CA3130 ， CA3130A
数据表
1998年9月
文件编号817.4
15MHz的，采用BiMOS运算放大器连接器与
MOSFET的输入/输出CMOS
CA3130A和CA3130是运算放大器相结合的
利用CMOS和双极型晶体管。
栅极保护的p沟道MOSFET （PMOS）晶体管是
在输入电路中使用，以提供非常高的输入
阻抗，极低的输入电流和出色的速度
性能。在输入级中使用的PMOS晶体管
结果中的共模输入电压的能力下降到
0.5V的负电源端的下方，一个重要的
属性中的单电源应用。
CMOS晶体管对，能够摆动的输出
电压施加到在任一电源电压端的为10mV （在
负载阻抗的非常高的值） ，被用作
输出电路。
在CA3130系列电路在电源电压下工作
从5V至16V （ ± 2.5V至
±8V).
它们可以是相
用一个外部电容器补偿，而有
用于调整偏移电压的应用终端
需要抵消空能力。终端规定也
制成，以允许在输出级的选通。
该CA3130A提供了优异的输入特性
那些CA3130的。
特点
MOSFET输入级提供：
- 非常高Z
I
= 1.5 TΩ （1.5× 10
12
)
（典型值）
- 非常低的我
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5PA （典型值） ，在15V工作
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 = 2PA （典型值）的5V工作电压
适用于单电源应用
共模输入电压范围包括
负供电轨;输入端子能够摆动0.5V
低于负电源轨
CMOS输出级使信号摆幅要么（或
两者）供电轨
应用
地为参考的单电源放大器器
快速采样保持放大器器
长时间定时器/单稳态
高输入阻抗比较
（理想的接口与数字CMOS ）
高输入阻抗宽带放大器器
电压跟随器（如：随动单电源D / A
转换器）
稳压器（允许输出电压的控制
降至0V ）
峰值检测器
单电源全波整流精密连接器
光电二极管传感器放大器器
引脚配置
CA3130 ， CA3130A
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OFFSET
零
INV 。
输入
NON- INV 。
输入
V-
1
2
3
4
8
频闪
V+
产量
OFFSET
零
订购信息
产品型号
（品牌）
CA3130AE
CA3130AM
-
+
7
6
5
温度。
范围
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
8 Ld的PDIP
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
磁带和卷轴
8引脚金属罐
8 Ld的PDIP
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
磁带和卷轴
8引脚金属罐
PKG 。
号
E8.3
M8.15
M8.15
T8.C
E8.3
M8.15
M8.15
T8.C
CA3130 ， CA3130A
（金属罐）
顶视图
相
补偿TAB
8
OFFSET
零
INV 。
输入
2
1
7
V
+
频闪
(3130A)
CA3130AM96
(3130A)
CA3130AT
CA3130E
CA3130M
-
+
3
4
5
(3130)
6输出
CA3130M96
(3130)
OFFSET
零
NON- INV 。
输入
CA3130T
V-及案例
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司1999
CA3130 ， CA3130A
绝对最大额定值
直流电源电压（在V +和V-端子） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .16V
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .8V
直流输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （V + + 8V ）至（ V- -0.5V ）
输入端电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1毫安
输出短路持续时间（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。不知疲倦无限
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
不适用
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
160
不适用
金属罐包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
170
85
最高结温（金属罐包装） 。 。 。 。 。 。 0.175
o
C
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50
o
C至125
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.短路可应用于地面，或任一电源。
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
参数
输入失调电压
输入失调电压
温度漂移
输入失调电流
输入电流
大信号电压增益
T
A
= 25
o
C，V + = 15V ，V = 0V ，除非另有规定编
TEST
条件
V
S
=
±7.5V
CA3130
民
-
-
V
S
=
±7.5V
V
S
=
±7.5V
V
O
= 10V
P-P
R
L
= 2k
-
-
50
94
70
0
V
S
=
±7.5V
R
L
= 2k
R
L
= 2k
R
L
=
∞
R
L
=
∞
-
12
-
14.99
-
12
12
-
-
典型值
8
10
0.5
5
320
110
90
-0.5到12
32
13.3
0.002
15
0
22
20
10
2
最大
15
-
30
50
-
-
-
10
320
-
0.01
-
0.01
45
45
15
3
民
-
-
-
-
50
94
80
0
-
12
-
14.99
-
12
12
-
-
CA3130A
典型值
2
10
0.5
5
320
110
90
-0.5到12
32
13.3
0.002
15
0
22
20
10
2
最大
5
-
20
30
-
-
-
10
150
-
0.01
-
0.01
45
45
15
3
单位
mV
V/
o
C
pA
pA
千伏/ V
dB
dB
V
V/V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
符号
|V
IO
|
V
IO
/T
|I
IO
|
I
I
A
OL
共模
抑制比
共模输入
电压范围
电源
抑制比
最大输出电压
CMRR
V
ICR
V
IO
/V
S
V
OM
+
V
OM
-
V
OM
+
V
OM
-
最大输出电流
I
OM
+ （来源）在V
O
= 0V
I
OM
- （汇）在V
O
= 15V
电源电流
I+
I+
V
O
= 7.5V,
R
L
=
∞
V
O
= 0V,
R
L
=
∞
2
CA3130 ， CA3130A
电气连接特定的阳离子
仅用于设计指导，V典型值
供应
=
±
7.5V ，T
A
= 25
o
C
除非另有规定编
符号
测试条件
为10kΩ在端子4和5
4和1个
R
I
C
I
e
N
F = 1MHz的
BW = 0.2MHz ，R
S
= 1M
（注3）
C
C
= 0
C
C
= 47pF的
CA3130,
CA3130A
±22
1.5
4.3
23
15
4
单位
mV
T
pF
V
兆赫
兆赫
参数
输入失调电压调整范围
输入阻抗
输入电容
等效输入噪声电压
开环单位增益分频点
（单位增益稳定
≥47pF
必需的。 ）
压摆率：
开环
闭环
瞬态响应：
上升时间
冲
稳定时间（要<0.1 ％ ，V
IN
= 4V
P-P
)
注意：
f
T
SR
C
C
= 0
C
C
= 56pF
C
C
= 56pF ，
C
L
= 25PF ，
R
L
= 2k
（电压跟随器）
30
10
V / μs的
V / μs的
t
r
OS
t
S
0.09
10
1.2
s
%
s
3.虽然一个1MΩ源被用于该试验中，等效输入噪声保持不变的R的值
S
高达10MΩ 。
电气连接特定的阳离子
参数
输入失调电压
输入失调电流
输入电流
共模抑制比
大信号电压增益
仅用于设计指导，V + = 5V ， V- = 0V ，T典型值
A
= 25
o
C
除非另有规定ED（注4 ）
符号
V
IO
I
IO
I
I
CMRR
A
OL
V
O
= 4V
P-P
, R
L
= 5k
测试条件
CA3130
8
0.1
2
80
100
100
CA3130A
2
0.1
2
90
100
100
0至2.8
300
500
200
单位
mV
pA
pA
dB
千伏/ V
dB
V
A
A
V/V
共模输入电压范围
电源电流
V
ICR
I+
V
O
= 5V ，R
L
=
∞
V
O
= 2.5V ，R
L
=
∞
0至2.8
300
500
200
电源抑制比
注意：
V
IO
/V+
不建议4.操作在5.0V温度低于25
o
C.
3
CA3130 ， CA3130A
到D
8
提供栅氧化层保护，防止高电压
瞬变，包括静电处理为Q时
6
和Q
7
.
CA3130
200A
1.35mA
200A
8mA
（注5 ）
0mA
（注7 ）
V+
7
BIAS CKT 。
+
3
输入
2
A
V
≈
5X
A
V
≈
6000X
A
V
≈
30X
产量
6
V-
4
5
1
C
C
赔偿金
（需要时）
8
频闪
在总电源电压低于8.3V稍差，齐纳
二极管Z11
1
变成不导通和电势，
整个系列连接的R开发
1
, D
1
-D
4
和Q
1
,
直接随变化的电源电压。
因此，针对Q的栅极偏置
4
, Q
5
和Q
2
, Q
3
在变化
根据电源电压的变化。这种变化
结果，在电源抑制比的劣化
（ PSRR）低于8.3V的总电源电压。在操作
低于4.5V的结果认真总电源电压
性能下降。
输出级
输出级包括一个漏极负载翻转
用在A类操作CMOS晶体管放大器器
模式。当运行到非常高的电阻负载时，
输出可在任一电源轨的毫伏范围内摆动。
因为输出级是漏极加载扩增fi er ，其增益
是依赖于负载阻抗。转让
输出级的负载特性返回到
负供电线示于图2.典型的运算放大器
载荷由输出级容易地驱动。由于large-
信号偏移是非线性的，因此需要反馈为好
波形再现，短暂延迟可能
遇到。作为电压跟随器，该放大器器可以实现
0.01 ％的准确度的水平，包括负供电线。
注意：
8.关于CMOS晶体管的特性一般信息
器，对线性电路的应用，请参阅文件号码619 ，数据
纸张上CA3600E “ CMOS晶体管阵列” 。
输出电压（端子4和8） （V）的
17.5
15
12.5
1k
10
7.5
5
2.5
0
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
17.5
20
22.5
栅极电压（端子4和8 ） （V ）
500
电源电压： V + = 15 ，V = 0V
T
A
= 25
o
C
负载电阻= 5kΩ的
2k
-
OFFSET
零
注意事项：
6.总电源电压（对于指定的电压增益） = 15V的输入
端子偏压，使得端子6电势为+上述三 - 7.5V
minal 4 。
7.总电源电压（对于指定的电压增益） =用15V输出
把终端驱动任一电源轨。
的CA3130系列图1.框图
第二阶段
大部分的电压增益在CA3130由提供
第二扩增fi er阶段，包括双极型晶体管Q
11
并且通过提供其级联连接的负载电阻
PMOS晶体管Q
3
和Q
5
。偏置电位源
这些PMOS晶体管随后进行说明。磨坊主
补偿效果（滚降） ，通过简单地完成
连接端子1和8之间的一个小电容
47pF的电容为稳定苏夫网络cient补偿
在大多数应用单位增益操作。
偏压电源电路
在总电源电压略高于8.3V ，电阻R
2
和齐纳二极管Z11
1
有助于建立8.3V的电压跨越
串联连接的电路中，由电阻器R的
1
，二极管
D
1
到D
4
和PMOS晶体管Q
1
。抽头的交界处
电阻器R的
1
和二极管D
4
提供的栅极偏置电位
约4.5V的PMOS晶体管Q
4
和Q
5
关于
7.终端约2.2V的电位跨越发展
二极管连接的PMOS晶体管Q
1
相对于终端
7 ，以提供用于PMOS晶体管Q1的栅极偏置
2
和Q
3
。它
应当指出， Q
1
在“镜连接（见注8 ） ”来
这两个Q
2
和Q
3
。由于晶体管Q1
1
, Q
2
, Q
3
被设计成
是相同的，在大约200μA的Q中的电流
1
建立在Q的类似电流
2
和Q
3
作为恒定电流
源的第一和第二放大器级，
分别。
图2.电压传输特性
CMOS输出级
输入电流的变化以共模输入
电压
如图所示电气规格的表中，将输入
当前为CA3130系列运算放大器通常5PA在
T
A
= 25
o
C下端子2和图3是在一个共模
为+ 7.5V相对于负电源端子4的潜力。
图3中包含的数据表示的输入电流的变化
为共模输入电压在T的函数
A
= 25
o
C.
5
CA3130 ， CA3130A
数据表
2005年8月1日
FN817.6
15MHz的，采用BiMOS运算放大器连接器与
MOSFET的输入/输出CMOS
CA3130A和CA3130是运算放大器相结合的
利用CMOS和双极型晶体管。
栅极保护的p沟道MOSFET （PMOS）晶体管是
在输入电路中使用，以提供非常高的输入
阻抗，极低的输入电流和出色的速度
性能。在输入级中使用的PMOS晶体管
结果中的共模输入电压的能力下降到
0.5V的负电源端的下方，一个重要的
属性中的单电源应用。
CMOS晶体管对，能够摆动的输出
电压施加到在任一电源电压端的为10mV （在
负载阻抗的非常高的值） ，被用作
输出电路。
在CA3130系列电路在电源电压下工作
从5V至16V （ ± 2.5V至
±8V).
它们可以是相
用一个外部电容器补偿，而有
用于调整偏移电压的应用终端
需要抵消空能力。终端规定也
制成，以允许在输出级的选通。
该CA3130A提供了优异的输入特性
那些CA3130的。
特点
MOSFET输入级提供：
- 非常高Z
I
= 1.5 TΩ （1.5× 10
12
)
（典型值）
- 非常低的我
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5PA （典型值） ，在15V工作
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 = 2PA （典型值）的5V工作电压
适用于单电源应用
共模输入电压范围包括
负供电轨;输入端子能够摆动0.5V
低于负电源轨
CMOS输出级使信号摆幅要么（或
两者）供电轨
无铅加退火用（符合RoHS）
应用
接地参考单电源放大器
快速采样保持放大器
长时间定时器/单稳态
高输入阻抗比较
（理想的接口与数字CMOS ）
高输入阻抗宽带放大器
电压跟随器（如：随动单电源D / A
转换器）
稳压器（允许输出电压的控制
降至0V ）
峰值检测器
单电源全波整流精度
光电二极管传感器放大器
订购信息
产品型号
（品牌）
CA3130AE
CA3130AM
温度。
RANGE （
o
C)
包
-55 125 8 Ld的PDIP
-55 125 8 Ld的SOIC
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
8 Ld的SOIC
磁带和卷轴
8 Ld的SOIC
（无铅）
8 Ld的SOIC
磁带和卷轴（无铅）
8 Ld的PDIP
8 Ld的PDIP *
（无铅）
8 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 ＃
E8.3
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
E8.3
E8.3
M8.15
(3130A)
CA3130AM96
(3130A)
CA3130AMZ
引脚
CA3130 ， CA3130A
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
（ 3130AZ ） （注）
CA3130AMZ96
（ 3130AZ ） （注）
CA3130E
CA3130EZ
（注）
CA3130M
(3130)
CA3130M96
(3130)
CA3130MZ
（ 3130MZ ） （注）
CA3130MZ96
(3130MZ)
8 Ld的SOIC
M8.15
磁带和卷轴
8 Ld的SOIC
M8.15
（无铅）
8 Ld的SOIC
M8.15
磁带和卷轴（无铅）
OFFSET
零
INV 。
输入
NON- INV 。
输入
V-
1
2
3
4
8
频闪
V+
产量
OFFSET
零
-
+
7
6
5
*无铅PDIPs可用于仅通孔波峰焊处理。它们不是
拟在回流焊接工艺应用。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成，
模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板终止完成，
这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接兼容
操作。 Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
温度达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2002年， 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
CA3130 ， CA3130A
绝对最大额定值
直流电源电压（在V +和V-端子） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .16V
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .8V
直流输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （V + + 8V ）至（ V- -0.5V ）
输入端电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1毫安
输出短路持续时间（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。不知疲倦无限
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50
o
C至125
o
C
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
PDIP封装* 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
不适用
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
160
不适用
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
*无铅PDIPs可用于通孔波峰焊流程 -
只有荷兰国际集团。他们不打算在回流焊接加工利用
应用程序。
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.短路可应用于地面，或任一电源。
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
参数
输入失调电压
输入失调电压
温度漂移
输入失调电流
输入电流
大信号电压增益
T
A
= 25
o
C，V + = 15V ，V = 0V ，除非另有规定编
TEST
条件
V
S
=
±7.5V
CA3130
民
-
-
V
S
=
±7.5V
V
S
=
±7.5V
V
O
= 10V
P-P
R
L
= 2k
-
-
50
94
70
0
V
S
=
±7.5V
R
L
= 2k
R
L
= 2k
R
L
=
∞
R
L
=
∞
-
12
-
14.99
-
12
12
-
-
典型值
8
10
0.5
5
320
110
90
-0.5到12
32
13.3
0.002
15
0
22
20
10
2
最大
15
-
30
50
-
-
-
10
320
-
0.01
-
0.01
45
45
15
3
民
-
-
-
-
50
94
80
0
-
12
-
14.99
-
12
12
-
-
CA3130A
典型值
2
10
0.5
5
320
110
90
-0.5到12
32
13.3
0.002
15
0
22
20
10
2
最大
5
-
20
30
-
-
-
10
150
-
0.01
-
0.01
45
45
15
3
单位
mV
V/
o
C
pA
pA
千伏/ V
dB
dB
V
V/V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
符号
|V
IO
|
V
IO
/T
|I
IO
|
I
I
A
OL
共模
抑制比
共模输入
电压范围
电源
抑制比
最大输出电压
CMRR
V
ICR
V
IO
/V
S
V
OM
+
V
OM
-
V
OM
+
V
OM
-
最大输出电流
I
OM
+ （来源）在V
O
= 0V
I
OM
- （汇）在V
O
= 15V
电源电流
I+
I+
V
O
= 7.5V,
R
L
=
∞
V
O
= 0V,
R
L
=
∞
2
CA3130 ， CA3130A
电气规格
仅用于设计指导，V典型值
供应
= ± 7.5V ，T
A
= 25
o
C
除非另有说明
符号
测试条件
为10kΩ在端子4和5
4和1个
R
I
C
I
e
N
F = 1MHz的
BW = 0.2MHz ，R
S
= 1M
（注3）
C
C
= 0
C
C
= 47pF的
CA3130,
CA3130A
±22
1.5
4.3
23
15
4
单位
mV
T
pF
V
兆赫
兆赫
参数
输入失调电压调整范围
输入阻抗
输入电容
等效输入噪声电压
开环单位增益分频点
（单位增益稳定
≥47pF
必需的。 ）
压摆率：
开环
闭环
瞬态响应：
上升时间
冲
稳定时间（要<0.1 ％ ，V
IN
= 4V
P-P
)
注意：
f
T
SR
C
C
= 0
C
C
= 56pF
C
C
= 56pF ，
C
L
= 25PF ，
R
L
= 2k
（电压跟随器）
30
10
V / μs的
V / μs的
t
r
OS
t
S
0.09
10
1.2
s
%
s
3.虽然一个1MΩ源被用于该试验中，等效输入噪声保持不变的R的值
S
高达10MΩ 。
电气规格
参数
输入失调电压
输入失调电流
输入电流
共模抑制比
大信号电压增益
仅用于设计指导，V + = 5V ， V- = 0V ，T典型值
A
= 25
o
C
除非另有说明（注4 ）
符号
V
IO
I
IO
I
I
CMRR
A
OL
V
O
= 4V
P-P
, R
L
= 5k
测试条件
CA3130
8
0.1
2
80
100
100
CA3130A
2
0.1
2
90
100
100
0至2.8
300
500
200
单位
mV
pA
pA
dB
千伏/ V
dB
V
A
A
V/V
共模输入电压范围
电源电流
V
ICR
I+
V
O
= 5V ，R
L
=
∞
V
O
= 2.5V ，R
L
=
∞
0至2.8
300
500
200
电源抑制比
注意：
V
IO
/V+
不建议4.操作在5.0V温度低于25
o
C.
3
CA3130 ， CA3130A
CA3130
200A
1.35mA
200A
8mA
（注5 ）
0mA
（注7 ）
V+
7
BIAS CKT 。
源的第一和第二放大器级，
分别。
在总电源电压低于8.3V稍差，齐纳
二极管Z11
1
变成不导通和电势，
整个系列连接的R开发
1
, D
1
-D
4
和Q
1
,
直接随变化的电源电压。
因此，针对Q的栅极偏置
4
, Q
5
和Q
2
, Q
3
在变化
根据电源电压的变化。这种变化
结果，在电源抑制比的劣化
（ PSRR）低于8.3V的总电源电压。在操作
低于4.5V的结果认真总电源电压
性能下降。
+
3
输入
2
A
V
≈
5X
A
V
≈
6000X
A
V
≈
30X
产量
6
V-
4
5
1
C
C
赔偿金
（需要时）
8
频闪
-
输出级
输出级包括一个漏极负载翻转
用在A类操作CMOS晶体管放大器器
模式。当运行到非常高的电阻负载时，
输出可在任一电源轨的毫伏范围内摆动。
因为输出级是漏极加载扩增fi er ，其增益
是依赖于负载阻抗。转让
输出级的负载特性返回到
负供电线示于图2.典型的运算放大器
载荷由输出级容易地驱动。由于large-
信号偏移是非线性的，因此需要反馈为好
波形再现，短暂延迟可能
遇到。作为电压跟随器，该放大器器可以实现
0.01 ％的准确度的水平，包括负供电线。
注意：
8.关于CMOS的特点一般信息
晶体管对线性电路的应用，请参阅文件号码
619 ，在CA3600E “ CMOS晶体管阵列”数据表。
输出电压（端子4和8） （V）的
17.5
15
12.5
1k
10
7.5
5
2.5
0
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
17.5
20
22.5
栅极电压（端子4和8 ） （V ）
500
电源电压： V + = 15 ，V = 0V
T
A
= 25
o
C
负载电阻= 5kΩ的
2k
OFFSET
零
注意事项：
6.总电源电压（对于指定的电压增益） = 15V的输入
端子偏压，使得端子6电势为+ 7.5V以上
端子4 。
7.总电源电压（对于指定的电压增益） = 15V带
输出端驱动任一电源轨。
的CA3130系列图1.框图
级联PMOS晶体管Q2 ， Q4是
恒定电流源的输入级。的偏置电路
为恒流源随后进行说明。
小流二极管D
5
到D
8
提供栅极氧化物保护
针对高电压瞬变，包括静电
处理的过程中Q
6
和Q
7
.
第二阶段
大部分的电压增益在CA3130由提供
第二扩增fi er阶段，包括双极型晶体管Q
11
并且通过提供其级联连接的负载电阻
PMOS晶体管Q
3
和Q
5
。偏置电位源
这些PMOS晶体管随后进行说明。磨坊主
补偿效果（滚降） ，通过简单地完成
连接端子1和8之间的一个小电容
47pF的电容为稳定足够的补偿
在大多数应用单位增益操作。
偏压电源电路
在总电源电压略高于8.3V ，电阻R
2
和齐纳二极管Z11
1
有助于建立8.3V的电压跨越
串联连接的电路中，由电阻器R的
1
，二极管
D
1
到D
4
和PMOS晶体管Q
1
。抽头的交界处
电阻器R的
1
和二极管D
4
提供的栅极偏置电位
约4.5V的PMOS晶体管Q
4
和Q
5
关于
7.终端约2.2V的电位跨越发展
二极管连接的PMOS晶体管Q
1
相对于终端
7 ，以提供用于PMOS晶体管Q1的栅极偏置
2
和Q
3
。它
应当指出， Q
1
在“镜连接（见注8 ） ”来
这两个Q
2
和Q
3
。由于晶体管Q1
1
, Q
2
, Q
3
被设计成
是相同的，在大约200μA的Q中的电流
1
建立在Q的类似电流
2
和Q
3
作为恒定电流
图2.电压传输特性
CMOS输出级
5
QQ：2881677436 复制
