CA3083
数据表
1998年9月
文件编号481.4
通用大电流NPN
晶体管阵列
在CA3083是网络的多功能阵列已经大电流（以
百毫安）在一个共同的整体式载体上的NPN晶体管。
此外，其中两个晶体管（Q
1
和Q
2
）是
为应用程序相匹配的低电流（即， 1毫安），其中
偏移参数是特别重要的。
每个晶体管加一个单独的独立连接
终端在电路基板证最大的灵活性
设计
.
特点
高I
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100mA（最大）
低V
CE坐
（成50mA ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.7V （最大）
匹配对（Q
1
和Q
2
)
- V
IO
(V
BE
比赛） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±5mV
（最大）
- I
IO
（在1mA时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.5μA （最大值）
5个独立的晶体管，独立的基板
连接
应用
信号处理和交换系统的操作
DC到VHF
灯和继电器驱动器
差分放大器器
温度补偿扩增fi er
晶闸管射击
参见应用笔记AN5296 “的应用
CA3018电路晶体管阵列“的建议
应用
订购信息
产品型号
（品牌）
CA3083
CA3083M
(3083)
CA3083M96
(3083)
温度。
RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC胶带
和卷轴
PKG 。
号
E16.3
M16.15
M16.15
引脚
CA3083
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
1
2
3
4
基板
5
6
Q
3
7
8
Q
4
10
9
Q
5
16
15
14
13
12
11
Q
1
Q
2
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司1999
CA3083
绝对最大额定值
下面评级适用于设备中的每个晶体管：
集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V
集电极 - 基极电压，V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
集电极 - 衬底电压，V
CIO
（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20V
发射极 - 基极电压，V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
集电极电流（I
C
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
基极电流（I
B
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
135
不适用
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
200
不适用
最大功率耗散（任何一个晶体管） 。 。 。 。 。 。 。 500mW的
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1. CA3083的每个晶体管的集电极与基片由一体二极管隔离。基板必须连接到一个电压
这是比以保持晶体管之间的隔离，并提供正常的晶体管动作任何集电极电压更负。为了避免
晶体管之间的不希望的耦合，将基板端子（5）应保持在DC或信号（AC）的地面。合适的绕行
电容器可以被用来建立一个信号接地。
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
参数
FOR每个晶体管
对于设备设计，T
A
= 25
o
C
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
直流正向电流传输比（注3 ） （图1 ）
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ）首席信息官
V
（ BR ） EBO
I
首席执行官
I
CBO
h
FE
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
CI
= 100μA ，我
B
= 0, I
E
= 0
I
E
= 500μA ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
B
= 0
V
CB
= 10V ，我
E
= 0
V
CE
= 3V
I
C
= 10毫安
I
C
= 50毫安
20
15
20
5
-
-
40
40
0.65
-
-
60
24
60
6.9
-
-
76
75
0.74
0.40
450
-
-
-
-
10
1
-
-
0.85
0.70
-
V
V
V
V
A
A
基极 - 发射极电压（图2）
集电极 - 发射极饱和电压（图3，图4 ）
增益带宽积
V
BE
V
CE坐
f
T
V
CE
= 3V ，我
C
= 10毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
V
CE
= 3V ，我
C
= 10毫安
V
V
兆赫
FOR晶体管Q1
1
和Q
2
（为差分放大器ER）
绝对的输入失调电压（图6）
绝对的输入偏置电流（图7 ）
注意：
3实际迫使电流通过发射器，用于此试验。
|V
IO
|
|I
IO
|
V
CE
= 3V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 3V ，我
C
= 1毫安
-
-
1.2
0.7
5
2.5
mV
A
2
CA3083
典型性能曲线
（续）
ABSOLUTE输入失调电流（ μA ）
10
V
CE
= 3V ，T
A
= 25
o
C
1
0.1
0.1
1
集电极电流（毫安）
10
图7.我
IO
VS我
C
（晶体管Q
1
和Q
2
成差分放大器）
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