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CA3102
数据表
二○○五年十月一十二日
FN611.7
双高频差分放大器器
针对低功耗应用最多
500MHz
的CA3102由两个独立的差分
放大器器与一个相关的恒流三极管
普通单片基板。这六个晶体管哪些
包括放大器通用设备这
表现出低1 / f噪声和f的值
T
在超过1GHz 。
这些特点使CA3102有用从DC到
500MHz的。偏置和负载电阻被省略以
提供最大的应用灵活性。
在CA3102的整体建设提供接近
放大器的电和热匹配。这
特性使得该器件在双通道特别有用
其中,匹配两者的性能应用
信道是必需的。
的CA3102具有更大的单独的基板连接
设计灵活性。
特点
功率增益23分贝(典型值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200MHz的
噪声系数4.6分贝(典型值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200MHz的
在公共衬底上两个差分放大器
独立地访问输入和输出
整个军用温度范围。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
无铅加退火用(符合RoHS)
应用
甚高频放大器
VHF混频器
多功能组合 - 射频/混频器/振荡器;
转换器/ IF
IF放大器(差分和/或共源共栅)
产品探测器
双平衡调制器和解调器
订购信息
产品型号
(品牌)
CA3102E
(CA3102E)
CA3102M
(3102)
CA3102MZ
(CA3102MZ)
(注)
温度。
RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
(无铅)
PKG 。
DWG 。 #
E14.3
M14.15
M14.15
平衡正交检波器
级联限制器
同步检波器
平衡混频器
合成
平衡(推挽式)共源共栅放大器
检测放大器
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板终止完成,这是符合RoHS标准,
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
引脚
CA3102
( PDIP , SOIC )
顶视图
1
2
3
4
衬底5
6
7
14
13
12 SUBSTRATE
11
10
9
8
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2002年, 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
CA3102
绝对最大额定值
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V
集电极 - 基极电压,V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
集电极 - 衬底电压,V
CIO
(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20V
发射极 - 基极电压,V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
集电极电流,I
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
(
o
C / W )
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
205
最大功率耗散(任何一个晶体管) 。 。 。 。 。 。 。 300mW的
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1. CA3102的每个晶体管的集电极与基片由一体二极管隔离。基板(端子9)必须连接
在外部电路中最负点至晶体管之间保持隔离,并为普通的晶体管动作。
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
参数
T
A
= 25
o
C
符号
测试条件
典型值
最大
单位
直流特性每个差分放大器
输入失调电压(图1,图4 )
输入失调电流(图1 )
输入偏置电流(图1,图5 )
温度COEF网络cient
输入失调电压的幅值
V
IO
I
IO
I
B
I
3
= I
9
= 2毫安
-
-
-
-
0.25
0.3
13.5
1.1
5.0
3.0
33
-
mV
A
A
V/
o
C
V
IO
----------------
T
直流特性FOR每个晶体管
DC正向基极 - 发射极电压
(图6)
VBE
V
BE
--------------
-
T
I
CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR )首席信息官
V
( BR ) EBO
V
CE
= 6V ,我
C
= 1毫安
V
CE
= 6V ,我
C
= 1毫安
674
-
774
-0.9
874
-
mV
毫伏/
o
C
温度COEF网络cient
基极 - 发射极电压
(图6)
集电极截止电流(图7 )
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
V
CB
= 10V ,我
E
= 0
I
C
= 1mA时,我
B
= 0
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 10μA ,我
B
= I
E
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
-
15
20
20
5
0.0013
24
60
60
7
100
-
-
-
-
nA
V
V
V
V
动态特性每个差分放大器
1 / f噪声图(对于单管)
(图12)
增益带宽积(对于单
晶体管) (图11)
集电极 - 基极电容(图8 )
NF
f
T
C
CB
F = 100kHz时,R
S
= 500,
I
C
= 1毫安
V
CE
= 6V ,我
C
= 5毫安
I
C
= 0,
V
CB
= 5V
I
C
= 0, V
CI
= 5V
I
3
= I
9
= 2毫安
偏置电压= -6V
偏置电压= -4.2V ,
F = 10MHz时
注3
注4
-
-
-
-
-
-
-
18
1.5
1.35
0.28
0.15
1.65
100
75
22
-
-
-
-
-
-
-
-
dB
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
集电极 - 基
电容(图8)
共模抑制比
AGC范围,一阶段(图2 )
电压增益,单端输出
(图2,图9,图10 )
C
CI
CMRR
AGC
A
2
CA3102
电气规格
参数
插入功率增益(图3 )
噪声图(图3)
输入导纳
T
A
= 25
o
C
(续)
符号
G
P
NF
Y
11
测试条件
V
CC
= 12V,为
共源共栅
CON组fi guration
I
3
= I
9
= 2毫安。为
差异。安培。
CON组fi guration
I
3
= I
9
= 4毫安(每
我珍藏
C
2mA)
F = 200MHz的
共源共栅
共源共栅
共源共栅(图
14, 16, 18)
差异。安培。 (图
15, 17, 19)
共源共栅
差异。安培。
正向传递
导纳
Y
21
共源共栅(图
26, 28, 30)
差异。安培。 (图
27, 29, 31)
输出导纳
Y
22
共源共栅(图
20, 22, 24)
差异。安培。 (图
21, 23, 25)
注意事项:
3.端子1和14或图7和8 。
4.端子13和4或6和11 。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
23
4.6
1.5 + j2.45
0.878 + j1.3
0.0 - j0.008
0.0 - j0.013
17.9 - j30.7
-10.5 + j13
-0.503 - j15
0.071 + j0.62
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
dB
dB
mS
mS
mS
mS
mS
mS
mS
mS
反向传输导纳
Y
12
原理图
CA3102E , CA3102M
1
14
13
4
12
8
7
6
11
Q
2
2
Q
3
Q
1
10
Q
6
Q
4
Q
5
3
5
基板
9
3
CA3102
测试电路
+6V
V+ (+6V)
1k
V
OUT
+1V
1k
V
O
S
1
-1V
BIAS
电压
5
V
X
M
I
3
还是我
9
12
1k
10F
S
2
M
S
1
(10)
2
Q
3
(Q
4
)
3 (9)
500
V
IN
(8)
1
100
(7) 14
S
2
1k
M
Q
2
(Q
6
)
13 (6)
Q
1
(Q
5
)
100
4
(11)
V- (-6V)
-6V
图1.直流特性测试电路CA3102
图2: AGC范围和电压增益测试电路
FOR CA3102
1/2 CA3102
14(7)
Q
2
(Q
6
)
Q
1
(Q
5
)
0.005F
5(12)
1(8)
基板
Q
3
(Q
4
)
2 (10)
5.6pF
3 (9)
4 (11)
13 (6)
2.7pF
5F
100
6V
2+
0.001
F
5pF的
2
L
2
0.001F
0.001F
产量
R
L
= 50
输入
R
G
= 50
L
1
C
1
0.001F
MA
2k
1k
铁素体
5k
13k
0.001F
100pF
注意事项:
5.括号中的数字指的是其他
一半的CA3102的。
6. L
1
, L
2
- 约
1
/
2
打开18 #镀锡
铜导线, 5/8“直径。
100pF
100pF
470pF
10k
+12V
0.001F
7. C
1
, C
2
- 15pF的可变电容器
(哈马隆德, MAC - 15 ;或同等学历)。
图3. 200MHz的共源共栅功率增益和噪声系数测试电路
4
CA3102
典型性能曲线
0.5
T
A
= 25
o
C
输入失调电压(MV )
输入偏置电流( μA )
100
0.4
10
T
A
= -40
o
C
T
A
= 25
o
C
T
A
= 85
o
C
1.0
0.3
0.2
0.1
1
发射极电流(毫安)
10
0.1
0.1
1.0
发射极电流(毫安)
10
图4.输入失调电压Vs发射极电流
图5.输入偏置电流与发射极电流
1000
集电极截止电流(PA )
基极 - 发射极电压(V)的
V
CB
= 15V
100
V
CB
= 10V
V
CB
= 5V
10
1.0
0.9
T
A
= 85
o
C
T
A
= 25
o
C
T
A
= -40
o
C
0.8
1.0
0.7
0.6
0.1
0.5
0.1
1.0
集电极电流(毫安)
10
0.01
-100
-75
-50
-25
0
25
温度(
ο
C)
50
75
100
图6基极 - 发射极电压Vs集热
当前
图7.集电极截止电流与温度
3
T
A
= 25
o
C
70
60
50
电压增益(分贝)
40
30
20
10
0
-10
-20
-30
-40
-50
12 13
14
0
T
A
= 25
o
C
V+ = 6V, V- = -6V
F = 1kHz时
电容(pF)
2
C
CI
1
端子14和1; 7和8
端子13和4; 6和11
C
CB
0
0
1
2
3
4
5
6 7
8 9
偏置电压( V)
10 11
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
偏置电压端子2和10 ( V)
图8.电容VS直流偏置电压
图9.电压增益VS直流偏置电压
5
CA3102
数据表
1999年11月
网络文件编号
611.6
双高频差分放大器器
针对低功耗应用最多
500MHz
的CA3102由两个独立的差分
放大器器与一个相关的恒流三极管
普通单片基板。这六个晶体管哪些
包括放大器器是通用的设备哪
表现出低1 / f噪声和f的值
T
在超过1GHz 。
这些特点使CA3102有用从DC到
500MHz的。偏置和负载电阻被省略以
提供最大的应用灵活性。
在CA3102的整体建设提供接近
该放大器器的电气和热匹配。这
特性使得该器件在双通道特别有用
其中,匹配两者的性能应用
信道是必需的。
的CA3102具有更大的单独的基板连接
设计灵活性。
特点
功率增益23分贝(典型值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200MHz的
噪声系数4.6分贝(典型值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200MHz的
两个在公共衬底上差分放大器器
独立地访问输入和输出
整个军用温度范围。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
应用
甚高频放大器器
VHF混频器
多功能组合 - 射频/混频器/振荡器;
转换器/ IF
IF放大器器(差分和/或共源共栅)
产品探测器
双平衡调制器和解调器
平衡正交检波器
订购信息
产品型号
(品牌)
CA3102E
CA3102M
(3102)
温度。
RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
PKG 。
E14.3
M14.15
级联限制器
同步检波器
平衡混频器
合成
平衡(推挽式)共源共栅放大器器
检测放大器器
引脚
CA3102
( PDIP , SOIC )
顶视图
1
2
3
4
衬底5
6
7
14
13
12 SUBSTRATE
11
10
9
8
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
CA3102
绝对最大额定值
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V
集电极 - 基极电压,V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
集电极 - 衬底电压,V
CIO
(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20V
发射极 - 基极电压,V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
集电极电流,I
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
205
最大功率耗散(任何一个晶体管) 。 。 。 。 。 。 。 300mW的
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1. CA3102的每个晶体管的集电极与基片由一体二极管隔离。基板(端子9)必须连接
在外部电路中最负点至晶体管之间保持隔离,并为普通的晶体管动作。
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
参数
T
A
= 25
o
C
符号
测试条件
典型值
最大
单位
直流特性每个差分放大器
输入失调电压(图1,图4 )
输入失调电流(图1 )
输入偏置电流(图1,图5 )
温度COEF网络cient
输入失调电压的幅值
V
IO
I
IO
I
B
I
3
= I
9
= 2毫安
-
-
-
-
0.25
0.3
13.5
1.1
5.0
3.0
33
-
mV
A
A
V/
o
C
V
IO
----------------
T
直流特性FOR每个晶体管
DC正向基极 - 发射极电压
(图6)
温度COEF网络cient
基极 - 发射极电压
(图6)
集电极截止电流(图7 )
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
VBE
V
BE
--------------
-
T
I
CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR )首席信息官
V
( BR ) EBO
V
CE
= 6V ,我
C
= 1毫安
V
CE
= 6V ,我
C
= 1毫安
674
-
774
-0.9
874
-
mV
毫伏/
o
C
V
CB
= 10V ,我
E
= 0
I
C
= 1mA时,我
B
= 0
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 10μA ,我
B
= I
E
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
-
15
20
20
5
0.0013
24
60
60
7
100
-
-
-
-
nA
V
V
V
V
动态特性每个差分放大器
1 / f噪声图(对于单管)
(图12)
增益带宽积(对于单
晶体管) (图11)
集电极 - 基极电容(图8 )
NF
f
T
C
CB
F = 100kHz时,R
S
= 500,
I
C
= 1毫安
V
CE
= 6V ,我
C
= 5毫安
I
C
= 0,
V
CB
= 5V
I
C
= 0, V
CI
= 5V
I
3
= I
9
= 2毫安
偏置电压= -6V
偏置电压= -4.2V ,
F = 10MHz时
注3
注4
-
-
-
-
-
-
-
18
1.5
1.35
0.28
0.15
1.65
100
75
22
-
-
-
-
-
-
-
-
dB
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
集电极 - 基
电容(图8)
共模抑制比
AGC范围,一阶段(图2 )
电压增益,单端输出
(图2,图9,图10 )
C
CI
CMRR
AGC
A
2
CA3102
电气连接特定的阳离子
参数
插入功率增益(图3 )
噪声图(图3)
输入导纳
T
A
= 25
o
C
(续)
符号
G
P
NF
Y
11
测试条件
V
CC
= 12V,为
共源共栅
CON组fi guration
I
3
= I
9
= 2毫安。为
差异。安培。
CON组fi guration
I
3
= I
9
= 4毫安(每
我珍藏
C
2mA)
F = 200MHz的
共源共栅
共源共栅
共源共栅(图
14, 16, 18)
差异。安培。 (图
15, 17, 19)
共源共栅
差异。安培。
正向传递
导纳
Y
21
共源共栅(图
26, 28, 30)
差异。安培。 (图
27, 29, 31)
输出导纳
Y
22
共源共栅(图
20, 22, 24)
差异。安培。 (图
21, 23, 25)
注意事项:
3.端子1和14或图7和8 。
4.端子13和4或6和11 。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
23
4.6
1.5 + j2.45
0.878 + j1.3
0.0 - j0.008
0.0 - j0.013
17.9 - j30.7
-10.5 + j13
-0.503 - j15
0.071 + j0.62
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
dB
dB
mS
mS
mS
mS
mS
mS
mS
mS
反向传输导纳
Y
12
原理图
CA3102E , CA3102M
1
14
13
4
12
8
7
6
11
Q
2
2
Q
3
Q
1
10
Q
6
Q
4
Q
5
3
5
基板
9
3
CA3102
测试电路
+6V
V+ (+6V)
1k
V
OUT
+1V
1k
V
O
S
1
-1V
BIAS
电压
5
V
X
M
I
3
还是我
9
12
1k
10F
S
2
M
S
1
(10)
2
Q
3
(Q
4
)
3 (9)
500
V
IN
(8)
1
100
(7) 14
S
2
1k
M
Q
2
(Q
6
)
13 (6)
Q
1
(Q
5
)
100
4
(11)
V- (-6V)
-6V
图1.直流特性测试电路CA3102
图2: AGC范围和电压增益测试电路
FOR CA3102
1/2 CA3102
14(7)
Q
2
(Q
6
)
Q
1
(Q
5
)
0.005F
5(12)
1(8)
基板
Q
3
(Q
4
)
2 (10)
5.6pF
3 (9)
4 (11)
13 (6)
2.7pF
5F
100
6V
2+
0.001
F
5pF的
2
L
2
0.001F
0.001F
产量
R
L
= 50
输入
R
G
= 50
L
1
C
1
0.001F
MA
2k
1k
铁素体
5k
13k
0.001F
100pF
注意事项:
5.括号中的数字指的是其他
一半的CA3102的。
6. L
1
, L
2
- 约
1
/
2
打开18 #镀锡
铜导线, 5/8“直径。
100pF
100pF
470pF
10k
+12V
0.001F
7. C
1
, C
2
- 15pF的可变电容器
(哈马隆德, MAC - 15 ;或同等学历)。
图3. 200MHz的共源共栅功率增益和噪声系数测试电路
4
CA3102
典型性能曲线
0.5
T
A
= 25
o
C
输入失调电压(MV )
输入偏置电流( μA )
100
0.4
10
T
A
= -40
o
C
T
A
= 25
o
C
T
A
= 85
o
C
1.0
0.3
0.2
0.1
1
发射极电流(毫安)
10
0.1
0.1
1.0
发射极电流(毫安)
10
图4.输入失调电压Vs发射极电流
图5.输入偏置电流与发射极电流
1000
集电极截止电流(PA )
基极 - 发射极电压(V)的
V
CB
= 15V
100
V
CB
= 10V
V
CB
= 5V
10
1.0
0.9
T
A
= 85
o
C
T
A
= 25
o
C
T
A
= -40
o
C
0.8
1.0
0.7
0.6
0.1
0.5
0.1
1.0
集电极电流(毫安)
10
0.01
-100
-75
-50
-25
0
25
温度(
ο
C)
50
75
100
图6基极 - 发射极电压Vs集热
当前
图7.集电极截止电流与温度
3
T
A
= 25
o
C
70
60
50
电压增益(分贝)
40
30
20
10
0
-10
-20
-30
-40
-50
12 13
14
0
T
A
= 25
o
C
V+ = 6V, V- = -6V
F = 1kHz时
电容(pF)
2
C
CI
1
端子14和1; 7和8
端子13和4; 6和11
C
CB
0
0
1
2
3
4
5
6 7
8 9
偏置电压( V)
10 11
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
偏置电压端子2和10 ( V)
图8.电容VS直流偏置电压
图9.电压增益VS直流偏置电压
5
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