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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第83页 > CA3290A
T
ODUC MENT
TE P
CE
LE
OBSO DED REPLA在进入
c
MMEN一
PP或吨碳
RECO
数据
c
升苏tersil.com/ts
ic
NO
hn
区R特
ww.in
防尘带TERSIL或W
c
IN
1-888-
CA3290 , CA3290A
2004年1月
FN1049.4
采用BiMOS双电压比较器
与MOSFET的输入,双极性输出
该CA3290A和CA3290型包括一个双电压
比较一个单芯片上。共模
输入电压范围包括地面,即使在运转时
从单电源。低电源电流消耗,使
这些比较器适用于电池操作;其
极低的输入电流,允许其在应用程序中使用
雇用传感器具有极高的来源
阻抗。封装选项示于下表中。
特点
MOSFET输入级
- 非常高的输入阻抗(Z
IN
) 。 。 。 。 。 。 。 。 1.7TΩ (典型值)
- 极低的输入电流在V + = 5V 。 。 。 。 。 。 。 3.5pA (典型值)
- 宽共模输入电压范围(V
ICR
)可
摆动1.5V (典型值)低于负电源电压轨
- 实际上消除了由于错误输入电流的流动来
输出电压兼容TTL , DTL , ECL , MOS ,
和CMOS逻辑系统中大部分应用程序
应用
高源阻抗电压比较器
长延时电路
方波发生器
A / D转换器
窗口比较器
引脚
CA3290 / A ( PDIP )
顶视图
输出(A
1
) 1
INV 。 INPUT (A
1
) 2
NON- INV 。 INPUT (A
1
) 3
V- 4
A
1
8 V+
+
-
A
2
7 OUTPUT (A
2
)
原理图
(仅示出一个)
偏置电路
对于目前的
来源
比较器编号。 1
V+
D
1
D
2
Q
1
+V
I
-V
I
Q
2
Q
3
1
-
+
6 INV 。 INPUT (A
2
)
5 NON - INV 。 INPUT (A
2
)
产品编号信息
部分
CA3290AE
CA3290E
温度
RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
8 Ld的PDIP
8 Ld的PDIP
PKG 。号
E8.3
E8.3
TO
比较。
2号
I
1
Q
9
50A
I
2
Q
10
I
3
I
4
Q
11
100A
Q
12
V
O
D
3
D
4
Q
4
Q
8
Q
15
Q
17
R
1
100k
Q
7
R
2
1k
Q
18
Q
16
Q
13
Q
14
100A
50A
Q
5
Q
6
R
3
5k
C
1
5pF
V-
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004.保留所有权利
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
CA3290 , CA3290A
绝对最大额定值
电源电压
单电源供电。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 36V
双电源
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±18V
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36V或[ (V + - V-) + 5V ]
(以较低者为准)
直流输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V + + 5V至-5V V-
输出V-短路持续时间(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。连续
输入电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
(
o
C / W )
θ
JC
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
不适用
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至125
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.从输出到V +短路可能会引起过大的加热和器件的最终破坏。
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
V- = 0V ,除非另有规定编
温度
(
o
C)
25
25
CA3290A
-
-
-
-
-
V
CM
= 1.4V, V+ = 5V
V
CM
= 0V, V+ = +15V, V- = -
15V
V
CM
= 1.4V, V+ = 5V
V
CM
= 0V,
V+ = +15V, V- = -15V
25
25
125
125
25
25
-55
-55
25
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
25
88
典型值
4.5
8.5
4.0
4.0
8
2
7
2
7
2.8
13
3.5
12
0.85
1.62
0.8
1.35
150
103
800
118
最大
-
-
10
10
-
28
28
25
25
45
45
40
40
1.0
3.0
1.4
3.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
88
CA3290
典型值
8.5
8.5
7.5
7.5
8
2
7
2
7
2.8
13
3.5
12
0.85
1.62
0.8
1.35
150
103
800
118
最大
-
-
20
20
-
32
32
30
30
55
55
50
50
1.6
3.5
1.4
3.0
-
-
-
-
单位
mV
mV
mV
mV
V/
o
C
nA
nA
pA
pA
nA
nA
pA
pA
mA
mA
mA
mA
V / MV
dB
V / MV
dB
参数
输入失调电压
符号
V
IO
测试条件
V
CM
= V
O
= 1.4V, V+ = 5V
V
CM
= V
O
= 0V, V+ =
+15V,
V- = -15V
V
CM
= V
O
= 1.4V, V+ = 5V
V
CM
= V
O
= 0V, V+ = +15V,
V- = -15V
温度COEF网络cient
输入偏移电压的
输入失调电流
V
IO
/T
I
IO
输入电流
I
I
V
CM
= 1.4V, V+ = 5V
V
CM
= 0V, V+ = +15V, V- = -
15V
V
CM
= 1.4V, V+ = 5V
V
CM
= 0V, V+ = +15V, V- = -
15V
电源电流
I+
R
L
=
∞,
V+ = 5V
R
L
=
∞,
V+ = 30V
R
L
=
∞,
V+ = 5V
R
L
=
∞,
V+ = 30V
电压增益
A
OL
R
L
= 15kΩ时,V + =
+15V,
V- = -15V
R
L
= 15kΩ时,V + = + 15V ,
V- = -15V
2
CA3290 , CA3290A
电气规格
参数
饱和电压
V- = 0V ,除非另有规定编
(续)
温度
(
o
C)
125
-55
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
CA3290A
-
-
-
-
-
-
-
V+ -3.5
V-
V+ -3.8
V-
-
-
-
6
-
-
-
-
典型值
0.22
0.1
0.12
65
130
100
500
V+ -3.1
V- -1.5
V+ -3.4
V- -1.6
44
100
15
30
1.2
200
500
400
最大
0.7
-
0.4
-
1k
-
-
-
-
562
562
316
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V+ -3.5
V-
V+ -3.8
V-
-
-
-
6
-
-
-
-
CA3290
典型值
0.22
0.1
0.12
65
130
100
500
V+ -3.1
V- -1.5
V+ -3.4
V- -1.6
44
100
15
30
1.2
200
500
400
最大
0.7
-
0.4
-
1k
-
-
-
-
562
562
316
-
-
-
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
pA
pA
V
V
V/V
V/V
V/V
mA
s
ns
ns
ns
符号
V
SAT
测试条件
I
SINK
= 4毫安,V + = 5V ,
+V
I
= 0V, -V
I
= 1V
I
SINK
= 4毫安,V + = 5V ,
+V
I
= 0V, -V
I
= 1V
I
SINK
= 4毫安,V + = 5V ,
+V
I
= 0V, -V
I
= 1V
输出漏电流
I
OL
V+ = 15V
V+ = 36V
V+ = 15V
V+ = 36V
共模输入
电压范围
V
ICR
V
O
= 1.4V, V+ = 5V
V
O
= 0V, V+ = +15V, V- = -15V
共模
抑制比
电源抑制
输出灌电流
响应时间上升
EDGE
响应时间下降
EDGE
大信号响应
时间
CMRR
V+ = +15V, V- = -15V
V+ = 5V
PSRR
V+ = +15V, V- = -15V
V
O
= 1.4V, V+ = 5V
t
r
t
f
R
L
=一个5.1kΩ ,V + = 15V
R
L
=一个5.1kΩ ,V + = 15V
R
L
=一个5.1kΩ ,V + = 15V
R
L
=一个5.1kΩ ,V + = 5V
测试电路和波形
C
C
=为2pF
+15V
+15V
1K
+
V
IN
至10倍
范围
探头
-
1K
-15V
用C
C
顶部曲线
4.5mV /格。 = V
IN
下部曲线= 10V /格。 = V
OUT
时间尺度= 5
秒/格。
无C
C
顶部曲线
4.5mV/Div.
下部曲线= 10V /格。
时间尺度= 5
秒/格。
图1寄生振荡测试电路和波形
3
CA3290 , CA3290A
测试电路和波形
输入
OVERDRIVE
+15V
GND
输入
OVERDRIVE
GND
1K
输入
1K
+
5.1K
-
产量
100mV
OVERDRIVE
20mV
OVERDRIVE
5mV
OVERDRIVE
5mV
OVERDRIVE
20mV
OVERDRIVE
100mV
OVERDRIVE
图2.非反相比较器响应时间测试电路和波形
GND
+15V
输入
OVERDRIVE
5.1K
+
产量
1K
5mV
OVERDRIVE
20mV
OVERDRIVE
100mV
OVERDRIVE
GND
输入
OVERDRIVE
1K
输入
-
100mV
OVERDRIVE
20mV
OVERDRIVE
5mV
OVERDRIVE
图3反相比较器响应时间测试电路和波形
电路描述
基本比较
图4示出的基本电路图两个中的一个
比较器的CA3290 。它是一般类似于
行业类型为“ 139 ”的比较,与PMOS晶体管
更换PNP晶体管作为输入级元素。
晶体管Q1
1
通过Q
4
包括差分输入
现阶段,随着Q
5
和Q
6
作为反射镜连接的活性
负载和差分到单端转换器。该
差分输入在Q
1
和Q
4
被放大,以便切换Q
6
根据输入信号的极性。例如,如果
+V
IN
大于-V
IN
, Q
1
, Q
2
和电流镜
晶体管Q1
5
和Q
6
将被关闭;晶体管Q1
3
, Q
4
,
和Q
7
将导通,导致Q
8
以将其关闭。该
输出被拉到正时的负载电阻连接
之间的输出和V + 。
在本质上,Q
1
和Q
4
函数作为源极跟随器来驱动
Q
2
和Q
3
分别与齐纳流二极管D
1
到D
4
提供栅极氧化保护,防止输入电压
瞬变(例如,静电) 。目前溢流的Q
1
Q
4
被建立在大约50
一个由恒流
来源我
1
3
上。由于Q
1
和Q
4
用恒定电流负荷操作时,其栅 - 源
电压降将是有效的常数,只要输入
电压的共模电压范围内。
作为一个结果,输入偏移电压(V
GS(Q1)
+ V
BE(Q2)
-
V
BE(Q3)
- V
GS(Q4)
)将不被降解时的大
差分直流电压被施加到器件上进行延伸
的时间段在高温下。
提供额外电压增益后的第一阶段
由晶体管Q
7
和Q
8
。 Q的集电极
8
是开放的,
向用户提供各种各样的应用程序中的选项。一
额外的分立式晶体管可如果它变得添加
要提高输出灌电流能力。
一个比较器和详细的示意图
通用电流源偏置显示在首页上。
PMOS晶体管Q
9
通过Q
12
是电流源
4
CA3290 , CA3290A
在图4中确定的元素,因为我
1
通过I
4
上。
其栅极 - 源极电位( V
GS
)由一公共供给
从在右手部分中所示的偏压电路的总线
的示意图。由Q提供的电流
10
Q
12
两次都是那些由Q提供
9
和Q
11
。晶体管
几何形状被适当地缩放,以提供所需要的
电流与普通V
GS
适用于Q
9
通过Q
12
.
V+
I
1
50A
D
1
D
2
I
2
100A
I
3
50A
D
3
D
4
Q
8
Q
P4
Q
5
Q
6
V
I
-
Q
7
I
4
100A
V
O
振荡,除非采取某些预防措施是观察到
最小化的输入和之间的杂散电容耦合
输出端子。寄生振荡表现出来
在输出电压过渡区间作为
比较器开关状态。对于高源阻抗,
杂散电容可诱导寄生振荡。该
的积极添加的少量( 1mV的至10mV的)
反馈(滞后),产生一个过渡越快,从而
降低寄生振荡的可能性。此外,
如果输入信号是一个脉冲波形,以较快的
上升和下降时间,寄生的倾向降低。
当双比较器,如CA3290 ,被包装在一个
8导线结构中,每个比较器的输出端子是
相邻的输入端。引线到引线电容是
大约为1pF ,这可足以引起
在某些应用中不希望的反馈效果。电路
因素,如阻抗水平,电源电压,开关
率等,可能会增加寄生振荡的可能性。
为了尽量减少这种潜在的振荡条件,这是
建议对源阻抗大于1kΩ的一
电容( ≥1pF - 为2pF )连接相应的
输入端和输出端。 (参见图1 )
如果任一比较是不使用的,它的输入端也应
绑无论是V +或V-电源轨。
V
I
+
Q
P1
Q
2
Q
3
V-
图4.基本电路图的两个一
比较
操作注意事项
输入电路
在CA3290的输入级使用MOS晶体管
串联电路向用户提供以下功能
用于比较的应用:
1.超高输入阻抗( 1.7TΩ ) ;
2.共模抑制输入信号的可用性
在低于负电源轨的电势;
3.保留的在输入和输出的相位关系
把信号低于负电源轨的输入信号。
虽然CA3290采用了坚固的双极性(齐纳)二极管
用于保护输入电路,所述输入端的电流
应不超过为1mA。适当的串联
限流电阻应在电路中更大的使用
当前佛罗里达州流入的可能存在,使信号的输入电压,以
大于电源电压,而不会损坏
电路。
典型应用
光控单次触发定时器
在图5中一个比较器(A
1
)的CA3290的用于
感测光电二极管电流的变化。另
比较器(A
2
)是CON连接gured作为单次触发定时器是
由A的输出触发
1
。该电路的输出将
切换到低状态后,大约60秒
光源到光电二极管已被中断。该
电路工作在正常室温的照明水平。该
该电路的灵敏度可以通过改变调节
的R值
1
和R
2
。 R的比率
1
与R
2
输出电路
的CA3290的输出是一个npn的集电极开路
晶体管,在广泛的范围内的一个特征,提供的灵活性
比较器的应用程序。输出或函数可以是
通过开放式集热器并联来实现。
的输出上拉电阻器可连接到电源
供应具有的额定范围内的电压范围
在使用特定的CA3290 ;这个电压的大小可
被设定在一个值,施加到它独立
V +的CA3290的终端。
寄生振荡
理想的比较器具有除其他功能,超高
输入阻抗,高增益和宽的带宽。这些
期望的特性可能,但是,产生的寄生
5
CA3290 , CA3290A
数据表
1998年9月
文件编号1049.3
采用BiMOS双电压比较器
与MOSFET的输入,双极性输出
该CA3290A和CA3290型包括一个双电压
比较一个单芯片上。共模
输入电压范围包括地面,即使在运转时
从单电源。低电源电流消耗,使
这些比较器适用于电池操作;其
极低的输入电流,允许其在应用程序中使用
雇用传感器具有极高的来源
阻抗。封装选项示于下表中。
特点
MOSFET输入级
- 非常高的输入阻抗(Z
IN
) 。 。 。 。 。 。 。 。 1.7TΩ (典型值)
- 极低的输入电流在V + = 5V 。 。 。 。 。 。 。 3.5pA (典型值)
- 宽共模输入电压范围(V
ICR
)可
摆动1.5V (典型值)低于负电源电压轨
- 实际上消除了由于错误输入电流的流动来
输出电压兼容TTL , DTL , ECL , MOS ,
和CMOS逻辑系统中大部分应用程序
应用
高源阻抗电压比较器
长延时电路
方波发生器
A / D转换器
窗口比较器
引脚
CA3290 / A ( PDIP )
顶视图
输出(A
1
) 1
INV 。 INPUT (A
1
) 2
NON- INV 。 INPUT (A
1
) 3
V- 4
A
1
8 V+
+
-
A
2
7 OUTPUT (A
2
)
原理图
(仅示出一个)
偏置电路
对于目前的
来源
比较器编号。 1
V+
D
1
D
2
Q
1
+V
I
-V
I
Q
2
Q
3
1
-
+
6 INV 。 INPUT (A
2
)
5 NON - INV 。 INPUT (A
2
)
订购信息
部分
CA3290AE
CA3290E
温度
RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
8 Ld的PDIP
8 Ld的PDIP
PKG 。号
E8.3
E8.3
TO
比较。
2号
I
1
Q
9
50A
I
2
Q
10
I
3
I
4
Q
11
100A
Q
12
V
O
D
3
D
4
Q
4
Q
8
Q
15
Q
17
R
1
100k
Q
7
R
2
1k
Q
18
Q
16
Q
13
Q
14
100A
50A
Q
5
Q
6
R
3
5k
C
1
5pF
V-
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司1999
CA3290 , CA3290A
绝对最大额定值
电源电压
单电源供电。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 36V
双电源
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±18V
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36V或[ (V + - V-) + 5V ]
(以较低者为准)
直流输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V + + 5V至-5V V-
输出V-短路持续时间(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。连续
输入电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
(
o
C / W )
θ
JC
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
120
不适用
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至125
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.从输出到V +短路可能会引起过大的加热和器件的最终破坏。
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
参数
输入失调电压
V- = 0V ,除非另有规定编
温度
(
o
C)
25
25
CA3290A
-
-
-
-
-
V
CM
= 1.4V, V+ = 5V
V
CM
= 0V, V+ = +15V, V- = -15V
V
CM
= 1.4V, V+ = 5V
V
CM
= 0V,
V+ = +15V, V- = -15V
25
25
125
125
25
25
-55
-55
25
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
25
88
典型值
4.5
8.5
4.0
4.0
8
2
7
2
7
2.8
13
3.5
12
0.85
1.62
0.8
1.35
150
103
800
118
最大
-
-
10
10
-
28
28
25
25
45
45
40
40
1.0
3.0
1.4
3.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
88
CA3290
典型值
8.5
8.5
7.5
7.5
8
2
7
2
7
2.8
13
3.5
12
0.85
1.62
0.8
1.35
150
103
800
118
最大
-
-
20
20
-
32
32
30
30
55
55
50
50
1.6
3.5
1.4
3.0
-
-
-
-
单位
mV
mV
mV
mV
V/
o
C
nA
nA
pA
pA
nA
nA
pA
pA
mA
mA
mA
mA
V / MV
dB
V / MV
dB
符号
V
IO
测试条件
V
CM
= V
O
= 1.4V, V+ = 5V
V
CM
= V
O
= 0V, V+ =
+15V,
V- = -15V
V
CM
= V
O
= 1.4V, V+ = 5V
V
CM
= V
O
= 0V, V+ = +15V,
V- = -15V
温度COEF网络cient
输入偏移电压的
输入失调电流
V
IO
/T
I
IO
输入电流
I
I
V
CM
= 1.4V, V+ = 5V
V
CM
= 0V, V+ = +15V, V- = -15V
V
CM
= 1.4V, V+ = 5V
V
CM
= 0V, V+ = +15V, V- = -15V
电源电流
I+
R
L
=
∞,
V+ = 5V
R
L
=
∞,
V+ = 30V
R
L
=
∞,
V+ = 5V
R
L
=
∞,
V+ = 30V
电压增益
A
OL
R
L
= 15kΩ时,V + =
+15V,
V- = -15V
R
L
= 15kΩ时,V + = + 15V ,
V- = -15V
2
CA3290 , CA3290A
电气连接特定的阳离子
参数
饱和电压
V- = 0V ,除非另有规定编
(续)
温度
(
o
C)
125
-55
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
CA3290A
-
-
-
-
-
-
-
V+ -3.5
V-
V+ -3.8
V-
-
-
-
6
-
-
-
-
典型值
0.22
0.1
0.12
65
130
100
500
V+ -3.1
V- -1.5
V+ -3.4
V- -1.6
44
100
15
30
1.2
200
500
400
最大
0.7
-
0.4
-
1k
-
-
-
-
562
562
316
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V+ -3.5
V-
V+ -3.8
V-
-
-
-
6
-
-
-
-
CA3290
典型值
0.22
0.1
0.12
65
130
100
500
V+ -3.1
V- -1.5
V+ -3.4
V- -1.6
44
100
15
30
1.2
200
500
400
最大
0.7
-
0.4
-
1k
-
-
-
-
562
562
316
-
-
-
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
pA
pA
V
V
V/V
V/V
V/V
mA
s
ns
ns
ns
符号
V
SAT
测试条件
I
SINK
= 4毫安,V + = 5V ,
+V
I
= 0V, -V
I
= 1V
I
SINK
= 4毫安,V + = 5V ,
+V
I
= 0V, -V
I
= 1V
I
SINK
= 4毫安,V + = 5V ,
+V
I
= 0V, -V
I
= 1V
输出漏电流
I
OL
V+ = 15V
V+ = 36V
V+ = 15V
V+ = 36V
共模输入
电压范围
V
ICR
V
O
= 1.4V, V+ = 5V
V
O
= 0V, V+ = +15V, V- = -15V
共模
抑制比
电源抑制
输出灌电流
响应时间上升
EDGE
响应时间下降
EDGE
大信号响应
时间
CMRR
V+ = +15V, V- = -15V
V+ = 5V
PSRR
V+ = +15V, V- = -15V
V
O
= 1.4V, V+ = 5V
t
r
t
f
R
L
=一个5.1kΩ ,V + = 15V
R
L
=一个5.1kΩ ,V + = 15V
R
L
=一个5.1kΩ ,V + = 15V
R
L
=一个5.1kΩ ,V + = 5V
测试电路和波形
C
C
=为2pF
+15V
+15V
1K
+
V
IN
至10倍
范围
探头
-
1K
-15V
用C
C
顶部曲线
4.5mV /格。 = V
IN
下部曲线= 10V /格。 = V
OUT
时间尺度= 5
秒/格。
无C
C
顶部曲线
4.5mV/Div.
下部曲线= 10V /格。
时间尺度= 5
秒/格。
图1寄生振荡测试电路和波形
3
CA3290 , CA3290A
测试电路和波形
输入
OVERDRIVE
+15V
GND
输入
OVERDRIVE
GND
1K
输入
1K
+
5.1K
-
产量
100mV
OVERDRIVE
20mV
OVERDRIVE
5mV
OVERDRIVE
5mV
OVERDRIVE
20mV
OVERDRIVE
100mV
OVERDRIVE
图2.非反相比较器响应时间测试电路和波形
GND
+15V
输入
OVERDRIVE
5.1K
+
产量
1K
5mV
OVERDRIVE
20mV
OVERDRIVE
100mV
OVERDRIVE
GND
输入
OVERDRIVE
1K
输入
-
100mV
OVERDRIVE
20mV
OVERDRIVE
5mV
OVERDRIVE
图3反相比较器响应时间测试电路和波形
电路描述
基本比较
图4示出的基本电路图两个中的一个
比较器的CA3290 。它是一般类似于
行业类型为“ 139 ”的比较,与PMOS晶体管
更换PNP晶体管作为输入级元素。晶体管
Q
1
通过Q
4
包括差分输入级,带Q
5
和Q
6
作为反射镜连接的有源负载和
差分至单端转换器。差分输入在
Q
1
和Q
4
被放大,以便切换Q
6
依据
该输入信号的极性。例如,如果+ V
IN
大于
-V
IN
, Q
1
, Q
2
和电流镜晶体管Q1
5
和Q
6
关掉;晶体管Q1
3
, Q
4
和Q
7
将导通,
造成Q
8
以将其关闭。的输出被拉到正
当一个负载电阻器被连接在输出与V +之间。
在本质上,Q
1
和Q
4
函数作为源极跟随器来驱动
Q
2
和Q
3
分别与齐纳流二极管D
1
到D
4
提供栅极氧化保护,防止输入电压
瞬变(例如,静电) 。目前溢流的Q
1
Q
4
被建立在大约50
一个由恒流
来源我
1
3
上。由于Q
1
和Q
4
用恒定电流负荷操作时,其栅 - 源
电压降将是有效的常数,只要输入
电压的共模电压范围内。
作为一个结果,输入偏移电压(V
GS(Q1)
+ V
BE(Q2)
-
V
BE(Q3)
- V
GS(Q4)
)将不被降解时的大
差分直流电压被施加到器件上进行延伸
的时间段在高温下。
额外电压增益以下的网络连接第一个阶段是通过提供
晶体管Q1
7
和Q
8
。 Q的集电极
8
是开放的,提供
用户各种各样的应用程序中的选项。一
额外的分立式晶体管可如果它变得添加
要提高输出灌电流能力。
一个比较器和详细的示意图
通用电流源偏置显示在首页上。
PMOS晶体管Q
9
通过Q
12
是电流源
在图4中确定的元素,因为我
1
通过I
4
上。
4
CA3290 , CA3290A
其栅极 - 源极电位( V
GS
)由一公共供给
从在右手部分中所示的偏压电路的总线
的示意图。由Q提供的电流
10
Q
12
两次都是那些由Q提供
9
和Q
11
。晶体管
几何形状被适当地缩放,以提供所需要的
电流与普通V
GS
适用于Q
9
通过Q
12
.
V+
I
1
50A
D
1
D
2
I
2
100A
I
3
50A
D
3
D
4
Q
8
Q
P4
Q
5
Q
6
V
I
-
Q
7
I
4
100A
V
O
最小化的输入和之间的杂散电容耦合
输出端子。寄生振荡表现出来
在输出电压过渡区间作为
比较器开关状态。对于高源阻抗,
杂散电容可诱导寄生振荡。该
的积极添加的少量( 1mV的至10mV的)
反馈(滞后),产生一个过渡越快,从而
降低寄生振荡的可能性。此外,
如果输入信号是一个脉冲波形,以较快的
上升和下降时间,寄生的倾向降低。
当双比较器,如CA3290 ,被包装在一个
8导线结构中,每个比较器的输出端子是
相邻的输入端。引线到引线电容是
大约为1pF ,这可足以引起
在某些应用中不希望的反馈效果。电路
因素,如阻抗水平,电源电压,开关
率等,可能会增加寄生振荡的可能性。
为了尽量减少这种潜在的振荡条件,这是
建议对源阻抗大于1kΩ的一
电容( ≥1pF - 为2pF )连接相应的
输入端和输出端。 (参见图1 )
如果任一比较是不使用的,它的输入端也应
绑无论是V +或V-电源轨。
V
I
+
Q
P1
Q
2
Q
3
V-
图4.基本电路图的两个一
比较
操作注意事项
输入电路
在CA3290的输入级使用MOS晶体管
串联电路向用户提供以下功能
用于比较的应用:
1.超高输入阻抗( 1.7TΩ ) ;
2.共模抑制输入信号的可用性
在低于负电源轨的电势;
3.保留的在输入和输出的相位关系
把信号低于负电源轨的输入信号。
虽然CA3290采用了坚固的双极性(齐纳)二极管
用于保护输入电路,所述输入端的电流
应不超过为1mA。适当的串联
限流电阻应在电路中更大的使用
当前佛罗里达州流入的可能存在,使信号的输入电压,以
大于电源电压,而不会损坏
电路。
典型应用
光控单次触发定时器
在图5中一个比较器(A
1
)的CA3290的用于
感测光电二极管电流的变化。另
比较器(A
2
)是CON连接gured作为单次触发定时器是
由A的输出触发
1
。该电路的输出将
切换到低状态后,大约60秒
光源到光电二极管已被中断。该
电路工作在正常室温的照明水平。该
该电路的灵敏度可以通过改变调节
的R值
1
和R
2
。 R的比率
1
与R
2
常以确保在不断的反向电压偏置
光电二极管。
R
1
1.5M
+15V
+15V
+15V
输出电路
的CA3290的输出是一个npn的集电极开路
晶体管,在广泛的范围内的一个特征,提供的灵活性
比较器的应用程序。输出或函数可以是
通过开放式集热器并联来实现。
的输出上拉电阻器可连接到电源
供应具有的额定范围内的电压范围
在使用特定的CA3290 ;这个电压的大小可
被设定在一个值,施加到它独立
V +的CA3290的终端。
15k
1M
15
k
3
2
C30809
+15V
8
+
A
1
CA3290
1
140k
+15V
6
4
0.01F
1N914
60M
5
1.0F
1N914
3.3k
R
2
2M
+
A
2
CA3290
7
-
-
10k
X 60秒时间
寄生振荡
理想的比较器具有除其他功能,超高
输入阻抗,高增益和宽的带宽。这些
期望的特性可能,但是,产生的寄生
振荡,除非采取某些预防措施是观察到
图5.光控单次触发定时器
5
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