CA3127
1996年8月
高频NPN晶体管阵列
描述
在CA3127由网络连接已经通用硅NPN
晶体管在一个共同的整体式载体上。每个
完全隔离的晶体管显示出低1 / f噪声和
的F值
T
在超过1GHz ，使得CA3127有用
从DC至500MHz 。访问被提供给每个termi-的
的NAL为单个晶体管和一个单独的基片
已经提供了最大应用佛罗里达州exi-连接
相容性。的CA3127的叠层结构提供了
在网络连接紧密的电气和热匹配已经晶体管。
特点
增益带宽积（F
T
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >1GHz
功率增益。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30分贝（典型值），在100MHz
噪声系数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.5分贝（典型值），在100MHz
在公共衬底上五名独立晶体管
应用
甚高频放大器器
多功能组合 - 射频/混频器/振荡器
检测放大器器
同步检波器
VHF混频器
订购信息
部分
数
（品牌）
CA3127E
温度。
RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
PKG 。
号
E16.3
M16.15
包
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
IF转换器
IF放大器器
合成
级联放大器器
CA3127M
(3127)
CA3127M96
(3127)
-55至125
16 Ld的SOIC卷带式M16.15
引脚
CA3127
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
1
2
Q
2
3
4
Q
1
16
15
14
13
Q
5
12
11
基板
5
6
Q
3
7
8
Q
4
10
9
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
662.3
5-1
CA3127
绝对最大额定值
下面评级适用于设备中的每个晶体管
集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V
集电极 - 基极电压，V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
集电极 - 衬底电压，V
CIO
（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20V
集电极电流，I
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
175
最大功耗，P
D
（任何一个晶体管） 。 。 。 。 。 。为85mW
最高结温（死亡）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意事项：
1. CA3127的每个晶体管的集电极与基片由一体二极管隔离。该基板（端子5）必须CON组
，连接到该最负点在外部电路中，以保持晶体管之间的隔离，并为正常的晶体管动作。
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
参数
T
A
= 25
o
C
测试条件
民
典型值
最大
单位
DC特性
（对于每个晶体管）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基片的击穿电压
发射极 - 基极击穿电压（注3 ）
集电极截止电流
集电极截止电流
直流正向电流传输比
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
C1
= 10μA ，我
B
= 0, I
E
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 10V我
B
= 0
V
CB
= 10V ，我
E
= 0
V
CE
= 6V
I
C
= 5毫安
I
C
= 1毫安
I
C
= 0.1毫安
基极 - 发射极电压
V
CE
= 6V
I
C
= 5毫安
I
C
= 1毫安
I
C
= 0.1毫安
集电极 - 发射极饱和电压
差异的V级
BE
差异的幅度我
B
动态特性
噪声系数
增益带宽积
集电极 - 基极电容
集电极 - 衬底电容
发射极 - 基极电容
电压增益
功率增益
噪声系数
输入阻抗
输出电阻
输入电容
输出电容
正向纳的幅度
注意：
3.当作为一个齐纳二极管的参考电压时，该器件不能从任何可能的电容进行超过0.1mJ的能量
或静电放电，以防止该连接处的降解。最大工作电流稳压应小于10mA 。
F = 100kHz时，R
S
= 500, I
C
= 1毫安
V
CE
= 6V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 6V ， F = 1MHz的
V
CI
= 6V ， F = 1MHz的
V
BE
= 4V ， F = 1MHz的
V
CE
= 6V ， F = 10MHz时，R
L
= 1kΩ的，我
C
= 1毫安
级联配置
F = 100MHz时，V + = 12V ，我
C
= 1毫安
共发射极结构
V
CE
= 6V ，我
C
= 1mA时， F = 200 MHz的
-
-
-
-
-
-
27
-
-
-
-
-
-
28
30
3.5
400
4.6
3.7
2
24
2.2
1.15
SEE
图。五
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
dB
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
k
pF
pF
mS
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
Q
1
和Q
2
MATCHED
V
CE
= 6V ，我
C
= 1毫安
20
15
20
4
-
-
35
40
35
0.71
0.66
0.60
-
-
-
32
24
60
5.7
-
-
88
90
85
0.81
0.76
0.70
0.26
0.5
0.2
-
-
-
-
0.5
40
-
-
-
0.91
0.86
0.80
0.50
5
3
V
V
V
V
mV
A
V
V
V
V
A
nA
5-2
CA3127
测试电路
V+
10k
偏置电流
ADJ
470
pF
R
L
0.01
F
1F
2
51
6
0.01F
8
1F
0.01
F
470pF
7
V
I
根
Q
3
470pF
3
4
Q
2
V
O
图1.电压增益测试电路使用电流镜偏置对于q
2
1.5 - 驱动8pF
V
O
12
盾
Q
5
2
V
I
1000pF
0.3H
4
1.8pF
C
1
（注5 ）
3
Q
2
560
750
1%
1000
pF
6
8
1000
pF
7
25k
Q
3
5
+12V
13
620
14
1000
pF
1000
pF
TEST
点
C
2
（注5 ）
8.2
k
0.47H
注意事项：
4.该电路的选择，因为它方便表象
货物内在性能上近似于一个Properties（属性）
光年unilateralized这种类型的单个晶体管。利用
Q
3
在电流镜CON组fi guration有利于简化的
偏置。以任何方式使用的共源共栅电路的指
该晶体管不能单独使用。
5. E.F.约翰逊号码160-104-1或同等学历。
商Ohmite
Z144
图2. 100MHz的功率增益和噪声系数测试电路
通用无线1021 -P1
100MHz的发电机
ATTN
100MHz
测试仪
Boonton的91C
RF电压表
12V
DC
电源
图3A 。功率增益SET -UP
甚高频噪声源
HEWLETT PACKARD HP343A
100MHz
测试仪
100MHz
发表扩增fi er
噪声系数测试仪
HEWLETT PACKARD HP342A
12V
DC
电源
15V
DC
电源
图3B 。噪声系数SET -UP
的功率增益和噪声系数测试设置如图3，方块图
5-3
CA3127
典型性能曲线
T
A
= 25
o
C
V
CE
= 6V
R
来源
= 500
F = 10Hz的
30
T
A
= 25
o
C
V
CE
= 6V
R
来源
= 1k
F = 10Hz的
F = 100Hz的
30
噪声系数（dB ）
20
噪声系数（dB ）
F = 100Hz的
20
F = 10kHz的
10
F = 1kHz时
F = 1kHz时
10
F = 10kHz的
F = 100KHz的
F = 100KHz的
0
0.01
0.1
1.0
集电极电流（毫安）
0
0.01
0.1
1.0
集电极电流（毫安）
图4.噪声系数VS集电极电流
图5.噪声系数VS集电极电流
基极 - 发射极电压（V）的
T
A
= 25
o
C
V
CE
= 6V
增益带宽积（千兆赫）
1.0
T
A
= -55
o
C
0.9
0.8
0.7
T
A
= 125
o
C
0.6
T
A
= 25
o
C
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
集电极电流（毫安）
0.5
0.4
0.1
1
集电极电流（毫安）
10
图6.增益带宽积VS集热器
当前
图7基极 - 发射极电压Vs集热
当前
T
A
= 25
o
C
F = 1MHz的
2.25
2.00
电容（pF）
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0
1
2
3
4
5
C
EB
C
CB
6
7
8
9
10
C
CI
电容（pF）
转录
体管
C
CB
C
CE
C
EB
C
CI
PKG TOTAL道达尔PKG PKG PKG合计合计
BIAS
(V)
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
偏置电压（ V）
-
6V
-
6V
-
4V
-
6V
0.025 0.190 0.090 0.125 0.365 0.610 0.475 1.65
0.015 0.170 0.225 0.265 0.130 0.360 0.085 1.35
0.040 0.200 0.215 0.240 0.360 0.625 0.210 1.40
0.040 0.190 0.225 0.270 0.365 0.610 0.085 1.25
0.010 0.165 0.095 0.115 0.140 0.365 0.090 1.35
图8A 。电容VS偏置电压Q
2
图8B 。典型电容值，在f = 1MHz的。
三端测量。 GUARD ALL
端子除了那些测试。
5-4
CA3127
数据表
2006年6月5日
FN662.5
高频NPN晶体管阵列
在CA3127由网络连接已经通用硅NPN
晶体管在一个共同的整体式载体上。每个
完全隔离的晶体管显示出低1 / f噪声和
的F值
T
在超过1GHz ，使得CA3127有用
从DC至500MHz 。访问被提供给各
对于各个晶体管和一个单独的终端
已经提供了最大的基板连接
应用的灵活性。的单片建设
CA3127提供了紧密的电和热匹配
五晶体管。
特点
增益带宽积（F
T
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >1GHz
功率增益。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30分贝（典型值），在100MHz
噪声系数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.5分贝（典型值），在100MHz
在公共衬底上五名独立晶体管
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
甚高频放大器
多功能组合 - 射频/混频器/振荡器
检测放大器
订购信息
部分
数
CA3127M
CA3127MZ
（注）
部分
记号
CA3127
CA3127MZ
温度。
范围
(°C)
-55至125
-55至125
包
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
M16.15
M16.15
同步检波器
VHF混频器
IF转换器
IF放大器
合成
级联放大器
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板终止完成，这是符合RoHS标准，
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
引脚
CA3127 （ SOIC ）
顶视图
1
2
Q
2
3
4
Q
1
16
15
14
13
Q
5
12
11
基板
5
6
Q
3
7
8
Q
4
10
9
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL or1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2003 ， 2006.保留所有权利。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
CA3127
绝对最大额定值
下面评级适用于设备中的每个晶体管
集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15V
集电极 - 基极电压，V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20V
集电极 - 衬底电压，V
CIO
（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .20V
集电极电流，I
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
（ ° C / W）
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
120
最大功耗，P
D
（任何一个晶体管） 。 。 。 。 。 .85mW
最高结温（死亡）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175℃
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1. CA3127的每个晶体管的集电极与基片由一体二极管隔离。基板（端子5）必须被连接到
在外部电路中的最负点至晶体管之间保持隔离，以提供正常的晶体管动作。
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
参数
TA = 25°C
测试条件
民
典型值
最大
单位
DC特性
（对于每个晶体管）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基片的击穿电压
发射极 - 基极击穿电压（注3 ）
集电极截止电流
集电极截止电流
直流正向电流传输比
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
C1
= 10μA ，我
B
= 0, I
E
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 10V我
B
= 0
V
CB
= 10V ，我
E
= 0
V
CE
= 6V
I
C
= 5毫安
I
C
= 1毫安
I
C
= 0.1毫安
基极 - 发射极电压
V
CE
= 6V
I
C
= 5毫安
I
C
= 1毫安
I
C
= 0.1毫安
集电极 - 发射极饱和电压
差异的V级
BE
差异的幅度我
B
动态特性
噪声系数
增益带宽积
集电极 - 基极电容
集电极 - 衬底电容
发射极 - 基极电容
电压增益
功率增益
噪声系数
F = 100kHz时，R
S
= 500, I
C
= 1毫安
V
CE
= 6V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 6V ， F = 1MHz的
V
CI
= 6V ， F = 1MHz的
V
BE
= 4V ， F = 1MHz的
V
CE
= 6V ， F = 10MHz时，R
L
= 1kΩ的，我
C
= 1毫安
级联配置
F = 100MHz时，V + = 12V ，我
C
= 1毫安
-
-
-
-
-
-
27
-
28
30
3.5
2.2
1.15
参见图。
5
-
-
-
-
-
-
-
-
dB
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
Q
1
和Q
2
MATCHED
V
CE
= 6V ，我
C
= 1毫安
20
15
20
4
-
-
35
40
35
0.71
0.66
0.60
-
-
-
32
24
60
5.7
-
-
88
90
85
0.81
0.76
0.70
0.26
0.5
0.2
-
-
-
-
0.5
40
-
-
-
0.91
0.86
0.80
0.50
5
3
V
V
V
V
mV
A
V
V
V
V
A
nA
2
FN662.5
2006年6月5日
CA3127
电气规格
参数
输入阻抗
输出电阻
输入电容
输出电容
正向纳的幅度
注意：
3.当作为一个齐纳二极管的参考电压时，该器件不能从任何可能的电容进行超过0.1mJ的能量或
静电放电，以防止该连接处的降解。最大工作电流稳压应小于10mA 。
TA = 25°C
测试条件
共发射极结构
V
CE
= 6V ，我
C
= 1mA时， F = 200 MHz的
民
-
-
-
-
-
典型值
400
4.6
3.7
2
24
最大
-
-
-
-
-
单位
k
pF
pF
mS
测试电路
V+
10k
偏置电流
ADJ
470
pF
R
L
0.01
F
1F
2
51
6
0.01F
8
1F
0.01
F
470pF
7
V
I
根
Q
3
470pF
3
4
Q
2
V
O
图1.电压增益测试电路使用电流镜偏置对于q
2
1.5 - 驱动8pF
V
O
12
盾
Q
5
2
V
I
1000pF
0.3H
4
1.8pF
C
1
（注5 ）
3
Q
2
560
750
1%
1000
pF
6
8
1000
pF
7
25k
Q
3
5
+12V
13
620
14
1000
pF
1000
pF
TEST
点
C
2
（注5 ）
8.2
k
0.47H
注意事项：
4.该电路的选择，因为它方便
代表性能提升到一个近似值
正确unilateralized这种类型的单个晶体管。该
使用Q的
3
在一个电流镜配置有利于
简单的偏置。使用共源共栅电路中的无
方式意味着晶体管不能使用
个别。
5. E.F.约翰逊号码160-104-1或同等学历。
商Ohmite
Z144
图2. 100MHz的功率增益和噪声系数测试电路
3
FN662.5
2006年6月5日
CA3127
典型性能曲线
（续）
基极 - 发射极电压（V）的
T
A
= 25°C
V
CE
= 6V
增益带宽积（千兆赫）
1.0
T
A
= -55°C
0.9
0.8
0.7
T
A
= 125°C
0.6
T
A
= 25°C
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
集电极电流（毫安）
0.5
0.4
0.1
1
集电极电流（毫安）
10
图6.增益带宽积VS集热器
当前
图7基极 - 发射极电压Vs集热
当前
T
A
= 25°C
F = 1MHz的
2.25
2.00
电容（pF）
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0
1
2
3
4
5
C
EB
C
CB
6
7
8
9
10
C
CI
电容（pF）
C
CB
转录
体管
C
CE
C
EB
C
CI
PKG TOTAL道达尔PKG PKG PKG合计合计
-
6V
-
6V
-
4V
-
6V
BIAS
(V)
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
偏置电压（ V）
0.025 0.190 0.090 0.125 0.365 0.610 0.475 1.65
0.015 0.170 0.225 0.265 0.130 0.360 0.085 1.35
0.040 0.200 0.215 0.240 0.360 0.625 0.210 1.40
0.040 0.190 0.225 0.270 0.365 0.610 0.085 1.25
0.010 0.165 0.095 0.115 0.140 0.365 0.090 1.35
图8A 。电容VS偏置电压Q
2
图8B 。典型电容值，在f = 1MHz的。
三端测量。 GUARD ALL
端子除了那些测试。
5
FN662.5
2006年6月5日
QQ：2880707522 复制
