5V至7.5V
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
不适用
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
不适用
最高结温
塑料封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围，T
英镑
. . . . -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
)
塑料包装，E SUF连接X，M SUF网络X 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
参数
准确性
决议
积分非线性误差
CA3338
CA3338A
微分线性误差
CA3338
CA3338A
增益误差
CA3338
CA3338A
偏移误差
数字输入时序
更新率
更新率
成立时间吨
SU1
成立时间吨
SU2
保持时间t
H
锁存脉冲宽度t
W
锁存脉冲宽度t
W
输出参数
输出延时T
D1
输出延时T
D2
上升时间t
r
沉降时间t
S
输出阻抗
毛刺面积
毛刺面积
T
A
= 25
o
C，V
DD
= 5V, V
REF
+ = 4.608V, V
SS
= V
EE
= V
REF
- = GND ， LE主频为20MHz ，R
L
≥
1 M,
除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大
单位
8
参见图4
-
-
参见图4
-
-
输入代码= FF
（十六进制）
见图3
-
-
输入码= 00
（十六进制）
;参见图3
维护
1
/
2
LSB沉降
V
REF
- = V
EE
= -2.5V, V
REF
+ = +2.5V
对于低干扰
对于数据存储
对于数据存储
对于数据存储
V
REF
- = V
EE
= -2.5V, V
REF
+ = +2.5V
R
L
调整为1V
P-P
产量
从LE边缘
从数据变化
10 ％90 ％的产量
10％稳定到
1
/
2
最低位
V
REF
+ = 6V, V
DD
= 6V
V
REF
- = V
EE
= -2.5V,V
REF
+ = +2.5V
-
-
-
-
120
-
-
-
-
-
±1
±0.75
±0.75
±0.5
±0.75
±0.5
±0.25
位
-
-
最低位
最低位
-
-
最低位
最低位
-
-
-
最低位
最低位
最低位
DC
DC
-
-
-
-
-
50
20
-2
8
5
5
25
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
25
22
4
20
160
150
250
-
-
-
-
200
-
-
ns
ns
ns
ns
的pV /秒
的pV /秒
3
CA3338 ， CA3338A
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
名字
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
V
SS
D
0
V
EE
数字地
最低有效位。输入数据位
模拟地
参考电压的负输入
模拟输出
图2.数据和锁存使能到输出时序
产量
电压
描述
最有效位
输入
数据
位
（高= TRUE）
输入
数据
LATCH
启用
t
D1
t
D2
90%
10%
1
/ LSB
2
t
S
t
r
1
/ LSB
2
V
REF
-
V
OUT
锁存操作
数据从输入馈送到输出而LE为低电平：LE应
接低电平非超频操作。
非超频操作或更改数据，而LE是低的
不推荐用于要求低输出应用
“毛刺”能量：有没有保证的同时
输入的数据或所有的相等传播延迟的变化
通过转换器的位。若是几个工艺参数给出
该转换器是在这些模式的情况下使用：吨
D2
给出从输入切换到输出的延迟
改变（10 ％），而吨
SU2
和T
H
给建立和保持
倍（称为LE的上升沿）所需的锁存数据。看
图1和图2 。
是需要低“毛刺”能源使用主频运行。数据
必须满足特定吨
SU1
建立时间来对LE下降沿，
和T
H
持有从LE的上升沿时间。延误
输出变化，T
D1
，现在称为对LE下降
边缘。
没有必要为一个方波LE的时钟; LE只能
满足最小吨
W
脉冲宽度为成功的闩
操作。一般情况下，输出时序（所需的精确度
沉降）设置的可用时钟频率的上限。
V
REF
+
参考电压正输入
COMP
LE
V
DD
数据补控制输入。高电平有效
锁存使能输入。低电平有效
数字电源， + 5V
数字信号通路
数字输入（ LE ， COMP和D0 - D7 ）为TTL的
兼容HCT高速CMOS设计：负荷
本质上电容和逻辑阈值典型地是
1.5V.
8个数据位， D0 （加权2
0
）至D7 （加权2
7
),
适用于异或门（参见原理图） 。
在COMP （数据补）控制提供了第二
输入到门：如果COMP为高时，数据位将
倒，因为他们通过。
输入数据和对LE （锁存使能）信号下一个
施加到电平移位器。输入端之间，所述操作
V水平
DD
和V
SS
，移位V之间进行操作
DD
和V
EE
. V
EE
任选地在地面上或在一个负电压，
根据双极运行进行讨论。所有其他逻辑
除了输出驱动因素从V操作
DD
和V
EE
耗材。
数据的高3位，D5至D7 ，被输入到一个3到7
线棒图编码器。通过编码器输出和D0
D4被施加到穿通线锁存器，它是由控制
LE （锁存使能） 。
输入数据
t
SU1
t
W
LATCH
启用
LATCHED
数据
穿心
t
H
LATCHED
t
SU2
输出结构
该锁存器的数据馈送到一个行高电流CMOS驱动器，
这反过来又馈送改性的R2R梯形网络。
第“N ”信道（下拉）每个驱动加的晶体管
底“2R”电阻被返回到V
REF
- 这是（ - ）全
规模的参考。每一个“P ”频道（拉）晶体管
驱动程序将返回到V
REF
+中， （+），全面参考。
在单极操作，V
REF
- 通常被返回到
模拟地，但在地面上可以得到提升（见
规范）。有大量的代码依赖电流
从V流
REF
+到V
REF
- （见V
REF
在+输入电流
特定网络阳离子） ，所以V
REF
- 应具有低阻抗路径
到地面。
图1.数据锁存使能时序
5
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