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BUZ 51
SIPMOS
功率晶体管
N沟道
增强型
雪崩额定值
销1
G
销2
D
3脚
S
TYPE
BUZ 51
V
DS
1000 V
I
D
3.4 A
R
DS （ ON）
4
包
的TO-220 AB
订购代码
C67078-S1344-A2
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
值
3.4
单位
A
I
D
I
Dpuls
13.5
T
C
= 29 °C
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
雪崩电流，通过限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
AR
E
AR
E
AS
3.4
12
mJ
I
D
= 3.4 A,
V
DD
= 50 V,
R
GS
= 25
L
= 67毫亨，
T
j
= 25 °C
门源电压
功耗
410
V
GS
P
合计
±
20
125
V
W
T
C
= 25 °C
工作温度
储存温度
热电阻，片式案例
热电阻，芯片到环境
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
半导体集团
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤
1
75
E
55 / 150 / 56
°C
K / W
1
07/96
BUZ 51
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
1000
-
3
0.1
10
10
3.6
-
4
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
2.1
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
1
100
A
V
DS
= 1000 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 1000 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
100
nA
-
4
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.2 A
半导体集团
2
07/96
BUZ 51
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
跨
值
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
1
3
980
85
45
-
S
pF
-
1300
130
70
ns
-
15
25
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 2.2 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.1 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
70
105
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.1 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
175
235
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.1 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
70
95
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.1 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
07/96
BUZ 51
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
C
= 25 °C
逆二极管直流，脉冲
A
-
-
-
-
0.95
0.3
2.5
3.4
13.5
V
-
1.4
s
-
-
C
-
-
值
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 6.8 A
反向恢复时间
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
07/96
BUZ 51
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
10 V
3.6
A
130
W
110
P
合计
100
90
80
70
60
50
I
D
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
40
30
20
0.4
10
0
0
0.0
20
40
60
80
100
120
°C
160
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
0.8
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
= 25°C
10
2
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
1
K / W
A
10
0
t
= 23.0s
p
I
D
10
1
Z
thJC
10
-1
100 s
10
-2
D = 0.50
1毫秒
=V
10
0
DS
/I
0.20
10
-3
10毫秒
D
0.10
0.05
DS
（上
)
10
-4
单脉冲
R
0.02
0.01
10
-1
0
10
10
1
10
2
DC
3
V 10
10
-5
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
半导体集团
5
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CH3904SPT
CD4504BM96E4
CRO1270A-LF
CS5204-2
CY7C1372DV25-250BZXC
CDR6D23MNNP-7R2N
CC612516C
C164CL
CP1E-N14DT1-D
CD74HC253MTE4
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