半导体
CT
T
ODU CEMEN 7
PR
774
ETE
解放军
SOL DED RE 800-442-
OB
EN
om
s 1-
OMM lication harris.c
EC
没有R ntral应用entapp @
Ce
: c
电话或电子邮件
CA3018 ， CA3018A
1999年1月
文件编号338.5
通用晶体管阵列
在CA3018和CA3018A包括四个通用
硅NPN晶体管在一个共同的单片基板。
两个四晶体管被连接在所述达林顿
CON组fi guration 。在衬底被连接到一个单独的
终端最大的灵活性。
的CA3018和CA3018A的晶体管是公
适用于各种各样的在低功率系统中的应用
通过甚高频范围内的DC 。它们可以用作分立
在常规电路中，但在另外的晶体管他们
提供紧密的电和热的优点
匹配固有的集成电路结构。
该CA3018A类似于CA3018但设有更紧
的电流增益，漏电和偏移参数的控制
使其适合于需要更关键的应用
优异的性能。
特点
匹配的单片通用晶体管
h
FE
MATCHED
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±10%
V
BE
MATCHED
- CA3018A
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 2mV的
- CA3018
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 5mV的
操作从DC到120MHz的
宽的工作电流范围
CA3018A性能特点，从控制
10μA至10mA
低噪声系数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.2分贝（典型值）在1kHz
整个军用温度范围。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
[ /标题
()
/子
拍摄对象（ ）
/ Autho
r ()
/密钥 -
WORDS
()
/ Cre-
员（ ）
/ DOCI
NFO
PDF-
标志
应用
两个独立的晶体管和连接达林顿
晶体管对低功耗应用的频率
从DC到VHF范围
产品编号信息
产品型号
CA3018 （过时）
CA3018A
温度。
RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
包
12引脚金属罐
12引脚金属罐
PKG 。
号
T12.B
T12.B
自定义设计的差分放大器器
温度补偿放大器器
见CA3018的应用笔记， AN5296 “应用
集成电路晶体管阵列“中建议的应用
系统蒸发散
[
/页面 -
模式
/使用 -
OUT-
线
/ DOC-
意见
PDF-
标志
引脚
CA3018 ， CA3018A
（金属罐）
顶视图
12
1
2
3
4
Q
2
5
6
Q
3
Q
1
7
8
Q
4
11
10
9
基板
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
版权
1999年哈里斯公司
CA3018 ， CA3018A
绝对最大额定值
CA3018
集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
. . . . . . . . . . 15V
集电极 - 基极电压，V
CBO
. . . . . . . . . . . . 20V
集电极 - 衬底电压，V
CIO
（注1 ） 。 。 20V
发射极 - 基极电压，V
EBO
. . . . . . . . . . . . . 5V
集电极电流，I
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
CA3018A
15V
30V
40V
5V
50mA
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
金属罐包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
200
120
最大功率耗散（任何一个晶体管） 。 。 。 。 。 。 。 300mW的
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.175
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1. CA3018及CA3018A的每一个晶体管的集电极与基片由一体二极管隔离。该基板（终端10 ）必须
被连接到最负点在外围电路的晶体管之间保持隔离，以提供正常晶体管AC-
化。
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
T
A
= 25
o
C
CA3018
CA3018A
最大
民
典型值
最大
单位
参数
DC特性
集电极截止电流（图1）
集电极截止电流（图2）
符号
测试条件
民
典型值
I
CBO
I
首席执行官
I
CEOD
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
（ BR ）首席信息官
V
CES
h
FE
V
CB
= 10V ，我
E
= 0
V
CE
= 10V ，我
B
= 0
V
CE
= 10V ，我
B
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
I
C
= 10μA ，我
CI
= 0
I
B
= 1mA时，我
C
= 10毫安
V
CE
= 3V
I
C
= 10毫安
I
C
= 1毫安
I
C
= 10A
-
-
0.002
SEE
图。 2
-
24
60
7
60
0.23
100
100
54
0.97
100
5
-
-
0.002
SEE
图。 2
-
24
60
7
60
0.23
100
100
54
0.97
40
0.5
nA
A
A
V
V
V
V
V
-
-
-
-
集电极截止电流达林顿对
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
正向电流传输比（注3 ）
（图3）
-
15
20
5
20
-
-
30
-
0.9
-
-
-
-
-
-
-
200
-
-
-
15
30
5
40
-
50
60
30
0.9
5
-
-
-
-
0.5
-
200
-
-
静态-β比率幅度（隔离
晶体管Q1
1
和Q
2
） （图3）
正向电流传输比Darling-
吨对（Q
3
和Q
4
） （图4）
基极 - 发射极电压（图5）
h
美联储
V
CE
= 3V,
I
C1
= I
C2
= 1毫安
V
CE
= 3V
I
C
= 1毫安
I
C
= 100A
V
BE
V
CE
= 3V
I
E
= 1毫安
I
E
= 10毫安
1500
-
-
-
-
5400
-
0.715
0.800
0.48
-
-
-
-
5
2000
1000
0.600
-
-
5400
2800
0.715
0.800
0.48
-
-
0.800
0.900
2
-
-
V
V
mV
输入失调电压（图5,7 ）
V
BE1
–
V
BE2
V
CE
= 3V ，我
E
= 1毫安
温度系数：基极 - 发射极
电压Q
1
, Q
2
（图6）
V
BE
-----------------
-
T
V
CE
= 3V ，我
E
= 1毫安
-
-1.9
-
-
-1.9
-
毫伏/
o
C
2
CA3018 ， CA3018A
电气连接特定的阳离子
T
A
= 25
o
C
（续）
CA3018
参数
基地（Q
3
） -to -发射器（Q
4
）电压DAR-
lington对（图8）
温度系数：基极 - 发射极
电压达林顿对（Q
3
和Q
4
)
（图9 ）
温度系数：震级
输入偏移电压的
动态特性
低频噪声图
（图10 - 12 ）
NF
F = 1kHz时，V
CE
= 3V,
I
C
= 100μA ，源
电阻= 1kΩ的
-
3.25
-
-
3.25
-
dB
符号
V
床
(V
9-1
)
测试条件
V
CE
= 3V
I
E
= 10毫安
I
E
= 1毫安
V
床
---------------------
-
T
V
CE
= 3V ，我
E
= 1毫安
民
-
-
-
典型值
1.46
1.32
4.4
最大
-
-
-
民
-
1.10
-
CA3018A
典型值
1.46
1.32
4.4
最大
1.60
1.50
-
单位
V
V
毫伏/
o
C
V
BE1
–
V
BE2
V
CC
= 6V, V
EE
= -6V,
------------------------------------
I = I = 1毫安
-
T
C1
C2
-
10
-
-
10
-
V/
o
C
低频小信号等效
电路特性
正向电流传输比
（图13）
短路输入阻抗
（图13）
开路输出阻抗
（图13）
开路反向电压
传输比（图13）
纳特点
正向转移导纳
（图14）
输入导纳（图15）
Y
FE
Y
IE
Y
OE
Y
RE
f
T
C
EB
C
CB
C
CI
F = 1MHz时， V
CE
= 3V,
I
C
= 1毫安
F = 1MHz时， V
CE
= 3V,
I
C
= 1毫安
F = 1MHz时， V
CE
= 3V,
I
C
= 1毫安
F = 1MHz时， V
CE
= 3V,
I
C
= 1毫安
V
CE
= 3V ，我
C
= 3毫安
V
EB
= 3V ，我
E
= 0
V
CB
= 3V ，我
C
= 0
V
CI
= 3V ，我
C
= 0
300
-
-
-
500
0.6
0.58
2.8
-
31 -
j1.5
0.3 +
j0.04
0.001
+ j0.03
-
-
31 -
j1.5
0.3 +
j0.04
0.001
+ j0.03
-
mS
h
FE
h
IE
h
OE
h
RE
F = 1kHz时，V
CE
= 3V,
I
C
= 1毫安
F = 1kHz时，V
CE
= 3V,
I
C
= 1毫安
F = 1kHz时，V
CE
= 3V,
I
C
= 1毫安
F = 1kHz时，V
CE
= 3V,
I
C
= 1毫安
-
110
-
-
110
-
-
-
3.5
-
-
3.5
-
k
S
-
-
15.6
-
-
15.6
-
-
1.8 x
10
-4
-
-
1.8 x
10
-4
-
-
-
-
-
mS
输出导纳（图16）
-
-
-
-
mS
反向传输导纳
（图17）
增益带宽积（图18 ）
发射极 - 基极电容
集电极 - 基极电容
集电极 - 衬底电容
注意：
见图17
mS
-
-
-
-
300
-
-
-
500
0.6
0.58
2.8
-
-
-
-
兆赫
pF
pF
pF
3实际迫使电流通过发射器，用于此试验。
3
QQ：2880707522 复制
