CA3045 ， CA3046
数据表
1998年9月
文件编号341.4
通用NPN晶体管阵列
在CA3045和CA3046分别由网络连接已经普遍
在一个共同的目的，单片硅NPN晶体管
基材。两个晶体管的内部连接到
形成一个差分连接的一对。
的CA3045和CA3046的晶体管是非常适合于
各种各样的，在直流应用中的低功率系统
通过VHF范围。它们可以用作分立
晶体管中的常规电路。然而，此外，他们
提供了非常显着的内在集成电路
靠近电和热匹配的优点。
特点
两个匹配晶体管
- V
BE
匹配。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±5mV
- I
IO
匹配。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2μA （最大值）
低噪声系数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.2分贝（典型值）在1kHz
5个通用单片晶体管
操作从DC到120MHz的
宽的工作电流范围
整个军用温度范围
订购信息
产品型号
（品牌）
CA3045F
CA3046
CA3046M
(3046)
CA3046M96
(3046)
温度。
RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC胶带
和卷轴
PKG 。
号
F14.3
E14.3
M14.15
M14.15
应用
三个孤立的晶体管和一个差异
晶体管对低功耗应用的
从DC频率通过VHF范围
自定义设计的差分放大器器
温度补偿放大器器
见CA3018的应用笔记， AN5296 “应用
集成电路晶体管阵列“的建议
应用
引脚
CA3045 （ CERDIP ）
CA3046 （ PDIP ， SOIC ）
顶视图
1
2
迪FF erential
对
3
4
5
6
7
Q
3
Q
2
Q
1
Q
5
14
13 SUBSTRATE
12
11
Q
4
10
9
8
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司1999
CA3045 ， CA3046
绝对最大额定值
集电极 - 发射极电压（V
首席执行官
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V
集电极 - 基极电压（V
CBO
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
集电极 - 衬底电压（V
CIO
，注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20V
发射极 - 基极电压（V
EBO
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
集电极电流（I
C
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
180
不适用
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
150
75
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
220
不适用
最大功率耗散（任何一个晶体管） 。 。 。 。 。 。 。 300mW的
最高结温（密封封装） 。 。 。 。 。 。 。 0.175
o
C
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1. CA3045 CA3046 ，并且每个晶体管的集电极与基片由一体二极管隔离。该基板（终端13 ）必须
被连接到最负点在外围电路的晶体管之间保持隔离，以提供正常晶体管AC-
化。
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
参数
DC特性
T
A
= 25
o
C，指定特性适用于CA3045和CA3046每个晶体管
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流（图1）
集电极截止电流（图2）
正向电流传输比（静态测试）
（注3） （图3）
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ）首席信息官
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
C
= 10μA ，我
CI
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CB
= 10V ，我
E
= 0
V
CE
= 10V ，我
B
= 0
V
CE
= 3V
I
C
= 10毫安
I
C
= 1毫安
I
C
= 10A
V
CE
= 3V ，我
C
= 1毫安
20
15
20
5
-
-
-
40
-
-
-
-
-
-
60
24
60
7
0.002
SEE图。 2
100
100
54
0.3
0.715
0.800
0.45
0.45
-
-
-
-
40
0.5
-
-
-
2
-
-
5
5
V
V
V
V
nA
A
-
-
-
A
V
V
mV
mV
输入失调电流的配对Q
1
和Q
2
.
|I
IO1
- I
IO2
| （注3） （图4）
基极 - 发射极电压（注3） （图5）
V
BE
V
CE
= 3V
I
E
= 1毫安
I
E
= 10毫安
级输入Offet电压差分对
|V
BE1
- V
BE2
| （注3）（图5，图7）
输入的幅度偏置电压隔离
晶体管| V
BE3
- V
BE4
|, |V
BE4
- V
BE5
|,
|V
BE5
- V
BE3
| （注3）（图5，图7）
基极到发射极的温度系数
电压（图6）
集电极 - 发射极饱和电压
温度系数：输入的幅度关 -
设置电压（图7 ）
动态特性
低频噪声图（图9 ）
低频小信号等效
电路特性
正向电流传输比（图11 ）
短路输入阻抗（图11 ）
NF
V
BE
--------------
-
T
V
CES
V
IO
----------------
T
V
CE
= 3V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 3V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 3V ，我
C
= 1毫安
-
-1.9
-
毫伏/
o
C
I
B
= 1mA时，我
C
= 10毫安
V
CE
= 3V ，我
C
= 1毫安
-
-
0.23
1.1
-
-
V
V/
o
C
F = 1kHz时，V
CE
= 3V ，我
C
= 100A,
源电阻= 1kΩ的
-
3.25
-
dB
h
FE
h
IE
F = 1kHz时，V
CE
= 3V ，我
C
= 1毫安
F = 1kHz时，V
CE
= 3V ，我
C
= 1毫安
-
-
110
3.5
-
-
-
k
2
CA3045 ， CA3046
电气连接特定的阳离子
参数
开路输出阻抗（图11 ）
开路反向电压传输比
（图11）
纳特点
正向转移导纳（图12）
输入导纳（图13）
输出导纳（图14）
反向传输导纳（图15 ）
增益带宽积（图16）
发射极 - 基极电容
集电极 - 基极电容
集电极 - 衬底电容
注意：
3实际迫使电流通过发射器，用于此试验。
Y
FE
Y
IE
Y
OE
Y
RE
f
T
C
EB
C
CB
C
CI
F = 1kHz时，V
CE
= 3V ，我
C
= 1毫安
F = 1kHz时，V
CE
= 3V ，我
C
= 1毫安
F = 1kHz时，V
CE
= 3V ，我
C
= 1毫安
F = 1kHz时，V
CE
= 3V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 3V ，我
C
= 3毫安
V
EB
= 3V ，我
E
= 0
V
CB
= 3V ，我
C
= 0
V
CS
= 3V ，我
C
= 0
-
-
-
-
300
-
-
-
31 - j1.5
0.3 + j0.04
0.001 + j0.03
参照图14
550
0.6
0.58
2.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
pF
pF
pF
T
A
= 25
o
C，指定特性适用于CA3045和CA3046每个晶体管
（续）
符号
h
OE
h
RE
测试条件
F = 1kHz时，V
CE
= 3V ，我
C
= 1毫安
F = 1kHz时，V
CE
= 3V ，我
C
= 1毫安
民
-
-
典型值
15.6
1.8 x 10
-4
最大
-
-
单位
S
-
典型性能曲线
10
2
集电极截止电流（ NA）
10
V
CB
= 15V
V
CB
= 10V
V
CB
= 5V
集电极截止电流（ NA）
I
E
= 0
10
3
10
2
10
1
10
-1
10
-2
10
-3
0
25
50
75
温度（
o
C)
100
125
0
25
50
75
温度（
o
C)
100
125
V
CE
= 10V
I
B
= 0
1
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
V
CE
= 5V
图1.典型的集电极 - 基切断电流
随温度的每个晶体管
120
V
CE
= 3V
静态正向电流
传输比（H
FE
)
110
100
90
FE1
80
70
60
50
0.01
0.8
FE2
FE2
-------------
OR
-------------
h
FE1
h
0.9
T
A
= 25
o
C
h
FE
1.0
BETA比
1.1
图2.典型的集电极 - 发射极截止
电流与温度FOR EACH
晶体管
10
输入失调电流（ μA ）
V
CE
= 3V
T
A
= 25
o
C
1.0
0.1
0.1
1.0
10
0.01
0.01
发射极电流（毫安）
0.1
1.0
集电极电流（毫安）
10
图3.典型静态正向电流传输
比和BETA比的Q
1
和Q
2
vs
发射极电流
图4.典型输入失调电流FOR
MATCHED晶体管对Q
1
Q
2
vs
集电极电流
3
CA3045 ， CA3046
典型性能曲线
0.8
基极 - 发射极电压（V）的
V
CE
= 3V
T
A
= 25
o
C
V
BE
3
输入失调电压（MV ）
基极 - 发射极电压（V）的
（续）
V
CE
= 3V
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
-75
I
E
= 3毫安
I
E
= 1毫安
I
E
- 0.5毫安
0.7
0.6
2
0.5
输入失调电压
1
0.4
0.01
0
0.1
1.0
10
发射极电流（毫安）
-50
-25
0
25
50
75
温度（
o
C)
100
125
图5.典型静态基极 - 发射极电压
特性和输入失调电压
用于差分对和配对隔离
VS晶体管发射极电流
V
CE
= 3V
4.00
输入失调电压（MV ）
I
E
= 10毫安
3.00
图6.典型的基极 - 发射极电压
特性与温度FOR EACH
晶体管
20
V
CE
= 3V
R
S
= 500
T
A
= 25
o
C
F = 0.1kHz
2.00
0.75
0.50
0.25
0
-75
-50
-25
0
25
50
75
温度（
o
C)
100
125
I
E
= 1毫安
I
E
= 0.1毫安
噪声系数（dB ）
15
F = 1kHz时
10
F = 10kHz的
5
0
0.01
0.1
集电极电流（毫安）
1.0
FIGURE7 。 TYPICALINPUTOFFSETVOLTAGECHARACTERISTICS
用于差分对和配对
隔离晶体管与温度
V
CE
= 3V
R
S
= 1000
T
A
= 25
o
C
图8.典型噪声系数VS集电极电流
30
V
CE
= 3V
R
S
= 10000
T
A
= 25
o
C
F = 0.1kHz
F = 1kHz时
F = 10kHz的
20
25
噪声系数（dB ）
1
20
噪声系数（dB ）
15
F = 0.1kHz
F = 1kHz时
10
F = 10kHz的
5
15
10
5
0
0.01
0.1
集电极电流（毫安）
0
0.01
0.1
集电极电流（毫安）
1
图9.典型噪声系数VS集电极电流
图10.典型噪声系数VS集电极电流
4
QQ：2881677436 复制
