【BRT 21 ， BRT 22 ， BRT 23SITACAC开关零电压开关无零电压开关交流开关与零】,IC型号C67079-A1052-A8,C67079-A1052-A8 PDF资料,C67079-A1052-A8经销商,ic,电子元器件-51电子网

BRT 21 ， BRT 22 ， BRT 23

SITAC

AC开关

零电压开关

无零电压开关

交流开关与零电压检测器

输入和输出电路之间的电绝缘。

微机兼容了非常低的触发电流

UL测试（文件编号的E 52744 ），代码字母"J"

可以使用以下选项：

选项1 ： VDE 0884认证

方案6 ：引脚在10.16毫米间距

选项7 ：销sourface安装

TYPE

BRT 21 H

BRT 22 H

OPT 。

-

1

7

V

DRM

400 V

600 V

I

真有效值

300毫安

I

FT

2毫安

3毫安

2毫安

3毫安

的dV / D

t

cr

10 KV / μs的

记号

BRT 21 H

BRT 22 H

订购代码

C67079-A1020-A6

C67079-A1050-A16

C67079-A1021-A6

C67079-A1051-A5

C67079-A1051-A11

C67079-A1051-A16

C67079-A1051-A17

1 + 6 400 V

1 + 6 600 V

1 + 7 600 V

600 V

800 V

BRT 22米 -

BRT 22男1

BRT 23 H

-

6

7

BRT 22男C67079 - A1021 -A10

BRT 22男C67079 - A1051 -A6

BRT 23 H

C67079-A1022-A6

C67079-A1052-A8

C67079-A1052-A11

C67079-A1052-A14

1 + 6 800 V

BRT 23米 -

BRT 23男C67079 - A1022 -A10

信息

包

1

2

3

阳极

引脚配置

4

A1

5

别

CONNECT

6

A2

阴极

不

Kathode

50个每管P- DIP - 6

连接的

半导体集团

1

12.96

BRT 21 ， BRT 22 ， BRT 23

最大额定值，

at

Tj

= 25℃，除非另有规定。

Tj

AC开关

参数

马克斯。功耗

芯片或工作温度

储存温度

绝缘测试电压

1)

符号

价值

630

-40 ...+ 100

-40 ...+ 150

5300

单位

mW

°C

P

合计

T

j

T

英镑

V

IS

V

RMS

输入/输出电路之间

（气候ACC 。符合DIN 40046 ，第2部分， Nov.74 ）

参考电压ACC 。符合VDE 0110 B

（绝缘C组）

漏电起痕性

（在ACC 。符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分）

绝缘电阻

V

REF

C

TI

500

600

175

V

RMS

V

DC

（ IIIa族

ACC 。根据DIN

VDE 0109 ）

R

is

≥

10

12

≥

10

11

-

F

≥

7.2

≥

7.2

V

IO

= 500 V,

T

A

= 25 °C

V

IO

= 500 V,

T

A

= 100 °C

DIN湿度类别， DIN 40 040

爬电距离（输入/输出电路）

清除率（输入/输出电路）

输入电路

参数

参数VR

连续正向电流

正向电流浪涌，

,

马克斯。功耗，

t

≤

10

s

符号

-

mm

价值

6

20

1.5

30

单位

V

mA

A

mW

V

R

I

F

I

FSM （ I）

P

合计

符号

BRT

21

400

300

3

600

输出电路

参数

重复峰值断态电压

RMS通态电流

单周期浪涌电流（ 50赫兹）

马克斯。功耗

半导体集团

2

BRT快速公交系统

22

600

23

800

单位

V

mA

A

mW

12.96

V

DRM

I

真有效值

I

TSM （I）的

P

合计

BRT 21 ， BRT 22 ， BRT 23

特征

at

Tj

= 25℃，除非另有规定。

Tj

输入电路

参数

正向电压，

符号

分钟。

值

典型值。

1.1

-

马克斯。

1.35 V

10

A

单位

V

F

I

R

thJA

-

I

F

= 10毫安

反向电流，

V

R

= 6 V

热阻

2)

结 - 环境

输出电路

参数

断态电压临界上升率

符号

分钟。

d

V / DT

cr

10

5

d

V / DT

CRQ

10

5

d

I / DT

cr

8

-

2

A / μs的

A

-

值

典型值。

马克斯。

KV / μs的

单位

750 K / W

V

D

= 0.67

V

DRM

,

T

j

= 25 °C

V

D

= 0.67

V

DRM

,

T

j

= 80 °C

上升电压的电流的临界速度

换相

通讯

V

D

= 0.67 V

DRM

,

T

j

= 25

°C,

di

I / DT

CRQ

≤

15 A / MS

T

= 25℃ ，D / dt的

CRQ

≤

15 A / MS

T

= 80℃ ，D / dt的

CRQ

≤15

V

D

= 0.67 V

DRM

,

T

j

= 80

°C,

di

I / DT

CRQ

≤

15 A / MS

通态电流临界上升率

脉冲电流

I

tp

V

T

I

D

t

p

≤

5

s,

ff

= 100赫兹，

i

tp

/ DT / DT 8 A / μs的

p

≤

5微秒， = 100 ，D二

tp

≤ ≤

8 A / MS

通态电压，

I

T

= 300毫安

FF-态电流

-

2.3

V

A

T

C

= 25 °C,

V

DRM

T

C

= 80 °C,

V

DRM

保持电流，

-

7

12

80

-

30

100

1000

500

125 K / W

I

H

R

thJA

-

V

D

= 10 V

热阻

2)

结 - 环境

半导体集团

3

12.96

BRT 21 ， BRT 22 ， BRT 23

响应特性

at

T

j

= 25℃，除非另有规定。

参数

触发电流1

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

mA

0.4

-

2

3

单位

I

FT1

H型

输入M

V

D

= 6 V

触发电流2

I

FT2

V

op

= 220 V,

= 50赫兹，T

j

= 100°C

t

pF

> 10毫秒

H型

输入M

触发电流温度梯度

抑制电压，

I

F

=

I

FT1

抑制电压温度梯度

断态电流抑制状态

I

FT1

/T

j

I

FT2

/T

j

-

7

-

7

8

-20

50

-

6

9

14

12

-

μA / K

V

毫伏/ K

V

DINH

V

DINH

/

T

j

I

DINH

C

IO

200 A

2

pF

I

F

=

I

FT1

,

V

DRM

输入和输出电路之间的电容

V

R

= 0 V,

f

= 1千赫

1 ）静态空气， SITAC焊接在PCB或底板。

2 ）测试交流电压ACC 。符合DIN 57883 ， 1980年6月。

3） SITAC开关焊接在PCB或底板。

4） Termocouple测量必须被执行潜在地分离到A1和A2。

测量端应尽可能接近的情况下。

5） SITAC零电压开关，可以在下面的阴影区只触发

T

j

曲线。

半导体集团

4

12.96

BRT 21 ， BRT 22 ， BRT 23

特征

at

Tj

= 25℃，除非另有规定。

Tj

典型的输入特性

I

F

=

(

V

F

)

典型的输出特性

I

T

=

(

V

T

)

电流降低

I

真有效值

=

(

T

A

)

R

thJA

= 125 K / W

3)

电流降低

I

真有效值

=

(

T

PIN5

)

R

thJ-PIN5

= 16,5 K / W

4)

半导体集团

5

12.96