【BUZ 339SIPMOS功率晶体管 N沟道增强型雪崩额定值销1G销2D3脚STYPEBUZ 339】,IC型号C67078-S3133-A2,C67078-S3133-A2 PDF资料,C67078-S3133-A2经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BUZ 339

SIPMOS

功率晶体管

N沟道

增强型

雪崩额定值

销1

G

销2

D

3脚

S

TYPE

BUZ 339

V

DS

500 V

I

D

11.5 A

R

DS （ ON）

0.5

包

TO- 218 AA

订购代码

C67078-S3133-A2

最大额定值

参数

连续漏电流

符号

值

11.5

单位

A

I

D

I

Dpuls

46

T

C

= 33 °C

漏电流脉冲

T

C

= 25 °C

雪崩电流，通过限制

T

JMAX

雪崩能量，通过定期的限制

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

AR

E

AR

E

AS

11.5

16

mJ

I

D

= 11.5 A,

V

DD

= 50 V,

R

GS

= 25

L

= 10.8毫亨，

T

j

= 25 °C

门源电压

功耗

790

V

GS

P

合计

±

20

170

V

W

T

C

= 25 °C

工作温度

储存温度

热电阻，片式案例

热电阻，芯片到环境

DIN湿度类别， DIN 40 040

IEC气候类型， DIN IEC 68-1

半导体集团

T

j

T

英镑

R

thJC

R

thJA

-55 ... + 150

-55 ... + 150

≤

0.74

75

E

55 / 150 / 56

°C

K / W

1

07/96

BUZ 339

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

静态特性

漏源击穿电压

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） DSS

500

-

3

0.1

10

10

0.4

-

4

V

V

GS

= 0 V,

I

D

= 0.25毫安，

T

j

= 25 °C

栅极阈值电压

V

GS （ TH）

2.1

V

GS =

V

DS ，

I

D

= 1毫安

零栅极电压漏极电流

I

DSS

-

-

1

100

A

V

DS

= 500 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 °C

V

DS

= 500 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 125 °C

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

-

100

nA

-

0.5

V

GS

= 20 V,

V

DS

= 0 V

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

V

GS

= 10 V,

I

D

= 7.5 A

半导体集团

2

07/96

BUZ 339

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

动态特性

跨

值

典型值。

马克斯。

单位

g

fs

8

14

2200

260

100

-

S

pF

-

3000

400

150

ns

-

35

50

V

DS

≥

2

*

I

D *

R

DS （ ON）最大值，

I

D

= 7.5 A

输入电容

C

国际空间站

C

OSS

-

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

C

RSS

-

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

导通延迟时间

t

D（上）

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 2.9 A

R

GS

= 50

上升时间

t

r

-

70

100

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 2.9 A

R

GS

= 50

打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

-

450

680

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 2.9 A

R

GS

= 50

下降时间

t

f

-

110

160

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 2.9 A

R

GS

= 50

半导体集团

3

07/96

BUZ 339

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

反向二极管

逆二极管连续正向电流

I

S

T

C

= 25 °C

逆二极管直流，脉冲

A

-

-

-

-

1.1

450

7.6

11.5

46

V

-

1.5

ns

-

-

C

-

-

值

典型值。

马克斯。

单位

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

T

C

= 25 °C

逆二极管正向电压

V

GS

= 0 V,

I

F

= 23 A

反向恢复时间

V

R

= 100 V,

I

F=

l

S,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

反向恢复电荷

V

R

= 100 V,

I

F=

l

S,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

半导体集团

4

07/96

BUZ 339

功耗

P

合计

=

(T

C

)

漏电流

I

D

=

(T

C

)

参数：

V

GS

≥

10 V

12

A

180

W

10

P

合计

140

120

100

I

D

9

8

7

6

80

60

40

5

4

3

2

20

0

0

1

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

T

C

T

C

安全工作区

I

D

=

(V

DS

)

参数：

D

= 0.01,

T

C

= 25°C

10

2

t

= 1.4s

p

瞬态热阻抗

Z

日JC

=

(t

p

)

参数：

D =吨

p

/

T

10

0

A

10 s

K / W

I

D

100 s

Z

thJC

10

1

DS

(o

n)

/I

D

=V

DS

10

-1

1毫秒

R

10毫秒

D = 0.50

0.20

10

0

10

-2

0.10

0.05

单脉冲

DC

0.02

0.01

10

-1

0

10

10

1

10

2

V 10

3

10

-3

-7

10

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

s 10

0

V

DS

t

p

半导体集团

5

07/96

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联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话：13910052844（微信同步）

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