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TEMPFET
BTS 113A
特点
q
q
q
q
q
N沟道
逻辑电平
增强型
温度传感器晶闸管特性
漏极引脚电短路的标签
1
2
3
针
1
G
2
D
3
S
TYPE
BTS 113A
V
DS
60 V
I
D
11.5 A
R
DS （ ON）
0.17
包
TO-220AB
订购代码
C67078-S5015-A2
最大额定值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压，
R
GS
= 20 k
栅源电压
连续漏电流，
T
C
= 25
°C
ISO漏电流
T
C
= 85 C,
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 0.5 V
脉冲漏极电流，
短路电流，
符号
值
60
60
±
10
11.5
2.2
46
27
400
40
– 55 ... + 150
E
55/150/56
K / W
≤
3.1
≤
75
°C
–
W
A
单位
V
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D- ISO
I
PULS
I
SC
P
SCmax
P
合计
T
j
,
T
英镑
–
–
T
C
= 25
°C
T
j
= – 55 ... + 150
°C
短路损耗，
T
j
= – 55 ... + 150
°C
功耗
工作和存储温度范围
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
热阻
芯片案
芯片环境
R
日JC
R
日JA
半导体集团
1
04.97
BTS 113A
电气特性
at
T
j
= 25
°C,
除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0
, I
D
= 0.25毫安
栅极阈值电压
V
GS
=
V
DS
, I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 60 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 125
°C
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=
±
20 V,
V
DS
= 0
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
漏源导通电阻
V
GS
= 4.5 V
, I
D
= 5.8 A
动态特性
正向跨导
V
DS
≥
2
×
I
D
×
R
DS （ ON）最大值
,
I
D
= 5.8 A
输入电容
V
GS
= 0
, V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0
, V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
V
GS
= 0
, V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
开启时间
t
on
, (
t
on
=
t
D（上）
+
t
r
)
V
CC
= 30 V,
V
GS
= 5.0 V,
I
D
= 3.0 A,
R
GS
= 50
打开-O FF时间
t
关闭
, (
t
关闭
=
t
D（关闭）
+
t
f
)
V
CC
= 30 V,
V
GS
= 5.0 V,
I
D
= 3.0 A,
R
GS
= 50
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
60
–
2.0
–
2.5
V
V
GS （ TH）
1.6
I
DSS
–
–
0.1
10
1.0
100
A
I
GSS
–
–
10
2
0.14
100
4
0.17
nA
A
–
R
DS （ ON）
g
fs
4.5
7.5
420
160
60
15
55
45
40
–
S
pF
–
560
250
110
25
80
60
55
ns
C
国际空间站
C
OSS
–
C
RSS
–
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
–
–
–
–
半导体集团
2
BTS 113A
电气特性
（续）
at
T
j
= 25
°C,
除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
反向二极管
连续源电流
脉冲源电流
二极管正向导通电压
I
F
= 28 A,
V
GS
= 0
反向恢复时间
I
F
=
I
S
, d
i
F
/d
t
= 100 A / μs的，
V
R
= 30 V
反向恢复电荷
I
F
=
I
S
, d
i
F
/d
t
= 100 A / μs的，
V
R
= 30 V
温度传感器
正向电压
I
的TS （上）
= 5毫安，
T
j
= – 55 ... + 150
°C
传感器覆盖，
t
p
≤
100
s
T
j
= – 55 ... + 160
°C
正向电流
T
j
= – 55 ... + 150
°C
传感器覆盖，
t
p
≤
100
s
T
j
= – 55 ... + 160
°C
保持电流，
V
的TS （关闭）
= 5.0 V,
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
温度开关
V
TS
= 5.0 V
打开-O FF时间
V
TS
= 5.0 V,
I
的TS （上）
= 2毫安
值
典型值。
马克斯。
单位
I
S
I
SM
V
SD
–
–
–
–
–
1.5
60
0.10
11.5
46
A
V
1.8
ns
–
C
–
t
rr
–
Q
rr
–
V
的TS （上）
–
–
1.4
–
–
–
0.3
0.2
–
–
1.5
10
V
I
的TS （上）
–
–
5
600
0.5
0.3
mA
I
H
T
的TS （上）
0.05
0.05
150
°C
–
s
0.5
2.5
t
关闭
半导体集团
3
BTS 113A
短路保护范例
at
T
j
= – 55 ... + 150
°C,
除非另有规定ED 。
参数
符号
1
示例
2
–
单位
漏源电压
栅源电压
短路电流
短路耗散
响应时间
T
j
= 25
°C,
短路前
V
DS
V
GS
I
SC
P
SC
t
SC （关闭）
15
5.0
27
400
20
30
3.5
12.6
380
20
–
–
–
–
–
V
A
W
ms
短路保护
I
SC
=
f
(
V
DS
)
参数
: V
GS
图确定
I
SC
为
T
j
= – 55 ... + 150 C
马克斯。栅极电压
V
GS （ SC ）
=
f
(
V
DS
)
参数：
T
j
= – 55 ... + 150
°C
半导体集团
4
BTS 113A
马克斯。功耗
P
合计
=
f
(
T
C
)
典型值。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
=
f
(
I
D
)
参数
: V
GS
典型的输出特性
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数
: t
p
80
= s
安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
= 25
°C
半导体集团
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CY7C613NC
CMD8RNP-181MC
C2012X7R2J474JT
CXA2134Q
CXK58257AM-12L
CS61574-IL
CCR50.0MXC7T
CD74HC4017QM96G4Q1
CD74HC27MT
CAT93C57LA-1.8-GT3E
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