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BUZ 271
SIPMOS
功率晶体管
P沟道
增强型
额定雪崩
销1
G
销2
D
3脚
S
TYPE
BUZ 271
V
DS
-50 V
I
D
-22 A
R
DS （ ON）
0.15
包
的TO-220 AB
订购代码
C67078-S1453-A2
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
值
-22
单位
A
I
D
I
Dpuls
-88
T
C
= 26 °C
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
雪崩能量，单脉冲
E
AS
200
mJ
I
D
= -22 A,
V
DD
= -25 V,
R
GS
= 25
L
= 413 H,
T
j
= 25 °C
门源电压
功耗
V
GS
P
合计
±
20
125
V
W
T
C
= 25 °C
工作温度
储存温度
热电阻，片式案例
热电阻，芯片到环境
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤
1
≤
75
E
55 / 150 / 56
°C
K / W
半导体集团
1
07/96
BUZ 271
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
-50
-
-3
-0.1
-10
-10
0.12
-
-4
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= -0.25毫安，
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
-2.1
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
-1
-100
A
V
DS
= -50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= -50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
-100
nA
-
0.15
V
GS
= -20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= -10 V,
I
D
= -14 A
半导体集团
2
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BUZ 271
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
跨
值
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
1.5
4
2000
650
250
-
S
pF
-
2700
975
375
ns
-
30
45
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= -14 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -2.95 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
120
180
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -2.95 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
130
175
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -2.95 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
140
190
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -2.95 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
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BUZ 271
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
C
= 25 °C
逆二极管直流，脉冲
A
-
-
-
-
-1.25
90
0.23
-22
-88
V
-
-1.7
ns
-
-
C
-
-
值
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= -44 A
反向恢复时间
V
R
= -30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= -30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
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BUZ 271
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
-10 V
-24
A
-20
130
W
110
P
合计
100
90
80
I
D
-18
-16
-14
70
-12
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
-10
-8
-6
-4
-2
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
= 25°C
-10
3
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
1
K / W
A
I
D
-10
2
t
= 35.0s
p
100 s
Z
thJC
10
0
/I
D
=
-10
1
)
on
S(
R
D
V
D
S
1毫秒
10
-1
D = 0.50
0.20
0.10
10毫秒
10
-2
0.05
0.02
0.01
DC
单脉冲
-10
0
0
-10
-10
1
V -10
2
10
-3
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
半导体集团
5
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CDRH127-4R7
C062G102K2G5CP
CY7C1517V18-200BZXI
CT1102P7.5F260
CY7C1347G-133AXI
CAT1024PE-30TE13
CY7C510-55JC
CB1GFA1815533290653
CY74FCT827CTSOCTE4
CWR06KB155JS
CDLL5535D
CY7C1518V18-300BZXI
CY24204ZC-3T
CL181FG-C
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人：刘先生
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