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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1292页 > CA3160
CA3160 , CA3160A
数据表
1998年9月
文件编号976.3
为4MHz ,采用BiMOS运算放大器连接器与
MOSFET的输入/输出CMOS
该CA3160A和CA3160是集成电路运算
放大器ERS结合了CMOS两者的优势,
双极型晶体管的单片芯片上。在CA3160系列
流行的CA3130频率补偿的版本
系列。
栅极保护的P沟道MOSFET (PMOS)晶体管是
在输入电路中使用,以提供非常高的输入
阻抗,极低的输入电流和出色的速度
性能。在使用PMOS科幻场效电晶体
输入级产生的共模输入电压的能力
下降到负电源端电压低于0.5V ,一个
在单电源应用中的重要因素。
互补对称MOS ( CMOS )晶体管对,
能内的10mV的摆动输出电压的
任一电源电压端(在负载非常高的价值
阻抗) ,被用作输出电路。
在CA3160系列电路在电源电压下工作
从5V到16V ,或
±2.5V
to
±8V
采用分体式时
用品,并具有端子,用于调整偏移电压的
对于需要抵消空能力。终奌站
规定也提出以允许输出的选通
阶段。
该CA3160A提供了优异的输入特性
那些CA3160的。
特点
MOSFET输入级提供:
- 非常高Z
I
= 1.5TΩ (1.5× 10
12
)
(典型值)
- 非常低的我
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5PA (典型值) ,在15V工作
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2PA (典型值)的5V工作电压
共模输入电压范围包括
负供电轨;输入端子能够摆动
0.5V低于负电源轨
CMOS输出级使信号摆幅要么(或
两者)供电轨
应用
以地为基准的单电源放大器器
快速采样保持放大器器
长持续时间定时器/单稳态
高输入阻抗宽带放大器器
电压跟随器(例如,跟随单电源
D / A转换器)
文氏桥振荡器
压控振荡器
光电二极管传感器放大器器
引脚配置
CA3160
(金属罐)
顶视图
补充
赔偿金
OFFSET
INV 。
输入
2
1
TAB
8
7
V+
频闪
订购信息
产品型号
CA3160AE
CA3160E
CA3160T
温度。
RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
8 Ld的PDIP
8 Ld的PDIP
8引脚金属罐
PKG 。
E8.3
E8.3
T8.C
-
+
3
4
5
6
产量
NON- INV 。
输入
OFFSET
V-及案例
CA3160
( PDIP )
顶视图
NULL OFFSET
INV 。
输入
NON- INV 。
输入
V-
1
2
3
4
8
频闪
V+
产量
NULL OFFSET
-
+
7
6
5
注: CA3160系列器件具有片上频率
补偿网络。补充相位补偿或
频率特性滚降(如果需要的话)可以从外部之间进行连接
端子1和8 。
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司1999
CA3160 , CA3160A
绝对最大额定值
电源电压(在V +和V-端子) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 16V
差模输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .8V
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 (V + + 8V )至( V- -0.5V )
输入电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1毫安
输出短路持续时间(注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。不知疲倦无限
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
θ
JC
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
不适用
金属罐包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
170
85
最高结温(金属罐) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
2.短路可应用于地面,或任一电源。
电气连接特定的阳离子
参数
输入失调电压
输入失调电流
输入电流
大信号电压增益
T
A
= 25
o
C,V + = 15V ,V = 0V ,除非另有规定编
CA3160
符号
|V
IO
|
|I
IO
|
I
I
A
OL
测试条件
V
S
=
±7.5V
V
S
=
±7.5V
V
S
=
±7.5V
V
O
= 10V
P-P
, R
L
= 2k
-
-
-
50
94
典型值
6
0.5
5
320
110
90
-0.5到12
32
13.3
0.002
15
0
22
20
10
2
8
最大
15
30
50
-
-
-
10
320
-
0.01
-
0.01
45
45
15
3
-
-
-
-
50
94
80
0
-
12
-
14.99
-
12
12
-
-
-
CA3160A
典型值
2
0.5
5
320
110
95
-0.5到12
32
13.3
0.002
15
0
22
20
10
2
6
最大
5
20
30
-
-
-
10
150
-
0.01
-
0.01
45
45
15
3
-
单位
mV
pA
pA
千伏/ V
dB
dB
V
V/V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
V/
o
C
共模抑制比
共模输入电压范围
电源抑制比
最大输出电压
CMRR
V
LCR
PSRR
V
OM
+
V
OM
-
V
OM
+
V
OM
-
R
L
=
V
IO
/V
S
, V
S
=
±7.5V
R
L
= 2k
70
0
-
12
-
14.99
-
V
O
= 0V (源)
V
O
= 15V (汇)
V
O
= 7.5V ,R
L
=
V
O
= 0V ,R
L
=
12
12
-
-
-
最大输出电流
I
OM
+
I
OM
-
电源电流(注3 )
I+
输入失调电压温度漂移
V
IO
/T
电气连接特定的阳离子
参数
作为设计指导,V
供应
=
±7.5V,
T
A
= 25
o
C,除非另有规定编
CA3160
符号
测试条件
为10kΩ在端子4和5
端子4和1
R
I
C
I
e
N
F = 1MHz的
BW = 0.2MHz
R
S
= 1M
R
S
= 10M
典型值
±22
1.5
4.3
40
50
72
30
CA3160A
典型值
±22
1.5
4.3
40
50
72
30
单位
mV
T
pF
V
V
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
输入失调电压调整范围
输入阻抗
输入电容
等效输入噪声电压
等效输入噪声电压
e
N
R
S
= 100
1kHz
10kHz
2
CA3160 , CA3160A
电气连接特定的阳离子
参数
单位增益交叉频率
压摆率
瞬态响应
上升和下降时间
建立时间
作为设计指导,V
供应
=
±7.5V,
T
A
= 25
o
C,除非另有规定编
(续)
CA3160
符号
f
T
SR
t
r
OS
t
S
C
L
= 25PF ,R
L
= 2kΩ的, (电压跟随器)
到<0.1 % ,V
IN
= 4V
P-P
C
L
= 25PF ,R
L
= 2kΩ的, (电压跟随器)
测试条件
典型值
4
10
0.09
10
1.8
CA3160A
典型值
4
10
0.09
10
1.8
单位
兆赫
V / μs的
s
%
s
电气连接特定的阳离子
参数
输入失调电压
输入失调电流
输入电流
共模抑制比
大信号电压增益
作为设计指导,V + = + 5V , V- = 0V ,T
A
= 25
o
C,除非另有规定编
CA3160
符号
V
IO
I
IO
I
l
CMRR
A
OL
V
O
= 4V
P-P
, R
L
= 5k
测试条件
典型值
6
0.1
2
80
100
100
CA3160A
典型值
2
0.1
2
90
100
100
0至2.8
300
500
200
单位
mV
pA
pA
dB
千伏/ V
dB
V
A
A
V/V
共模输入电压范围
电源电流
V
LCR
I+
V
O
= 5V ,R
L
=
V
O
= 2.5V ,R
L
=
0至2.8
300
500
200
电源抑制比
注意:
PSRR
V
IO
/V+
3. I
CC
通常由1.5毫安/ MHz的运行过程中增加。
框图
7
200A
1.35mA
200A
8mA
(注4 )
0mA
(注5 )
V+
注意事项:
4.总电源电压(电压指示
收益) = 15V的输入端偏置,使
该终端6势为+ 7.5V以上
端子4 。
5.总电源电压(为指示电压
收益) = 15V与输出端驱动
任一电源轨。
BIAS CKT 。
+
3
输入
2
A
V
5X
A
V
6000X
A
V
30X
产量
6
-
4
C
C
5
1
赔偿金
(需要时)
8
频闪
V-
OFFSET
3
CA3160 , CA3160A
原理图
偏置电流
电流源
对于Q
6
和Q
7
“电流源
LOAD“对于q
11
Q
3
7
V+
Q
1
D
1
D
2
D
3
R
1
40k
R
2
5k
D
4
Q
2
Z
1
8.3V
Q
4
Q
5
输入级
D
5
NON- INV 。
输入
3
2
+
Q
6
D
6
D
7
第二
舞台
产量
舞台
Q
8
产量
6
Q
7
2k
R
4
1k
Q
10
30
pF
Q
11
Q
12
-
R
3
1k
Q
9
INV 。 INPUT
R
5
1k
R
6
1k
5
NULL OFFSET
1
补充
COMP如果需要
8
频闪
4
注:二极管D1
5
到D
7
为MOSFET输入级栅氧化层的保护。
应用信息
电路描述
请参阅CA3160系列CMOS的框图
运算放大器连接器。输入端可被操作
到0.5V的负电源电压以下,而输出
能够摆动非常接近在许多任一供电轨
应用程序。因此, CA3160串联电路是
非常适用于单电源工作。三大类放大器
阶段中,具有单个增益能力和电流
在框图如图消费总量为
增益CA3160的。一个偏置电路提供了两个潜力
在第一和第二阶段共同使用。码头8
和1可用于补充内相
补偿网络,如果额外的相位补偿或
高频滚降是需要的。端子8和4也可以是
用于选通输出级进入低静态电流
状态。当终端8连接到负电源轨
(终端4)通过机械或电装置,其输出
在终端6电位实质上上升到正供应─
钢轨电位的端子7.基本上为零这一条件
漏电流在输出级下的选通“关”
条件下才能实现当在欧姆负载
电阻呈现给放大器是非常高的(例如,当
放大器的输出被用于驱动MOS数字电路
比较器的应用程序) 。
输入级
- 在CA3160的电路示于
示意图。它由一个差分输入级的
用的PMOS场效应晶体管(Q
6
, Q
7
)工作成
镜面双极型晶体管对(Q
9
, Q
10
)功能的负载
电阻与电阻R
3
通过研究
6
。在镜面
对晶体管还用作差分至单端
转换器,以对所述第二级双极性提供基极驱动
晶体管(Q
11
) 。零偏移,当需要时,可以实现
通过在终端1连接100,000Ω电位器
和5与电位器滑动臂到终端4 。
级联连接的PMOS晶体管Q
2
, Q
4
,是
恒定电流源的输入级。的偏置电路
为恒流源随后进行说明。
小流二极管D
5
到D
7
提供栅极氧化物保护
针对高电压瞬变,包括静电
处理的过程中Q
6
和Q
7
.
第二阶段
- 大多数的电压增益在CA3160是
由第二放大级提供,由双极
4
CA3160 , CA3160A
晶体管Q
11
其级联连接的负载电阻
由PMOS晶体管Q1提供
3
和Q
5
。偏见的根源
电位为这些PMOS晶体管在后面叙述。磨坊主
效应的补偿(滚降)由的方式完成
30pF的电容器和2kΩ的电阻,连接的基极之间
及晶体管Q集电极
11
。这些内部组件
提供单位增益操作足够的补偿
大多数应用。然而,额外的补偿,如果
需要的话,可以端子1和8之间。
偏压电源电路
- 在总电源电压,有点
上述8.3V ,电阻R
2
和齐纳二极管Z11
1
有助于建立
横跨串联连接电路8.3V的电压,由
电阻器R的
1
,流二极管D
1
到D
4
和PMOS晶体管Q
1
.
上敲击一下电阻R的结
1
和二极管D
4
提供
约4.5V用于PMOS晶体管Q1的栅极偏置电位
4
Q
5
相对于终端7.约2.2V的电势为
跨越二极管接法PMOS晶体管Q开发
1
对于端子7 ,以提供用于PMOS晶体管的栅极偏压
Q
2
和Q
3
。但是应当注意的是, Q
1
是“镜连接”到
这两个Q
2
和Q
3
。由于晶体管Q1
1
, Q
2
, Q
3
被设计成
是相同的,在大约200μA的Q中的电流
1
而设置
Q中的类似电流
2
和Q
3
为恒流源
无论是网络第一个和第二个放大器呃阶段,分别为。
在总电源电压低于8.3V稍差,齐纳二极管
Z
1
变成不导通和电势,开发
整个系列连接的R
1
, D
1
- D
4
和Q
1
,直接变化
有变化的电源电压。因此,栅极偏置
对于Q
4
, Q
5
和Q
2
, Q
3
而变化,根据供应─
电压的变化。此变化导致的劣化
在总电源电压的电源抑制比( PSRR )
下面8.3V 。运行在低于总供给电压
4.5V的结果在严重退化的性能。
输出级
- 输出级由一对漏极 - 加载
使用在操作CMOS晶体管反相放大器
A类模式。当运行到非常高的电阻负载,
输出可以任一电源轨的毫伏范围内摆动。
因为输出级是漏极负载的放大器,其增益是
依赖于负载阻抗。转让
输出级的负载特性返回到
负供电线示于图17.典型的运算放大器
载荷由输出级容易地驱动。由于large-
信号偏移是非线性的,因此需要反馈为好
波形再现,短暂的延迟,可能会遇到。
作为电压跟随器,放大器可实现0.01 %的精度
水平,包括负供电线。
输入电流的变化以共模输入
电压
如图所示的电气规格,输入电流为
在CA3160系列运算放大器通常5PA在T
A
= 25
o
C
当接线端子2和3是在一个共模电位
+ 7.5V相对于负电源端。图23
包含的数据示出输入电流的变化作为
的在T的共模输入电压的函数
A
= 25
o
C.这些
数据表明,电路设计者可以有利利用
这些特点来设计电路通常需要
少于1pA的输入电流,所提供的共模
输入电压不超过2V 。如前面所指出的,
输入电流基本上与泄漏电流的结果
通过栅极保护二极管在输入电路和
因此,所施加的电压的函数。虽然有限
金属的玻璃终端至壳体绝缘体的电阻
也可以打包有助于泄漏电流的增量,
有有用的补偿因素。由于网关
保护网络的功能,如果它连接到4号航站楼
电位, CA3160的金属罐的情况下,也
内部连接到终端4 ,输入端子3基本上是
从虚假的泄漏电流“把守” 。
输入电流随温度的变化
的CA3160系列电路的输入电流典型的5Pa
在25
o
此输入电流的C的主要部分是由于
漏电流流过栅极保护二极管在输入
电路。正如任何半导体结器件,包括运算
安培用结型场效应晶体管的输入级,漏电流
大约增加一倍,每10
o
增加温度。
图24提供了关于输入偏压的典型的变化数据
电流作为温度在CA3160的功能。
在规定的最低实际输入电流的应用和
增量增加,因为“热身”效果的电流,
因此建议适当的散热片可以与所使用的
CA3160 。另外,当“下沉”或“源”显著
输出电流的芯片温度的升高,从而引起
增加输入电流。在这种情况下,散热能
也非常显着降低并稳定输入电流的变化。
输入失调电压(V
IO
)的变化与直流偏置
VS器件工作寿命
它公知的是一个MOSFET的器件的特性
可以稍微改变时的直流栅极 - 源极偏置电位是
施加到器件上需要较长时间段。大小
变化的增加在高温下。的用户
CA3160应警惕这种效果,如果可能的影响
该器件的应用包括在扩展操作
高温下具有显著差分直流偏压
跨接线端施加2和3所示。图25示出了典型的数据
相关于与CA3160遇到偏移电压漂移
在寿命试验中的金属罐封装的器件。在较低的
温度(金属罐和塑料),例如,在85
o
C,这
的电压变化是相当少的。在典型的线性
应用中的差分电压是小的和
对称的,这些增量变化是大致相同的
偏移归零
偏移电压归零通常是通过一
在端子1和100,000Ω电位器
5 ,并与电位器滑动臂连到
终端4.网络NE抵消空调整,通常可以
实现与滑动臂定位在所述中间点的
电位器的总范围。
5
CA3160
数据表
2004年6月
FN976.5
为4MHz ,采用BiMOS运算放大器连接器与
MOSFET的输入/输出CMOS
的CA3160是一运算放大器,它结合了
两者的CMOS的优点和上一个双极型晶体管
单芯片。在CA3160系列频率
补偿版本的流行的CA3130系列。
栅极保护的P沟道MOSFET (PMOS)晶体管是
在输入电路中使用,以提供非常高的输入
阻抗,极低的输入电流和出色的速度
性能。在使用PMOS科幻场效电晶体
输入级产生的共模输入电压的能力
下降到负电源端电压低于0.5V ,一个
在单电源应用中的重要因素。
互补对称MOS ( CMOS )晶体管对,
能内的10mV的摆动输出电压的
任一电源电压端(在负载非常高的价值
阻抗) ,被用作输出电路。
在CA3160系列电路在电源电压下工作
从5V到16V ,或
±2.5V
to
±8V
采用分体式时
用品,并具有端子,用于调整偏移电压的
对于需要抵消空能力。终奌站
规定也提出以允许输出的选通
阶段。
特点
MOSFET输入级提供:
- 非常高Z
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5TΩ (1.5× 10
12
)
(典型值)
- 非常低的我
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5PA (典型值) ,在15V工作
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2PA (典型值)的5V工作电压
共模输入电压范围包括
负供电轨;输入端子能够摆动0.5V
低于负电源轨
CMOS输出级使信号摆幅要么(或
两者)供电轨
应用
接地参考单电源放大器
快速采样保持放大器
长持续时间定时器/单稳态
高输入阻抗宽带放大器
电压跟随器(例如,跟随单电源
D / A转换器)
文氏桥振荡器
压控振荡器
光电二极管传感器放大器
订购信息
产品型号
CA3160E
温度。
RANGE (
o
C)
-55至125
8 Ld的PDIP
PKG 。
E8.3
引脚
CA3160 ( PDIP )
顶视图
NULL OFFSET
INV 。
输入
NON- INV 。
输入
V-
1
2
3
4
8
频闪
V+
产量
NULL OFFSET
-
+
7
6
5
注: CA3160系列器件具有片上频率
补偿网络。补充相位补偿或
频率特性滚降(如果需要的话)可以从外部之间进行连接
端子1和8 。
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil公司美洲的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002年, 2004年版权所有
CA3160
绝对最大额定值
电源电压(在V +和V-端子) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 16V
差模输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .8V
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 (V + + 8V )至( V- -0.5V )
输入电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1毫安
输出短路持续时间(注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。不知疲倦无限
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
θ
JC
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
不适用
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
2.短路可应用于地面,或任一电源。
电气规格
T
A
= 25
o
C,V + = 15V ,V = 0V ,除非另有规定编
CA3160
参数
输入失调电压
输入失调电流
输入电流
大信号电压增益
符号
|V
IO
|
|I
IO
|
I
I
A
OL
V
S
=
±7.5V
V
S
=
±7.5V
V
S
=
±7.5V
V
O
= 10V
P-P
, R
L
= 2k
测试条件
-
-
-
50
94
共模抑制比
共模输入电压范围
电源抑制比
最大输出电压
CMRR
V
LCR
PSRR
V
OM
+
V
OM
-
V
OM
+
V
OM
-
最大输出电流
I
OM
+
I
OM
-
电源电流(注3 )
I+
V
O
= 0V (源)
V
O
= 15V (汇)
V
O
= 7.5V ,R
L
=
V
O
= 0V ,R
L
=
输入失调电压温度漂移
V
IO
/T
R
L
=
V
IO
/V
S
, V
S
=
±7.5V
R
L
= 2k
70
0
-
12
-
14.99
-
12
12
-
-
-
典型值
6
0.5
5
320
110
90
-0.5到12
32
13.3
0.002
15
0
22
20
10
2
8
最大
15
30
50
-
-
-
10
320
-
0.01
-
0.01
45
45
15
3
-
单位
mV
pA
pA
千伏/ V
dB
dB
V
V/V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
V/
o
C
电气规格
参数
作为设计指导,V
供应
=
±7.5V,
T
A
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
测试条件
为10kΩ在端子4和5或端子4和1
R
I
C
I
e
N
F = 1MHz的
BW = 0.2MHz
R
S
= 1M
R
S
= 10M
典型值
±22
1.5
4.3
40
50
72
30
4
10
单位
mV
T
pF
V
V
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
兆赫
V / μs的
输入失调电压调整范围
输入阻抗
输入电容
等效输入噪声电压
等效输入噪声电压
e
N
R
S
= 100
1kHz
10kHz
单位增益交叉频率
压摆率
f
T
SR
2
CA3160
电气规格
参数
瞬态响应
上升和下降时间
建立时间
作为设计指导,V
供应
=
±7.5V,
T
A
= 25
o
C,除非另有规定编
(续)
符号
t
r
OS
t
S
C
L
= 25PF ,R
L
= 2kΩ的, (电压跟随器)为<0.1 % ,
V
IN
= 4V
P-P
测试条件
C
L
= 25PF ,R
L
= 2kΩ的, (电压跟随器)
典型值
0.09
10
1.8
单位
s
%
s
电气规格
参数
输入失调电压
输入失调电流
输入电流
共模抑制比
大信号电压增益
作为设计指导,V + = + 5V , V- = 0V ,T
A
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
V
IO
I
IO
I
l
CMRR
A
OL
V
O
= 4V
P-P
, R
L
= 5k
测试条件
典型值
6
0.1
2
80
100
100
单位
mV
pA
pA
dB
千伏/ V
dB
V
A
A
V/V
共模输入电压范围
电源电流
V
LCR
I+
V
O
= 5V ,R
L
=
V
O
= 2.5V ,R
L
=
0至2.8
300
500
200
电源抑制比
注意:
PSRR
V
IO
/V+
3. I
CC
通常由1.5毫安/ MHz的运行过程中增加。
框图
7
200A
1.35mA
200A
8mA
(注4 )
0mA
(注5 )
V+
注意事项:
4.总电源电压(电压指示
收益) = 15V的输入端偏置,使
该终端6势为+ 7.5V以上
端子4 。
5.总电源电压(为指示电压
收益) = 15V与输出端驱动
任一电源轨。
BIAS CKT 。
+
3
输入
2
A
V
5X
A
V
6000X
A
V
30X
产量
6
-
4
C
C
5
1
赔偿金
(需要时)
8
频闪
V-
OFFSET
3
CA3160
原理图
偏置电流
电流源
对于Q
6
和Q
7
“电流源
LOAD“对于q
11
Q
3
7
V+
Q
1
D
1
D
2
D
3
R
1
40k
R
2
5k
D
4
Q
2
Z
1
8.3V
Q
4
Q
5
输入级
D
5
NON- INV 。
输入
3
2
+
Q
6
D
6
D
7
第二
舞台
产量
舞台
Q
8
产量
6
Q
7
2k
R
4
1k
Q
10
30
pF
Q
11
Q
12
-
R
3
1k
Q
9
INV 。 INPUT
R
5
1k
R
6
1k
5
NULL OFFSET
1
补充
COMP如果需要
8
频闪
4
注:二极管D1
5
到D
7
为MOSFET输入级栅氧化层的保护。
应用信息
电路描述
请参阅CA3160系列CMOS的框图
运算放大器连接器。输入端可被操作
到0.5V的负电源电压以下,而输出
能够摆动非常接近在许多任一供电轨
应用程序。因此, CA3160串联电路是
非常适用于单电源工作。三大类放大器
阶段中,具有单个增益能力和电流
在框图如图消费总量为
增益CA3160的。一个偏置电路提供了两个潜力
在第一和第二阶段共同使用。码头8
和1可用于补充内相
补偿网络,如果额外的相位补偿或
高频滚降是需要的。端子8和4也可以是
用于选通输出级进入低静态电流
状态。当终端8连接到负电源轨
(终端4)通过机械或电装置,其输出
在终端6电位实质上上升到正供应─
钢轨电位的端子7.基本上为零这一条件
漏电流在输出级下的选通“关”
条件下才能实现当在欧姆负载
电阻呈现给放大器是非常高的(例如,当
放大器的输出被用于驱动MOS数字电路
比较器的应用程序) 。
输入级
- 在CA3160的电路示于
示意图。它由一个差分输入级的
用的PMOS场效应晶体管(Q
6
, Q
7
)工作成
镜面双极型晶体管对(Q
9
, Q
10
)功能的负载
电阻与电阻R
3
通过研究
6
。在镜面
对晶体管还用作差分至单端
转换器,以对所述第二级双极性提供基极驱动
晶体管(Q
11
) 。零偏移,当需要时,可以实现
通过在终端1连接100,000Ω电位器
和5与电位器滑动臂到终端4 。
级联连接的PMOS晶体管Q
2
, Q
4
,是
恒定电流源的输入级。的偏置电路
为恒流源随后进行说明。
小流二极管D
5
到D
7
提供栅极氧化物保护
针对高电压瞬变,包括静电
处理的过程中Q
6
和Q
7
.
第二阶段
- 大多数的电压增益在CA3160是
由第二放大级提供,由双极
4
CA3160
晶体管Q
11
其级联连接的负载电阻
由PMOS晶体管Q1提供
3
和Q
5
。偏见的根源
电位为这些PMOS晶体管在后面叙述。磨坊主
效应的补偿(滚降)由的方式完成
30pF的电容器和2kΩ的电阻,连接的基极之间
及晶体管Q集电极
11
。这些内部组件
提供单位增益操作足够的补偿
大多数应用。然而,额外的补偿,如果
需要的话,可以端子1和8之间。
偏压电源电路
- 在总电源电压,有点
上述8.3V ,电阻R
2
和齐纳二极管Z11
1
有助于建立
横跨串联连接电路8.3V的电压,由
电阻器R的
1
,流二极管D
1
到D
4
和PMOS晶体管Q
1
.
上敲击一下电阻R的结
1
和二极管D
4
提供
约4.5V用于PMOS晶体管Q1的栅极偏置电位
4
Q
5
相对于终端7.约2.2V的电势为
跨越二极管接法PMOS晶体管Q开发
1
对于端子7 ,以提供用于PMOS晶体管的栅极偏压
Q
2
和Q
3
。但是应当注意的是, Q
1
是“镜连接”到
这两个Q
2
和Q
3
。由于晶体管Q1
1
, Q
2
, Q
3
被设计成
是相同的,在大约200μA的Q中的电流
1
而设置
Q中的类似电流
2
和Q
3
为恒流源
无论是网络第一个和第二个放大器呃阶段,分别为。
在总电源电压低于8.3V稍差,齐纳二极管
Z
1
变成不导通和电势,开发
整个系列连接的R
1
, D
1
- D
4
和Q
1
,直接变化
有变化的电源电压。因此,栅极偏置
对于Q
4
, Q
5
和Q
2
, Q
3
而变化,根据供应─
电压的变化。此变化导致的劣化
在总电源电压的电源抑制比( PSRR )
下面8.3V 。运行在低于总供给电压
4.5V的结果在严重退化的性能。
输出级
- 输出级由一对漏极 - 加载
使用在操作CMOS晶体管反相放大器
A类模式。当运行到非常高的电阻负载,
输出可以任一电源轨的毫伏范围内摆动。
因为输出级是漏极负载的放大器,其增益是
依赖于负载阻抗。转让
输出级的负载特性返回到
负供电线示于图17.典型的运算放大器
载荷由输出级容易地驱动。由于large-
信号偏移是非线性的,因此需要反馈为好
波形再现,短暂的延迟,可能会遇到。
作为电压跟随器,放大器可实现0.01 %的精度
水平,包括负供电线。
输入电流的变化以共模输入
电压
如图所示的电气规格,输入电流为
在CA3160系列运算放大器通常5PA在T
A
= 25
o
C
当接线端子2和3是在一个共模电位
+ 7.5V相对于负电源端。图23
包含的数据示出输入电流的变化作为
的在T的共模输入电压的函数
A
= 25
o
C.这些
数据表明,电路设计者可以有利利用
这些特点来设计电路通常需要
少于1pA的输入电流,所提供的共模
输入电压不超过2V 。如前面所指出的,
输入电流基本上与泄漏电流的结果
通过栅极保护二极管在输入电路和
因此,所施加的电压的函数。虽然有限
金属的玻璃终端至壳体绝缘体的电阻
也可以打包有助于泄漏电流的增量,
有有用的补偿因素。由于网关
保护网络的功能,如果它连接到4号航站楼
电位, CA3160的金属罐的情况下,也
内部连接到终端4 ,输入端子3基本上是
从虚假的泄漏电流“把守” 。
输入电流随温度的变化
的CA3160系列电路的输入电流典型的5Pa
在25
o
此输入电流的C的主要部分是由于
漏电流流过栅极保护二极管在输入
电路。正如任何半导体结器件,包括运算
安培用结型场效应晶体管的输入级,漏电流
大约增加一倍,每10
o
增加温度。
图24提供了关于输入偏压的典型的变化数据
电流作为温度在CA3160的功能。
在规定的最低实际输入电流的应用和
增量增加,因为“热身”效果的电流,
因此建议适当的散热片可以与所使用的
CA3160 。另外,当“下沉”或“源”显著
输出电流的芯片温度的升高,从而引起
增加输入电流。在这种情况下,散热能
也非常显着降低并稳定输入电流的变化。
输入失调电压(V
IO
)的变化与直流偏置
VS器件工作寿命
它公知的是一个MOSFET的器件的特性
可以稍微改变时的直流栅极 - 源极偏置电位是
施加到器件上需要较长时间段。大小
变化的增加在高温下。的用户
CA3160应警惕这种效果,如果可能的影响
该器件的应用包括在扩展操作
高温下具有显著差分直流偏压
跨接线端施加2和3所示。图25示出了典型的数据
相关于与CA3160遇到偏移电压漂移
在寿命试验中的金属罐封装的器件。在较低的
温度(金属罐和塑料),例如,在85
o
C,这
的电压变化是相当少的。在典型的线性
应用中的差分电压是小的和
对称的,这些增量变化是大致相同的
偏移归零
偏移电压归零通常是通过一
在端子1和100,000Ω电位器
5 ,并与电位器滑动臂连到
终端4.网络NE抵消空调整,通常可以
实现与滑动臂定位在所述中间点的
电位器的总范围。
5
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