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A32-1 / SMA32-1
级联放大器
100 2000兆赫
特点
低噪声系数:2.5分贝( TYP 。 )
高输出电平: 15.5 dBm的( TYP 。 )
介质三阶IP : 25.0 dBm的( TYP 。 )
砷化镓场效应管设计
修订版V3
产品图片
描述
该A32-1 RF放大器是一个离散的混合设计,它使用
为精确的性能的薄膜的制造工艺
和高可靠性。
这种单级的GaAs FET反馈放大器设计展示
通过宽带令人印象深刻的性能特点
频率范围。 RF扼流圈用于直流电源
脱钩。
既- 8和表面贴装封装的气密
密封的,和MIL -STD- 883环境筛选可
.
订购信息
产品型号
A32-1
SMA32-1
CA32-1 **
TO-8
表面贴装
SMA外接式
**该连接器连接的版本不符合RoHS标准。
电气规格位:Z
0
= 50, V
CC
= +5 V
DC
典型
参数
频率
小信号增益(分钟)
增益平坦度(最大)
反向隔离
噪声图(最大)
电源输出
@ 1分贝补偿。 (分钟)
IP3
IP2
二阶谐波IP
驻波比输入/输出(最大)
直流电流@ 5伏(最大)
mA
绝对最大额定值
参数
储存温度
外壳温度
直流电压
连续输入功率
短期输入功率
(最长1分钟)。
峰值功率( 3微秒最大)
“S”系列老化测试
温度(外壳)
保证
0°至50℃
0.1-2.0
9.0
±0.7
单位
25C
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
0.1-2.0
11.5
±0.3
20
2.5
15.5
+25
+30
+37
1.8:1 / 1.8:1
44
2.1:1 / 2.1:1
50
2.3:1 / 2.3:1
52
3.0
13.5
3.5
12.5
绝对
最大
-62C至+ 125C
+125C
+8 V
13 dBm的
50毫瓦
0.5 W
+125C
-54到+ 85C *
0.1-2.0
8.5
±1.0
热数据: V
CC
= +15 V
DC
参数
热阻
θ
jc
晶体管功耗P
d
结温升高
上面的案例牛逼
jc
等级
165C/W
0.111 W
+16.2C
*超过部件号CA32-1低温性能的限制,从0担保
o
C至+50
o
仅C 。
1
高级:
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话: 800.366.2266
欧洲
联系电话: +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格,仿真结果,
印度
联系电话: +91.80.4155721
中国
联系电话: +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
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解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品( S)或信息包含在此恕不另行通知。
A32-1 / SMA32-1
级联放大器
100 2000兆赫
典型性能曲线,在+ 25°C
收益
13
12
11
10
9
100
修订版V3
外形图: TO- 8
*
克中 - D B
+25°C
+85°C
-54°C
500
1000
1500
F REQ uency - M赫兹
2000
重量: 1克最大(0.04盎司)。
外形图:表面贴装
*
重量: 1克最大(0.04盎司)。
外形图: SMA外接式
*
重量: 19克最大(0.67盎司)。
2
尺寸为英寸(毫米) ± 0.015 ( 0.38 )除非另有规定。
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