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BUZ 76 A
SIPMOS
功率晶体管
N沟道
增强型
雪崩额定值
销1
G
销2
D
3脚
S
TYPE
BUZ 76 A
V
DS
400 V
I
D
2.7 A
R
DS （ ON）
2.5
包
的TO-220 AB
订购代码
C67078-S1315-A2
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
值
2.7
单位
A
I
D
I
Dpuls
11
T
C
= 23 °C
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
雪崩电流，通过限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
AR
E
AR
E
AS
3
5
mJ
I
D
= 3 A,
V
DD
= 50 V,
R
GS
= 25
L
= 35毫亨，
T
j
= 25 °C
门源电压
功耗
180
V
GS
P
合计
±
20
40
V
W
T
C
= 25 °C
工作温度
储存温度
热电阻，片式案例
热电阻，芯片到环境
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
半导体集团
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤
3.1
75
E
55 / 150 / 56
°C
K / W
1
07/96
BUZ 76 A
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
400
-
3
0.1
10
10
2
-
4
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
2.1
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
1
100
A
V
DS
= 400 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 400 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
100
nA
-
2.5
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2 A
半导体集团
2
07/96
BUZ 76 A
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
跨
值
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
2.1
3
430
65
25
-
S
pF
-
650
100
40
ns
-
8
12
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 2 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.5 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
30
45
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.5 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
55
75
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.5 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
30
40
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.5 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
07/96
BUZ 76 A
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
C
= 25 °C
逆二极管直流，脉冲
A
-
-
-
-
1
300
2.5
2.7
11
V
-
1.4
ns
-
-
C
-
-
值
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 6 A
反向恢复时间
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
07/96
BUZ 76 A
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
10 V
2.8
A
45
W
2.4
P
合计
35
30
25
20
15
I
D
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
10
5
0
0
0.6
0.4
0.2
0.0
20
40
60
80
100
120
°C
160
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
= 25°C
10
2
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
1
K / W
A
I
D
t
= 24.0s
p
Z
thJC
10
1
10
0
100 s
/I
D
10
-1
D = 0.50
1毫秒
DS
DS
(o
n)
10
0
=V
0.20
0.10
10
-2
0.05
0.02
R
10毫秒
单脉冲
0.01
10
-1
0
10
10
1
10
2
DC
V 10
3
10
-3
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
半导体集团
5
07/96
BUZ 76
SIPMOS
功率晶体管
N沟道
增强型
雪崩额定值
销1
G
销2
D
3脚
S
TYPE
BUZ 76
V
DS
400 V
I
D
3A
R
DS （ ON）
1.8
包
的TO-220 AB
订购代码
C67078-S1315-A2
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
值
3
单位
A
I
D
I
Dpuls
12
T
C
= 37 °C
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
雪崩电流，通过限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
AR
E
AR
E
AS
3
5
mJ
I
D
= 3 A,
V
DD
= 50 V,
R
GS
= 25
L
= 35毫亨，
T
j
= 25 °C
门源电压
功耗
180
V
GS
P
合计
±
20
40
V
W
T
C
= 25 °C
工作温度
储存温度
热电阻，片式案例
热电阻，芯片到环境
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
半导体集团
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤
3.1
75
E
55 / 150 / 56
°C
K / W
1
07/96
BUZ 76
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
400
-
3
0.1
10
10
1.4
-
4
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
2.1
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
1
100
A
V
DS
= 400 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 400 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
100
nA
-
1.8
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2 A
半导体集团
2
07/96
BUZ 76
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
跨
值
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
2.1
3
430
65
25
-
S
pF
-
650
100
40
ns
-
8
12
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 2 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.5 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
30
45
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.5 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
55
75
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.5 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
30
40
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.5 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
07/96
BUZ 76
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
C
= 25 °C
逆二极管直流，脉冲
A
-
-
-
-
1
300
2.5
3
12
V
-
1.4
ns
-
-
C
-
-
值
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 6 A
反向恢复时间
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
07/96
BUZ 76
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
10 V
3.2
45
W
A
P
合计
35
30
I
D
2.4
2.0
25
1.6
20
1.2
15
0.8
10
5
0
0
0.4
0.0
20
40
60
80
100
120
°C
160
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
= 25°C
10
2
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
1
K / W
A
I
D
t
= 21.0s
p
Z
thJC
10
1
100 s
10
0
/I
D
10
-1
D = 0.50
1毫秒
=V
DS
R
10
0
DS
(o
n)
0.20
0.10
10
-2
0.05
0.02
10毫秒
单脉冲
0.01
10
-1
0
10
10
1
10
2
DC
V 10
3
10
-3
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
半导体集团
5
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CAT28LV65NI-30T
CCL75DK2-ACF2
C124G102C1CK5CM
CYK256K16MCCB
CY37384VP352-125BAXC
CY8C21234-24SXI
CRNB15-800
CIG10F1R0MNC
CTML1206F-R56M
CD74HCT670MTE4
C855-2B4R-54
CY7C1342
CMCS5064
CRCW12061R00JNEAIF
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