CA3310 ， CA3310A
1997年8月
CMOS ， 10位A / D转换器
具有内部采样保持
描述
Intersil的CA3310是一款快速，低功耗， 10位逐次
逼近模拟 - 数字转换器，以微处理器
兼容的输出。它仅使用一个3V至6V电源和
当在5V工作通常仅消耗3毫安。它可以接受全
轨到轨输入信号，并配有内置的跟踪和保持。
轨道和保持将遵循高带宽的输入信号，因为它
只具有100ns的（典型值）输入时间常数。
十大数据输出功能全面的高速CMOS三
态总线驱动器的能力，并且被锁定，并通过召开
一个完整的转换周期。独立的8 MSB和LSB 2实现，
数据就绪FL AG，和转换的开始和准备复位
输入完成微处理器接口。
内部，可调时钟被提供，并且可以作为
的输出。该时钟也可以由一个外部驱动
源。
特点
CMOS低功耗（典型值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15mW
单电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3V至6V
转换时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为13μs
内置跟踪保持
轨到轨输入范围
锁存三态输出驱动器
微处理器兼容控制线
内部或外部时钟
应用
快速，无下垂，采样和保持
语音级数字音频
DSP调制解调器
远程低功耗数据采集系统
P
控制系统
订购信息
部分
数
CA3310E
CA3310AE
CA3310M
CA3310AM
CA3310D
CA3310AD
线性
温度。
（ INL ， DNL ） RANGE （
o
C)
±0.75
最低位
±0.5
最低位
±0.75
最低位
±0.5
最低位
±0.75
最低位
±0.5
最低位
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-55至125
-55至125
包
24 Ld的PDIP
24 Ld的PDIP
24 Ld的SOIC
24 Ld的SOIC
24 Ld的SBDIP
24 Ld的SBDIP
PKG 。
号
E24.6
E24.6
M24.3
M24.3
D24.6
D24.6
引脚
CA3310 ， CA3310A
（ PDIP ， SBDIP ， SOIC ）
顶视图
D0 （ LSB ）
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9 （MSB）
DRDY
V
SS
（GND）的
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
DD
V
IN
V
REF
+
R
EXT
CLK
STRT
V
REF
-
V
AA
+
V
AA
-
OEL
OEM
DRST
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3095.1
6-6
CA3310 ， CA3310A
绝对最大额定值
数字电源电压V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . V
SS
-0.5V到V
SS
+7V
模拟电源电压（V
AA
+) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DD
±0.5V
任何其他终端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
SS
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
直流输入电流和输出（保护二极管）
电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±20mA
直流输出漏电流，每个输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±35mA
共直流电源或接地电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±70mA
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
不适用
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
70
22
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
不适用
最高结温
塑料封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
密封包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最高储存温度（T
英镑
) . . . . . . . . . .-65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
)
套餐D型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
封装类型E，M 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
参数
T
A
= 25
o
C，V
DD
= V
AA
+ = 5V, V
REF
+ = 4.608V, V
SS
= V
AA
- = V
REF
- = GND ， CLK = 1MHz的外部，
除非另有规定编
测试条件
民
典型值
最大
单位
准确性
（见文字说明）
决议
微分线性误差
CA3310
CA3310A
积分非线性误差
CA3310
CA3310A
增益误差
CA3310
CA3310A
偏移误差
CA3310
CA3310A
模拟输出
输入阻抗
输入电容
输入电容
输入电流
串联输入采样
电容器
在采样状态
在保持状态
在V
IN
= V
REF
+ = 5V
在V
IN
= V
REF
- = 0V
静态输入电流
STRT = V + ， CLK = V +
在V
IN
= V
REF
+ = 5V
在V
IN
= V
REF
- = 0V
输入+满量程范围
输入 - 满量程范围
输入带宽
（注2 ）
（注2 ）
从输入RC时间常数
-
-
-
-
-
-
-
V
REF
- +1
V
SS
-0.3
-
330
300
20
-
-
-
-
-
-
1.5
-
-
-
+300
-100
1
-1
V
DD
+0.3
V
REF
+ -1
-
pF
pF
A
A
A
A
V
V
兆赫
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±0.5
±0.25
±0.5
±0.25
±0.25
-
±0.25
-
-
±0.75
±0.5
±0.75
±0.5
±0.5
±0.25
±0.5
±0.25
位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
数字输入
DRST ， OEL ，OEM ， STRT ， CLK
高电平输入电压
低电平输入电压
输入漏电流
输入电容
输入电流
在V
DD
= 3V至6V （注2 ）
在V
DD
= 3V至6V （注2 ）
除了CLK
（注2 ）
只有CLK （注2 ）
70
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
±1
10
±400
％的
V
DD
％的
V
DD
A
pF
A
6-9
CA3310 ， CA3310A
电气连接特定的阳离子
参数
数字输出
D0 - D9 ， DRDY
高电平输出电压
低电平输出电压
三态泄漏
输出电容
CLK输出
高电平输出电压
低电平输出电压
定时
时钟频率
内部， CLK和R
EXT
开放
内部， CLK短路至R
EXT
外部，适用于CLK （注2 ）（最大）
（分钟）
时钟脉冲宽度，T
低
, t
高
转换时间
孔径延迟，T
D
APR
时钟到数据就绪延迟，T
D1
DRDY
时钟到数据就绪延迟，T
D2
DRDY
时钟到数据延时，T
D
数据
开始拆卸时间，t
R
STRT
启动安装程序时，T
SU
STRT
启动脉冲宽度，T
W
STRT
开始数据就绪延迟，T
D3
DRDY
时钟延迟从开始，T
D
CLK
就绪复位拆除时间，t
R
DRST
准备复位脉冲宽度，T
W
DRST
准备重置数据就绪延迟，
t
D4
DRDY
输出使能延时，T
EN
输出禁用延迟，T
DIS
耗材
电源工作范围，V
DD
或V
AA
电源电流，我
DD
+ I
AA
供应待机电流
模拟电源抑制
参考输入电流
温度依赖性
失调漂移
增益漂移
内部时钟速度
注意事项：
1，一种（ - ）去除时间意味着信号可以在参考信号之后被去除。
2.参数没有进行测试，但已经过设计或特性保证。
在0至1码转换
在1022年至1023年的代码转换
参见图7
-
-
-
-4
-6
-0.5
-
-
-
V/
o
C
V/
o
C
%/
o
C
（注2 ）
参见图14 ， 15
钟停在周期1
在120Hz ，见图13
见图10
3
-
-
-
-
-
3
3.5
25
160
6
8
-
-
-
V
mA
mA
mV / V的
A
外部，适用于CLK ：
见图1 （注2 ）
内部， CLK短路至R
EXT
见图1
见图1
见图1
见图1
参见图3和4 （注1）
参见图4
参见图3和4
参见图3和4
见图3
参见图50 （注1 ）
参见图5
参见图5
见图2
见图2
200
600
-
100
100
13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
300
800
4
10
-
-
100
150
250
200
-120
160
10
170
200
-80
10
35
40
50
400
1000
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
千赫
千赫
兆赫
千赫
ns
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
I
来源
= 100μA （注2 ）
I
SlNK
= 100μA （注2 ）
4
-
-
-
-
1
V
V
I
来源
= -4mA
I
SINK
= 6毫安
除DRDY
除DRDY （注2）
4.6
-
-
-
-
-
-
-
-
0.4
±1
20
V
V
A
pF
T
A
= 25
o
C，V
DD
= V
AA
+ = 5V, V
REF
+ = 4.608V, V
SS
= V
AA
- = V
REF
- = GND ， CLK = 1MHz的外部，
除非另有规定编
（续）
测试条件
民
典型值
最大
单位
6-10
QQ：2881677436 复制
